專利名稱：薄膜晶體管陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到液晶顯示器，具體涉及到適合簡(jiǎn)化工序并且保證可靠性的一種薄膜晶體管陣列基板及其制造方法。本發(fā)明還涉及到具有這種基板的液晶顯示面板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)一般是用電場(chǎng)控制液晶的光透射比來顯示圖像。為此，LCD包括一具有按矩陣形式設(shè)置的液晶單元的液晶顯示面板，以及用于驅(qū)動(dòng)液晶顯示面板的驅(qū)動(dòng)電路。
液晶顯示面板包括彼此面對(duì)的薄膜晶體管陣列基板和濾色片基板，注入兩個(gè)基板之間的液晶，以及用于在兩個(gè)基板之間保持盒間隙的襯墊料。
薄膜晶體管陣列基板由柵極線，數(shù)據(jù)線，形成在柵極線和數(shù)據(jù)線的各個(gè)交叉點(diǎn)上作為開關(guān)器件的薄膜晶體管，按各個(gè)液晶單元形成并且連接到薄膜晶體管的像素電極，以及涂覆在上面的定向膜組成。柵極線和數(shù)據(jù)線通過各個(gè)焊盤部分從驅(qū)動(dòng)電路接收信號(hào)。薄膜晶體管響應(yīng)提供到柵極線的掃描信號(hào)將提供到數(shù)據(jù)線的像素信號(hào)提供給像素電極。
濾色片陣列基板由為各液晶單元形成的濾色片，用于分隔濾色片并且反射外部光的黑矩陣，對(duì)液晶單元施加公共參考電壓的公共電極，以及涂覆在上面的定向膜組成。
分別制備膜陣列基板和濾色片陣列基板，將它們接合到一起，在二者之間注入液晶，并且將其密封就制成了液晶顯示面板。
在這種液晶顯示器中，薄膜晶體管因其復(fù)雜的制造工序而成為增加液晶顯示面板制造成本的主要因素。其制造工序包括半導(dǎo)體工序并且需要多輪掩模工序。為了降低制造成本，希望在制造薄膜晶體管時(shí)減少掩模工序的數(shù)量。每個(gè)掩模工序包括許多獨(dú)立步驟，諸如膜淀積、清洗、光刻、蝕刻、光刻膠剝離和檢測(cè)步驟等等。迄今為止，標(biāo)準(zhǔn)的制造工序包括五輪掩模工序。然而已經(jīng)開發(fā)出了包括四輪掩模工序的制造工序。
圖1的平面圖表示采用四輪掩模工序的薄膜晶體管陣列基板，而圖2是沿圖1中I-I’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖。
參見圖1和圖2，薄膜晶體管陣列基板包括設(shè)置在下基板42上彼此交叉將柵極絕緣膜44夾在中間的柵極線2和數(shù)據(jù)線4，設(shè)置在各交叉點(diǎn)上的薄膜晶體管6，以及設(shè)置在具有交叉結(jié)構(gòu)的單元區(qū)上的像素電極18。薄膜晶體管陣列基板還包括設(shè)置在像素電極18與前級(jí)柵極線2之間的重疊部位上的存儲(chǔ)電容20，連接到柵極線2的柵極焊盤部分26，以及連接到數(shù)據(jù)線4的數(shù)據(jù)焊盤部分34。
薄膜晶體管6響應(yīng)施加在柵極線2上的掃描信號(hào)將施加在數(shù)據(jù)線4上的像素信號(hào)充入像素電極18并且保持。為此，薄膜晶體管6包括連接到柵極線2的柵極8，連接到數(shù)據(jù)線4的源極10，連接到像素電極18的漏極12，以及與柵極8重疊并在源極10和漏極12之間限定一溝道的有源層14。
與源極10和漏極12重疊并在源極10和漏極12之間有一溝道部分的有源層14還與數(shù)據(jù)線4、下數(shù)據(jù)焊盤電極36和存儲(chǔ)電極22重疊。在有源層14上還設(shè)有數(shù)據(jù)線4、源極10、漏極12、下數(shù)據(jù)焊盤電極36、存儲(chǔ)電極22和歐姆接觸層48。
像素電極18通過貫穿保護(hù)膜50的第一接觸孔16連接到薄膜晶體管6的漏極12。充入的像素電壓使像素電極18相對(duì)于設(shè)在上基板(未示出)上的公共電極產(chǎn)生一個(gè)電位差。這一電位差利用液晶的介電各向異性旋轉(zhuǎn)位于薄膜晶體管陣列基板和上基板之間的液晶，并且向上基板發(fā)射從一光源(未示出)通過像素電極18輸入的光。
存儲(chǔ)電容20由前級(jí)柵極線2、與柵極線2重疊的存儲(chǔ)電極22以及二者之間的柵極絕緣膜44、有源層14和歐姆接觸層48組成，同時(shí)，像素電極18與存儲(chǔ)電極22重疊，二者之間有保護(hù)膜50并且通過保護(hù)膜50中限定的第二接觸孔24連接。存儲(chǔ)電容20能使充入像素電極18的像素信號(hào)一直保持到充入下一像素電壓。
柵極線2通過柵極焊盤部分26連接到柵極驅(qū)動(dòng)器(未示出)。柵極焊盤部分26由柵極線2延伸出的下柵極焊盤電極28，以及通過貫穿柵極絕緣膜44和保護(hù)膜50的第三接觸孔30連接到下柵極焊盤電極28的上柵極焊盤電極32組成。
數(shù)據(jù)線4通過數(shù)據(jù)焊盤部分34連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)。數(shù)據(jù)焊盤部分34由數(shù)據(jù)線4延伸出的下數(shù)據(jù)焊盤電極36，以及通過貫穿保護(hù)膜50的第四接觸孔38連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極36的上數(shù)據(jù)焊盤電極40組成。
以下要具體參照?qǐng)D3A到圖3D詳細(xì)描述適合四步掩模工序的具有上述結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管基板的一種制造方法。
參見圖3A，在下基板42上用第一掩模工序形成包括柵極線2，柵極8和下柵極焊盤電極28的柵極金屬圖案。
具體地說，在下基板42上用濺射等淀積技術(shù)形成一柵極金屬層。然后用光刻術(shù)對(duì)柵極金屬層構(gòu)圖并且用第一掩模蝕刻，形成包括柵極線2、柵極8和下柵極焊盤電極28的柵極金屬圖案。柵極金屬層具有鉻(Cr)、鉬(Mo)或一種鋁族金屬的單層或雙層結(jié)構(gòu)。
參見圖3B，柵極絕緣膜44被涂覆在設(shè)有柵極金屬圖案的下基板42上。進(jìn)而用第二掩模工序在柵極絕緣膜44上設(shè)置包括有源層14和歐姆接觸層48的半導(dǎo)體圖案，包括數(shù)據(jù)線4、源極10和漏極12的源極/漏極金屬圖案，以及下數(shù)據(jù)焊盤電極36和上存儲(chǔ)電極22。
具體地說，利用諸如等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積(PECVD)和濺射等淀積技術(shù)在設(shè)有柵極金屬圖案的下基板42上依次形成柵極絕緣膜44、非晶硅層、n+非晶硅層和源極/漏極金屬層。此處的柵極絕緣膜44用諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等無機(jī)絕緣材料形成。源極/漏極金屬選自鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或鉬合金。
然后采用第二掩模按光刻術(shù)在源極/漏極金屬層上形成光刻膠圖案。在這種情況下，用一種在薄膜晶體管的溝道部分具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模作為第二掩模，使得溝道部分的光刻膠圖案具有比源極/漏極圖案部分的光刻膠圖案較低的高度。
接著用光刻膠圖案按濕蝕刻法對(duì)源極/漏極金屬層構(gòu)圖，形成的源極/漏極金屬圖案包括數(shù)據(jù)線4、源極10、與源極10構(gòu)成一體的漏極12以及存儲(chǔ)電極22。
同時(shí)用同一光刻膠圖案按干蝕刻法對(duì)n+非晶硅層和非晶硅層構(gòu)圖，形成歐姆接觸層48和有源層14。
采用灰化法從溝道部分上去除高度比較低的光刻膠圖案，然后用干蝕刻法蝕刻源極/漏極金屬圖案和溝道部分的歐姆接觸層48。這樣就暴露出溝道部分的有源層14，將源極10與漏極12斷開。
然后通過剝離去除留在源極/漏極金屬圖案組上的光刻膠圖案。
參見圖3C，在具有源極/漏極金屬圖案的柵極絕緣膜44上形成包括第一到第四接觸孔16、24、30和38的保護(hù)膜50。
具體地說，在具有源極/漏極金屬圖案的整個(gè)柵極絕緣膜44上用諸如PECVD等淀積技術(shù)形成保護(hù)膜50。然后用光刻術(shù)對(duì)保護(hù)膜50構(gòu)圖，并且用第三掩模蝕刻得到第一到第四接觸孔16、24、30和38。第一接觸孔16貫穿保護(hù)膜50暴露出漏極12，而第二接觸孔24貫穿保護(hù)膜50暴露出存儲(chǔ)電極22。第三接觸孔30貫穿保護(hù)膜50和柵極絕緣膜44暴露出下柵極焊盤電極28。第四接觸孔38貫穿保護(hù)膜50暴露出下數(shù)據(jù)焊盤電極36。
保護(hù)膜50用和柵極絕緣膜相同的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，或是一種有機(jī)絕緣材料，例如具有小介電常數(shù)的丙烯酸有機(jī)化合物，BCB(苯并環(huán)丁烯)，或是PFCB(全氟環(huán)丁烷)等等。
參見圖3D，在保護(hù)膜50上用第四掩模工序形成包括像素電極18、上柵極焊盤電極32和上數(shù)據(jù)焊盤電極40的透明導(dǎo)電膜圖案。
在整個(gè)保護(hù)膜50上用濺射等淀積技術(shù)淀積一透明導(dǎo)電膜。然后用光刻術(shù)對(duì)透明導(dǎo)電膜構(gòu)圖，并且用第四掩模蝕刻形成包括像素電極18、上柵極焊盤電極32和上數(shù)據(jù)焊盤電極40的透明導(dǎo)電膜圖案。像素電極18通過第一接觸孔16電連接到漏極12，同時(shí)通過第二接觸孔24電連接到與前級(jí)柵極線2重疊的存儲(chǔ)電極22。上柵極焊盤電極32通過第三接觸孔30電連接到下柵極焊盤電極28。上數(shù)據(jù)焊盤電極40通過第四接觸孔38的電路連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極36。此處的透明導(dǎo)電膜用銦錫氧化物(ITO)、氧化錫(TO)或是銦鋅氧化物(IZO)形成。
如上所述，上述的常規(guī)薄膜晶體管陣列基板及其制造方法采用四輪掩模工序，從而減少了制造工序的數(shù)量，且因此比采用五輪掩模工序的制造技術(shù)降低了制造成本。然而，由于四輪掩模工序仍然存在限制降低成本的復(fù)雜制造工序，總希望簡(jiǎn)化制造工序以進(jìn)一步降低制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
按照本發(fā)明一方面的薄膜晶體管陣列基板，包括一防靜電裝置，其包括在非顯示區(qū)上各自連接到信號(hào)線的多個(gè)薄膜晶體管，該多個(gè)薄膜晶體管各自包括用第一導(dǎo)電層形成的柵極；用第二導(dǎo)電層形成的源極和漏極；在源極和漏極之間限定一溝道的半導(dǎo)體層；同時(shí)暴露出相應(yīng)薄膜晶體管的第一導(dǎo)電層和另一薄膜晶體管的第二導(dǎo)電層的相鄰部分的接觸孔；以及在接觸孔內(nèi)形成的第三導(dǎo)電層的接觸電極，用于將暴露的第一導(dǎo)電層連接到暴露的第二導(dǎo)電層。
所述多個(gè)薄膜晶體管各自還包括另一接觸孔，用于同時(shí)暴露出第一導(dǎo)電層的相鄰部分和相應(yīng)薄膜晶體管的第二導(dǎo)電層；以及在另一接觸孔內(nèi)形成的第三導(dǎo)電層的另一接觸電極，用于將暴露的第一導(dǎo)電層連接到暴露的第二導(dǎo)電層。
所述薄膜晶體管陣列基板的非顯示區(qū)上還包括用于測(cè)試信號(hào)線的第一和第二短路棒，該第一和第二短路棒各自包括由連接到信號(hào)線的第一和/或第二導(dǎo)電層形成的多個(gè)第一和第二短路圖案；由要共同連接的多個(gè)第一短路圖案的同一導(dǎo)電層形成的第一公共短路圖案；由不同于多個(gè)第二短路圖案的導(dǎo)電層形成的與第一短路圖案交叉的第二公共短路圖案；同時(shí)暴露出第二短路圖案和第二公共短路圖案的相鄰部分的另一接觸孔；以及在另一接觸孔內(nèi)形成的第三導(dǎo)電層的另一接觸電極，用于將暴露的第二短路圖案連接到暴露的公共短路圖案。
此處的各接觸孔貫穿第一導(dǎo)電層上的柵極絕緣膜和第二導(dǎo)電層上的保護(hù)膜，并且各接觸電極在相應(yīng)的接觸孔內(nèi)接觸到保護(hù)膜。
所述半導(dǎo)體層沿第二導(dǎo)電層延伸。
各接觸孔還暴露出第二導(dǎo)電層下面的部分半導(dǎo)體。
所述信號(hào)線包括柵極線和/或數(shù)據(jù)線。
按照本發(fā)明另一方面的薄膜晶體管陣列基板，包括在一基板上形成的第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上形成的第一絕緣層；貫穿第一絕緣層同時(shí)暴露出第一導(dǎo)電層和第一導(dǎo)電層的相鄰區(qū)域的接觸孔；以及通過該接觸孔連接到第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層。
此處的第一導(dǎo)電層是柵極線和/或數(shù)據(jù)線的信號(hào)線，而第二導(dǎo)電層是連接到信號(hào)線的焊盤。
所述薄膜晶體管陣列基板還包括形成在第一絕緣層上并通過接觸孔連接到第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層；以及形成在第三導(dǎo)電層上并通過接觸孔連同第三導(dǎo)電層的相鄰部分暴露出來的第二絕緣層。
所述第二導(dǎo)電層形成在由第一和第二絕緣層限定的接觸孔內(nèi)。
一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，所述基板包括一防靜電裝置，它包括在非顯示區(qū)上各自連接到信號(hào)線的多個(gè)薄膜晶體管，按照本發(fā)明的另一方面包括，在一基板上提供中間有柵極絕緣膜的第一和第二導(dǎo)電層，以及包括連同信號(hào)線的半導(dǎo)體層的薄膜晶體管；提供一覆蓋多個(gè)薄膜晶體管的保護(hù)膜；提供一接觸孔，其貫穿保護(hù)膜和柵極絕緣膜同時(shí)暴露出相應(yīng)薄膜晶體管的第一導(dǎo)電層和另一薄膜晶體管的第二導(dǎo)電層的相鄰部分；并且在接觸孔內(nèi)提供一第三導(dǎo)電層的接觸電極，將暴露的第一導(dǎo)電層連接到暴露的第二導(dǎo)電層。
該方法還包括提供另一個(gè)接觸孔，同時(shí)暴露出相應(yīng)薄膜晶體管的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的相鄰部分；并且在另一接觸孔內(nèi)提供第三導(dǎo)電層的另一接觸電極，將暴露的第一導(dǎo)電層連接到暴露的第二導(dǎo)電層。
該方法還包括由要在非顯示區(qū)上連接到信號(hào)線的第一和/或第二導(dǎo)電層形成第一和第二短路棒的第一和第二短路圖案；由要共同連接的多個(gè)第一短路圖案的同一個(gè)導(dǎo)電層形成第一短路棒的公共短路圖案；由不同于多個(gè)第二短路圖案的導(dǎo)電層形成與第一短路圖案交叉的第二公共短路圖案；形成貫穿保護(hù)膜和柵極絕緣膜的另一接觸孔，同時(shí)暴露出第二短路圖案和第二短路棒的公共短路圖案的相鄰部分；并且在另一接觸孔內(nèi)形成第三導(dǎo)電層的另一接觸電極，用于將暴露的第二短路圖案連接到第二短路棒暴露的公共短路圖案。
在此處，形成相應(yīng)的接觸孔和相應(yīng)的接觸電極包括在保護(hù)膜上形成光刻膠圖案；蝕刻保護(hù)膜和通過光刻膠圖案暴露出的柵極絕緣膜；在設(shè)有光刻膠圖案的基板上形成第三導(dǎo)電層；并且去除光刻膠圖案連同上面的第三導(dǎo)電層。
提供多個(gè)薄膜晶體管包括用第一導(dǎo)電層形成薄膜晶體管的柵極；形成柵極絕緣膜；形成半導(dǎo)體層；并且用第二導(dǎo)電層形成薄膜晶體管的源極和漏極。
所述半導(dǎo)體層及源極和漏極由同一掩模形成，并且該半導(dǎo)體層沿著第二導(dǎo)電層延伸。
各接觸孔還暴露出第二導(dǎo)電層下面的部分半導(dǎo)體。
形成信號(hào)線包括連同柵極形成第一導(dǎo)電層的柵極線；并且連同源極和漏極形成第二導(dǎo)電層的數(shù)據(jù)線。
按照本發(fā)明再一方面，一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括在一基板上提供第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上提供第一絕緣層；提供一貫穿第一絕緣層的接觸孔，同時(shí)暴露出第一導(dǎo)電層和第一導(dǎo)電層的相鄰部分；并且提供通過接觸孔連接到第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層。
在基板上提供第一導(dǎo)電層包括在基板上形成柵極線和數(shù)據(jù)線的至少一條信號(hào)線，而提供連接到第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層包括連接到信號(hào)線的焊盤。
該方法還包括提供形成在第一絕緣膜上的第三導(dǎo)電層，并且通過接觸孔連接到第二導(dǎo)電層；以及提供形成在第三導(dǎo)電層上的第二絕緣層，并且連同第三導(dǎo)電層的相鄰部分通過接觸孔暴露出來。
所述第二導(dǎo)電層形成在第一和第二絕緣層所限定的接觸孔內(nèi)。
按照本發(fā)明的又一方面，一種薄膜晶體管陣列基板的形成方法，該方法包括用最多三個(gè)導(dǎo)電層形成多個(gè)薄膜晶體管和向薄膜晶體管提供信號(hào)的信號(hào)線，在各個(gè)導(dǎo)電層的至少一部分上按最多三輪掩模工序用絕緣層將導(dǎo)電層隔開。
該方法還包括用第一導(dǎo)電層形成第一短路部分，所述第一短路部分將第一組信號(hào)線短接到一起，所述第一組信號(hào)線沿特定方向延伸。
該方法還包括用第二導(dǎo)電層形成第二短路部分，所述第二短路部分將第二組信號(hào)線短接到一起，該第二組信號(hào)線沿特定方向延伸。
所述第一和第二導(dǎo)電層不同。


以下要參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，在附圖中圖1的平面圖表示常規(guī)薄膜晶體管陣列基板的一部分；
圖2是沿圖1中的I-I’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖；圖3A到圖3D的截面圖表示圖2中的薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法；圖4的平面圖表示按照本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)；圖5是沿圖4中II-II’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖；圖6A到圖6C的截面圖表示圖5中所示的薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法；圖7的截面圖用于解釋用于將圖6B中所示的數(shù)據(jù)焊盤連接到數(shù)據(jù)線的接觸孔區(qū)域的底切現(xiàn)象；圖8的平面圖表示按照本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)；圖9是沿圖8中III-III’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖；圖10A和圖10B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板制造方法中的第一掩模工序；圖11A和圖11B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板制造方法中的第二掩模工序；圖12A和圖12B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板制造方法中的第三掩模工序；圖13A到圖13E的截面圖用于詳細(xì)解釋圖12A和圖12B中所示的第三掩模工序；圖14的平面圖表示按照本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)；圖15是沿圖14中IV1-IV1’線和IV2-IV2’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖；圖16是防靜電裝置的等效電路圖；圖17A和圖17B的平面圖和截面圖分別表示薄膜晶體管的防靜電裝置和短路棒區(qū)域；圖18的平面圖表示按照本發(fā)明第四實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)；圖19是沿圖18中VI-VI’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖；圖20是包括按照本發(fā)明第一到第四實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的一液晶顯示面板的截面圖；圖21是包括按照本發(fā)明第一到第四實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的另一例液晶顯示面板的截面圖；圖22的平面圖表示按照本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的防靜電裝置和短路棒區(qū)域；圖23是沿圖22中VII1-VII1’線和VII2-VII2’線提取的防靜電裝置和短路棒區(qū)域的截面圖；圖24A和圖24B的平面圖和截面圖分別用于解釋圖22和圖23中所示薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第一掩模工序；圖25A和圖25B的平面圖和截面圖分別用于解釋圖22和圖23中所示薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第二掩模工序；圖26A到圖26D的截面圖用于詳細(xì)解釋第二掩模工序；圖27A和圖27B的平面圖和截面圖分別用于解釋圖22和圖23中所示薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第三掩模工序；圖28A到圖28D的截面圖用于詳細(xì)解釋第三掩模工序；圖29的平面圖表示按照本發(fā)明第六實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的防靜電裝置和短路棒區(qū)域；圖30是沿圖29中VIII1-VIII1’線和VIII2-VIII2’線提取的防靜電裝置和短路棒區(qū)域的截面圖；圖31A和圖31B的平面圖和截面圖分別用于解釋圖29和圖30中所示薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第一掩模工序；圖32A和圖32B的平面圖和截面圖分別用于解釋圖29和圖30中所示薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第二掩模工序；圖33A和圖33B的平面圖和截面圖分別用于解釋圖29和圖30中所示薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第三掩模工序；圖34A和圖34B的平面圖和截面圖分別用于解釋圖29和圖30中所示薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第四掩模工序；以及圖35A到圖35D的截面圖用于詳細(xì)解釋第四掩模工序。
具體實(shí)施例方式
以下要具體描述在附圖中例舉的本發(fā)明的實(shí)施例。
以下要具體參照?qǐng)D4到35D來詳細(xì)解釋本發(fā)明的實(shí)施例。
圖4的平面圖表示按照本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)，而圖5是沿圖4中II-II’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖。
參見圖4和圖5，薄膜晶體管陣列基板包括在下基板101上彼此交叉并且中間有一個(gè)柵極絕緣膜112的柵極線102和數(shù)據(jù)線104，設(shè)在各個(gè)交叉點(diǎn)上的薄膜晶體管130，以及設(shè)在具有交叉結(jié)構(gòu)的像素區(qū)105上的像素電極122，設(shè)在像素電極122與柵極線102的重疊部分的存儲(chǔ)電容140，從柵極線102上延伸的柵極焊盤150，以及從數(shù)據(jù)線104上延伸的數(shù)據(jù)焊盤160。
薄膜晶體管130響應(yīng)柵極線102上的掃描信號(hào)允許將數(shù)據(jù)線104上的數(shù)據(jù)信號(hào)充入像素電極122并且保持。為此，薄膜晶體管130包括連接到柵極線102的柵極106，連接到數(shù)據(jù)線104的源極108，以及連接到像素電極122的漏極110。薄膜晶體管130還包括與柵極106重疊的半導(dǎo)體圖案114和116，并且在柵極和半導(dǎo)體圖案中間有一柵極絕緣圖案112，并且在源極108和漏極110之間限定了一溝道。
包括柵極106和柵極線102的柵極圖案具有透明導(dǎo)電膜170，以及設(shè)置在透明導(dǎo)電膜170上的一柵極金屬膜172的結(jié)構(gòu)。
半導(dǎo)體圖案在源極108和漏極110之間形成一溝道，還包括與柵極圖案部分重疊且中間是柵極絕緣膜112的一有源層114。半導(dǎo)體圖案形成在有源層114上，并且包括數(shù)據(jù)線104、存儲(chǔ)電極128、源極108和漏極110以及歐姆接觸層116。這種半導(dǎo)體圖案在單元之間獨(dú)立形成，可以防止因半導(dǎo)體圖案在單元之間造成信號(hào)干擾。
在像素區(qū)105內(nèi)通過直接連接到薄膜晶體管130的漏極110的透明導(dǎo)電膜170形成像素電極122。
這樣就能在通過薄膜晶體管130施加像素信號(hào)的像素電極122和提供參考電壓的公共電極(未示出)之間形成一垂直電場(chǎng)。這種電場(chǎng)借助液晶分子的介電各向異性旋轉(zhuǎn)濾色片陣列基板和薄膜晶體管陣列基板之間的液晶分子。透過像素區(qū)105的光的透射比隨著液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度而有所不同，從而獲得灰度級(jí)比例。
存儲(chǔ)電容140包括柵極線102和與柵極線102重疊、且直接連接到像素電極122的存儲(chǔ)電極128，在柵極線102和存儲(chǔ)電極128的中間是柵極絕緣膜112、有源層114和歐姆接觸層116。存儲(chǔ)電容140能夠?qū)⒊淙胂袼仉姌O122的像素信號(hào)穩(wěn)定保持到充入下一像素電壓。
柵極焊盤150連接到一柵極驅(qū)動(dòng)器(未示出)，對(duì)柵極線102施加由柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生的柵極信號(hào)。柵極焊盤150具有暴露出從柵極線102延伸的透明導(dǎo)電膜170的結(jié)構(gòu)。
數(shù)據(jù)焊盤160連接到一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未示出)，對(duì)數(shù)據(jù)線104施加由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)。為此，數(shù)據(jù)焊盤160通過數(shù)據(jù)接觸孔164電連接到形成于數(shù)據(jù)金屬層的數(shù)據(jù)線104。數(shù)據(jù)焊盤160包括透明導(dǎo)電膜150，以及在形成在與數(shù)據(jù)線104重疊的區(qū)域內(nèi)的透明導(dǎo)電膜170上的柵極金屬膜172。數(shù)據(jù)接觸孔164的寬度比數(shù)據(jù)焊盤160要窄，并且貫穿歐姆接觸層116、有源層114、柵極絕緣圖案112和數(shù)據(jù)焊盤160的柵極金屬膜172，暴露出數(shù)據(jù)焊盤160的透明導(dǎo)電膜170。
圖6A到圖6C的截面圖表示按照本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法。
參見圖6A，用第一掩模工序在下基板101上形成各自具有雙層結(jié)構(gòu)的像素電極122和包括柵極線102，柵極106，柵極焊盤150及數(shù)據(jù)焊盤160的柵極圖案。
具體地說，用濺射等淀積技術(shù)依次形成透明導(dǎo)電膜170和柵極金屬膜172。此處的透明導(dǎo)電膜170用諸如ITO、TO、ITZO、IZO等透明導(dǎo)電材料制成，而柵極金屬膜172用諸如鋁族金屬等金屬材料制成，包括鋁/釹(AlNd)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)等。然后用光刻術(shù)對(duì)透明導(dǎo)電膜170和柵極金屬膜172構(gòu)圖，并且用第一掩模進(jìn)行蝕刻，形成各自具有雙層結(jié)構(gòu)的柵極線102，柵極106，柵極焊盤150和數(shù)據(jù)焊盤160，以及包括柵極金屬膜172的像素電極122。
參見圖6B，在具有柵極圖案的下基板101上用第二掩模工序形成柵極絕緣圖案112和包括有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體圖案。去除包含在數(shù)據(jù)焊盤160、柵極焊盤150和像素電極122中的柵極金屬膜172，暴露出透明導(dǎo)電膜170。進(jìn)而形成柵極絕緣圖案112、半導(dǎo)體圖案114和116以及貫穿數(shù)據(jù)焊盤160的柵極金屬膜172的數(shù)據(jù)接觸孔164。
具體地說，在設(shè)有柵極圖案的下基板101上用PECVD、濺射等淀積技術(shù)依次形成柵極絕緣膜及第一和第二半導(dǎo)體層。此處的柵極絕緣膜用氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等無機(jī)絕緣材料制成。第一半導(dǎo)體層用沒有摻雜(即非摻雜)的非晶硅制成，而第二半導(dǎo)體層用摻雜有N-型或P-型雜質(zhì)的非晶硅制成。然后用光刻術(shù)對(duì)柵極絕緣膜及第一和第二半導(dǎo)體層構(gòu)圖，并且用第二掩模進(jìn)行蝕刻，形成包括有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體圖案，以及和半導(dǎo)體圖案具有相同圖案的柵極絕緣圖案112。在這種情況下，形成的半導(dǎo)體圖案和柵極絕緣圖案112暴露出像素電極122、柵極焊盤150和數(shù)據(jù)焊盤160。
接著用柵極絕緣圖案112及半導(dǎo)體圖案114和116作為掩模用濕蝕刻法去除暴露的柵極金屬膜172。換句話說，就是去除柵極焊盤150，數(shù)據(jù)焊盤160和像素電極122中所包括的柵極金屬膜172，暴露出透明導(dǎo)電膜170。接著形成數(shù)據(jù)接觸孔164，暴露出需要連接到數(shù)據(jù)線104的區(qū)域內(nèi)的數(shù)據(jù)焊盤160所包括的那部分透明導(dǎo)電膜170。
參見圖6C，在設(shè)有柵極絕緣圖案112及半導(dǎo)體圖案114和116的下基板101上用第三掩模工序形成包括數(shù)據(jù)線104、源極108、漏極110和存儲(chǔ)電極128的數(shù)據(jù)圖案。
具體地說，在設(shè)有半導(dǎo)體圖案的下基板101上用濺射等淀積技術(shù)依次形成數(shù)據(jù)金屬層。數(shù)據(jù)金屬層用鉬(Mo)、銅(Cu)等金屬制成。然后按濕蝕刻法用光刻膠圖案對(duì)數(shù)據(jù)金屬層構(gòu)圖，光刻膠圖案是采用第三掩模用光刻術(shù)形成的階梯覆層，從而形成包括存儲(chǔ)電極128、數(shù)據(jù)線104、連接到數(shù)據(jù)線104的源極108、以及漏極110的數(shù)據(jù)圖案。進(jìn)而沿著數(shù)據(jù)圖案按干蝕刻法用光刻膠圖案形成有源層114和歐姆接觸層116。在此時(shí)去除位于剩余區(qū)域(有源層114和歐姆接觸層116與數(shù)據(jù)圖案發(fā)生重疊的區(qū)域以外的區(qū)域)內(nèi)的有源層114和歐姆接觸層116。這樣能減少或防止單元之間因包括有源層114和歐姆接觸層116的半導(dǎo)體圖案造成的短路。
然后借助于通過灰化已降低高度的光刻膠圖案去除在薄膜晶體管溝道部分中形成的數(shù)據(jù)金屬層和歐姆接觸層116，將漏極110與源極108斷開。進(jìn)而通過剝離去掉留在數(shù)據(jù)圖案上的光刻膠圖案。
接著在設(shè)有數(shù)據(jù)圖案的下基板101的正面形成一保護(hù)膜118。保護(hù)膜118用和柵極絕緣膜112相同的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，或是一種有機(jī)絕緣材料，例如是具有小介電常數(shù)的丙烯酸有機(jī)化合物，BCB(苯并環(huán)丁烯)或是PFCB(全氟環(huán)丁烷)等等。
同時(shí)，在按照本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板制造方法的第二掩模工序中，是用干蝕刻法對(duì)柵極絕緣膜及第一和第二半導(dǎo)體層構(gòu)圖，然后用柵極絕緣圖案暴露出柵極金屬膜并且按濕蝕刻法去除半導(dǎo)體圖案。此時(shí)，柵極絕緣圖案112、貫穿柵極絕緣圖案112的數(shù)據(jù)接觸孔164、半導(dǎo)體圖案114和116、以及數(shù)據(jù)焊盤160的柵極金屬膜172將數(shù)據(jù)線104連接到數(shù)據(jù)焊盤160。在這種情況下，柵極絕緣圖案112及半導(dǎo)體圖案114和116具有不同于柵極金屬膜的蝕刻特性。因此，如圖7所示，出現(xiàn)貫穿柵極絕緣圖案112及半導(dǎo)體圖案114和116的數(shù)據(jù)接觸孔164的第一寬度w1比貫穿柵極金屬膜172的數(shù)據(jù)接觸孔164的第二寬度w2窄的底切現(xiàn)象。由于底切現(xiàn)象會(huì)造成數(shù)據(jù)線104在數(shù)據(jù)接觸孔164的柵極金屬膜172附近變短，數(shù)據(jù)線104不能電連接到數(shù)據(jù)焊盤160。這樣，來自數(shù)據(jù)焊盤160的數(shù)據(jù)信號(hào)就不能提供給數(shù)據(jù)線104。
圖8的平面圖表示按照本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)，而圖9是沿圖8中III-III’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖。
圖8和圖9中所示的薄膜晶體管陣列基板與圖4和圖5所示具有相同的元件，除了用形成的數(shù)據(jù)接觸孔164暴露出數(shù)據(jù)焊盤160的端部和下基板101的一部分。因此省略了對(duì)相同元件的詳細(xì)描述。
數(shù)據(jù)焊盤160連接到一數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器(未表示)，將數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生的數(shù)據(jù)信號(hào)提供給數(shù)據(jù)線104。為此要將數(shù)據(jù)焊盤160通過數(shù)據(jù)接觸孔164電連接到由數(shù)據(jù)金屬層形成的數(shù)據(jù)線104。數(shù)據(jù)焊盤160包括透明導(dǎo)電膜170，以及在與數(shù)據(jù)線104重疊的區(qū)域內(nèi)形成在透明導(dǎo)電膜170上的柵極金屬膜172。數(shù)據(jù)接觸孔164具有比數(shù)據(jù)焊盤160窄的寬度，并貫穿歐姆接觸層116、有源層114、柵極絕緣圖案112和數(shù)據(jù)焊盤160的柵極金屬膜172，暴露出數(shù)據(jù)焊盤160的透明導(dǎo)電膜170的端部及其相鄰區(qū)域。
這樣，即便數(shù)據(jù)接觸孔164的第二寬度大于數(shù)據(jù)接觸孔164因貫穿柵極絕緣圖案112、有源層114和歐姆接觸層116的第一寬度而產(chǎn)生底切現(xiàn)象，數(shù)據(jù)線104也能連接到通過數(shù)據(jù)接觸孔164暴露出的數(shù)據(jù)焊盤160的端部，由此能防止數(shù)據(jù)線104發(fā)生斷裂。
圖10A和圖10B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板制造方法中的第一掩模工序。
如圖10A和圖10B中所示，在下基板101上用第一掩模工序形成各自具有雙層結(jié)構(gòu)的像素電極122和包括柵極線102、柵極106、柵極焊盤150及數(shù)據(jù)焊盤160的柵極圖案。
具體地說，用濺射等淀積技術(shù)依次形成透明導(dǎo)電膜170和柵極金屬膜172。此處的透明導(dǎo)電膜170用諸如ITO、TO、ITZO、IZO等透明導(dǎo)電材料制成，而柵極金屬膜172用諸如鋁族金屬等金屬材料制成，包括鋁/釹(AlNd)、鉬(Mo)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉭(0Ta)、鈦(Ti)等。然后用光刻術(shù)對(duì)透明導(dǎo)電膜170和柵極金屬膜172構(gòu)圖，并且用第一掩模進(jìn)行蝕刻，形成包括各自具有雙層結(jié)構(gòu)的柵極線102、柵極106、柵極焊盤150和數(shù)據(jù)焊盤160的柵極圖案，以及包括柵極金屬膜172的像素電極122。
圖11A和圖11B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板制造方法中的第二掩模工序。
如圖11A和圖11B中所示，在設(shè)有柵極圖案的下基板101上用第二掩模工序形成柵極絕緣圖案112和包括有源層114及歐姆接觸層116的半導(dǎo)體圖案。去除數(shù)據(jù)焊盤160、柵極焊盤150和像素電極122中所包括的柵極金屬膜172暴露出透明導(dǎo)電膜170。
具體地說，在設(shè)有柵極圖案的下基板101上用PECVD、濺射等淀積技術(shù)依次形成柵極絕緣膜及第一和第二半導(dǎo)體層。此處的柵極絕緣膜用氮化硅(SiNx)，氧化硅(SiOx)等無機(jī)絕緣材料制成。第一半導(dǎo)體層用不摻雜的非晶硅制成，而第二半導(dǎo)體層用摻雜有N-型或P-型雜質(zhì)的非晶硅制成。然后用光刻術(shù)對(duì)柵極絕緣膜及第一和第二半導(dǎo)體層構(gòu)圖，并且用第二掩模進(jìn)行蝕刻，在像素電極122、柵極焊盤150和數(shù)據(jù)焊盤160以及包括有源層114和歐姆接觸層116并且圖案與柵極絕緣圖案112相同的半導(dǎo)體圖案以外的剩余區(qū)域內(nèi)形成柵極絕緣圖案112。這樣就形成被柵極絕緣圖案112及半導(dǎo)體圖案114和116暴露出的像素電極122、柵極焊盤150和數(shù)據(jù)焊盤160。用柵極絕緣圖案112作為掩模去除像素電極122、柵極焊盤150和數(shù)據(jù)焊盤的暴露的柵極金屬膜172，暴露出數(shù)據(jù)焊盤160，柵極焊盤150像素電極122所包括的透明導(dǎo)電膜170。
圖12A和圖12B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板制造方法中的第三掩模工序。
如圖12A和圖12B所示，在設(shè)有柵極絕緣圖案112及半導(dǎo)體圖案114和116的下基板101上用第三掩模工序形成包括數(shù)據(jù)線104、源極108、漏極110和存儲(chǔ)電極128的數(shù)據(jù)圖案。進(jìn)而在其下部沿著數(shù)據(jù)線104、源極108、漏極110和存儲(chǔ)電極128形成半導(dǎo)體圖案114和116。
以下要參照?qǐng)D13A到圖13E來詳細(xì)解釋第三掩模工序。
如圖13A所示，在設(shè)有半導(dǎo)體圖案的下基板101上用濺射等淀積技術(shù)依次形成數(shù)據(jù)金屬層109和光刻膠膜528。此處的數(shù)據(jù)金屬層109用金屬鉬(Mo)或銅(Cu)等形成。
然后將一局部曝光掩模即第三掩模520對(duì)準(zhǔn)下基板101的上部。第三掩模520包括透明材料制成的掩模基板522，設(shè)置在掩?；?22的屏蔽區(qū)S2上的屏蔽部分524，以及設(shè)置在掩?；?22的局部曝光區(qū)上的衍射曝光部分(或是半透射部分)526。掩?；?22的曝光區(qū)域是曝光區(qū)S1。用第三掩模520使光刻膠膜528曝光并且顯影，如圖13B所示在對(duì)應(yīng)著第三掩模520的屏蔽部分524和衍射曝光部分526的屏蔽區(qū)S2和局部曝光區(qū)S3上形成具有階梯覆層的光刻膠圖案530。換句話說，設(shè)置在局部曝光區(qū)S2的光刻膠圖案530所具有的第二高度h2低于設(shè)置在屏蔽區(qū)S2的光刻膠圖案530的第一高度h1。
用光刻膠圖案530作為掩模按濕蝕刻法對(duì)數(shù)據(jù)金屬層109構(gòu)圖，形成包括存儲(chǔ)電極128、數(shù)據(jù)線104、連接到數(shù)據(jù)線104的源極108和漏極110的數(shù)據(jù)圖案。
接著，用光刻膠圖案530作為掩模按干蝕刻法沿?cái)?shù)據(jù)圖案形成有源層114和歐姆接觸層116。在此時(shí)去除位于剩余區(qū)域(有源層114和歐姆接觸層116與數(shù)據(jù)圖案的重疊區(qū)以外)內(nèi)的有源層114和歐姆接觸層116。
然后，如圖13C所示，采用氧(O2)等離子體的灰化工序去掉局部曝光區(qū)S3上具有第二高度h2的光刻膠圖案530，并且局部去除屏蔽區(qū)S2上具有第一高度h1的光刻膠圖案530，留下一高度降低的光刻膠圖案530。用光刻膠圖案530進(jìn)行蝕刻去除設(shè)在局部曝光區(qū)S3也就是薄膜晶體管的溝道部分上的數(shù)據(jù)金屬層和歐姆接觸層116，從源極上斷開漏極110。在圖13D中通過剝離去掉留在數(shù)據(jù)圖案上的光刻膠圖案530。
接著，如圖13E所示，在基板101設(shè)有數(shù)據(jù)圖案的正面上形成一保護(hù)膜118。保護(hù)膜118用和柵極絕緣圖案112相同的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成，或是一有機(jī)絕緣材料，例如是具有小介電常數(shù)的丙烯酸有機(jī)化合物，BCB(苯并環(huán)丁烯)，或是PFCB(全氟環(huán)丁烷)等。
圖14的平面圖和圖15的截面圖表示按照本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板。
圖14和圖15中所示的薄膜晶體管陣列基板與圖8和圖9中所示的元件基本相同，除了用于形成水平電場(chǎng)的公共電極和像素電極設(shè)置在下基板上。因此省略了對(duì)相同元件的詳細(xì)描述。
公共電極184連接到公共線186，用于提供驅(qū)動(dòng)液晶的參考電壓并且形成在像素區(qū)內(nèi)。具體地，公共電極184與像素電極122的指部122b平行地形成在像素區(qū)內(nèi)。
像素電極122連接到漏極110，在與公共電極184二者之間存在電位差時(shí)形成一水平電場(chǎng)。像素電極122包括與柵極線102平行延伸的水平部122a，以及從水平部122a沿垂直方向延伸的指部122b。
這樣，就在通過薄膜晶體管施加像素信號(hào)的像素電極122和通過公共線186施加參考電壓的公共電極184之間形成一水平電場(chǎng)。水平電場(chǎng)利用液晶的介電各向異性旋轉(zhuǎn)按水平方向設(shè)置在下陣列基板和上陣列基板之間的液晶分子。而且，通過像素區(qū)的光透射比取決于液晶分子的旋轉(zhuǎn)程度，從而產(chǎn)生圖像。
公共焊盤200向公共線186提供由一外部電壓源(未示出)產(chǎn)生的參考電壓。
如果公共焊盤200用與數(shù)據(jù)線104相同的材料形成，通過暴露出公共焊盤200端部的公共接觸孔166將其連接到公共線186。公共線186包括透明導(dǎo)電膜170和形成在透明導(dǎo)電膜170上的柵極金屬膜172。公共接觸孔166貫穿歐姆接觸層116、有源層114、柵極絕緣圖案112和公共線186的柵極金屬膜172，暴露出公共線186的透明導(dǎo)電膜170的端部及其相鄰區(qū)域。
如果公共焊盤200由透明導(dǎo)電膜170和暴露出至少一部分透明導(dǎo)電膜170的柵極金屬膜172組成，就通過暴露出公共焊盤200端部及其相鄰區(qū)域的公共接觸孔166將其連接到公共線186。公共線186包括通過公共接觸孔166連接到公共焊盤200并且用與數(shù)據(jù)線104相同的材料制成的第一公共線，以及通過獨(dú)立的接觸孔連接到第一公共線并且用與柵極線102相同的金屬制成的第二公共線。
如上所述，用于連接公共線186和公共焊盤200的公共接觸孔166暴露出公共焊盤200和/或公共線186所包括的透明導(dǎo)電膜170的端部。這樣，即便貫穿柵極金屬膜172的公共接觸孔166的第二寬度大于貫穿柵極絕緣圖案112、有源層114和歐姆接觸層116的公共接觸孔166的第一寬度而可能發(fā)生底切或是斷裂現(xiàn)象，公共線(或公共焊盤)的端部也能連接到通過公共接觸孔166暴露出的公共焊盤(或公共線)。
用于將公共線連接到公共焊盤的公共接觸孔可以應(yīng)用于水平電場(chǎng)施加型薄膜晶體管陣列基板以及圖4中所示的垂直電場(chǎng)施加型薄膜晶體管陣列基板。換句話說，公共電壓源線通過暴露出公共電壓源線端部的接觸孔電連接到公共焊盤，其中公共電壓源線的端部通過銀點(diǎn)連接到向公共電壓源線施加公共電壓的公共電極和/或公共焊盤。
圖18的平面圖表示按照本發(fā)明第四實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的結(jié)構(gòu)，而圖19是沿圖18中VI-VI’線提取的薄膜晶體管陣列基板的截面圖。
首先，在參照?qǐng)D18和圖19描述本發(fā)明的第四實(shí)施例之前，先描述一下四輪掩模工序中出現(xiàn)的防靜電裝置和短路棒結(jié)構(gòu)，以與本發(fā)明的第四實(shí)施例相比較。
典型的薄膜晶體管陣列基板包括用于排放在非顯示區(qū)上形成并且輸入到顯示區(qū)的靜電的防靜電裝置。例如，如圖16所示，防靜電裝置包括連接到非顯示區(qū)上的數(shù)據(jù)線或是柵極線并且具有相互連接關(guān)系的多個(gè)薄膜晶體管400、410和420。防靜電裝置在高電壓區(qū)具有低阻抗，能夠排放靜電等大電流，防止靜電輸入，而在正常驅(qū)動(dòng)環(huán)境下具有高阻抗(即數(shù)十MΩ)，對(duì)通過數(shù)據(jù)線或柵極線提供的驅(qū)動(dòng)信號(hào)沒有影響。圖17A和圖17B表示了這種防靜電裝置的具體結(jié)構(gòu)示例。
參見圖17A和圖17B，防靜電裝置包括連接到用于連接數(shù)據(jù)焊盤455和數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)鏈458的第一到第三薄膜晶體管400，410和420。
第一薄膜晶體管400包括連接到數(shù)據(jù)鏈458的第一源極404，面對(duì)第一源極404的第一漏極406，以及與第一源極和漏極404和406重疊并且中間有半導(dǎo)體層430和464以及柵極絕緣膜462的第一柵極402。
第二薄膜晶體管410包括連接到第一源極404的第二源極414，面對(duì)第二源極414的第二漏極416，以及與第二源極和漏極414和416重疊并且中間有半導(dǎo)體層430和464以及柵極絕緣膜462的第二柵極412。此處的第二柵極412通過在第一和第二接觸孔440和442上面形成的第一接觸電極432連接到第二源極414。換句話說，第一接觸電極432設(shè)置在貫穿保護(hù)膜466暴露出一部分第二源極414的第一接觸孔440和貫穿保護(hù)膜466及柵極絕緣膜462暴露出一部分第二柵極412的第二接觸孔442的上面，從而將第二柵極412連接到第二源極414。
第三薄膜晶體管420包括連接到第一漏極406的第三源極424，面對(duì)第三源極424的第三漏極426，以及連接到第三源極和漏極424和426并且中間有半導(dǎo)體層430和464以及柵極絕緣膜462的第三柵極422。此處的第三漏極426連接到第二漏極416，并且通過在第三和第四接觸孔444和446上面形成的第二接觸電極434連接到第一柵極402。換句話說，第二接觸電極434設(shè)置在貫穿保護(hù)膜466暴露出一部分第二漏極416的第三接觸孔和貫穿保護(hù)膜466及柵極絕緣膜462暴露出一部分第一柵極402的第四接觸孔446的上面，從而將第二漏極416連接到第一柵極402。進(jìn)而通過在第五和第六接觸孔448和450上面的第三接觸電極436將第三柵極422連接到第三源極424。換句話說，第三接觸電極436設(shè)置在貫穿保護(hù)膜466暴露出一部分第三源極424的第五接觸孔448和貫穿保護(hù)膜466及柵極絕緣膜462暴露出一部分第三柵極422的第六接觸孔450的上面，從而將第三柵極422連接到第三源極424。
在第一到第三薄膜晶體管400、410和420中，柵極402、412和422由基板460上的第一導(dǎo)電層(或柵極金屬層)形成；源極404、414和424及漏極406、416和426由半導(dǎo)體層430和464上的第二導(dǎo)電層(或源極/漏極金屬層)形成；而接觸電極432、434和436由保護(hù)膜466上的第三導(dǎo)電層(或是透明導(dǎo)電層或Ti)形成。
數(shù)據(jù)焊盤455包括由柵極絕緣膜462上的第二導(dǎo)電層形成的下數(shù)據(jù)焊盤電極452，以及通過貫穿保護(hù)膜466的第九接觸孔454連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極452的上數(shù)據(jù)焊盤電極456。
數(shù)據(jù)焊盤455連接到設(shè)置在非顯示區(qū)的奇數(shù)和偶數(shù)短路棒491和492，用于在制成薄膜晶體管陣列基板之后進(jìn)行測(cè)試。奇數(shù)短路棒491同時(shí)連接到多個(gè)奇數(shù)數(shù)據(jù)焊盤455，而偶數(shù)短路棒492同時(shí)連接到多個(gè)偶數(shù)數(shù)據(jù)焊盤455。
奇數(shù)短路棒491由連接到下奇數(shù)數(shù)據(jù)焊盤電極452的第一奇數(shù)短路棒491B和同時(shí)連接到多個(gè)第一奇數(shù)短路棒491B的第二奇數(shù)短路棒491A組成。奇數(shù)短路棒491由與下數(shù)據(jù)焊盤電極452相同的第二導(dǎo)電層形成。
偶數(shù)短路棒492由連接到下偶數(shù)數(shù)據(jù)焊盤電極452的第一偶數(shù)短路棒492B和同時(shí)連接到多個(gè)第一偶數(shù)短路棒492B的第二偶數(shù)短路棒492A組成。此處的第一偶數(shù)短路棒492B由與下數(shù)據(jù)焊盤電極452相同的第二導(dǎo)電層形成，而與第一奇數(shù)短路棒491B交叉的第二偶數(shù)短路棒492A由第一導(dǎo)電層形成。第一和第二偶數(shù)短路棒492A和492B通過形成在第七和第八接觸孔494和496上面的第三導(dǎo)電層的第四接觸電極498連接。換句話說，第四接觸電極498設(shè)置在貫穿保護(hù)膜466暴露出一部分第一偶數(shù)短路棒492B的第七接觸孔496及貫穿保護(hù)膜466和柵極絕緣膜462暴露出一部分第二偶數(shù)短路棒492A的第八接觸孔494的上面，將第一偶數(shù)短路棒492A連接到第二偶數(shù)短路棒492B。
此處的半導(dǎo)體層包括在第一到第三薄膜晶體管400，410和420上各自形成一溝道的有源層430，以及設(shè)置在有源層430上溝道部分以外處的歐姆接觸層464，用于與源極404、414和424及漏極406、416和426形成歐姆接觸。還要沿著包括數(shù)據(jù)鏈458、下數(shù)據(jù)焊盤電極452、奇數(shù)短路棒491和偶數(shù)短路棒492的垂直部分492B的第二導(dǎo)電層形成有源層430和歐姆接觸層464。
用常規(guī)的四輪掩模工序形成上述的防靜電裝置和短路棒。具體地說，用第一掩模工序在基板460上形成柵極402、412和422及第一導(dǎo)電層的偶數(shù)短路棒492A。用第二掩模工序在柵極絕緣膜462上形成半導(dǎo)體層430和464，源極404、414和424，漏極406、416和426，數(shù)據(jù)鏈458，下數(shù)據(jù)焊盤電極452，奇數(shù)短路棒491以及第二導(dǎo)電層的第一偶數(shù)短路棒492B。用第三掩模工序形成貫穿保護(hù)膜466和柵極絕緣膜462的接觸孔440、442、444、446、448、450、454、494和496，并且用第四掩模工序形成接觸電極432、434、436和498以及上數(shù)據(jù)焊盤電極456。
此處，暴露出第二導(dǎo)電層的接觸孔440、444、448和496和暴露出第一導(dǎo)電層的接觸孔442、446、450和494彼此獨(dú)立地形成以具有不同的階梯覆層，這樣會(huì)增大接觸電極432，434，436和498發(fā)生斷裂的風(fēng)險(xiǎn)。
為了克服這一問題，如圖18和圖19所示，按照本發(fā)明第四實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板提供了暴露出導(dǎo)電層以及導(dǎo)電層相鄰區(qū)域的接觸孔。
圖18和圖19中所示的薄膜晶體管陣列基板與薄膜晶體管陣列基板具有相同的元件，除了用劃線步驟去除的部分，并且還包括分別連接到柵極焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的柵極短路棒和數(shù)據(jù)短路棒。因而在此省略了對(duì)相同元件的詳細(xì)說明。
在將信號(hào)線連接到地電壓源GND的制造工序中，柵極短路棒183和數(shù)據(jù)短路棒185能防止靜電傳導(dǎo)到液晶顯示面板的信號(hào)線102、104上，保護(hù)薄膜晶體管130不受靜電損傷。
柵極短路棒183由連接到柵極焊盤150的第一柵極短路棒182和同時(shí)連接到多個(gè)第一柵極短路棒182的第二柵極短路棒180組成。
第二柵極短路棒180由與數(shù)據(jù)線104相同的金屬構(gòu)成，例如具有強(qiáng)耐腐蝕性的金屬鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或MoW。第二柵極短路棒180通過第一柵極短路棒182電連接到柵極焊盤150。第一柵極短路棒182從第一柵極短路棒180延伸跨過劃線SCL并且通過第一短路接觸孔162連接到柵極焊盤150。此處的第一短路接觸孔162的寬度大于柵極焊盤150，并且貫穿歐姆接觸層116、有源層114、柵極絕緣圖案112和柵極焊盤150的柵極金屬膜172暴露出柵極焊盤的透明導(dǎo)電膜170的端部及其相鄰區(qū)域。
數(shù)據(jù)短路棒185由連接到數(shù)據(jù)焊盤160的第一數(shù)據(jù)短路棒192和同時(shí)連接到多個(gè)第一數(shù)據(jù)短路棒192的第二數(shù)據(jù)短路棒190組成。
第二數(shù)據(jù)短路棒190由與數(shù)據(jù)線104相同的金屬構(gòu)成，例如具有強(qiáng)耐腐蝕性的金屬鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或MoW。第二數(shù)據(jù)短路棒190通過第一數(shù)據(jù)短路棒192電連接到數(shù)據(jù)焊盤160。第一數(shù)據(jù)短路棒192從第二數(shù)據(jù)短路棒190延伸跨過劃線SCL并且通過第二短路接觸孔194連接到數(shù)據(jù)焊盤160。此處的第二短路接觸孔194的寬度大于數(shù)據(jù)焊盤160，并且貫穿歐姆接觸層、有源層114、柵極絕緣圖案112和數(shù)據(jù)焊盤160的柵極金屬膜172暴露出數(shù)據(jù)焊盤160的透明導(dǎo)電膜170的端部及其相鄰區(qū)域。
如上所述，分別將第一柵極短路棒182連接到柵極焊盤150并將第一數(shù)據(jù)短路棒192連接到數(shù)據(jù)焊盤160的第一和第二短路接觸孔162和194暴露出柵極焊盤150和數(shù)據(jù)焊盤160所包括的透明導(dǎo)電膜170的端部。因此，即便貫穿柵極金屬膜172的短路接觸孔162和194的第二寬度大于貫穿柵極絕緣圖案112、有源層114和歐姆接觸層116的短路接觸孔162和194的第一寬度有可能造成底切現(xiàn)象，第一短路棒192和182連接到通過短路接觸孔194和162暴露出的數(shù)據(jù)和柵極焊盤160和150的端部，這樣就能防止第一短路棒192和182斷裂。
以下要解釋制造這種液晶顯示面板的薄膜晶體管的一種方法。
用第一掩模工序形成包括柵極線106、柵極102，柵極焊盤150和數(shù)據(jù)焊盤160的柵極圖案以及包括柵極金屬膜的像素電極122。用第二掩模工序去除具有第一短路孔162和194的柵極絕緣圖案112及半導(dǎo)體圖案114和116，以及柵極焊盤150、數(shù)據(jù)焊盤160和像素電極122所包括的柵極金屬膜172，并且去除通過第一和第二短路接觸孔162和194暴露出的柵極金屬膜172。用第三掩模工序形成包括第二柵極短路棒180、第二數(shù)據(jù)短路棒190、第一柵極短路棒182、第一數(shù)據(jù)短路棒192、源極108、漏極110和數(shù)據(jù)線104的數(shù)據(jù)圖案。然后在下基板101的整個(gè)表面上形成保護(hù)薄膜晶體管130的保護(hù)膜。
圖20是包括按照本發(fā)明第一到第四實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的液晶顯示面板的截面圖。
圖20中所示的液晶顯示面板包括用密封劑195彼此粘接的濾色片陣列基板199和薄膜晶體管陣列基板189。
濾色片陣列基板199包括形成在上基板191上的黑矩陣(未示出)和包括濾色片的上陣列193。
形成的薄膜晶體管陣列基板189使得與濾色片陣列基板199重疊的區(qū)域受到保護(hù)膜118的保護(hù)，并且暴露出與濾色片陣列基板199沒有重疊的焊盤區(qū)上的柵極焊盤150、數(shù)據(jù)焊盤160和/或公共焊盤(未示出)所包括的透明導(dǎo)電膜170。
以下要描述這種液晶顯示面板的制造方法。
首先單獨(dú)制備濾色片陣列基板199和薄膜晶體管陣列基板189，然后用密封劑195將其彼此粘接。接著用濾色片陣列基板199作為掩模按焊盤打開工序?qū)Ρ∧ぞw管陣列基板189的保護(hù)膜118進(jìn)行構(gòu)圖。這樣會(huì)暴露出焊盤區(qū)上的柵極焊盤150、數(shù)據(jù)焊盤160和/或公共焊盤(未示出)所包括的透明導(dǎo)電膜170。
焊盤開放工序同時(shí)用一空氣等離子體發(fā)生器產(chǎn)生的等離子體依次掃描或集中掃描被濾色片陣列基板199暴露出的各個(gè)焊盤，從而暴露出柵極焊盤150、數(shù)據(jù)焊盤160和公共焊盤(未示出)的透明導(dǎo)電膜170?；蚴?，將各自具有與薄膜晶體管陣列基板189粘接的濾色片陣列基板199的多個(gè)液晶顯示面板插入一腔室，然后用常壓等離子體蝕刻被濾色片陣列基板199暴露出的焊盤區(qū)上的保護(hù)膜118，從而暴露出柵極焊盤150、數(shù)據(jù)焊盤160和公共焊盤(未示出)的透明導(dǎo)電膜170。或是將具有與薄膜晶體管陣列基板189粘接的濾色片陣列基板199的整個(gè)液晶顯示面板浸入一種蝕刻液中，或是僅僅將包括柵極焊盤150、數(shù)據(jù)焊盤160和公共焊盤(未示出)的焊盤區(qū)浸入蝕刻液中，從而暴露出柵極焊盤150、數(shù)據(jù)焊盤160和公共焊盤(未示出)的透明導(dǎo)電膜170。
圖21是包括按照本發(fā)明第一到第四實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的另一例液晶顯示面板的截面圖。
圖21中所示的液晶顯示面板包括用密封劑195彼此接合的濾色片陣列基板199和薄膜晶體管陣列基板189。
在薄膜晶體管陣列基板189中，由定向膜197限定的顯示區(qū)受到保護(hù)膜118的保護(hù)，并且暴露出與定向膜197沒有重疊的區(qū)域內(nèi)的焊盤區(qū)上的柵極焊盤150、數(shù)據(jù)焊盤160和/或公共焊盤(未示出)所包括的透明導(dǎo)電膜170。在這種情況下，用定向膜197作為掩模按蝕刻工序構(gòu)圖并且形成保護(hù)膜118。
圖22的平面圖表示按照本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的防靜電裝置和短路棒區(qū)域，而圖23是沿圖22中VII1-VII1’線和VII2-VII2’線提取的防靜電裝置和短路棒區(qū)域的截面圖。
在描述本發(fā)明的第五實(shí)施例之前，首先要說明本發(fā)明所采用的一種提升工序。
本申請(qǐng)人先前提交的2002-88323號(hào)韓國專利申請(qǐng)(以下稱為“在先發(fā)明”并作為參考資料)業(yè)已提出了采用提升的三輪掩模工序制造薄膜晶體管陣列基板。在先發(fā)明采用提升，用單一掩模工序?qū)崿F(xiàn)貫穿保護(hù)膜和柵極絕緣膜的通孔的限定工序以及第三導(dǎo)電層的構(gòu)圖工序，從而減少了掩模工序的數(shù)量。按照在先發(fā)明，僅僅在光刻膠圖案限定了保護(hù)膜和柵極絕緣膜內(nèi)的通孔的區(qū)域上形成構(gòu)圖的第三導(dǎo)電層，使其接觸到孔內(nèi)的保護(hù)膜。然而，如果如圖17A和圖17B所示，要在防靜電裝置和短路棒區(qū)域上各自形成暴露出第一和第二導(dǎo)電層的兩個(gè)接觸孔，接觸電極就不能將第一導(dǎo)電層連接到第二導(dǎo)電層。
或者，按照?qǐng)D22和圖23所示的本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板，一體地限定暴露出第一和第二導(dǎo)電層的接觸孔。
參見圖22和圖23，防靜電裝置包括連接到數(shù)據(jù)鏈258用于將數(shù)據(jù)焊盤255連接到數(shù)據(jù)線的第一到第三薄膜晶體管200、210和220。
第一薄膜晶體管200包括連接到數(shù)據(jù)鏈258的第一源極204、面對(duì)第一源極204的第一漏極206以及與第一源極和漏極204和206重疊并且中間有半導(dǎo)體層230和264以及柵極絕緣膜262的第一柵極202。
第二薄膜晶體管210包括連接到第一源極204的第二源極214，面對(duì)第二源極214的第二漏極216，以及與第二源極和漏極214和216重疊并且中間有半導(dǎo)體層230和264以及柵極絕緣膜262的第二柵極212。此處的第二柵極212通過形成在第一接觸孔240上面的第一接觸電極232連接到第二源極214。換句話說，第一接觸電極232設(shè)置在貫穿保護(hù)膜266和柵極絕緣膜262的第一接觸孔240內(nèi)，同時(shí)暴露出第二柵極和毗鄰第二柵極212的一部分第二源極214，從而將第二柵極212連接到第二源極214。
第三薄膜晶體管220包括連接到第一漏極206的第三源極224，面對(duì)第三源極224的第三漏極226，以及連接到第三源極和漏極224和226并且中間有半導(dǎo)體層230和264以及柵極絕緣膜262的第三柵極222。此處的第三漏極226也連接到第二漏極216，并且同時(shí)通過在第二接觸孔244內(nèi)形成的第二接觸電極234連接到第一柵極202。換句話說，第二接觸電極234設(shè)置在貫穿保護(hù)膜266和柵極絕緣膜262的第二接觸孔244內(nèi)，同時(shí)暴露出第二漏極226和一部分第一柵極202，從而將第二漏極216連接到第一柵極202。進(jìn)而，第三柵極212通過在第三接觸孔248內(nèi)形成的第三接觸電極236連接到第三源極224。換句話說，第三接觸電極236設(shè)置在貫穿保護(hù)膜266和柵極絕緣膜262的第三接觸孔248內(nèi)，同時(shí)暴露出第三源極224和毗鄰第三源極224的一部分第三柵極222，從而將第三源極224連接到第三柵極222。
在第一到第三薄膜晶體管200，210和220中，柵極202、212和222由基板260上的第一導(dǎo)電層(或柵極金屬層)形成；源極204、214和224以及漏極206、216和226由半導(dǎo)體層230和264上的第二金屬層(或源極/漏極金屬層)形成；而接觸電極232、234和236由保護(hù)膜266上的第三導(dǎo)電層(或是透明導(dǎo)電層或Ti)形成。
數(shù)據(jù)焊盤255包括由柵極絕緣膜262上的第二導(dǎo)電層形成的下數(shù)據(jù)焊盤電極252，以及通過貫穿保護(hù)膜266的第五接觸孔256連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極252的上數(shù)據(jù)焊盤電極254。
數(shù)據(jù)焊盤255連接到在非顯示區(qū)上形成的奇數(shù)和偶數(shù)短路棒291和292，在制成薄膜晶體管陣列基板之后執(zhí)行信號(hào)測(cè)試。奇數(shù)短路棒291同時(shí)連接到多個(gè)奇數(shù)數(shù)據(jù)焊盤255，而偶數(shù)短路棒292同時(shí)連接到多個(gè)偶數(shù)數(shù)據(jù)焊盤255。
奇數(shù)短路棒291包括連接到下奇數(shù)數(shù)據(jù)焊盤電極252的第一奇數(shù)短路棒291B和同時(shí)連接到多個(gè)第一奇數(shù)短路棒291B的第二奇數(shù)短路棒291A。奇數(shù)短路棒291由與下數(shù)據(jù)焊盤電極252相同的第二導(dǎo)電層形成。
偶數(shù)短路棒292包括連接到下偶數(shù)數(shù)據(jù)焊盤電極252的第一偶數(shù)短路棒292B和同時(shí)連接到多個(gè)第一偶數(shù)短路棒292B的第二偶數(shù)短路棒292A。此處的第一偶數(shù)短路棒292B由與下數(shù)據(jù)焊盤電極252相同的第二導(dǎo)電層形成，而與第一奇數(shù)短路棒291B交叉的第二偶數(shù)短路棒292A由第一導(dǎo)電層形成。第一和第二偶數(shù)短路棒292B和292A通過形成在第四孔294上方的第三導(dǎo)電層的第四接觸電極298連接。換句話說，第四接觸電極298設(shè)置在貫穿保護(hù)膜266和柵極絕緣膜262的第四接觸孔294內(nèi)，同時(shí)暴露出第一偶數(shù)短路棒292B和毗鄰第一偶數(shù)短路棒292B的第二偶數(shù)短路棒292A，從而將第一偶數(shù)短路棒292B連接到第二偶數(shù)短路棒292A。
此處的半導(dǎo)體層包括在第一到第三薄膜晶體管200、210和220上各自形成溝道的有源層230，以及設(shè)置在溝道部分以外的有源層230上用于與源極204、214、224和漏極206、216、226形成歐姆接觸的歐姆接觸層264。還沿著包括數(shù)據(jù)鏈258、下數(shù)據(jù)焊盤電極252、奇數(shù)短路棒291和第一偶數(shù)短路棒292B的第二導(dǎo)電層形成有源層230和歐姆接觸層264。
在按照本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板中，第一到第四接觸孔240、244、248和294同時(shí)暴露出第一和第二導(dǎo)電層，用形成在各個(gè)接觸孔240、244、248和294內(nèi)的接觸電極232、234和236將第一導(dǎo)電層連接到第二導(dǎo)電層。在這種情況下，第一到第四接觸孔240、244、248和294依次暴露出第二導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層和第一導(dǎo)電層以降低階梯覆層，由此防止接觸電極232、234和236發(fā)生斷裂。接觸電極232、234和236是通過去除用于對(duì)保護(hù)膜266和柵極絕緣膜262連同上數(shù)據(jù)焊盤電極254構(gòu)圖的光刻膠圖案用提升方法制成的。這樣就能如下所述用三輪掩模工序形成按照本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板。
圖24A和圖24B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第一掩模工序。
在下基板260上用第一掩模工序形成包括柵極202、212和222的第一導(dǎo)電圖案和第二偶數(shù)短路棒292A。
具體地說，用諸如濺射等淀積技術(shù)在下基板260上形成柵極金屬層。然后用光刻術(shù)對(duì)第一導(dǎo)電層構(gòu)圖并且用第一掩模蝕刻，形成包括柵極202、212和222的第一導(dǎo)電圖案和第二偶數(shù)短路棒292A。此處的第一導(dǎo)電層由Cr、MoW、Cr/Al、Cu、Al(Nd)、Mo/Al、Mo/Al(Nd)、Cr/Al(Nd)等形成。
圖25A和圖25B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第二掩模工序，而圖26A到圖26D的截面圖用于詳細(xì)解釋第二掩模工序。
首先在設(shè)有第一導(dǎo)電圖案的下基板260上用諸如PECVD、濺射等淀積技術(shù)形成整個(gè)柵極絕緣膜262。柵極絕緣膜262由諸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)等無機(jī)絕緣材料形成。
接著用第二掩模工序形成設(shè)置在柵極絕緣膜262上并包括有源層230和歐姆接觸層262的半導(dǎo)體圖案以及包括源極204、214和224，漏極206、216和226及數(shù)據(jù)鏈258，下數(shù)據(jù)焊盤電極252，奇數(shù)短路棒291和第一偶數(shù)短路棒292B的第二導(dǎo)電圖案。
具體地說，如圖26A中所示，用諸如PECVD、濺射等淀積技術(shù)在柵極絕緣膜262上依次形成非晶硅層230A、n+非晶硅層264A和第二導(dǎo)電層272。第二導(dǎo)電層由Cr、MoW、Cr/Al、Cu、Al(Nd)、Mo/Al、Mo/Al(Nd)、Cr/Al(Nd)等形成。然后在整個(gè)第二導(dǎo)電層272上涂覆一層光刻膠，然后用一局部曝光掩模即第二掩模采用光刻術(shù)形成如圖26A所示具有階梯覆層的光刻膠圖案270。在這種情況下，在需要形成薄膜晶體管溝道的部分具有一衍射曝光部分(或是半透射部分)的局部曝光掩模被用作第二掩模。這樣，對(duì)應(yīng)著第二掩模的衍射曝光部分(或是半透射部分)的光刻膠圖案270所具有的高度低于對(duì)應(yīng)著第二掩模的透射部分(或屏蔽部分)的光刻膠圖案270的高度。換句話說，溝道部分的光刻膠圖案的高度要低于源極/漏極金屬圖案部分的光刻膠圖案的高度。
采用光刻膠圖案270按濕蝕刻法對(duì)第二導(dǎo)電層272構(gòu)圖，形成如圖26B所示的包括源極204、214和224，與源極204、214和224成一體的漏極206、216和226，數(shù)據(jù)鏈258，下數(shù)據(jù)焊盤電極252，奇數(shù)短路棒291和第一偶數(shù)短路棒292B的第二導(dǎo)電圖案。進(jìn)而用同一光刻膠圖案270按干蝕刻法對(duì)n+非晶硅層264A和非晶硅層230A同時(shí)構(gòu)圖，如圖26B所示，沿著第二導(dǎo)電圖案形成歐姆接觸層264和有源層230的結(jié)構(gòu)。
接著，如圖26C所示，采用氧(O2)等離子體的灰化工序去除高度比較低的溝道部位上的光刻膠圖案270，并且去除源極/漏極金屬圖案部位上高度降低的光刻膠圖案270。如圖26C所示用剩余的光刻膠圖案270按干法蝕刻從需要形成溝道的部位蝕刻第二導(dǎo)電層和歐姆接觸層264，使源極204、214和224與漏極206、216和226分離，并且暴露出有源層230。這樣就能在各個(gè)源極204、214和224與各個(gè)漏極206、216和226之間限定一由有源層230構(gòu)成的溝道。
接著通過剝離完全去除第二導(dǎo)電圖案部分上的剩余光刻膠圖案270。
圖27A和圖27B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第三掩模工序，而圖28A到圖28D的截面圖用于詳細(xì)解釋第三掩模工序。
采用第三掩模工序?qū)φ麄€(gè)保護(hù)膜266和柵極絕緣膜262構(gòu)圖，限定接觸孔240、244、248和294，并且連同上數(shù)據(jù)焊盤電極254形成包括接觸電極232、234、236和298的第三導(dǎo)電圖案。第三導(dǎo)電圖案接觸到構(gòu)圖的保護(hù)膜266。
具體地說，如圖28A所示，在設(shè)有第二導(dǎo)電圖案的整個(gè)柵極絕緣膜262上形成保護(hù)膜266。保護(hù)膜266由類似于柵極絕緣膜262的無機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料制成。進(jìn)而，如圖28A所示，用第三掩模按光刻術(shù)在存在保護(hù)膜266的部分的整個(gè)保護(hù)膜266上形成光刻膠圖案280。
接著用光刻膠圖案280進(jìn)行蝕刻，如圖28B所示，對(duì)保護(hù)膜266和柵極絕緣膜262構(gòu)圖形成第一到第四接觸孔240、244、248和294連同第五接觸孔。第一接觸孔240暴露出第二源極214和柵極212；第二接觸孔244暴露出第三漏極226和第一柵極202；第三接觸孔248暴露出第三源極224和柵極222；第四接觸孔294暴露出第一和第二偶數(shù)短路棒292A和292B；而第五接觸孔暴露出下數(shù)據(jù)焊盤電極252。
如圖28C所示，在淀積完光刻膠圖案280之后，在整個(gè)薄膜晶體管陣列基板上用濺射等淀積技術(shù)形成第三導(dǎo)電層282。第三導(dǎo)電層282由透明導(dǎo)電材料制成，包括ITO、TO、IZO、SnO2等，或是具有強(qiáng)耐腐蝕性和高機(jī)械強(qiáng)度的鈦(Ti)。
接著，采用提升工序，同時(shí)去除光刻膠圖案280及其上的第三導(dǎo)電層282以構(gòu)圖第三導(dǎo)電層282。這樣，如圖28D所示，在第一到第四接觸孔240、244、248和294內(nèi)形成接觸電極232、234、236和298，同時(shí)在第五接觸孔內(nèi)形成上數(shù)據(jù)焊盤電極254。第一接觸電極232將第二源極214連接到柵極212；第二接觸電極234將第三漏極226連接到第一柵極202；第三接觸電極236將第三源極224連接到柵極222；第四接觸電極298將第一偶數(shù)短路棒292B連接到第二偶數(shù)短路棒292A；而第五接觸孔將上數(shù)據(jù)焊盤電極254連接到下數(shù)據(jù)焊盤電極252。
圖29的平面圖表示按照本發(fā)明第六實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的防靜電裝置和短路棒區(qū)域，而圖30是沿圖29中VIII1-VIII1’線和VIII2-VIII2’線提取的防靜電裝置和短路棒區(qū)域的截面圖。
圖29和圖30中所示的薄膜晶體管陣列基板與圖22和圖23中所示的元件基本相同，除了因其具有按四輪掩模工序形成的結(jié)構(gòu)，僅僅在薄膜晶體管區(qū)上形成半導(dǎo)體層。因此省略了對(duì)相同元件的詳細(xì)描述。
圖29和圖30中所示的防靜電裝置的第一到第三薄膜晶體管300、310和320包括獨(dú)立的有源層308、318和328，也就是說，僅在用于形成溝道的對(duì)應(yīng)區(qū)域上具有島型有源層。還在有源層308、318、328，源極304、314、324和漏極306、316、326中的重疊部分形成歐姆接觸層。
在第一接觸孔340內(nèi)形成將第二柵極312連接到源極314的第一接觸電極332。在第二接觸孔344內(nèi)形成將第二漏極326連接到第一柵極302的第二接觸電極334。在第三接觸孔348內(nèi)形成將第三源極324連接到柵極322的第三接觸電極336。在第四接觸孔394內(nèi)形成將第一偶數(shù)短路棒392B連接到第二偶數(shù)短路棒392A的第四接觸電極398。用提升方法去除用于對(duì)保護(hù)膜366和柵極絕緣膜362連同上數(shù)據(jù)焊盤電極354構(gòu)圖的光刻膠圖案，形成這些接觸電極332，334和336。由此按如下所述用四輪掩模工序形成按照本發(fā)明第六實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板。
圖31A和圖31B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第六實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第一掩模工序。
用第一掩模工序在下基板360上形成包括柵極302、312、322和第二偶數(shù)短路棒392A的第一導(dǎo)電圖案。具體地說，在下基板360上用濺射等淀積技術(shù)形成第一導(dǎo)電圖案。然后按光刻術(shù)對(duì)第一導(dǎo)電層構(gòu)圖并且用第一掩模蝕刻，形成包括柵極302、312、322和第二偶數(shù)短路棒392A的第一導(dǎo)電圖案。
圖32A和圖32B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第六實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第二掩模工序。
首先用諸如PECVD、濺射等淀積技術(shù)在設(shè)有第一導(dǎo)電圖案的整個(gè)下基板360上形成柵極絕緣膜362。接著，用第二掩模工序在柵極絕緣膜362上形成包括第一到第三有源層308、318、328和歐姆接觸層364的半導(dǎo)體圖案。具體地說，用諸如PECVD、濺射等淀積技術(shù)在柵極絕緣膜362上形成非晶硅層和n+非晶硅層。按光刻術(shù)對(duì)半導(dǎo)體圖案構(gòu)圖并且用第二掩模蝕刻，在對(duì)應(yīng)著薄膜晶體管區(qū)的位置上形成半導(dǎo)體圖案，第一到第三有源層308、318、328和歐姆接觸層364。
圖33A和圖33B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第六實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第三掩模工序。
采用第三掩模工序在設(shè)有半導(dǎo)體圖案的柵極絕緣膜362上形成包括源極304、314和324，漏極306、316和326，數(shù)據(jù)鏈358，下數(shù)據(jù)焊盤電極352，奇數(shù)短路棒391和第一偶數(shù)短路棒392B的第二導(dǎo)電圖案。具體地說，用諸如PECVD、濺射等淀積技術(shù)在柵極絕緣膜362上形成第二導(dǎo)電層。按光刻術(shù)對(duì)第二導(dǎo)電層構(gòu)圖，并且用第三掩模蝕刻，形成源極304、314和324，漏極306、316和326，數(shù)據(jù)鏈358，下數(shù)據(jù)焊盤電極352，奇數(shù)短路棒391和第一偶數(shù)短路棒392B。
然后，用第二導(dǎo)電圖案作為掩模干蝕刻暴露在源極304、314和324與漏極306、316和326之間的歐姆接觸層364，從而暴露出相應(yīng)的有源層308、318和328。
圖34A和圖34B的平面圖和截面圖分別用于解釋按照本發(fā)明第六實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的一種制造方法中的第四掩模工序，而圖35A到圖35D的截面圖用于詳細(xì)解釋第四掩模工序。
采用第四掩模工序?qū)φ麄€(gè)保護(hù)膜366和柵極絕緣膜362構(gòu)圖，限定接觸孔340、344、348和394，并且形成包括接觸電極332、334、336和398的第三導(dǎo)電圖案連同上數(shù)據(jù)焊盤電極354。
具體地說，如圖35A所示，在設(shè)有第二導(dǎo)電圖案的整個(gè)柵極絕緣膜362上形成保護(hù)膜366。進(jìn)而，如圖35A所示，用第三掩模按光刻術(shù)在存在保護(hù)膜366的部分的整個(gè)保護(hù)膜366上形成光刻膠圖案370。
接著，如圖35B所示，用光刻膠圖案370進(jìn)行蝕刻，對(duì)保護(hù)膜366和柵極絕緣膜362構(gòu)圖以形成第一到第四接觸孔340、344、348和394連同第五接觸孔。第一接觸孔340暴露出第二源極314和柵極312；第二接觸孔344暴露出第三漏極326和第一柵極302；第三接觸孔348暴露出第三源極324和柵極322；第四接觸孔394暴露出第一和第二偶數(shù)短路棒392B和392A；而第五接觸孔暴露出下數(shù)據(jù)焊盤電極352。
如圖35C所示，在形成光刻膠圖案370之后，在整個(gè)薄膜晶體管陣列基板上用濺射等淀積技術(shù)形成第三導(dǎo)電層372。第三導(dǎo)電層372由透明導(dǎo)電層制成，包括ITO、TO、IZO、SnO2等，或是具有強(qiáng)耐腐蝕性和高機(jī)械強(qiáng)度的鈦(Ti)。
接著，采用提升方法同時(shí)去除光刻膠圖案370及其上的第三導(dǎo)電層372以構(gòu)圖第三導(dǎo)電層372。這樣，如圖35D所示，在第一到第四接觸孔340、344、348和394內(nèi)形成接觸電極332、334、336和398，同時(shí)在第五接觸孔內(nèi)形成上數(shù)據(jù)焊盤電極354。
如上所述，按照本發(fā)明，薄膜晶體管陣列基板用三輪掩模工序形成，這樣能簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)和制造工序以降低成本并提高產(chǎn)量。另外，按照本發(fā)明，如果用不同的金屬形成信號(hào)線和信號(hào)焊盤，形成接觸孔可以暴露出信號(hào)線和/或信號(hào)焊盤的端部及其相鄰區(qū)域。信號(hào)線通過接觸孔電連接到信號(hào)焊盤，能防止信號(hào)線和/或信號(hào)焊盤斷裂。另外，按照本發(fā)明，暴露出第一和第二導(dǎo)電層的接觸孔一體形成。因此，通過設(shè)在相應(yīng)的接觸孔內(nèi)的接觸電極暴露出來的第一和第二導(dǎo)電層能夠彼此連接并且具有降低的階梯覆層，這樣就能防止其斷裂。盡管以上按照附圖的實(shí)施例解釋了本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員都能理解，本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例，無需脫離本發(fā)明的原理還能作出各種各樣的修改和變更。因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)該僅由權(quán)利要求書及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括防靜電裝置，包括在非顯示區(qū)上各自連接到信號(hào)線的多個(gè)薄膜晶體管，其特征在于，每一薄膜晶體管包括由第一導(dǎo)電層形成的柵極；由第二導(dǎo)電層形成的源極和漏極；在源極和漏極之間限定溝道的半導(dǎo)體層；暴露出第一薄膜晶體管的第一導(dǎo)電層和第二薄膜晶體管的第二導(dǎo)電層的相鄰部分的第一接觸孔；以及在第一接觸孔內(nèi)由第三導(dǎo)電層形成的第一接觸電極，連接暴露的第一導(dǎo)電層和暴露的第二導(dǎo)電層。
2.按照權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，各個(gè)薄膜晶體管還包括第二接觸孔，暴露出相應(yīng)薄膜晶體管的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的相鄰部位；以及在第二接觸孔內(nèi)由第三導(dǎo)電層形成的第二接觸電極，連接暴露的第一導(dǎo)電層和暴露的第二導(dǎo)電層。
3.按照權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括用于測(cè)試非顯示區(qū)上的信號(hào)線的第一和第二短路棒，其中，第一和第二短路棒各自包括形成于連接到信號(hào)線的至少一個(gè)第一和第二導(dǎo)電層的多個(gè)第一和第二短路圖案；形成于與第一短路圖案相同的導(dǎo)電層的第一公共短路圖案；形成于不同于第二短路圖案的導(dǎo)電層、與第一短路圖案交叉的第二公共短路圖案；暴露出第二短路圖案之一和第二公共短路圖案的相鄰部分的第三接觸孔；以及形成于第三接觸孔內(nèi)的第三導(dǎo)電層的第三接觸電極，連接暴露的第二短路圖案和暴露的公共短路圖案。
4.按照權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，各接觸孔貫穿第一導(dǎo)電層上的柵極絕緣膜和第二導(dǎo)電層上的保護(hù)膜，并且各接觸電極接觸到相應(yīng)接觸孔內(nèi)的保護(hù)膜。
5.按照權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，各接觸孔貫穿第一導(dǎo)電層上的柵極絕緣膜和第二導(dǎo)電層上的保護(hù)膜，并且各接觸電極接觸到相應(yīng)接觸孔內(nèi)的保護(hù)膜。
6.按照權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，各接觸孔貫穿第一導(dǎo)電層上的柵極絕緣膜和第二導(dǎo)電層上的保護(hù)膜，并且各接觸電極接觸到相應(yīng)接觸孔內(nèi)的保護(hù)膜。
7.按照權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層沿第二導(dǎo)電層延伸。
8.按照權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層沿第二導(dǎo)電層延伸。
9.按照權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層沿第二導(dǎo)電層延伸。
10.按照權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，各接觸孔還暴露出第二導(dǎo)電層下的部分半導(dǎo)體。
11.按照權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，各接觸孔還暴露出第二導(dǎo)電層下的部分半導(dǎo)體。
12.按照權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，各接觸孔還暴露出第二導(dǎo)電層下的部分半導(dǎo)體。
13.按照權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述信號(hào)線包括至少一條柵極線和數(shù)據(jù)線。
14.按照權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述信號(hào)線包括至少一條柵極線和數(shù)據(jù)線。
15.按照權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述信號(hào)線包括至少一條柵極線和數(shù)據(jù)線。
16.一種薄膜晶體管陣列基板，包括在基板上形成的第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上形成的第一絕緣層；貫穿第一絕緣層暴露出第一導(dǎo)電層和第一導(dǎo)電層的相鄰區(qū)域的接觸孔；以及通過所述接觸孔連接到第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層。
17.按照權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層包括至少一條柵極線和數(shù)據(jù)線的信號(hào)線，而第二導(dǎo)電層包括連接到信號(hào)線的焊盤。
18.按照權(quán)利要求16所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括形成在第一絕緣層上并通過所述接觸孔連接到第二導(dǎo)電層的第三導(dǎo)電層；以及形成在第三導(dǎo)電層上并通過所述接觸孔連同第三導(dǎo)電層的相鄰部分暴露出來的第二絕緣層。
19.按照權(quán)利要求18所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層形成在由第一和第二絕緣層限定的接觸孔內(nèi)。
20.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，所述基板包括一防靜電裝置，該防靜電裝置包括在非顯示區(qū)上各自連接到信號(hào)線的多個(gè)薄膜晶體管，該方法包括在一基板上提供中間有柵極絕緣膜的第一和第二導(dǎo)電層，以及包括連同信號(hào)線的半導(dǎo)體層的薄膜晶體管；提供覆蓋多個(gè)薄膜晶體管的保護(hù)膜；提供第一接觸孔，貫穿保護(hù)膜和柵極絕緣膜暴露出第一薄膜晶體管的第一導(dǎo)電層和第二薄膜晶體管的第二導(dǎo)電層的相鄰部分；并且在第一接觸孔內(nèi)提供第三導(dǎo)電層的第一接觸電極，將暴露的第一導(dǎo)電層連接到暴露的第二導(dǎo)電層。
21.按照權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，還包括提供第二接觸孔，暴露出相應(yīng)薄膜晶體管的第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的相鄰部分；并且在第二接觸孔內(nèi)提供第三導(dǎo)電層的第二接觸電極，將暴露的第一導(dǎo)電層連接到暴露的第二導(dǎo)電層。
22.按照權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，還包括用要在非顯示區(qū)上連接到信號(hào)線的至少一個(gè)第一和第二導(dǎo)電層形成第一和第二短路棒的第一和第二短路圖案；用形成第一短路圖案的同一個(gè)導(dǎo)電層形成第一短路棒的公共短路圖案，共同連接到第一短路圖案；用不同于形成第二短路圖案的導(dǎo)電層的導(dǎo)電層形成與第一短路圖案交叉的第二短路棒的公共短路圖案；形成貫穿保護(hù)膜和柵極絕緣膜的第三接觸孔，暴露出第二短路棒的第二短路圖案和公共短路圖案的相鄰部分；并且在第三接觸孔內(nèi)形成第三導(dǎo)電層的第三接觸電極，用于將暴露的第二短路圖案連接到第二短路棒暴露的公共短路圖案。
23.按照權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述形成第一接觸孔和第一接觸電極包括在保護(hù)膜上形成光刻膠圖案；蝕刻保護(hù)膜和通過光刻膠圖案暴露出的柵極絕緣膜；在設(shè)有光刻膠圖案的基板上形成第三導(dǎo)電層；并且去除光刻膠圖案連同上面的第三導(dǎo)電層。
24.按照權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述所述形成各個(gè)接觸孔和接觸電極包括在保護(hù)膜上形成光刻膠圖案；蝕刻保護(hù)膜和通過光刻膠圖案暴露出的柵極絕緣膜；在設(shè)有光刻膠圖案的基板上形成第三導(dǎo)電層；并且去除光刻膠圖案連同上面的第三導(dǎo)電層。
25.按照權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述形成各個(gè)接觸孔和接觸電極包括在保護(hù)膜上形成光刻膠圖案；蝕刻保護(hù)膜和通過光刻膠圖案暴露出的柵極絕緣膜；在設(shè)有光刻膠圖案的基板上形成第三導(dǎo)電層；并且去除光刻膠圖案連同上面的第三導(dǎo)電層。
26.按照權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述提供各個(gè)薄膜晶體管包括用第一導(dǎo)電層形成薄膜晶體管的柵極；形成柵極絕緣膜；形成半導(dǎo)體層；并且用第二導(dǎo)電層形成薄膜晶體管的源極和漏極。
27.按照權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于，所述提供各個(gè)薄膜晶體管包括用第一導(dǎo)電層形成薄膜晶體管的柵極；形成柵極絕緣膜；形成半導(dǎo)體層；并且用第二導(dǎo)電層形成薄膜晶體管的源極和漏極。
28.按照權(quán)利要求22所述的方法，其特征在于，所述提供各個(gè)薄膜晶體管包括用第一導(dǎo)電層形成薄膜晶體管的柵極；形成柵極絕緣膜；形成半導(dǎo)體層；并且用第二導(dǎo)電層形成薄膜晶體管的源極和漏極。
29.按照權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層及源極和漏極用同一掩模形成，并且該半導(dǎo)體層沿著第二導(dǎo)電層延伸。
30.按照權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層及源極和漏極用同一掩模形成，并且該半導(dǎo)體層沿著第二導(dǎo)電層延伸。
31.按照權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體層及源極和漏極用同一掩模形成，并且該半導(dǎo)體層沿著第二導(dǎo)電層延伸。
32.按照權(quán)利要求29所述的方法，其特征在于，所述第一接觸孔還暴露出第二導(dǎo)電層下面的部分半導(dǎo)體。
33.按照權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，所述各接觸孔還暴露出第二導(dǎo)電層下面的部分半導(dǎo)體。
34.按照權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于，所述各接觸孔還暴露出第二導(dǎo)電層下面的部分半導(dǎo)體。
35.按照權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述形成各信號(hào)線包括連同柵極形成第一導(dǎo)電層的柵極線；并且連同源極和漏極形成第二導(dǎo)電層的數(shù)據(jù)線。
36.按照權(quán)利要求27所述的方法，其特征在于，所述形成各信號(hào)線包括連同柵極形成第一導(dǎo)電層的柵極線；并且連同源極和漏極形成第二導(dǎo)電層的數(shù)據(jù)線。
37.按照權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于，形成各信號(hào)線包括連同柵極形成第一導(dǎo)電層的柵極線；并且連同源極和漏極形成第二導(dǎo)電層的數(shù)據(jù)線。
38.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括在一基板上提供第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上提供第一絕緣層；提供一貫穿第一絕緣層的接觸孔，暴露出第一導(dǎo)電層和第一導(dǎo)電層的相鄰部分；并且提供通過接觸孔連接到第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層。
39.按照權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述在基板上提供第一導(dǎo)電層包括在基板上形成至少一條信號(hào)線，該信號(hào)線是至少一條柵極線和數(shù)據(jù)線，而提供連接到第一導(dǎo)電層的第二導(dǎo)電層包括形成連接到信號(hào)線的焊盤。
40.按照權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，還包括提供形成在第一絕緣膜上的第三導(dǎo)電層，并且通過接觸孔連接到第二導(dǎo)電層；以及提供形成在第三導(dǎo)電層上的第二絕緣層，并且連同第三導(dǎo)電層的相鄰部分通過接觸孔暴露出來。
41.按照權(quán)利要求40所述的方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層形成在第一和第二絕緣層所限定的接觸孔內(nèi)。
42.一種薄膜晶體管陣列基板的形成方法，該方法包括用最多三個(gè)導(dǎo)電層形成多個(gè)薄膜晶體管和向薄膜晶體管提供信號(hào)的信號(hào)線，在各個(gè)導(dǎo)電層的至少一部分上按最多三輪掩模工序用絕緣層將導(dǎo)電層隔開。
43.按照權(quán)利要求42所述的方法，其特征在于，還包括用第一導(dǎo)電層形成第一短路部分，所述第一短路部分將第一組信號(hào)線短接到一起，所述第一組信號(hào)線沿特定方向延伸。
44.按照權(quán)利要求43所述的方法，其特征在于，還包括用第二導(dǎo)電層形成第二短路部分，所述第二短路部分將第二組信號(hào)線短接到一起，該第二組信號(hào)線沿特定方向延伸。
45.按照權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于，所述第一和第二導(dǎo)電層不同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管陣列基板，包括防靜電裝置，包括在非顯示區(qū)上各自連接到信號(hào)線的多個(gè)薄膜晶體管，其特征在于，每一薄膜晶體管包括由第一導(dǎo)電層形成的柵極；由第二導(dǎo)電層形成的源極和漏極；在源極和漏極之間限定溝道的半導(dǎo)體層；暴露出第一薄膜晶體管的第一導(dǎo)電層和第二薄膜晶體管的第二導(dǎo)電層的相鄰部分的第一接觸孔；以及在第一接觸孔內(nèi)由第三導(dǎo)電層形成的第一接觸電極，連接暴露的第一導(dǎo)電層和暴露的第二導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)H01L21/768GK101060125SQ20071008738
公開日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2004年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月14日
發(fā)明者南承熙, 柳洵城, 張?jiān)虱? 趙興烈 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社