專利名稱：半導(dǎo)體器件及使用它的存儲卡的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及使用它的存儲卡。
背景技術(shù)：
內(nèi)置NAND型閃存等的半導(dǎo)體存儲卡的小型化和大容量化正在被快速推進(jìn)。例如，SDTM存儲卡的卡尺寸具有通常的SDTM卡尺寸、迷你SDTM卡尺寸、微型SDTM卡尺寸三種類型，對于微型SDTM卡也要求大容量化。正在研究在實(shí)現(xiàn)已小型化的存儲卡的大容量化的基礎(chǔ)上，例如不將內(nèi)置存儲器元件、控制器元件等半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器件收納在像基礎(chǔ)卡(basecard)那樣的殼體中，而利用其自身構(gòu)成存儲卡，并且部分實(shí)現(xiàn)了實(shí)用化。
在制造小型存儲卡時(shí)，首先，作為電路基板準(zhǔn)備將多個(gè)存儲卡的形成區(qū)域配置成矩陣狀的電路基板框架。在電路基板框架的各個(gè)卡形成區(qū)域通過電鍍等形成外部連接端子后，在背面?zhèn)劝惭b半導(dǎo)體元件。然后，將半導(dǎo)體元件和電路基板電連接后，以一并封裝安裝在多個(gè)卡形成區(qū)域的半導(dǎo)體元件的方式，在電路基板框架的背面模制成型密封樹脂。
根據(jù)卡形成區(qū)域?qū)㈦娐坊蹇蚣芎兔芊鈽渲黄鹎懈?，由此一并制造多個(gè)存儲卡。在存儲卡的外周設(shè)有表示向卡槽上進(jìn)行安裝時(shí)的卡的前后和正反方向的缺口部、縮頸部等(例如參照日本專利特開2005-339496號公報(bào))。在將半導(dǎo)體器件收納于殼體中構(gòu)成的存儲卡中，缺口部、縮頸部等形成于殼體上。在利用半導(dǎo)體器件單體構(gòu)成的無殼體存儲卡中，需要在半導(dǎo)體器件自身上形成缺口部、縮頸部等。
在切割電路基板框架時(shí)，通常適用快速的刀切割加工。由于缺口部、縮頸部等具有包括曲線部分的復(fù)雜形狀，所以在研究適用激光加工、水射流加工。但是，這些加工方法與刀切割加工相比，具有切割速度慢的難點(diǎn)。如果將激光加工、水射流加工等適用于整個(gè)外形的切割，則不能避免電路基板框架的切割工序的加工效率的低下。
另外，曲線部分與直線部分相比需要進(jìn)行低速切割，使得加工效率進(jìn)一步降低。對曲線部分的加工比較有效的激光加工、水射流加工等中，激光加工的切割效率高于水射流加工，但是在低速切割時(shí)由于冷卻效率降低，切割部分的發(fā)熱的影響成為問題。由于切割時(shí)的發(fā)熱的影響，產(chǎn)生布線間絕緣性的降低，和因構(gòu)成電路基板的抗蝕劑、芯體部件等的碳化造成的短路等，還存在容易導(dǎo)致半導(dǎo)體元件的特性劣化的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方式涉及的半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備基板，其具有第1主面和與所述第1主面相反側(cè)的第2主面，而且具有設(shè)于外形的至少一邊的曲線部；半導(dǎo)體元件，其被安裝在所述基板的所述第1主面和所述第2主面中至少一方；布線網(wǎng)，其被設(shè)于所述基板的所述第1主面和所述第2主面中至少一方，距具有所述曲線部的邊的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離。
本發(fā)明的其他方式涉及的半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備基板，其具有第1主面和與所述第1主面相反側(cè)的第2主面，而且具有設(shè)于外形的至少一邊的曲線部；外部連接端子，其被形成于所述基板的所述第1主面上；第1布線網(wǎng)，其被設(shè)于所述基板的所述第1主面中除所述外部連接端子的形成區(qū)域之外的區(qū)域，距具有所述曲線部的邊的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離；第2布線網(wǎng)，其被設(shè)于所述基板的所述第2主面上，距具有所述曲線部的邊的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離；半導(dǎo)體元件，其被安裝在所述基板的所述第2主面上。
本發(fā)明的方式涉及的存儲卡，其特征在于，具備基板，其具有第1主面和與所述第1主面相反側(cè)的第2主面，而且具有設(shè)于外形的至少一邊的曲線部；外部連接端子，其被形成于所述基板的所述第1主面上；第1布線網(wǎng)，其被設(shè)于所述基板的所述第1主面中除所述外部連接端子的形成區(qū)域之外的區(qū)域，距具有所述曲線部的邊的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離；絕緣層，其以覆蓋所述第1布線網(wǎng)的方式被形成于所述基板的所述第1主面上，；第2布線網(wǎng)，其被設(shè)于所述基板的所述第2主面上，距具有所述曲線部的邊的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離；半導(dǎo)體元件，其被安裝在所述基板的所述第2主面上；密封樹脂層，其以密封所述半導(dǎo)體元件的方式被形成于所述基板的所述第2主面上。


圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2是圖1所示半導(dǎo)體器件的俯視圖。
圖3是圖1所示半導(dǎo)體器件的底視圖。
圖4是表示設(shè)于構(gòu)成圖1所示半導(dǎo)體器件的電路基板的第2主面?zhèn)鹊牡?布線網(wǎng)的一例的圖。
圖5是表示設(shè)于構(gòu)成圖1所示半導(dǎo)體器件的電路基板的第2主面?zhèn)鹊牡?布線網(wǎng)的其他示例的圖。
圖6是表示構(gòu)成圖1所示半導(dǎo)體器件的電路基板的其他示例的圖。
圖7A、圖7B和圖7C是表示圖1所示半導(dǎo)體器件的制造工序的圖。
圖8A、圖8B是表示圖1所示半導(dǎo)體器件的制造工序的電路基板框架的切割工序的俯視圖。
圖9A、圖9B是表示圖1所示半導(dǎo)體器件的制造工序的電路基板框架的其他切割工序的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照

用于實(shí)施本發(fā)明的方式。圖1、圖2和圖3是表示基于本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)的圖，圖1是半導(dǎo)體器件的剖面圖，圖2是其俯視圖(上表面的圖)，圖3是其底視圖。這些附圖所示的半導(dǎo)體器件1用于構(gòu)成存儲卡，能夠只利用半導(dǎo)體器件1作為例如微型SDTM規(guī)格的存儲卡(微型SDTM卡)來使用。半導(dǎo)體器件1具有兼作端子形成基板和元件安裝基板的電路基板2。
電路基板2例如在絕緣性樹脂基板的內(nèi)部、表面等設(shè)置布線網(wǎng)，具體地講，可以適用使用了玻璃-環(huán)氧樹脂、BT樹脂(粘膠絲馬來酰亞胺·三嗪樹脂)等的印刷電路基板。電路基板2具有作為端子形成面的第1主面和作為元件安裝面的第2主面2b。電路基板2具有大致矩形狀的外形。一方短邊3A相當(dāng)于將存儲卡插入卡槽時(shí)的前端部側(cè)。另一方短邊3B相當(dāng)于存儲卡的后方部側(cè)。
在電路基板2的一方長邊4A設(shè)有缺口部5、縮頸部6等，用于表示存儲卡的前后和正反方向。缺口部5以使短邊3A的寬度小于短邊3B的寬度的方式將短邊3A和長邊4A的角部及從此處連續(xù)的長邊4A的一部分切去而形成。縮頸部6是大致梯形狀地切去長邊4A的一部分使其縮頸而成。缺口部5、縮頸部6等除了使電路基板2的外形成為復(fù)雜的形狀外，它們自身的形狀也具有包括曲線部分的復(fù)雜形狀。
電路基板2的長邊4A具有缺口部5、縮頸部6等，作為它們的形狀的一部分具有曲線部。另外，電路基板2的各個(gè)角部7形成為曲線狀(R形狀)。在此分開說明缺口部5和縮頸部6，但也可以將它們統(tǒng)稱為將構(gòu)成電路基板2的外形的邊的一部分切去的部分。半導(dǎo)體器件1在使用具有這種缺口部分的電路基板2的情況下有效。進(jìn)一步，半導(dǎo)體器件1在使用具有曲線狀的角部7的電路基板2的情況下有效。
在電路基板2的第1主面2a形成有作為存儲卡的輸入輸出端子的外部連接端子8。另外，在電路基板2的第1主面2a中除了外部連接端子8的形成區(qū)域之外的區(qū)域設(shè)有第1布線網(wǎng)9。第1布線網(wǎng)9被使用了絕緣性粘接膜、粘接帶等的絕緣層10覆蓋著，并由此實(shí)現(xiàn)絕緣。第1布線網(wǎng)9形成為距設(shè)有缺口部5、縮頸部6等的長邊4A的距離L11遠(yuǎn)于距其他邊的距離。
即，第1布線網(wǎng)9形成為距設(shè)有缺口部5、縮頸部6等的長邊4A的距離L11大于距短邊3B的距離L12、距長邊4B的距離L13等(L11＞L12、L11＞L13)。另外，用于和距長邊4A的距離L11比較的距離為距靠近第1布線網(wǎng)9的短邊3B和長邊4B的距離L12、L13，但距隔有外部連接端子8的形成區(qū)域的短邊3A的距離除外。
另外，關(guān)于第1布線網(wǎng)9距被賦予了R形狀的電路基板2的角部7的距離，與距具有缺口部5、縮頸部6等的長邊4A的距離L11一樣，遠(yuǎn)于距其他邊的距離(例如L12、L13)。這樣，第1布線網(wǎng)9形成為距具有基于缺口部5、縮頸部6等的曲線部的長邊4A的距離L11、以及距電路基板2的曲線狀的角部(具有R形狀的角部)7的距離，遠(yuǎn)于距其他邊3B、4B的距離(例如L12、L13)。
在電路基板2的第2主面2b設(shè)有具有引線接合時(shí)的連接焊盤等的第2布線網(wǎng)11。圖4表示第2布線網(wǎng)11的結(jié)構(gòu)示例。第2布線網(wǎng)11與第1布線網(wǎng)9相同，其形成為距具有缺口部5、縮頸部6等的長邊4A的距離L21遠(yuǎn)于距其他邊的距離、即距短邊3A、短邊3B和長邊4B的距離。
第2布線網(wǎng)11具有通過電鍍形成外部連接端子8時(shí)的電鍍導(dǎo)線12。電鍍導(dǎo)線12朝向除了具有缺口部5、縮頸部6等的長邊4A之外的其他邊、例如短邊3B、長邊4B等引出。在圖4中，電鍍導(dǎo)線12被引出到短邊3B、長邊4B等，所以從短邊3B和長邊4B到第2布線網(wǎng)11的距離為零。因此，第2布線網(wǎng)11形成為距長邊4A的距離L21遠(yuǎn)于距短邊3A的距離L22和距長邊4B的距離(實(shí)質(zhì)上為零)。
另外，關(guān)于第2布線網(wǎng)11距被賦予了R形狀的電路基板2的角部7的距離，與距具有缺口部5、縮頸部6等的長邊4A的距離L21相同，形成為遠(yuǎn)于距其他邊的距離(例如L22)。這樣，第2布線網(wǎng)11形成為距具有基于缺口部5、縮頸部6等的曲線部的長邊4A的距離L21、以及距電路基板2的曲線狀的角部(具有R形狀的角部)7的距離，遠(yuǎn)于距其他邊3A、3B、4B的距離。
第2布線網(wǎng)11被引出到短邊3B、長邊4B等。對此，在具有缺口部5、縮頸部6等的長邊4A和第2布線網(wǎng)11之間設(shè)有未形成布線的區(qū)域(非布線區(qū)域X)。非布線區(qū)域X也設(shè)在曲線狀的角部7和第2布線網(wǎng)11之間。非布線區(qū)域X如后面所述，對應(yīng)適用激光加工進(jìn)行外形加工的部分而設(shè)置。即，在電路基板2的適用激光加工進(jìn)行外形加工的部分(長邊4A和各個(gè)角部7)與第2布線網(wǎng)11之間設(shè)定有非布線區(qū)域X。第1布線網(wǎng)9也相同。
電鍍導(dǎo)線12在對電路基板2實(shí)施電鍍處理形成外部連接端子8等后，如圖5所示，也可以通過蝕刻處理等去除位于短邊3B、長邊4B等附近的部分。此時(shí)，電鍍導(dǎo)線12與其他布線相同，位于從構(gòu)成電路基板2的外形的各個(gè)邊(短邊3B、長邊4B等等)僅離開規(guī)定距離的位置。在這種情況下，第2布線網(wǎng)11形成為距長邊4A的距離L21遠(yuǎn)于距短邊3A、短邊3B、長邊4B等的各個(gè)距離。
另外，在使第1和第2布線網(wǎng)9、11距長邊4A和角部7的距離遠(yuǎn)于距其他邊3A、3B和4B的距離的基礎(chǔ)上，在第1和第2布線網(wǎng)11與長邊4A和角部7之間設(shè)置虛設(shè)布線也有效。圖6表示設(shè)于電路基板2的第2主面2b的虛設(shè)布線20的一例。在電路基板2的第2主面2b上，在具有基于缺口部5、縮頸部6等的曲線部的長邊4A和曲線狀的角部7與第2布線網(wǎng)11之間設(shè)有虛設(shè)布線20。
虛設(shè)布線20不具有作為電氣布線的作用，而用于防止因激光加工時(shí)的發(fā)熱形成的不良(基板材料的碳化等)波及影響到第2布線網(wǎng)11。虛設(shè)布線20相對第2布線網(wǎng)11獨(dú)立存在。在激光加工長邊4A和角部7時(shí)，即使加工部位的基板材料碳化，該碳化狀態(tài)也通過虛設(shè)布線20被阻止。因此，能夠更加可靠地抑制基板材料的碳化給第2布線網(wǎng)11帶來不良影響。虛設(shè)布線20同樣可以形成于電路基板2的第1主面2a上。虛設(shè)布線20也可以配置在各種激光加工部位和布線網(wǎng)之間，該情況時(shí)也能抑制對布線網(wǎng)的不良影響。
在電路基板2的第2主面2b安裝有第1和第2半導(dǎo)體元件13、14。第1半導(dǎo)體元件13是NAND型閃存等半導(dǎo)體存儲器元件。半導(dǎo)體存儲器元件13通過省略圖示的粘接劑層粘接在電路基板2的第2主面2b上。半導(dǎo)體存儲器元件13的安裝數(shù)量不限于1個(gè)，也可以是兩個(gè)或兩個(gè)以上。第2半導(dǎo)體元件14例如是控制器元件?？刂破髟?4被層疊在半導(dǎo)體存儲器元件13上，并通過省略圖示的粘接劑層粘接在其上。
半導(dǎo)體存儲器元件13、控制器元件14等的各個(gè)電極焊盤(未圖示)，分別通過接合線15、16與設(shè)于第2布線網(wǎng)11的連接焊盤電連接。第2布線網(wǎng)11通過電路基板2的省略圖示的內(nèi)部布線(通孔等)與外部連接端子8和第1布線網(wǎng)9電連接。在安裝有半導(dǎo)體存儲器元件13、控制器元件14等的電路基板2的第2主面2b上，模制成型有環(huán)氧樹脂等的密封樹脂層17。半導(dǎo)體存儲器元件13、控制器元件14等被密封樹脂層17密封著。
通過利用密封樹脂層17一體密封安裝在電路基板2的第2主面2b上的半導(dǎo)體存儲器元件13、控制器元件14等，構(gòu)成半導(dǎo)體器件(存儲卡)1。密封樹脂層17如后面具體敘述的那樣，相對多個(gè)電路基板2一并模制成型。密封樹脂層17與電路基板2一起被切割。在密封樹脂層17形成有形狀與電路基板2相同的缺口部5、縮頸部6等。密封樹脂層17的各個(gè)角部也一樣，被賦予了與電路基板2的角部7相同的曲線形狀(R形狀)。
在密封樹脂層17的前端側(cè)(短邊3A側(cè))設(shè)有將密封樹脂層17和電路基板2的一部分傾斜切削形成的傾斜部18，以便容易插拔存儲卡。傾斜部18設(shè)于存儲卡的正面?zhèn)?電路基板2的第1主面2a側(cè))。在密封樹脂層17的后方側(cè)(短邊3B側(cè))設(shè)有使密封樹脂部分鼓起形成的把手部19。把手部19設(shè)于存儲卡的背面?zhèn)?電路基板2的第2主面2b側(cè))。
該實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1不使用像基礎(chǔ)卡那樣的半導(dǎo)體器件的收納殼體，而利用其單體構(gòu)成存儲卡(例如微型SDTM卡)。半導(dǎo)體器件1是絕緣層10和密封樹脂層17露出于外部的無殼體存儲卡。因此，在半導(dǎo)體器件1自身設(shè)有表示存儲卡的前后和正反方向等的缺口部5、縮頸部6等。缺口部5、縮頸部6等在將密封樹脂層17模制成型于電路基板2的第2主面2b側(cè)后，通過將電路基板2和密封樹脂層17一起切割而形成。
缺口部5、縮頸部6等的一部分由曲線構(gòu)成，難以利用刀切割加工。因此，缺口部5、縮頸部6等例如適用激光加工進(jìn)行切割加工。激光加工也可以適用于具有缺口部5、縮頸部6等的整個(gè)長邊4A的加工。此時(shí)，相比直線部分，曲線部分需要低速切割。因此，激光加工時(shí)的冷卻效率降低，擔(dān)心切割部分的發(fā)熱影響。
在該實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1中，使從具有缺口部5、縮頸部6等曲線部的邊(此處為長邊4A)到第1和第2布線網(wǎng)9、11的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離。因此，可以抑制激光加工時(shí)的發(fā)熱給布線網(wǎng)9、11和半導(dǎo)體元件13、14帶來的不良影響。具體地講，可以抑制因激光加工時(shí)的基板材料碳化造成的布線網(wǎng)9、11的絕緣性降低、短路等、及因激光加工時(shí)的發(fā)熱造成的半導(dǎo)體元件13、14的特性劣化。關(guān)于其他邊，使距布線網(wǎng)9、11的距離充分近，所以能夠確保布線區(qū)域。
關(guān)于曲線狀的角部7也與距長邊4A的距離L11、L21相同，使距第1和第2布線網(wǎng)9、11的距離充分遠(yuǎn)。因此，可以抑制激光加工角部7時(shí)的發(fā)熱影響。為了以良好的再現(xiàn)性抑制激光加工時(shí)的發(fā)熱影響，優(yōu)選使從將要激光加工的邊(激光加工部位)到布線網(wǎng)9、11的距離大于等于0.5mm。即，優(yōu)選非布線區(qū)域X的形狀的寬度大于等于0.5mm。在該實(shí)施方式中，分別使從長邊4A和角部7到第1和第2布線網(wǎng)9、11的距離大于等于0.5mm。
第2布線網(wǎng)11具有電鍍導(dǎo)線12。電鍍導(dǎo)線12需要延伸至電路基板2的邊。在該實(shí)施方式中，電鍍導(dǎo)線12朝向除了具有缺口部5、縮頸部6等的長邊4A之外的其他邊(短邊3B、長邊4B等)引出。因此，激光加工時(shí)的發(fā)熱不會給電鍍導(dǎo)線12帶來不良影響。如后面所述，具有直線形狀的短邊3A、3B和長邊4B通過刀切割進(jìn)行切割加工，所以在加工時(shí)不會受到發(fā)熱影響。
進(jìn)一步，在具有基于缺口部5、縮頸部6等的曲線部的邊(長邊4A)和曲線狀的角部7與第1和第2布線網(wǎng)9、11之間設(shè)置虛設(shè)布線20，由此能夠更加可靠地抑制激光加工時(shí)的發(fā)熱給布線網(wǎng)9、11帶來影響。虛設(shè)布線20對防止布線網(wǎng)9、11的絕緣性因由于激光加工時(shí)的發(fā)熱造成的基板材料碳化而降低和短路等比較有效。
根據(jù)該實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1，可以抑制布線網(wǎng)9、11內(nèi)的布線間的絕緣性因通過激光加工來加工曲線部分時(shí)的發(fā)熱影響而降低、或產(chǎn)生短路。另外，半導(dǎo)體元件13、14安裝在第2布線網(wǎng)11內(nèi)的部件安裝區(qū)域，所以與第2布線網(wǎng)11一樣擔(dān)心受到發(fā)熱影響。在該實(shí)施方式中，通過使第2布線網(wǎng)11充分遠(yuǎn)離激光切割部，可以抑制半導(dǎo)體元件13、14因發(fā)熱造成的特性劣化。因此，可以提高半導(dǎo)體器件1及使用它們的存儲卡的制造成品率和可靠性。
另外，該實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1對利用自身單體構(gòu)成的無殼體存儲卡有效，但未必一定要將使用了像基礎(chǔ)卡那樣的殼體的存儲卡除外。在將半導(dǎo)體器件收納在殼體中構(gòu)成存儲卡時(shí)，伴隨卡的小型化和高密度化，有時(shí)在半導(dǎo)體器件上形成缺口部分和曲線部。在這種情況下，實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1也能夠適用。
下面，說明上述半導(dǎo)體器件1的制造工序。首先，如圖7A所示，準(zhǔn)備具有多個(gè)器件形成區(qū)域(存儲卡形成區(qū)域)21的電路基板框架22。多個(gè)器件形成區(qū)域21分別對應(yīng)于電路基板2。在電路基板框架22的各個(gè)器件形成區(qū)域21、21...適用電鍍形成外部連接端子8。此時(shí)，根據(jù)需要也通過電鍍形成連接焊盤等。外部連接端子8形成于電路基板框架22的第1主面22a側(cè)。
然后，如圖7B所示，在電路基板框架22的第2主面22b側(cè)安裝半導(dǎo)體存儲器元件13。半導(dǎo)體存儲器元件13分別安裝在各個(gè)器件形成區(qū)域21、21...上。對半導(dǎo)體存儲器元件13實(shí)施引線接合，使半導(dǎo)體存儲器元件13的電極與器件形成區(qū)域21(各個(gè)電路基板2)的布線網(wǎng)通過接合線15電連接。另外，在半導(dǎo)體存儲器元件13上安裝控制器元件14后，使控制器元件14的電極與器件形成區(qū)域21(各個(gè)電路基板2)的布線網(wǎng)通過接合線16電連接。
然后，如圖7C所示，在電路基板框架22的第2主面22b側(cè)模制成型密封樹脂23。在模制成型步驟，利用傳輸模制工藝等模制成型一并覆蓋電路基板框架22的第2主面22b的密封樹脂23，以便一并密封安裝在各個(gè)器件形成區(qū)域21上的半導(dǎo)體存儲器元件13、控制器元件14等。把手部19在模制成型密封樹脂23時(shí)，通過使密封樹脂23的一部分鼓起而同時(shí)形成。
把電路基板框架22輸送到切割工序，將電路基板框架22與密封樹脂23一起切割。由此，制造具有單體化的電路基板2的半導(dǎo)體器件1。在電路基板框架22的切割工序中，首先如圖8A所示，直線切割器件形成區(qū)域21的外周。直線部的切割適用切割速度較快的刀切割。符號24表示刀切割的切割線。電路基板2的短邊3A、3B和長邊4B除了各個(gè)角部7外，只實(shí)施刀切割加工。因此，即使距布線網(wǎng)9、11的距離較短，也不需要考慮發(fā)熱影響。
然后，如圖8B所示，通過激光加工進(jìn)行切割加工形成缺口部5、縮頸部6等，并且將各個(gè)角部7加工成R形狀。如前面所述，在通過激光加工來加工曲線部時(shí)擔(dān)心發(fā)熱影響，但是，此處使從長邊4A和各個(gè)角部7到布線網(wǎng)9、11的距離充分遠(yuǎn)，所以能夠抑制因切割時(shí)的發(fā)熱影響造成的布線間的絕緣性降低、短路等。通過適用虛設(shè)布線，可以更加可靠地抑制布線間的絕緣性降低、短路等。另外，可以抑制安裝在第2布線網(wǎng)11的元件安裝區(qū)域的半導(dǎo)體元件13、14的特性劣化。
刀切割加工與激光加工的順序也可以相反。即，如圖9A所示，激光加工器件形成區(qū)域21中具有缺口部5、縮頸部6等的長邊4A和各個(gè)角部7。圖中的實(shí)線部分表示激光加工的切割部位。在加工長邊4A時(shí)，激光加工也可以只適用于形成缺口部5、縮頸部6等，但通過激光加工包括它們在內(nèi)的整個(gè)長邊4A，加工效率提高。長邊4A包括兩端的角部7在內(nèi)進(jìn)行激光加工。然后，如圖9B所示，刀切割器件形成區(qū)域21的短邊3A、3B和長邊4B，制造半導(dǎo)體器件1。
根據(jù)該實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1的制造工序，直線部的切割適用切割速度較快的刀切割，只有包括曲線部的缺口部5、縮頸部6等及角部7的加工適用激光加工。因此，與通過激光加工切割電路基板2的整個(gè)外周時(shí)相比，可以提高切割工序的加工效率。此外，關(guān)于長邊4A和角部7，使距布線網(wǎng)9、11的距離充分遠(yuǎn)，所以能夠抑制布線間的絕緣性降低、短路等、及半導(dǎo)體元件13、14的特性劣化。因此，能夠以高效率及良好的成品率制造可靠性良好的半導(dǎo)體器件1。
另外，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件不限于上述實(shí)施方式，也可以適用于在構(gòu)成電路基板的外形的至少一邊設(shè)置曲線部的各種半導(dǎo)體器件。本發(fā)明不限于存儲卡用的半導(dǎo)體器件。并且，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件和存儲卡的具體結(jié)構(gòu)只要能夠滿足本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)，則可以進(jìn)行各種變形。另外，實(shí)施方式可以在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)擴(kuò)展或變更，擴(kuò)展、變更的實(shí)施方式也包含于本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備基板，其具有第1主面和與所述第1主面相反側(cè)的第2主面，而且具有設(shè)于外形的至少一邊的曲線部；半導(dǎo)體元件，其被安裝在所述基板的所述第1主面和所述第2主面中至少一方；和布線網(wǎng)，其被設(shè)于所述基板的所述第1主面和所述第2主面中至少一方，距具有所述曲線部的邊的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述布線網(wǎng)形成為從所述基板的具有所述曲線部的邊離開大于等于0.5mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基板具有設(shè)于具有所述曲線部的邊的缺口部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基板具有曲線狀的角部，而且所述布線網(wǎng)距所述角部的距離遠(yuǎn)于距所述其他邊的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基板具有設(shè)于具有所述曲線部的邊和所述布線網(wǎng)之間的虛設(shè)布線。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述布線網(wǎng)具有電鍍導(dǎo)線，而且所述電鍍導(dǎo)線朝向所述基板的所述其他邊引出。
7.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，具備基板，其具有第1主面和與所述第1主面相反側(cè)的第2主面，而且具有設(shè)于外形的至少一邊的曲線部；外部連接端子，其被形成于所述基板的所述第1主面上；第1布線網(wǎng)，其被設(shè)于所述基板的所述第1主面中除所述外部連接端子的形成區(qū)域之外的區(qū)域，距具有所述曲線部的邊的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離；第2布線網(wǎng)，其被設(shè)于所述基板的所述第2主面上，距具有所述曲線部的邊的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離；和半導(dǎo)體元件，其被安裝在所述基板的所述第2主面上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第1和第2布線網(wǎng)形成為從所述基板的具有所述曲線部的邊離開大于等于0.5mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基板具有設(shè)于具有所述曲線部的邊的缺口部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基板具有曲線狀的角部，而且所述第1和第2布線網(wǎng)距所述角部的距離遠(yuǎn)于距所述其他邊的距離。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基板具有設(shè)于具有所述曲線部的邊與所述第1和第2布線網(wǎng)的至少一方之間的虛設(shè)布線。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第1和第2布線網(wǎng)的至少一方具有電鍍導(dǎo)線，而且所述電鍍導(dǎo)線朝向所述基板的所述其他邊引出。
13.一種存儲卡，其特征在于，具備基板，其具有第1主面和與所述第1主面相反側(cè)的第2主面，而且具有設(shè)于外形的至少一邊的曲線部；外部連接端子，其被形成于所述基板的所述第1主面上；第1布線網(wǎng)，其被設(shè)于所述基板的第1主面中除所述外部連接端子的形成區(qū)域之外的區(qū)域，距具有所述曲線部的邊的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離；絕緣層，其以覆蓋所述第1布線網(wǎng)的方式被形成于所述基板的所述第1主面上，；第2布線網(wǎng)，其被設(shè)于所述基板的所述第2主面上，距具有所述曲線部的邊的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離；半導(dǎo)體元件，其被安裝在所述基板的所述第2主面上；密封樹脂層，其以密封所述半導(dǎo)體元件的方式被形成于所述基板的所述第2主面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲卡，其特征在于，還具有安裝在所述基板的所述第2主面上的控制器元件。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲卡，其特征在于，所述第1和第2布線網(wǎng)形成為從所述基板的具有所述曲線部的邊離開大于等于0.5mm。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲卡，其特征在于，所述基板具有設(shè)于具有所述曲線部的邊的缺口部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲卡，其特征在于，所述基板具有曲線狀的角部，而且所述第1和第2布線網(wǎng)距所述角部的距離遠(yuǎn)于距所述其他邊的距離。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲卡，其特征在于，所述基板具有設(shè)于具有所述曲線部的邊與所述第1和第2布線網(wǎng)的至少一方之間的虛設(shè)布線。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲卡，其特征在于，所述第1和第2布線網(wǎng)的至少一方具有電鍍導(dǎo)線，而且所述電鍍導(dǎo)線朝向所述基板的所述其他邊引出。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲卡，其特征在于，所述絕緣層和所述密封樹脂層露出于外部。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件，在電路基板的第1主面設(shè)有外部連接端子，在第2主面安裝有半導(dǎo)體元件。在電路基板的第1主面中除外部連接端子的形成區(qū)域之外的區(qū)域設(shè)有第1布線網(wǎng)。在電路基板的第2主面設(shè)有第2布線網(wǎng)。布線網(wǎng)形成為距具有包括曲線部的缺口部、縮頸部等的邊的距離遠(yuǎn)于距其他邊的距離。
文檔編號H01L23/488GK101047162SQ20071009131
公開日2007年10月3日 申請日期2007年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月31日
發(fā)明者岡田隆, 岡田清和, 小野昭紀(jì), 西山拓 申請人:株式會社東芝