專利名稱：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，特別是關(guān)于一種可避免像素電極斷線的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
圖1為公知半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2A為圖1沿A-A’剖面線所得的剖面示意圖。而圖2A～圖2D為公知半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。
請(qǐng)參閱圖1及圖2A，首先，提供一基板1。之后，形成一第一金屬線2于基板1上。第一金屬線2可為柵線(gate line)或公共線(common line)。接著，形成一絕緣層3于基板1上，并覆蓋第一金屬線2。之后，形成一半導(dǎo)體層4于絕緣層3上。接著，形成一第二金屬線5于半導(dǎo)體層4上。之后，形成一保護(hù)層6于第二金屬線5上。接著，形成一光刻膠層7于保護(hù)層6上，覆蓋第一金屬線2，露出部分絕緣層3、半導(dǎo)體層4、第二金屬線5及保護(hù)層6。
接著，請(qǐng)參閱圖2B，以光刻膠層7為一掩模，由上而下定義保護(hù)層6、第二金屬線5、半導(dǎo)體層4及絕緣層3，而露出基板1。由于絕緣層3與第二金屬線5及半導(dǎo)體層4的材質(zhì)不同，致使在進(jìn)行蝕刻定義時(shí)，有不同的蝕刻速率，而使蝕刻速率相對(duì)較快的絕緣層3與蝕刻速率相對(duì)較慢的半導(dǎo)體層4之間的接口處產(chǎn)生不連續(xù)現(xiàn)象，即所謂的底切(under cut)8。
如圖2C移除部分光刻膠層7后，沉積一銦錫氧化電極9于光刻膠層7、保護(hù)層6、第二金屬線5、半導(dǎo)體層4及基板1表面，如圖2D所示。值得注意的是，由于絕緣層3與半導(dǎo)體層4接口處產(chǎn)生的底切(under cut)，使沉積在基板1上的銦錫氧化電極9與沉積在其它層別上的銦錫氧化電極9無法形成連續(xù)形態(tài)，而造成斷線19。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一基板；一柵極，設(shè)置于該基板上；一絕緣層，設(shè)置于該基板上并覆蓋該柵極；一圖案化半導(dǎo)體層，設(shè)置于該絕緣層上；一源極與一漏極，設(shè)置于該圖案化半導(dǎo)體層上；一保護(hù)層，覆蓋該絕緣層、該源極與覆蓋于該漏極的部分邊界，露出部分該漏極；以及一像素電極，設(shè)置于該基板上并覆蓋該漏極邊界的該保護(hù)層，且與露出的該漏極電性連接。
本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一基板；形成一包含一漏極的有源元件于該基板上；形成一保護(hù)層于該基板上，并覆蓋該有源元件；形成一光刻膠層于該保護(hù)層上，該光刻膠層具有一第一厚度與一第二厚度，且該第一厚度大于該第二厚度，其中具有該第二厚度的該光刻膠層覆蓋該漏極的部分邊界；以該光刻膠層為一掩模，定義該保護(hù)層，以露出該基板及部分該漏極；減少該光刻膠層的厚度，以移除具有該第二厚度的該光刻膠層，使部分該保護(hù)層覆蓋該漏極的部分邊界；沉積一透明導(dǎo)電層于該基板并覆蓋該漏極邊界的該保護(hù)層，且與露出的該漏極電性連接；以及移除剩余的該光刻膠層與其上的該透明導(dǎo)電層，以形成一像素電極。
為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1為公知半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2A～圖2D為公知半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法；圖3為本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖4為本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖5A～圖5E為本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法；圖6為圖5B結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖7A～圖7E為本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法；圖8為圖7A及圖7B結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖9A及圖9B為本發(fā)明光刻膠層設(shè)置的形態(tài)。
其中，附圖標(biāo)記為公知圖1及圖2A～圖2D1～基板； 2～第一金屬線；3～絕緣層；4～半導(dǎo)體層；
5～第二金屬線；6～保護(hù)層；7～光刻膠層； 8～底切；9～銦錫氧化電極； 19～斷線。
本發(fā)明圖3、圖4、圖5A～圖5E、圖6、圖7A～圖7E、圖8、圖9A及圖9B10、100～半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)； 12、120～基板；14、140～柵極； 16、160～絕緣層；18、180～圖案化半導(dǎo)體層； 20、200～源極；22、220～漏極；24、24’、24”、240、240’～保護(hù)層；25、250～透明導(dǎo)電層； 26、260～像素電極；28、280～電容； 30、300～第一金屬線；32～第二金屬線； 34、340～有源元件；36、36’、36”、38、38’、38”、360、360’、360”、380～光刻膠層；h、h1、h2、h3、h4～光刻膠層厚度。
具體實(shí)施例方式
圖3是依據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一實(shí)施例的剖面示意圖。請(qǐng)參閱圖3，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10包括一基板12、一柵極14、一絕緣層16、一圖案化半導(dǎo)體層18、一源極20、一漏極22、一保護(hù)層24以及一像素電極26?；?2可為一玻璃基板。絕緣層16與保護(hù)層24可包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
柵極14設(shè)置于基板12上。絕緣層16設(shè)置于基板12上并覆蓋柵極14。圖案化半導(dǎo)體層18設(shè)置于絕緣層16上。源極20與漏極22設(shè)置于圖案化半導(dǎo)體層18上。保護(hù)層24、24’覆蓋絕緣層16、源極20與覆蓋于漏極22的部分邊界，露出部分漏極22。像素電極26設(shè)置于基板12上并覆蓋漏極邊界的保護(hù)層24’，且與露出的漏極22電性連接。
圖案化半導(dǎo)體層18包括一溝道層(未圖標(biāo))與一歐姆接觸層(未圖示)，而以歐姆接觸層與源極20與漏極22接觸。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)10還包括一電容28，設(shè)置于基板12上。電容28可由一第一金屬線30、絕緣層16、一第二金屬線32與像素電極26所構(gòu)成。第一金屬線30可包括柵線(gate line)或公共線(common line)。圖中可看出，圖案化半導(dǎo)體層18還設(shè)置于絕緣層16與第二金屬線32之間。保護(hù)層24”還覆蓋第二金屬線32的部分邊界，露出部分第二金屬線32。像素電極26還覆蓋第二金屬線32邊界的保護(hù)層24”，并與露出的第二金屬線32電性連接。
圖4為依據(jù)本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例的剖面示意圖。請(qǐng)參閱圖4，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包括一基板120、一柵極140、一絕緣層160、一圖案化半導(dǎo)體層180、一源極200、一漏極220、一保護(hù)層240以及一像素電極260。基板120可為一玻璃基板。絕緣層160與保護(hù)層240可包括氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
柵極140設(shè)置于基板120上。絕緣層160設(shè)置于基板120上并覆蓋柵極140。圖案化半導(dǎo)體層180設(shè)置于絕緣層160上。源極200與漏極220設(shè)置于圖案化半導(dǎo)體層180上。保護(hù)層240、240’覆蓋絕緣層160、源極200與覆蓋于漏極220的部分邊界，露出部分漏極220。像素電極260設(shè)置于基板120上并覆蓋漏極邊界的保護(hù)層240’，且與露出的漏極220電性連接。
圖案化半導(dǎo)體層180包括一溝道層(未圖標(biāo))與一歐姆接觸層(未圖示)，而以歐姆接觸層與源極200和漏極220接觸。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括一電容280，設(shè)置于基板120上。電容280可由一第一金屬線300、絕緣層160與像素電極260所構(gòu)成。第一金屬線300可包括柵線(gate line)或公共線(commonline)。圖中可看出，保護(hù)層240還形成于電容280的絕緣層160與像素電極260之間。
圖5A～圖5E說明本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。請(qǐng)參閱圖5A，首先，提供一基板12。之后，形成一包含一漏極22的有源元件34于基板12上。接著，形成一保護(hù)層24于基板12上，并覆蓋有源元件34。之后，形成一光刻膠層36在保護(hù)層24上。光刻膠層36具有一第一厚度h1與一第二厚度h2，且第一厚度h1大于第二厚度h2。其中具有第二厚度h2的光刻膠層36”覆蓋漏極22的部分邊界。接著，以光刻膠層36為一掩模，定義保護(hù)層24，以露出基板12及部分漏極22，如圖5B所示。同時(shí)，請(qǐng)對(duì)照?qǐng)D6，說明圖5B右半邊有源元件區(qū)的俯視結(jié)構(gòu)(圖5B右半邊有源元件區(qū)為圖6沿A-A’剖面線所得的剖面示意圖)。由圖6可更清楚看出，具有第二厚度h2的光刻膠層36”其覆蓋的位置位于漏極22的邊界處。
待移除具有第二厚度h2的光刻膠層36”后，部分保護(hù)層24’即覆蓋漏極22的部分邊界，如圖5C所示。
請(qǐng)參閱圖5D，沉積一透明導(dǎo)電層25于基板12并覆蓋漏極22邊界的保護(hù)層24’，且與露出的漏極22電性連接。
請(qǐng)參閱圖5E，移除剩余的光刻膠層36’與其上的透明導(dǎo)電層25，以形成一像素電極26。
以下針對(duì)上述各工藝步驟作更詳細(xì)的說明。請(qǐng)參閱圖5A，說明上述形成有源元件34的步驟。首先，形成一柵極14于基板12上。接著，形成一絕緣層16于基板12上，并覆蓋柵極14。之后，形成一圖案化半導(dǎo)體層18于絕緣層16上。接著，形成一源極20與一漏極22于柵極14兩側(cè)的圖案化半導(dǎo)體層18上。其中形成柵極14的步驟還包括形成一第一金屬層(未圖示)于基板12上，以及圖案化第一金屬層，以形成柵極14。
此外，形成圖案化半導(dǎo)體層18、源極20與漏極22的步驟還包括形成一半導(dǎo)體層(未圖示)于絕緣層16上。接著，形成一第二金屬層(未圖示)于半導(dǎo)體層上。之后，形成一光刻膠層(未圖示)于第二金屬層上。光刻膠層具有兩不同厚度。其中具有較大厚度的光刻膠層覆蓋第二金屬層預(yù)定形成源極20與漏極22的位置。接著，以光刻膠層為一掩模，同時(shí)定義半導(dǎo)體層與第二金屬層。待移除光刻膠層后，即形成圖案化半導(dǎo)體層18、源極20與漏極22。
本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成一電容于基板上。圖5A、圖5C及圖5E說明形成電容于基板上的步驟。請(qǐng)參閱圖5A，首先，形成一第一金屬線30于基板12上。接著，覆蓋絕緣層16于第一金屬線30。之后，形成一第二金屬線32于絕緣層16上。接著，形成保護(hù)層24于第二金屬線32上。之后，以一半調(diào)型(half-tone)或灰調(diào)型(gray-tone)掩模工藝定義第二金屬線32上的保護(hù)層24，以使保護(hù)層24”覆蓋第二金屬線32的部分邊界，并露出部分第二金屬線32，如圖5C所示。
請(qǐng)參閱圖5E，覆蓋像素電極26于第二金屬線32邊界的保護(hù)層24”，并與露出的第二金屬線32電性連接。
上述以半調(diào)型(half-tone)或灰調(diào)型(gray-tone)掩模工藝定義第二金屬在線的保護(hù)層的步驟相同，可通過圖5A～圖5E作說明。請(qǐng)參閱圖5A，首先，形成一光刻膠層38于第二金屬線32上的保護(hù)層24上。光刻膠層38具有一第三厚度h3與一第四厚度h4，且第三厚度h3大于第四厚度h4。其中具有第四厚度h4的光刻膠層38”覆蓋第二金屬線32的部分邊界。接著，以光刻膠層38為一掩模，定義保護(hù)層24，以露出部分第二金屬線32，如圖5B所示。同時(shí)，請(qǐng)對(duì)照?qǐng)D6，說明圖5B左半邊電容區(qū)的俯視結(jié)構(gòu)(圖5B左半邊電容區(qū)為圖6沿B-B’剖面線所得的剖面示意圖)。由圖6可更清楚看出，具有第四厚度h4的光刻膠層38”其覆蓋的位置，確實(shí)位于第二金屬線32的邊界處。比較本發(fā)明圖6與公知圖1的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)后發(fā)現(xiàn)，兩者明顯不同，其差異點(diǎn)在于，本發(fā)明圖6的光刻膠層38具有兩不同厚度，且較小厚度的光刻膠層位于第二金屬線32的邊界處。然而公知圖1的光刻膠層7僅具有單一厚度，且在第二金屬線5的邊界上，并無設(shè)置任何光刻膠層。此外，圖6的光刻膠層38”位于第二金屬線32中心位置的邊界，然而本發(fā)明并不限于此，具有較小厚度的光刻膠層38”也可設(shè)置于第二金屬線32例如右半邊或左半邊邊界的位置。
待移除具有第四厚度h4的光刻膠層38”后，保護(hù)層24”即覆蓋第二金屬線32的部分邊界，如圖5C所示。
請(qǐng)參閱圖5D，沉積透明導(dǎo)電層25于剩余的光刻膠層38’上并覆蓋第二金屬線32邊界的保護(hù)層24”，且與露出的第二金屬線32電性連接。
請(qǐng)參閱圖5E，移除剩余的光刻膠層38’與其上的透明導(dǎo)電層25。
第一金屬線30，例如為柵線或公共線，可與柵極14同時(shí)形成。第二金屬線32可與源極20與漏極22同時(shí)形成。
上述形成電容28于基板12上的步驟還包括形成圖案化半導(dǎo)體層18在絕緣層16與第二金屬線32之間。
圖7A～圖7E說明本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。請(qǐng)參閱圖7A，首先，提供一基板120。之后，形成一包含一漏極220的有源元件340于基板120上。接著，形成一保護(hù)層240于基板120上，并覆蓋有源元件340。之后，形成一光刻膠層360于保護(hù)層240上。光刻膠層360具有一第一厚度h1與一第二厚度h2，且第一厚度h1大于第二厚度h2。其中具有第二厚度h2的光刻膠層360”覆蓋漏極220的部分邊界。接著，以光刻膠層360為一掩模，定義保護(hù)層240，以露出基板120及部分漏極220，如圖7B所示。同時(shí)，請(qǐng)對(duì)照?qǐng)D8，說明圖7B右半邊有源元件區(qū)的俯視結(jié)構(gòu)(圖7B右半邊有源元件區(qū)為圖8沿A-A’剖面線所得的剖面示意圖)。由圖8可更清楚看出，具有第二厚度h2的光刻膠層360”其覆蓋的位置位于漏極220的邊界處。然而本發(fā)明具有較小厚度的光刻膠層360”的設(shè)置也可包括如圖9A、圖9B所示橫跨漏極220邊界的不同形態(tài)。
待移除具有第二厚度h2的光刻膠層360”后，部分保護(hù)層240’即覆蓋漏極220的部分邊界，如圖7C所示。
請(qǐng)參閱圖7D，沉積一透明導(dǎo)電層250于基板120并覆蓋漏極220邊界的保護(hù)層240’，且與露出的漏極220電性連接。
請(qǐng)參閱圖7E，移除剩余的光刻膠層360’與其上的透明導(dǎo)電層250，以形成一像素電極260。
以下針對(duì)上述各工藝步驟作更詳細(xì)的說明。請(qǐng)參閱圖7A，說明上述形成有源元件340的步驟。首先，形成一柵極140于基板120上。接著，形成一絕緣層160于基板120上，并覆蓋柵極140。之后，形成一圖案化半導(dǎo)體層180于絕緣層160上。接著，形成一源極200與一漏極220于柵極140兩側(cè)的圖案化半導(dǎo)體層180上。其中形成柵極140的步驟還包括形成一第一金屬層(未圖示)于基板120上，以及圖案化第一金屬層，以形成柵極140。
此外，形成圖案化半導(dǎo)體層180、源極200與漏極220的步驟還包括形成一半導(dǎo)體層(未圖示)于絕緣層160上。接著，形成一第二金屬層(未圖示)于半導(dǎo)體層上。之后，形成一光刻膠層(未圖示)于第二金屬層上。光刻膠層具有兩不同厚度。其中具有較大厚度的光刻膠層覆蓋第二金屬層預(yù)定形成源極200與漏極220的位置。接著，以光刻膠層為一掩模，同時(shí)定義半導(dǎo)體層與第二金屬層。待移除光刻膠層后，即形成圖案化半導(dǎo)體層180、源極200與漏極220。
本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法還包括形成一電容于基板上。圖7A、圖7C及圖7E說明形成電容于基板上的步驟。請(qǐng)參閱圖7A，首先，形成一第一金屬線300于基板120上。接著，覆蓋絕緣層160于第一金屬線300。之后，形成保護(hù)層240于絕緣層160上，并利用半調(diào)型(half-tone)或灰調(diào)型(gray-tone)掩模工藝使保護(hù)層240延伸覆蓋至第一金屬線300的部分邊界，如圖7C所示。
請(qǐng)參閱圖7E，沉積像素電極260于保護(hù)層240上。
上述利用半調(diào)型(half-tone)或灰調(diào)型(gray-tone)掩模工藝使保護(hù)層延伸覆蓋至第一金屬線的部分邊界的步驟可通過圖7A、圖7C與圖7D作說明。請(qǐng)參閱圖7A，首先，形成一光刻膠層380于絕緣層160上的保護(hù)層240上。光刻膠層380僅具有一與第二厚度h2相同的厚度h。光刻膠層380延伸覆蓋至第一金屬線300的部分邊界。同時(shí)，請(qǐng)對(duì)照?qǐng)D8，說明圖7A左半邊電容區(qū)的俯視結(jié)構(gòu)(圖7A左半邊電容區(qū)為圖8沿B-B’剖面線所得的剖面示意圖)。由圖8可更清楚看出，具有厚度h的光刻膠層380其覆蓋的位置，確實(shí)延伸至第一金屬線300的邊界處。
待移除光刻膠層380后，保護(hù)層240即延伸覆蓋至第一金屬線300的部分邊界，如圖7C所示。
請(qǐng)參閱圖7D，沉積透明導(dǎo)電層250于保護(hù)層240上。
第一金屬線300可例如為柵線或公共線。
本發(fā)明半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，由于利用不同光刻膠層厚度的設(shè)計(jì)，使原本須四至五次的黃光步驟減少至僅須三次，有利于產(chǎn)率提升及成本的降低。且該工藝與金屬-絕緣層-金屬(metal-insulator-metal，MIM)電容及金屬-絕緣層-銦錫氧化(metal-insulator-ITO，MII)電容可相容制作。更重要的是，公知銦錫氧化電極斷線的問題，可輕易地通過調(diào)整不同光刻膠層厚度及將光刻膠層設(shè)置在漏極或金屬線邊界上的保護(hù)層而加以解決。此外，本發(fā)明僅須提供小范圍的半調(diào)型(half-tone)或灰調(diào)型(gray-tone)掩模即可達(dá)到上述效果。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例公開如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一基板；一柵極，設(shè)置于該基板上；一絕緣層，設(shè)置于該基板上并覆蓋該柵極；一圖案化半導(dǎo)體層，設(shè)置于該絕緣層上；一源極與一漏極，設(shè)置于該圖案化半導(dǎo)體層上；一保護(hù)層，覆蓋該絕緣層、覆蓋該源極與覆蓋該漏極的部分邊界，露出部分該漏極；以及一像素電極，設(shè)置于該基板上并覆蓋該漏極邊界的該保護(hù)層，且與露出的該漏極電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體層包括一溝道層與一歐姆接觸層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該歐姆接觸層與該源極與該漏極接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包括一電容，設(shè)置于該基板上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容由一第一金屬線、該絕緣層、一第二金屬線與該像素電極所構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一金屬線包括柵線或公共線。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極電性連接于該第二金屬線。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該圖案化半導(dǎo)體層更設(shè)置于該絕緣層與該第二金屬線之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)層更覆蓋該第二金屬線的部分邊界，露出部分該第二金屬線。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該像素電極更覆蓋該第二金屬線邊界的該保護(hù)層，并與露出的該第二金屬線電性連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電容由一第一金屬線、該絕緣層與該像素電極所構(gòu)成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一金屬線包括柵線或公共線。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，該保護(hù)層更形成于該電容的該絕緣層與該像素電極之間。
14.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括提供一基板；形成一包含一漏極的有源元件于該基板上；形成一保護(hù)層于該基板上，并覆蓋該有源元件；形成一光刻膠層于該保護(hù)層上，該光刻膠層具有一第一厚度與一第二厚度，且該第一厚度大于該第二厚度，其中具有該第二厚度的該光刻膠層覆蓋該漏極的部分邊界；以該光刻膠層為一掩模，定義該保護(hù)層，以露出該基板及部分該漏極；減少該光刻膠層的厚度，以移除具有該第二厚度的該光刻膠層，使部分該保護(hù)層覆蓋該漏極的部分邊界；沉積一透明導(dǎo)電層于該基板并覆蓋該漏極邊界的該保護(hù)層，且與露出的該漏極電性連接；以及移除剩余的該光刻膠層與其上的該透明導(dǎo)電層，以形成一像素電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該有源元件的步驟包括形成一柵極于該基板上；形成一絕緣層于該基板上，并覆蓋該柵極；形成一圖案化半導(dǎo)體層于該絕緣層上；以及形成一源極與一漏極于該柵極兩側(cè)的該圖案化半導(dǎo)體層上。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該柵極的步驟包括形成一第一金屬層于該基板上；以及圖案化該第一金屬層，以形成該柵極。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該圖案化半導(dǎo)體層、該源極與該漏極的步驟包括形成一半導(dǎo)體層于該絕緣層上；形成一第二金屬層于該半導(dǎo)體層上；以及以一半調(diào)型或灰調(diào)型掩模工藝定義該半導(dǎo)體層與該第二金屬層，以形成該圖案化半導(dǎo)體層、該源極與該漏極。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，更包括形成一電容于該基板上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該電容于該基板上的步驟包括形成一第一金屬線于該基板上；覆蓋該絕緣層于該第一金屬線；形成一第二金屬線于該絕緣層上；形成該保護(hù)層于該第二金屬在線；以一半調(diào)型或灰調(diào)型掩模工藝定義該第二金屬在線的該保護(hù)層，以使該保護(hù)層覆蓋該第二金屬線的部分邊界，并露出部分該第二金屬線；以及覆蓋該像素電極于該第二金屬線邊界的該保護(hù)層，并與露出的該第二金屬線電性連接。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，以一半調(diào)型或灰調(diào)型掩模工藝定義該第二金屬在線的該保護(hù)層的步驟包括形成一另一光刻膠層于該第二金屬在線的該保護(hù)層上，該另一光刻膠層具有一第三厚度與一第四厚度，且該第三厚度大于該第四厚度，其中具有該第四厚度的該光刻膠層覆蓋該第二金屬線的部分邊界；以該另一光刻膠層為一掩模，定義該保護(hù)層以露出部分該第二金屬線；減少該另一光刻膠層的厚度，以移除具有該第四厚度的該另一光刻膠層，使該保護(hù)層覆蓋該第二金屬線的部分邊界；沉積該透明導(dǎo)電層于剩余的該另一光刻膠層上并覆蓋該第二金屬線邊界的該保護(hù)層，且與露出的該第二金屬線電性連接；以及移除剩余的該另一光刻膠層與其上的該透明導(dǎo)電層。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一金屬線與該柵極同時(shí)形成。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一金屬線包括柵線或公共線。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第二金屬線與該源極與漏極同時(shí)形成。
24.根據(jù)權(quán)利要求19所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該電容于該基板上的步驟，更包括形成該圖案化半導(dǎo)體層于該絕緣層與該第二金屬線之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，形成該電容于該基板上的步驟包括形成一第一金屬線于該基板上；覆蓋該絕緣層于該第一金屬在線；形成該保護(hù)層于該絕緣層上，并使該保護(hù)層延伸覆蓋至該第一金屬線的部分邊界；以及沉積該像素電極于該保護(hù)層上。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該第一金屬線包括柵線或公共線。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一基板；一柵極，設(shè)置于該基板上；一絕緣層，設(shè)置于該基板上并覆蓋該柵極；一圖案化半導(dǎo)體層，設(shè)置于該絕緣層上；一源極與一漏極，設(shè)置于該圖案化半導(dǎo)體層上；一保護(hù)層，覆蓋該絕緣層、該源極與覆蓋于該漏極的部分邊界，露出部分該漏極；以及一像素電極，設(shè)置于該基板上并覆蓋該漏極邊界的該保護(hù)層，且與露出的該漏極電性連接。本發(fā)明另提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。
文檔編號(hào)H01L21/70GK101022117SQ20071008737
公開日2007年8月22日 申請(qǐng)日期2007年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月14日
發(fā)明者方國(guó)龍, 楊智鈞, 林漢涂 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司