專利名稱：用于制造具有高質(zhì)量表面的金屬襯底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于半導(dǎo)體器件制造的技術(shù)。更具體地說，本發(fā)明涉及 一種用于制造具有用于生長半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的至少一個高質(zhì)量表面的襯底 的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件制造依賴拋光得如同鏡面的襯底作為基底或支撐結(jié)構(gòu)用以生長薄膜材料層和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。通常，硅(Si)單晶襯底的一個或兩個表面可以被拋光到粗糙度小于幾納米。此外，這些硅襯底的表面可 以制備成顯示出特定的晶體取向，該晶體取向?qū)τ陔S后半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外 延生長來說是很重要的。近年來，越來越多的研究活動已經(jīng)集中于使用金屬或合金作為襯底 材料。與常規(guī)的非金屬襯底相比，金屬襯底具有一些優(yōu)良特性，這些優(yōu)良特性包括極佳的導(dǎo)熱性、導(dǎo)電性和光學(xué)反射性能。這些金屬襯底可以 用于半導(dǎo)體薄膜的外延生長，以及用于密封的晶片鍵合。然而，金屬襯底在半導(dǎo)體器件制造中具有相對有限的應(yīng)用。這種局限性主要是由于以下事實與諸如硅和鍺之類的常規(guī)非金屬襯底相比， 金屬襯底通常具有較差的表面質(zhì)量，包括不足的光滑度和平坦度。目前，制造金屬村底通常需要使用一種或多種拋光技術(shù)，這些拋光 技術(shù)包括機械拋光、化學(xué)拋光、電化學(xué)拋光或以上幾種技術(shù)的組合。例 如，美國專利No. 6867447公開了一種使用機械拋光制備金屬襯底表面 的方法，以及PCT/US2002/041453描述了 一種使用化學(xué)機械拋光(CMP ) 工藝拋光金屬襯底的技術(shù)。遺憾的是，由于金屬材料的塑性和延展性， 很難使用這些現(xiàn)有的拋光技術(shù)充分地拋光這些金屬襯底以達到與硅襯 底或鍺襯底等同的技術(shù)指標(biāo)。此外，這些金屬拋光技術(shù)具有較為復(fù)雜、重復(fù)性差、成本高、容易在拋光金屬表面上引起玷污等缺點。與拋光金屬襯底相關(guān)聯(lián)的另一個不足之處在于塊體金屬材料的晶 粒取向沒有一致性。金屬襯底通常是通過將冶煉的塊體金屬材料切割成 薄片然后對其進行拋光而獲得的。然而，這些塊體金屬材料是多晶體構(gòu)成，這些多晶體具有隨機的晶體取向。因此，即使這些襯底具有極佳的 拋光表面，所得到的表面也不具有一致的晶體取向，并且其也不適于半 導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的外延生長。因此，需要一種方法和設(shè)備，用于在不具有上述問題的情況下，制 備適于制造半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的高質(zhì)量金屬村底。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個實施例提供了一種用于制造高質(zhì)量金屬襯底的方法。 在操作期間，該方法包括清洗已拋光的單晶襯底。然后在該單晶襯底的 拋光表面上形成預(yù)定厚度的金屬結(jié)構(gòu)層。該方法還包括在不破壞該金屬 結(jié)構(gòu)層的情況下從該金屬結(jié)構(gòu)層去除該單晶襯底，以獲得高質(zhì)量的金屬 村底，其中該金屬襯底的一個表面是高質(zhì)量金屬表面，其保留該單晶襯 底的拋光表面的光滑度和平坦度。在該實施例的一個變型中，金屬村底包括至少一個免拋光高質(zhì)量金 屬表面并且該免拋光高質(zhì)量金屬表面繼承了單晶村底的拋光表面的晶 體取向。在該實施例的 一個變型中，形成金屬結(jié)構(gòu)層包括沉積單質(zhì)金屬或合金。在該實施例的一個變型中，形成金屬結(jié)構(gòu)層包括沉積多層單質(zhì)金 屬；沉積多層合金；或者沉積單質(zhì)金屬層和合金層的組合。在該實施例的一個變型中，金屬結(jié)構(gòu)層具有以下特性厚度不小于 10pm;表面晶軸偏角不大于3。；表面粗糙度不大于200 nm;表面平坦 度不大于2(im;以及曲率半徑不小于0.5m。在該實施例的 一 個變型中，從金屬結(jié)構(gòu)層去除單晶襯底以獲得金屬 襯底包括在不腐蝕該金屬結(jié)構(gòu)層的情況下選擇性地將該單晶襯底腐蝕掉。在該實施例的又一個變型中，選擇性地將單晶襯底腐蝕掉包括使用 化學(xué)腐蝕工藝。在該實施例的一個變型中，在單晶襯底的拋光表面上形成金屬結(jié)構(gòu)層包括使用以下技術(shù)中的一種或多種多弧離子沉積；射頻(RF)磁控 賊射沉積；直流(DC) ^磁控賊射沉積；離子束賊射沉積；電子束蒸發(fā)； 熱阻蒸發(fā)；以及電鍍。在該實施例的一個變型中，單晶襯底是以下具有一個或兩個拋光表 面的襯底中的一種硅(Si)單晶襯底；鍺(Ge)單晶襯底；砷化鎵(GaAs) 單晶襯底；磷化鎵(GaP)單晶襯底；磷化銦(InP )單晶襯底；或者任 意其他半導(dǎo)體薄膜外延襯底。在該實施例的一個變型中，形成金屬結(jié)構(gòu)層包括沉積一種或多種單 質(zhì)金屬或合金，從而給予金屬結(jié)構(gòu)層預(yù)定的熱膨脹系數(shù)。在該實施例的一個變型中，該方法包括在形成金屬結(jié)構(gòu)之前，在 單晶襯底的拋光表面上形成一個預(yù)定高度的凸起壁結(jié)構(gòu)，由此使得金屬 襯底獲得凹印，由凹印將金屬表面分成隔離的平坦區(qū)域。在該實施例的一個變型中，該方法包括在形成金屬結(jié)構(gòu)之前，在 單晶襯底的拋光表面中腐蝕出一個預(yù)定深度的圖形化凹槽結(jié)構(gòu)，由此在 金屬襯底上獲得凸起結(jié)構(gòu)，該凸起結(jié)構(gòu)將金屬表面分成獨立的平坦區(qū) 域。本發(fā)明的另一個實施例提供了一種用于制造高質(zhì)量復(fù)合金屬半導(dǎo) 體襯底的方法。在操作期間，該方法包括清洗已拋光的單晶襯底。然后 在該單晶襯底的拋光表面上沉積薄半導(dǎo)體層。該方法還包括在該薄半導(dǎo) 體層上形成預(yù)定厚度的金屬結(jié)構(gòu)層。然后從該薄半導(dǎo)體層去除該單晶襯 底，以獲得復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底，其中該復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底的一個表 面是半導(dǎo)體表面。在該實施例的 一個變型中，形成金屬結(jié)構(gòu)層包括沉積單質(zhì)金屬或合金。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于制造金屬襯底的金屬沉 積系統(tǒng)的截面視圖。圖2給出了示出根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的制造金屬襯底的工藝的流程圖。圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在沉積工藝之后在單晶襯 底上形成的金屬結(jié)構(gòu)的截面視圖。圖3B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在預(yù)先沉積有半導(dǎo)體過渡 層的單晶襯底上形成的金屬結(jié)構(gòu)的截面視圖。圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在去除了圖3A中的單晶襯 底之后獲得的金屬結(jié)構(gòu)的截面視圖。圖4B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在去除了圖3B中的單晶襯 底之后獲得的復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底的截面視圖。圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在拋光單晶襯底上的圖形 化壁結(jié)構(gòu)的截面視圖。圖5B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在圖形化單晶襯底上沉積 的金屬結(jié)構(gòu)的截面視圖。圖5C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的印有凹槽結(jié)構(gòu)，并且凹槽 結(jié)構(gòu)將金屬襯底表面分割成獨立平坦結(jié)構(gòu)的金屬襯底的截面視圖。圖6A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有被圖形化凹槽將襯底 表面分割成獨立平坦區(qū)域的單晶襯底的截面視圖。圖6B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在圖形化單晶襯底上沉積 的金屬結(jié)構(gòu)的截面視圖。圖6C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在表面上形成了金屬凸起 結(jié)構(gòu)，該金屬凸起結(jié)構(gòu)將襯底表面分割成獨立的平坦區(qū)域的金屬襯底的 截面4見圖。圖7A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有圖形化槽分隔表面和 半導(dǎo)體層的外延片的截面視圖。圖7B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在一個被凹槽分割成獨立平坦區(qū)域的外延片上沉積的金屬結(jié)構(gòu)的截面視圖。圖7C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有圖形化壁結(jié)構(gòu)和半導(dǎo) 體表面層的復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底的截面^L圖。
具體實施方式
提供以下描述，以使得本領(lǐng)域中的任何普通技術(shù)人員都能實現(xiàn)和利 用本發(fā)明，并且在特定應(yīng)用及其要求的環(huán)境中提供以下描述。對于本領(lǐng) 域的普通技術(shù)人員來說，對所公開實施例的各種修改將很容易理解，并 且在不偏離本發(fā)明的范圍的情況下，在此定義的一般原理可以適用于其 他實施例和應(yīng)用。因此，不應(yīng)將本發(fā)明限于所示出的實施例，而是要給 予其與權(quán)利要求書 一致的最廣泛范圍。概述金屬和金屬合金通常具有良好的導(dǎo)熱和導(dǎo)電能力。因此，使用金屬體器件的某些特性。然而，金屬襯底具有表面拋光期間技術(shù)復(fù)雜以及表 面晶體取向不一致的缺點，并且因此不能達到與在硅(Si)、鍺(Ge)、 砷化鎵(GaAs)以及其他普通晶片襯底上同等水平的表面質(zhì)量。本發(fā)明的實施例提供了一種無需拋光金屬表面而制造高質(zhì)量金屬 襯底表面的方法。具體地說，在諸如硅襯底之類的常少見襯底上沉積預(yù)定 厚度的金屬結(jié)構(gòu)。隨后通過利用化學(xué)腐蝕工藝從該金屬層去除該犧牲常 規(guī)襯底。因此，該犧牲襯底與金屬結(jié)構(gòu)之間的原始界面變成了獨立金屬 襯底的表面。該表面具有與犧牲襯底表面基本上相同的表面粗糙度和平 坦度。此外，該金屬表面繼承了原始外延表面的晶體取向。所描述的制 造工藝可以以簡單且低成本的方式進行。此外，該高質(zhì)量金屬表面不需 要任何拋光。金屬襯底沉積系統(tǒng)的描述圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于制造金屬村底的金屬沉積系統(tǒng)100的截面—見圖。在沉積系統(tǒng)100的真空室104內(nèi)放置多個外延襯底102。外延村底 102可以包括任意常規(guī)的半導(dǎo)體外延襯底，諸如硅襯底、鍺襯底和砷化 鎵襯底。外延4于底102由4于底夾具106牢固地保持住，以使該襯底在沉積工 藝期間不會松動或掉落。在本發(fā)明的一個實施例中，襯底夾具106的厚 度不超過外延襯底102的厚度的20倍。注意，每個外延襯底102都具 有一個或兩個拋光表面，并且一個拋光表面向外朝向真空室104和靶。襯底夾具106附著到旋轉(zhuǎn)襯底臺108上。為了在整個外延襯底102 上獲得均勻?qū)雍穸龋景l(fā)明的一個實施例使用速度可調(diào)的旋轉(zhuǎn)電機來控 制旋轉(zhuǎn)襯底臺108的運動。在金屬沉積工藝期間，靶材料附著到外延襯底102的表面，并且在 變得結(jié)晶化的同時其釋放潛熱，這使得襯底的溫度升高。這種襯底發(fā)熱 可能由于外延襯底102與金屬層之間的熱膨脹系數(shù)不匹配而導(dǎo)致金屬層 分層、彎曲或者甚至從外延襯底102剝落。為了防止這種現(xiàn)象發(fā)生，將旋轉(zhuǎn)襯底臺108構(gòu)造成密封的中空結(jié)構(gòu)。 在本發(fā)明的一個實施例中，將冷卻水抽入到旋轉(zhuǎn)襯底臺108的中空結(jié)構(gòu) 中，其不斷地從外延襯底102和外延襯底102周圍熱量所擴散到的空間 帶走熱量。更具體地:說，冷卻水通過旋轉(zhuǎn)襯底臺108的轉(zhuǎn)軸UO流入和 流出旋轉(zhuǎn)襯底臺108。冷卻水的進口和出口都包含在轉(zhuǎn)軸110內(nèi)部，并 且利用動密封裝置隔離。此外，冷卻水本身與真空室104的內(nèi)部和外部 利用動密封機構(gòu)隔離。在本發(fā)明的一個實施例中，旋轉(zhuǎn)襯底臺108的外部具有一個多面圓 柱幾何形狀。每個面都被拋光到某種程度的平坦度和光滑度，這有利于 在沉積工藝期間使來自外延襯底102的散熱均勻。此外，旋轉(zhuǎn)襯底臺108 的拋光外表面使得外延村底102可以如圖1所示的那樣牢固地緊貼于旋 轉(zhuǎn)襯底臺108上。為了獲得真空室104內(nèi)部的真空條件，真空室104通過泵接口 112 連接到外部的真空泵系統(tǒng)。注意，在本發(fā)明中使用的真空泵系統(tǒng)可以是分子泵-機械泵的級聯(lián)系統(tǒng)、擴散泵-機械泵的級聯(lián)系統(tǒng)、或分子泵/擴散 泵與干泵的級聯(lián)泵系統(tǒng)。沉積靶i 14機械地連接到真空室104的內(nèi)壁，但與該內(nèi)壁電絕緣。 每個沉積乾114可以由單質(zhì)金屬材料或合金構(gòu)成。沉積耙114與外延襯 底102之間的距離足夠大，使得從沉積耙114上';賤射出來的帶電粒子和 不帶電粒子在到達外延襯底102之前可以具有足夠長的擴散長度，由此 使得形成均勻的沉積金屬材料層。注意，可以在真空室104的內(nèi)壁上均 勻地布置兩個或更多的沉積靶114,并在沉積工藝期間同時使用這些耙。 還要注意，可以在沉積期間用水冷卻沉積靶114。此外，可以使用任意 其他的金屬沉積系統(tǒng)或方法。金屬4于底沉積工藝圖2給出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的制造金屬襯底的工藝的流程圖。該工藝開始于清洗真空沉積室，以去除玷污源(步驟202)。 接著，清洗單面或雙面拋光的單晶襯底。該襯底材料可以包括但不 限于單晶硅、單晶鍺、單晶砷化鎵(GaAs)、單晶磷化鎵(GaP )、單 晶磷化銦(InP)或任意其他半導(dǎo)體薄膜外延襯底(步驟204)。在本發(fā) 明的一個實施例中，清洗襯底包括將襯底浸在熱浴中。在另一個實施例 中，清洗襯底包括使用超聲波清洗。然后，將清洗過的單晶襯底放置到真空沉積室中，使一個拋光表面 朝向真空室(步驟206)。將真空室抽氣至適合于金屬沉積的真空條件(步 驟208 )。接著，該工藝包括在拋光襯底表面上沉積預(yù)定厚度的金屬結(jié)構(gòu)(步 驟210)。注意，可以利用以下技術(shù)中的一種或多種技術(shù)在拋光襯底表面 上沉積該金屬結(jié)構(gòu)多弧離子沉積；射頻(RF)磁控濺射沉積；直流(DC) 磁控濺射沉積；離子束濺射沉積；電子束蒸發(fā)；熱阻蒸發(fā)；以及電鍍。 在本發(fā)明的一個實施例中，該工藝可以使用上述技術(shù)的組合。例如，該 工藝可以首先在電子束蒸發(fā)系統(tǒng)中沉積一層相對較薄的單金屬層或合金層。然后該工藝可以利用多弧離子沉積系統(tǒng)沉積一層或多層較厚的金 屬層。在本發(fā)明的一個實施例中，金屬結(jié)構(gòu)可以具有預(yù)定的熱膨脹系數(shù)。 這可以通過選擇材料(例如，單質(zhì)金屬、合金)、層數(shù)、層厚度以及其 他參數(shù)的適當(dāng)組合來獲得。圖3A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在沉積工藝之后在單晶襯 底304上形成的金屬結(jié)構(gòu)302的截面視圖。注意，金屬結(jié)構(gòu)302可以包 括單層純質(zhì)金屬(例如，純鋁層或純銀層)、單一合金層(例如，鉻/柏 層)，或以上層的組合的多層疊置。此外，緊鄰單晶襯底304的拋光表 面的薄金屬界面層306繼承了該拋光表面的晶體擇優(yōu)取向。該金屬界面 層306的厚度典型地小于0.2pm。在本發(fā)明的一個實施例中，在單晶襯底304上形成金屬結(jié)構(gòu)302之 前，該工藝包括首先直接在單晶襯底304的拋光表面上生長一個薄半導(dǎo) 體層，使得該薄半導(dǎo)體層繼承該單晶襯底304的晶體擇優(yōu)取向。圖3B 示出了#4居本發(fā)明的一個實施例的在預(yù)先沉積有半導(dǎo)體過渡層312的單 晶襯底308上形成的金屬結(jié)構(gòu)310的截面視圖。半導(dǎo)體過渡層312可以 是在能夠外延生長在襯底308上的半導(dǎo)體器件中使用的任意半導(dǎo)體材 料。例如，半導(dǎo)體過渡層312可以是氮化鎵層或是化鋁鎵氮層。注意， 該半導(dǎo)體過渡層312的厚度典型地介于20埃到0.2pm之間。注意，界 面層314是單晶襯底304與半導(dǎo)體過渡層312之間 一層很薄的半導(dǎo)體層， 其繼承了半導(dǎo)體襯底304的晶體擇優(yōu)取向。重新參考圖2，該工藝接下來包括從沉積的金屬結(jié)構(gòu)上去除犧牲單 晶襯底以獲得金屬襯底(步驟212)。在一個實施例中，去除單晶襯底包 括化學(xué)腐蝕工藝，其可以是濕法腐蝕工藝或氣相腐蝕工藝。理想地，該 腐蝕工藝從該金屬結(jié)構(gòu)上均勻地去除該單晶襯底，而不腐蝕該金屬結(jié) 構(gòu)。這可以通過選擇高選擇性的腐蝕劑并在完全去除單晶襯底時立即停 止腐蝕工藝來實現(xiàn)。在去除了犧牲單晶村底之后，留下的金屬襯底繼承了至少一個高質(zhì) 量表面，該表面保留了單晶襯底的原始拋光表面的光滑度和平坦度。如底的另一表面。在本發(fā)明的一個實施例中，所荻得的金屬襯底的直徑為至少20 mm, 厚度為至少l(Him，曲率半徑為至少0.5m，表面粗糙度不大于200nm, 表面平坦度不大于2pm，并且表面晶軸偏角不大于3° 。圖4A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在去除了圖3A中的單晶襯 底304之后獲得的金屬結(jié)構(gòu)402的截面視圖。注意，圖3A中的界面層 306變成了金屬襯底402的表面404。除了繼承了原始襯底的晶體擇優(yōu) 取向之外，表面404還保留了原始拋光表面的光滑度和平坦度。作為結(jié) 果，金屬襯底402可以用作不拋光情況下的村底。類似地，圖4B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在去除了圖3B中 的單晶襯底308之后獲得的復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底406的截面視圖。注意， 復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底406包括薄半導(dǎo)體過渡層408和金屬結(jié)構(gòu)410。圖 3B中的界面層314變成了復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底406的表面412。除了繼 承了原始襯底的晶體擇優(yōu)取向之外，表面412還保留了原始拋光表面的 光滑度和平坦度。作為結(jié)果，復(fù)合金屬半導(dǎo)體村底406可以用作不拋光 情況下的襯底。注意，當(dāng)使用復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底406制造半導(dǎo)體器件 時，半導(dǎo)體過渡層408變成了隨后生長半導(dǎo)體層的種子層。注意，本發(fā)明的金屬襯底可以包括多層單質(zhì)金屬、多層合金或單質(zhì) 金屬層和合金層的混合疊層。對于這種多層襯底結(jié)構(gòu)，薄表面層($100 埃)理想地具有優(yōu)選取向和致密紋理。多層之間的熱膨脹系數(shù)可以相同 或不同。然而，如上所述，金屬襯底還可以具有設(shè)計好的總體熱膨脹系 數(shù)。示例性應(yīng)用 示例1參考圖1、圖3A和圖4A,開始于清洗拋光硅襯底304。然后將清 洗過的硅襯底304轉(zhuǎn)移到沉積系統(tǒng)100的真空室104中。具體地說，將 襯底304放置到旋轉(zhuǎn)襯底臺108上并用襯底夾具106夾緊。該襯底的拋光面朝外，并且該襯底的背面緊貼于旋轉(zhuǎn)襯底臺108的表面。沉積把114 的一半包括純鉻(Cr)靶，并且另一半是316不銹鋼靶。這些耙的空間 布置有利于形成厚度和成分均勻的層。沉積系統(tǒng)100配備有多弧離子沉 積電源，其進一步包括偏壓源以及弧電源。然后，將該系統(tǒng)抽成真空。當(dāng)室壓低于8xlO-3Pa時，向真空室通 入氬(Ar)氣，并使室壓保持在0.5 Pa。接著，在硅襯底304上沉積一 層厚度大于IOO埃的純鉻層。注意，該鉻層繼承了硅襯底表面的晶體擇 優(yōu)取向。隨后，同時沉積純鉻及316L不銹鋼，以形成鉻/316L不銹鋼合 金層。具體地，在合金沉積工藝期間，控制沉積條件使得緊鄰純鉻層的 合金層具有相對較低的密度，并且該層密k隨著層厚度的增加而逐漸增 大。在完成了金屬結(jié)構(gòu)沉積之后，從沉積系統(tǒng)100中去除襯底。接著， 利用常用的硅腐蝕劑，例如硝酸(NH03)或氫氟酸(HF )及醋酸(AcOH ) 的混合液，將原始硅襯底304腐蝕掉。然后獲得高質(zhì)量金屬襯底402。 金屬襯底402具有與原始硅村底304相同的表面粗糙度和平坦度，并且 因此不需要拋光。此外，金屬襯底402的表面是具有優(yōu)選取向的鉻層。示例2參考圖1、圖3A和圖4A，首先，使用多個清洗過的半導(dǎo)體外延襯 底，其可以包括硅襯底、鍺村底、砷化鎵襯底或其他常用外延襯底。在 這些襯底的拋光表面上沉積一層厚度大于100埃的鉑(Pt)層。接著， 將這些襯底放置且固定于沉積系統(tǒng)100中的旋轉(zhuǎn)襯底臺108上。該村底 的鉑表面朝外，而該襯底的背面緊貼于旋轉(zhuǎn)襯底臺108的表面。沉積靶 114的一半包括純鉻靶，并且另一半是316不銹鋼靶。這些靶的空間布 置有利于形成厚度和成分均勻的層。沉積系統(tǒng)IOO配備有多弧離子沉積 電源，其進一步包括偏壓源以及弧電源。然后，將該系統(tǒng)抽成真空。當(dāng)室壓低于8xl(T3Pa時，向室中注入 氬氣流，并使室壓保持在0.5 Pa。接著，同時沉積純鉻及316L不銹鋼， 以形成鉻/316L不銹鋼合金層，同時通過水冷卻將真空室104內(nèi)部的溫度保持在400。F以下。注意，在合金沉積工藝期間，如果保持了所有的 工藝參數(shù)，則緊鄰純鉑層的合金層傾向于相對更加致密。然而，隨著合 金層的厚度增加，合金層的致密度逐漸地降低。為了防止去除原始襯底 之后金屬結(jié)構(gòu)由于金屬結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同熱膨脹而彎曲變形，可以隨著合金 變得更厚有意地增加合金中的316L不銹鋼含量。這種技術(shù)可以補償由 于改變合金致密度導(dǎo)致的熱膨脹問題，由此有利于形成平坦的金屬襯 底。在完成了金屬層302的沉積之后，從沉積系統(tǒng)100中取出襯底。接 著，利用常用的襯底腐蝕劑將原始襯底腐蝕掉以獲得多個高質(zhì)量金屬襯 底402。金屬村底402具有與原始襯底相同的表面粗糙度和平坦度，并 且因此不需要拋光。此外，金屬襯底402是包括純鉑表面層的復(fù)合金屬 襯底。示例3參考圖1、圖3B和圖4B，開始于清洗多個已沉積有半導(dǎo)體層312 的硅襯底304。然后將這些襯底放置且固定于沉積系統(tǒng)100中的旋轉(zhuǎn)襯 底臺108上。該襯底的半導(dǎo)體層表面朝外，而該襯底的背面緊貼于旋轉(zhuǎn) 村底臺108的表面。沉積靶114的一半包括純鉻靶，并且另一半是316 不銹鋼靶。這些靶的空間布置有利于形成厚度和成分均勻的層。注意， 沉積系統(tǒng)100配備有直流磁控濺射沉積電源。接著，將該系統(tǒng)抽成真空。當(dāng)室壓低于8xl(T3Pa時，向真空室注 入氬氣流，并使室壓保持在0.5 Pa。接著，同時沉積純鉻及316L不銹鋼， 形成鉻/316L不銹鋼合金層310,同時通過水冷卻將真空室104內(nèi)部的溫 度保持在40(TC以下。注意，在合金沉積工藝期間，如果保持了所有的 工藝參數(shù)，則緊鄰半導(dǎo)體層312的合金層傾向于相對更加致密。然而， 隨著合金層的厚度增加，合金層的致密度逐漸地降低。為了防止去除原 始襯底之后金屬結(jié)構(gòu)彎曲變形(由于金屬結(jié)構(gòu)內(nèi)的不同熱膨脹)，可以 隨著合金層310變得更厚有意地增加合金中的316L不銹鋼含量。這種 技術(shù)可以補償由于改變合金致密度導(dǎo)致的熱膨脹問題，由此有利于形成平坦的金屬襯底。當(dāng)合金層310的厚度達到80|im時停止沉積工藝。然后從沉積系統(tǒng) 100中去除襯底。接著，利用硅腐蝕劑(該腐蝕劑不腐蝕半導(dǎo)體層312 和金屬結(jié)構(gòu)310)將原始硅襯底304腐蝕掉，以獲得多個高質(zhì)量金屬襯 底406。金屬襯底406具有與原始硅襯底304相同的表面粗糙度和平坦 度，并且因此不需要拋光。此外，金屬村底406是包括半導(dǎo)體表面層408 的復(fù)合襯底。關(guān)于金屬襯底結(jié)構(gòu)的變型 , 具有凹印的金屬襯底圖5A -圖5C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的制造圖形化金屬襯 底的工藝。圖5A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的拋光單晶襯底上的圖形化 壁結(jié)構(gòu)的截面視圖。該工藝開始于接收單晶襯底502，其例如是硅襯底。 接著，在單晶襯底502上制造圖形化結(jié)構(gòu)504。在本發(fā)明的一個實施例 中，在單晶襯底502上制造圖形化結(jié)構(gòu)504包括使用具有設(shè)計圖形的光 掩膜和光刻工藝。圖5B示出了根據(jù)本發(fā)明的 一個實施例的在圖5A的圖形化單晶襯底 上沉積的金屬結(jié)構(gòu)506的截面視圖。注意，利用上述技術(shù)在圖形化結(jié)構(gòu) 504上形成金屬結(jié)構(gòu)506。圖5C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的印有凹槽結(jié)構(gòu)的獨立金屬 襯底的截面視圖。與上述獲得金屬襯底的技術(shù)類似，該工藝同時將單晶 襯底502和圖形化結(jié)構(gòu)504腐蝕掉，以獲得圖形化金屬襯底508。由于 圖形化結(jié)構(gòu)504曾是單晶襯底502上的凸起結(jié)構(gòu)，因此其轉(zhuǎn)移到金屬襯 底508上成為凹入結(jié)構(gòu)510。注意，金屬村底508的表面上的凹入結(jié)構(gòu) 510之間的各個區(qū)域繼承了單晶襯底502的拋光質(zhì)量，因此金屬襯底508 的表面不需要拋光。此外，用于圖形化結(jié)構(gòu)504的材料理想地可容易腐 蝕掉，而不會導(dǎo)致對金屬襯底508的圖形化表面和未圖形化表面的破壞。 在一個實施例中，該材料是鈦(Ti)或鎳(Ni)。注意，該工藝在不對金屬襯底進行附加的掩膜和腐蝕的情況下在金屬襯底上產(chǎn)生了凹入結(jié)構(gòu)。這對于獲得金屬襯底508的高質(zhì)量表面來說 是至關(guān)重要的。圖5C的插圖示出了金屬襯底508的表面上的區(qū)域512的頂視圖。 在本實施例中，圖形化網(wǎng)格結(jié)構(gòu)510將金屬襯底508的表面分成具有預(yù) 定表面面積的隔離方形島514。在一個實施例中，該預(yù)定表面面積至少 為15(Himx 15(Him，以便保持足夠的平坦度。注意，圖形化結(jié)構(gòu)504不 限于網(wǎng)格結(jié)構(gòu)510。上述變型的示例性應(yīng)用參考圖5A-圖5C,在本發(fā)明的一個實施例中，首先接收一些硅襯 底。然后，在該襯底的拋光表面上沉積一層厚度在2pm至40(im之間的 可腐蝕金屬(例如，鈦、鎳等)。接著，對該金屬層進行掩膜和濕法腐 蝕，以獲得圖形化結(jié)構(gòu)504，其中結(jié)構(gòu)504的高度在2jim至4(Him之間， 并且結(jié)構(gòu)504的寬度在2nm至1000|im之間。圖形化結(jié)構(gòu)504可以包括 網(wǎng)格結(jié)構(gòu)、菱形結(jié)構(gòu)以及線狀結(jié)構(gòu)。接著，沉積一層厚度在60iam至40(Him之間的金屬層506，其中在 圖l的系統(tǒng)中執(zhí)行該沉積。金屬層506是鉻基抗腐蝕合金。然后，利用 不與鉻基合金起反應(yīng)的濕法腐蝕液將硅襯底和圖形化結(jié)構(gòu)504腐蝕掉。留下的金屬層506成為金屬襯底508。 具有凸起壁結(jié)構(gòu)的金屬襯底圖6A-圖6C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的從圖形化單晶襯底 上制造結(jié)構(gòu)化金屬襯底的工藝。圖6A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有圖形化槽分隔表面的 單晶襯底602的截面視圖。該工藝開始于接收拋光單晶襯底602，其例 如是硅襯底。接著，在單晶襯底602的拋光表面上制造圖形化結(jié)構(gòu)604。 在本發(fā)明的一個實施例中，圖形化結(jié)構(gòu)604是圖6A的插圖中所示的網(wǎng) 格結(jié)構(gòu)605。該槽結(jié)構(gòu)將原始拋光表面分成很多平坦區(qū)域606。在本發(fā)明的一個實施例中，制造圖形化結(jié)構(gòu)604包括利用光刻工藝和襯底腐蝕 工藝。圖6B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在圖6A的圖形化單晶襯底 上沉積的金屬結(jié)構(gòu)608的截面視圖。圖6C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在表面上具有圖形化壁結(jié) 構(gòu)的獨立金屬村底610的截面視圖。與上述獲得獨立金屬襯底的技術(shù)類 似，將單晶襯底602腐蝕掉以獲得圖形化金屬襯底610。由于圖形化結(jié) 構(gòu)604印入單晶襯底602中，因此其轉(zhuǎn)移到金屬襯底610上成為凸起壁 結(jié)構(gòu)612。注意，金屬襯底610的表面上的凸起壁之間的區(qū)域繼承了單 晶村底602的拋光質(zhì)量，因此金屬襯底610的表面不需要拋光。此外， 凸起壁結(jié)構(gòu)612將金屬襯底610的表面分成多個具有預(yù)定表面面積的平 坦區(qū)域。在一個實施例中，該預(yù)定表面面積至少為150pm x 150pm,以 便保持足夠的平坦度。所描述的工藝在不對與襯底材料不同的材料進行附加的掩膜和腐 蝕的情況下在該金屬襯底上產(chǎn)生了凸起壁結(jié)構(gòu)。這確保了金屬襯底和凸 起結(jié)構(gòu)具有相同的熱膨脹系數(shù)。上述變型的示例性應(yīng)用參考圖6A-圖6C，在本發(fā)明的一個實施例中，首先接收一些具有 至少一個拋光表面的硅襯底。然后，在該硅襯底的一個拋光表面上制造 槽結(jié)構(gòu)604。注意，該槽結(jié)構(gòu)604將該硅襯底表面分成很多隔離的平坦 區(qū)域，這些區(qū)域具有大于100pmx 100|_im的表面面積。注意，槽結(jié)構(gòu)604 可以包括網(wǎng)格結(jié)構(gòu)、菱形結(jié)構(gòu)和線狀結(jié)構(gòu)。接著，在圖形化硅襯底表面上沉積厚度在60pm至400pm之間的金 屬層608，其中在圖l的系統(tǒng)中執(zhí)行該沉積。金屬層506是鉻基抗腐蝕 合金。然后，利用不與鉻基合金起反應(yīng)的濕法腐蝕劑將該硅襯底腐蝕掉。 留下的金屬層608成為金屬襯底610,其具有不需要拋光的襯底表面。具有凸起壁結(jié)構(gòu)的復(fù)合金屬半導(dǎo)體村底圖7A-圖7C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的從圖形化單晶襯底 制造圖形化復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底的工藝。圖7A示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有圖形化槽分隔表面和 半導(dǎo)體層的單晶襯底702的截面視圖。該工藝開始于接收具有如圖6A 所示的圖形化表面的單晶襯底702。接著，制造圖形化半導(dǎo)體層704， 其中半導(dǎo)體層704中的圖形化凹槽結(jié)構(gòu)706與單晶村底702中的圖形相 符。注意，凹槽結(jié)構(gòu)706將半導(dǎo)體層704分成很多隔離的平坦區(qū)域。圖7B示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的在半導(dǎo)體層704的槽分隔 表面上沉積的金屬結(jié)構(gòu)708的截面視圖。圖7C示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有圖形化壁結(jié)構(gòu)和半導(dǎo) 體表面層的復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底710的截面視圖。與上述獲得獨立金屬 襯底的技術(shù)類似，將單晶襯底702腐蝕掉以獲得復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底 710。注意，凸起金屬壁712將半導(dǎo)體層704分成隔離區(qū)域，其中這些 單獨的半導(dǎo)體表面繼承了原始單晶襯底表面的拋光質(zhì)量。因此復(fù)合金屬 半導(dǎo)體襯底710的表面不需要拋光。注意，所描述的工藝在無需對與襯底材料不同的材料進行附加的掩 膜和腐蝕的情況下在金屬襯底上產(chǎn)生了凸起壁結(jié)構(gòu)。這確保了襯底材料 和壁結(jié)構(gòu)具有相同的熱膨脹系數(shù)。上述變型的示例性應(yīng)用參考圖7A-圖7C，在本發(fā)明的一個實施例中，首先接收一些在圖 形化襯底表面上具有嵌入的槽結(jié)構(gòu)706和預(yù)先沉積的半導(dǎo)體層704 (也 已掩膜)的硅襯底。然后，在該預(yù)先沉積的半導(dǎo)體層上沉積厚度在60pm 至400fim之間的金屬層708,其中在圖l的系統(tǒng)中執(zhí)行該沉積。金屬層 708是鉻基抗腐蝕合金。然后，利用濕法硅腐蝕劑將硅襯底腐蝕掉。留 下的金屬層708成為金屬襯底710,其為復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底。該復(fù)合 金屬半導(dǎo)體襯底具有與原始硅襯底表面相同的表面粗糙度和平坦度。該復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底的表面層是原始半導(dǎo)體層，其被凸起金屬壁712分 成多個隔離的平坦區(qū)域。已經(jīng)僅出于說明和描述的目的給出了以上對本發(fā)明的實施例的描 述。這些并不意圖窮盡或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開的形式。相應(yīng)地，很多 修改和變型對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說是顯而易見的。此外，上述公 開不意圖限制本發(fā)明。本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求書來限定。
權(quán)利要求
1. 一種用于制造高質(zhì)量金屬襯底的方法，包括清洗已拋光的單晶襯底；在所述單晶襯底的拋光表面上形成預(yù)定厚度的金屬結(jié)構(gòu)層；以及在不破壞所述金屬結(jié)構(gòu)層的情況下從所述金屬結(jié)構(gòu)層去除所述單晶襯底，以獲得所述高質(zhì)量金屬襯底；其中所述金屬襯底的一個表面是高質(zhì)量金屬表面，其保留了所述單晶襯底的所述拋光表面的光滑度和平坦度。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬襯底包括至少一個免拋光高質(zhì)量金屬表面；并且 其中所述免拋光高質(zhì)量金屬表面繼承了所述單晶襯底的所述拋光 表面的晶體擇優(yōu)取向。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述金屬結(jié)構(gòu)層包括沉積 單質(zhì)金屬或合金。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述金屬結(jié)構(gòu)層包括 沉積多層單質(zhì)金屬；沉積多層合金；或者沉積單質(zhì)金屬層和合金層的組合。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述金屬結(jié)構(gòu)層具有以下特性厚度不小于l(Vm; 表面晶軸偏角不大于3。； 表面粗糙度不大于200 nm; 表面平坦度不大于2pm;以及 曲率半徑不小于0.5 m。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中從所述金屬結(jié)構(gòu)層去除所述單 晶襯底以獲得所述金屬襯底包括在不腐蝕所述金屬結(jié)構(gòu)層的情況下選 擇性地將所述單晶襯底腐蝕掉。
7. 才艮據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中選擇性地將所述單晶襯底腐蝕 掉包括使用化學(xué)腐蝕工藝。
8. 根據(jù)權(quán)利要求i所述的方法，其中在所述單晶襯底的所述拋光表 面上形成所述金屬結(jié)構(gòu)層包括使用以下技術(shù)中的一種或多種多弧離子沉積；射頻(RF);茲控濺射沉積；直流(DC)磁控濺射沉積；離子束濺射沉積；電子束蒸發(fā)；熱阻蒸發(fā)；以及電鍍。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述單晶村底是以下具有一個 或兩個拋光表面的襯底中的 一種硅(Si)單晶襯底； 鍺(Ge)單晶襯底； 砷化鎵(GaAs)單晶襯底； 磷化鎵(GaP)單晶襯底； 磷化銦(InP)單晶襯底；或者 任意其他半導(dǎo)體薄膜外延襯底。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述金屬結(jié)構(gòu)層包括沉 積一種或多種單質(zhì)金屬或合金，由此給予所述金屬結(jié)構(gòu)層預(yù)定的熱膨脹 系數(shù)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成所述金屬結(jié)構(gòu)層 之前，在所述單晶襯底的所述拋光表面上形成一個預(yù)定高度的凸起壁結(jié) 構(gòu)，由此使得所得到的金屬襯底被凹槽結(jié)構(gòu)分割成獨立的平坦區(qū)域。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在形成所述金屬結(jié)構(gòu)層 之前，在所述單晶襯底的所述拋光表面中腐蝕出 一個預(yù)定深度的圖形化 凹槽結(jié)構(gòu)，由此使得金屬襯底被凸起結(jié)構(gòu)分割成獨立的平坦區(qū)域。
13. —種用于制造高質(zhì)量復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底的方法，包括清洗已拋光的單晶坤于底；在所述單晶襯底的所述拋光表面上沉積半導(dǎo)體層； 在所述薄半導(dǎo)體層上形成預(yù)定厚度的金屬結(jié)構(gòu)層；以及 從所述薄半導(dǎo)體層去除所述單晶襯底，以獲得所述復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底；其中所述復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底的一個表面是半導(dǎo)體表面。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中形成所述金屬結(jié)構(gòu)層包括沉 積單質(zhì)金屬或合金。
15. —種高質(zhì)量金屬襯底，其中所述高質(zhì)量金屬襯底通過以下步驟 制成清洗已拋光的單晶襯底；在所述單晶襯底的拋光表面上形成預(yù)定厚度的金屬結(jié)構(gòu)層；以及 在不破壞所述金屬結(jié)構(gòu)層的情況下從所述金屬結(jié)構(gòu)層去除所述單晶襯底，以獲得所述高質(zhì)量金屬村底；其中所述高質(zhì)量金屬襯底的一個表面保留了所述單晶襯底的所述拋光表面的光滑度和平坦度。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的高質(zhì)量金屬襯底， 其中所述金屬襯底包括至少一個免拋光高質(zhì)量金屬表面；并且 其中所述免拋光高質(zhì)量金屬表面繼承了所述單晶襯底的所述拋光表面的晶體擇優(yōu)取向。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的高質(zhì)量金屬襯底，其中所述高質(zhì)量金屬 結(jié)構(gòu)包括單質(zhì)金屬或合金。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的高質(zhì)量金屬襯底，其中所述高質(zhì)量金屬 結(jié)構(gòu)包括多層單質(zhì)金屬； 多層合金；或者 單質(zhì)金屬層和合金層的組合。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的高質(zhì)量金屬襯底，其中所述高質(zhì)量金屬 結(jié)構(gòu)具有以下特性厚度不小于10|am; 表面晶軸偏角不大于3。； 表面粗糙度不大于200 nm; 表面平坦度不大于2pm;以及 曲率半徑不小于0.5 m。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的高質(zhì)量金屬襯底，其中從所述金屬結(jié)構(gòu) 層去除所述單晶襯底以獲得所述金屬襯底包括在不腐蝕所述金屬結(jié)構(gòu) 層的情況下選擇性地將所述單晶襯底腐蝕掉。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的高質(zhì)量金屬襯底，其中選擇性地將所述 單晶襯底腐蝕掉包括使用化學(xué)腐蝕工藝。
22. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的高質(zhì)量金屬襯底，其中在所述單晶襯底 的所述拋光表面上形成所述金屬結(jié)構(gòu)層包括使用以下技術(shù)中的一種或多種多弧離子沉積；射頻(RF)磁控濺射沉積；直流(DC) ^f茲控濺射沉積；離子束賊射沉積；電子束蒸發(fā)；熱阻蒸發(fā)；以及電鍍。
23. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的高質(zhì)量金屬襯底，其中所述單晶襯底是 以下具有 一個或兩個4炮光表面的襯底中的 一種硅(Si)單晶襯底； 鍺(Ge)單晶襯底； 砷化鎵(GaAs)單晶襯底； 磷化鎵(GaP)單晶襯底； 磷化銦(InP)單晶襯底；或者 任意其他半導(dǎo)體薄膜外延襯底。
24. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的高質(zhì)量金屬襯底，其中所述高質(zhì)量金屬結(jié)構(gòu)包括一種或多種單質(zhì)金屬或合金； 其中所述高質(zhì)量金屬結(jié)構(gòu)顯示出預(yù)定的熱膨脹系數(shù)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的高質(zhì)量金屬襯底，其中制作所述高質(zhì)量 金屬襯底還包括在形成所述金屬結(jié)構(gòu)層之前，在所述單晶襯底的所述 拋光表面上形成一個預(yù)定高度的凸起壁結(jié)構(gòu)，由此使得所得到的所述壁 結(jié)構(gòu)的凹印將所述襯底表面分割成獨立的平坦區(qū)域。
26. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的高質(zhì)量金屬村底，其中制作所述高質(zhì)量 金屬襯底還包括在形成所述金屬結(jié)構(gòu)層之前，在所述單晶襯底的所述 拋光表面中腐蝕出一個預(yù)定深度的圖形化凹槽結(jié)構(gòu)，由此使得與所述單 晶襯底上的所述圖形化凹槽結(jié)構(gòu)相符的所得到的凸起壁結(jié)構(gòu)將所述襯 底表面分割成獨立的平坦區(qū)域。
27. —種高質(zhì)量復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底，其中所述高質(zhì)量金屬半導(dǎo)體 襯底通過以下步驟制成清洗已拋光的單晶襯底；在所述單晶村底的所述拋光表面上沉積半導(dǎo)體層； 在所述薄半導(dǎo)體層上形成預(yù)定厚度的金屬結(jié)構(gòu)層；以及 從所述薄半導(dǎo)體層去除所述單晶襯底，以獲得所述復(fù)合金屬半導(dǎo)體 襯底；其中所述復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底的 一個表面是半導(dǎo)體表面。
28. 根據(jù)權(quán)利要求27所述的高質(zhì)量復(fù)合金屬半導(dǎo)體襯底，其中形成 所述金屬結(jié)構(gòu)層包括沉積單質(zhì)金屬或合金。
全文摘要
本發(fā)明的一個實施例提供了一種用于制造高質(zhì)量金屬襯底的方法。在操作期間，該方法包括清洗已拋光的單晶襯底。然后在該單晶襯底的拋光表面上形成預(yù)定厚度的金屬結(jié)構(gòu)層。該方法還包括在不破壞該金屬結(jié)構(gòu)層的情況下從該金屬結(jié)構(gòu)層上去除該單晶襯底，以獲得高質(zhì)量金屬襯底，其中該金屬襯底的一個表面是高質(zhì)量金屬表面，其保留了該單晶襯底的拋光表面的光滑度和平坦度。
文檔編號H01L21/02GK101221898SQ20071000158
公開日2008年7月16日 申請日期2007年1月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年1月8日
發(fā)明者方文卿, 江風(fēng)益, 熊傳兵, 立 王, 王古平 申請人:晶能光電(江西)有限公司