專利名稱：超小型觸點(diǎn)及其制造方法和電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及超小型(尤其是中間部的寬度在5mm以下)觸點(diǎn)及 其制造方法和電子部件，尤其涉及在將超小型觸點(diǎn)的端子部釬焊接合 到基板上時(shí)，在觸點(diǎn)的中間部?jī)?nèi)簡(jiǎn)單且精度良好地形成能夠使焊料爬 越停止在規(guī)定位置的氧化露出表面的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在例如將電連接器和引線框之類的電子部件的觸點(diǎn)電氣連接到 布線基板的電路端子上時(shí)， 一般使用將觸點(diǎn)的端子部釬焊接合到布線 基板上的方法。對(duì)于上述觸點(diǎn)， 一般在通過(guò)沖切或折彎加工金屬板等形成的、由 接觸部、中間部和端子部構(gòu)成的導(dǎo)電性基體材料的表面上，實(shí)施適合 各基體材料的各部分的導(dǎo)電性電鍍。例如，考慮到耐腐蝕性和導(dǎo)電性等，在該基體材料的接觸部的表 面實(shí)施電接觸用電鍍；另一方面，為了可靠且良好地進(jìn)行后續(xù)工序中 的釬焊(接合)，即為了使與焊料的親合性(潤(rùn)濕性)較好， 一般在 與該接觸部連續(xù)形成的端子部實(shí)施適合釬焊的電鍍(以下稱為"釬焊 用電鍍")。釬焊用電鍍一般是鍍焊錫，但也有鍍金(Au)、鍍鈀(Pd)-鎳(Ni) 合金、鍍鈀、鍍錫(Sn)等的情況。但是，在將觸點(diǎn)的端子部釬焊接合到基板上時(shí)，由于觸點(diǎn)形狀等 引起的毛細(xì)管現(xiàn)象，容易產(chǎn)生來(lái)自基板側(cè)的熔融焊錫或者實(shí)施在端子 部自身上的釬焊電鍍的熔融焊錫等越過(guò)觸點(diǎn)的端子部的位置而浸潤(rùn)擴(kuò)散到觸點(diǎn)的接觸部、或者流動(dòng)而污染上述接觸部的問(wèn)題。作為防止該焊料爬越的方法，可以舉出例如用膠帶等遮住鍍鎳后 的觸點(diǎn)的需要有鎳阻擋部的部分而進(jìn)行電鍍的方法，或者用樹(shù)脂等機(jī) 械地遮住鎳阻擋部進(jìn)行電鍍的方法。但是，由于前一種方法限制了膠帶的寬度，因此不適用于作為本 發(fā)明對(duì)象的超小型觸點(diǎn)這樣的必須以狹窄寬度形成鎳阻擋層的用途， 而且，由于需要膠帶使用特殊膠帶，因此存在導(dǎo)致成本上升的問(wèn)題。而且，由于后一種方法必須為每個(gè)產(chǎn)品制作機(jī)械罩，因此除了導(dǎo) 致成本上升以外，還需要精密地進(jìn)行觸點(diǎn)與罩之間的位置控制，存在 難以提高電鍍速度的問(wèn)題。另外，作為用于防止焊料爬越的其他方法，例如由本申請(qǐng)人提出 申請(qǐng)并公開(kāi)的專利文獻(xiàn)1中記載的那樣，在位于接觸部與端子部之間 的中間部?jī)?nèi)設(shè)置氧化鎳層的方法是有用的。專利文獻(xiàn)1記載的氧化鎳 層的形成方法是，首先實(shí)施鎳層作為襯底鍍層，然后在接觸部與端子部之間隔開(kāi)規(guī)定的間隔(具體為0.3 2.8mm左右)，分別在接觸部和 端子部上實(shí)施電接觸用電鍍和釬焊用電鍍，之后通過(guò)對(duì)在接觸部與端 子部之間露出的鎳層部進(jìn)行氧化處理而形成氧化鎳層。專利文獻(xiàn)l:日本特開(kāi)平10-247535號(hào)公報(bào)但是，專利文獻(xiàn)1所記載的氧化鎳層的形成方法，必須一邊維持 使鎳層以規(guī)定的間隔露出的狀態(tài)， 一邊實(shí)施電接觸電鍍或釬焊用電 鍍，尤其為了在中間部的寬度為5mm以下的超小型觸點(diǎn)上精度良好 地形成氧化鎳層，需要高精度的定位設(shè)定，因此具有導(dǎo)致設(shè)備成本上 升的傾向。并且，為了使鎳層氧化，專利文獻(xiàn)1記載的方法需要獨(dú)立 的附加工序。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是要提供一種超小型觸點(diǎn)及其制造方法和電子部件，在將端子部釬焊接合到基板上時(shí)，能夠在觸點(diǎn)的中間部?jī)?nèi)簡(jiǎn)單且 精度良好地形成能夠使焊料爬越停止在規(guī)定位置的氧化露出表面。為了到達(dá)上述目的，本發(fā)明的超小型觸點(diǎn)，由導(dǎo)電性基體材料、 形成在其上的襯底表面處理層和上側(cè)表面處理層構(gòu)成，其包括接觸 部，與對(duì)方連接器電氣接觸；端子部，通過(guò)釬焊接合與其他基板電氣 連接；以及中間部，連接在這些接觸部與端子部之間；在所述中間部 內(nèi)沿其全周形成襯底表面處理層的氧化露出表面；通過(guò)以規(guī)定的傾斜 角度分別向觸點(diǎn)的表面和背面照射激光，同時(shí)進(jìn)行上側(cè)表面處理層的 除去和因該除去而露出的寬度狹窄的襯底表面處理層的氧化，從而形 成所述氧化露出表面。優(yōu)選的是，位于上述接觸部與上述端子部之間的中間部的寬度在 5mm以下。優(yōu)選的是，中間部?jī)?nèi)的氧化露出表面的寬度0.1 1.0mm的范圍內(nèi)。而且，襯底表面處理層為鍍鎳層，接觸部和中間部的上側(cè)表面處 理層都為鍍金層，端子部的上側(cè)表面處理層為焊錫鍍層或鍍金層，則 更合適。而且，上述規(guī)定的傾斜角度優(yōu)選為能夠激光照射端子的端面和表 面這兩個(gè)面的范圍內(nèi)的角度。另外，所述激光照射由分別間隔配置在觸點(diǎn)的表面和背面?zhèn)鹊某?對(duì)的激光裝置進(jìn)行，并配置成 一個(gè)激光裝置射出的激光照射觸點(diǎn)的 表面和一個(gè)橫向端面，另一個(gè)激光裝置射出的激光照射觸點(diǎn)的背面和 另一個(gè)橫向端面，則更合適。而且，本發(fā)明的電子部件具備多個(gè)上述觸點(diǎn)和以規(guī)定間隔排列了 該觸點(diǎn)的殼體。另外，本發(fā)明的超小型觸點(diǎn)的制造方法是制造上述觸點(diǎn)的方法， 具備表面被覆工序，在導(dǎo)電性基體材料的表面依次形成襯底表面處理層和上側(cè)表面處理層；以及形成氧化露出表面的工序，通過(guò)以規(guī)定 的傾斜角度分別向中間部的表面和背面照射激光，除去上層，并且使 因該除去而露出的寬度狹窄的襯底表面處理層同時(shí)氧化。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)以規(guī)定的傾斜角度分別向觸點(diǎn)的表面和背面照 射激光，同時(shí)進(jìn)行上側(cè)表面處理層的除去和因該除去而露出的寬度狹 窄的襯底表面處理層的氧化，能夠簡(jiǎn)單且精度良好地在觸點(diǎn)的中間部 內(nèi)形成氧化露出表面，能夠容易地制造超小型(尤其是全長(zhǎng)在10mm 以下)觸點(diǎn)，并且能夠可靠地防止焊料爬越。


圖1是表示本發(fā)明的觸點(diǎn)的立體圖。圖2是表示將本發(fā)明的電連接器釬焊接合到其他基板上時(shí)的狀態(tài) 的剖視圖。圖3是多個(gè)觸點(diǎn)連成一體而處于帶狀部件的狀態(tài)時(shí)的立體圖。圖4是用于對(duì)圖3所示的帶狀部件的各觸點(diǎn)照射激光而形成氧化 露出表面的加工裝置的概略圖。圖5 (a)、 (b)是分別用不同的倍率(150倍和500倍)觀察將 激光照射到觸點(diǎn)的中間部之前的觸點(diǎn)表面時(shí)的照片。圖6 (a)、 (b)是分別用不同的倍率(150倍和500倍)觀察將 激光(能量密度40mJ/mm2)照射到圖5 (a)、 (b)的觸點(diǎn)的中間部 之后的本發(fā)明的觸點(diǎn)表面時(shí)的照片。圖7是表示分別用俄歇電子分光法從表面沿深度方向?qū)εc圖5 (a)、 (b)對(duì)應(yīng)的照射激光前的觸點(diǎn)的中間部進(jìn)行元素分析時(shí)的結(jié)果 的圖。圖8是表示分別用俄歇電子分光法從表面沿深度方向?qū)εc圖6 (a)、 (b)對(duì)應(yīng)的照射激光后的觸點(diǎn)的中間部進(jìn)行元素分析時(shí)的結(jié)果 的圖。圖9是將縱軸作為激光的能量密度(mJ/mm2)、橫軸作為鍍鎳膜 厚(lim)，用曲線表示對(duì)激光照射部分的表面進(jìn)行元素分析和釬焊 接合時(shí)有無(wú)焊料爬越的圖。圖10 (a)是觀察本發(fā)明的觸點(diǎn)表面時(shí)的SEM圖像，圖10 (b) 是Au的X射線圖像，圖10 (c)是Ni的X射線圖像，圖10 (d)是 Cu的X射線圖像。圖11 (a)是觀察圖10 (a) (d)的觸點(diǎn)截面時(shí)的SEM圖像， 圖11 (b)是X射線圖像。圖12 (a)是觀察在圖10 (a) (d)的觸點(diǎn)的端子部實(shí)施釬焊 之前的觸點(diǎn)表面時(shí)的照片，圖12 (b)是觀察實(shí)施釬焊之后的觸點(diǎn)表 面時(shí)的照片。圖13 (a)是觀察比較例的觸點(diǎn)表面時(shí)的SEM圖像，圖13 (b) 是Au的X射線圖像，圖13 (c)是Ni的X射線圖像，圖13 (d)是 Cu的X射線圖像。圖14 (a)是觀察圖13 (a) (d)的觸點(diǎn)截面時(shí)的SEM圖像， 圖14 (b)是X射線圖像。圖15 (a)是觀察在圖13 (a) (d)的觸點(diǎn)的端子部實(shí)施釬焊 之前的觸點(diǎn)表面時(shí)的照片，圖15 (b)是觀察實(shí)施釬焊之后的觸點(diǎn)表 面時(shí)的照片。圖16是在本發(fā)明的觸點(diǎn)上形成了氧化露出表面的激光顯微鏡(倍 率1000倍)照片。
具體實(shí)施方式
接著，下面參照

用于實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選方式。 圖1是表示本發(fā)明的具有代表性的超小型觸點(diǎn)的立體圖。 圖1所示的觸點(diǎn)1為全長(zhǎng)在10mm以下，尤其是中間部的寬度在 5mm以下的超小型觸點(diǎn)，該觸點(diǎn)1由導(dǎo)電性基體材料、形成在其上的襯底表面處理層和上側(cè)表面處理層構(gòu)成，包括接觸部2，與對(duì)方連接器電氣接觸；端子部3，通過(guò)釬焊接合與其他基板8電氣連接； 以及中間部4，連接在這些接觸部2與端子部3之間。導(dǎo)電性基體材料可以利用例如磷青銅或鈹青銅之類金屬板通過(guò) 沖切或折彎加工等一體形成。襯底表面處理層為鍍鎳層，接觸部2和中間部3的上側(cè)表面處理 層都是鍍金層，端子部4的上側(cè)表面處理層是焊錫鍍層或鍍金層，這 是為了使本發(fā)明的效果顯著，但并不局限于這種結(jié)構(gòu)。并且，在中間部4內(nèi)沿其全周，作為焊料爬越防止層形成了使襯 底表面處理層氧化并露出的寬度狹窄的氧化露出表面5。并且，本發(fā)明的觸點(diǎn)的結(jié)構(gòu)上主要特征是形成氧化露出表面5的 技術(shù)，更具體地說(shuō)，分別以規(guī)定的傾斜角度9a、 9b對(duì)觸點(diǎn)l的表 面la和背面lb照射激光，同時(shí)進(jìn)行上側(cè)表面處理層的除去和因該除 去而露出的寬度狹窄的襯底表面處理層的氧化，由此簡(jiǎn)單并且精度良 好地形成氧化露出表面5。圖2表示用焊錫9將具備多個(gè)觸點(diǎn)1和以規(guī)定間隔排列了該觸點(diǎn) l的殼體6的、作為本發(fā)明的電子部件的電連接器7，接合到其他基 板8上而處于電氣連接狀態(tài)的一個(gè)例子。圖3為形成了各觸點(diǎn)1的氧化露出表面5時(shí)的狀態(tài)，為多個(gè)觸點(diǎn) 1處于連成一體的帶狀部件10的狀態(tài)時(shí)的立體圖，而且，圖4是表 示用于對(duì)該帶狀部件10的各觸點(diǎn)1照射激光而形成氧化露出表面5 的加工裝置11的一例的圖，該加工裝置11是分別在觸點(diǎn)1的表面 la和背面lb間隔配置的成對(duì)的激光裝置，圖4中具有一對(duì)激光裝置 12a、 12b。若說(shuō)明使用圖4所示的加工裝置11在各觸點(diǎn)1上形成氧化露出 表面5的情況，則從在導(dǎo)電性基體材料的上面形成了襯底表面處理層 (例如鎳襯底鍍層)和上側(cè)表面處理層(例如鍍金層)的帶狀部件10同層間紙13 (剝離紙) 一起預(yù)先纏繞而成的巻筒14中，使帶狀部 件10與層間紙13 —邊分離并一邊輸送。作為該輸送方法，可以例如 在帶狀部件10上設(shè)置圖3所示的多個(gè)引導(dǎo)孔16或引導(dǎo)凸起，并且在 加工裝置11 一側(cè)設(shè)置能夠與帶狀部件的引導(dǎo)孔16或引導(dǎo)凸起相連接 的凸起或孔，由此能夠沿圖4的輸送方向15輸送帶狀部件。接著，輸送來(lái)的帶狀部件10穿過(guò)一對(duì)激光裝置12a、 12b之間后， 用纏繞巻筒17纏繞。這些激光裝置12a、 12b如此配置以能夠同時(shí)激光照射到各個(gè) 端子的表面和背面的范圍內(nèi)的規(guī)定傾斜角度ea、 9b向觸點(diǎn)表面和 背面照射激光， 一個(gè)激光裝置12a射出的激光照射到觸點(diǎn)1的表面 la和一個(gè)橫向端面lc上，另一個(gè)激光裝置12b射出的激光照射到觸 點(diǎn)1的背面lb和另一個(gè)橫向端面ld上。由此，觸點(diǎn)1的全周(4面) 都能照射到激光。上述規(guī)定的傾斜角度e a、 9 b優(yōu)選為激光能夠照射端子的側(cè)面和 表面這兩個(gè)面的范圍，具體為5。 90° ，尤其是從能量密度低、不 能除去(剝離)上側(cè)表面處理層這一點(diǎn)出發(fā)，在45° ±5°的范圍內(nèi) 更好。這樣通過(guò)對(duì)觸點(diǎn)的全周照射激光，同時(shí)進(jìn)行上側(cè)表面處理層的除 去和因該除去而露出的寬度狹窄的襯底表面處理層的氧化，由此能夠 簡(jiǎn)單并且精度良好地形成寬度狹窄的氧化露出表面5。另外，日本特開(kāi)2004-152559號(hào)公報(bào)中記載了在對(duì)素材實(shí)施襯底 鍍鎳后實(shí)施表面鍍金，然后應(yīng)用激光加工技術(shù)對(duì)需要防止焊料爬越的 部分的表面使襯底鍍鎳露出，或者將襯底鍍鎳和鍍金改進(jìn)成鎳-金合 金層的技術(shù)，但不是像本發(fā)明這樣用于同時(shí)進(jìn)行上側(cè)表面處理層的除 去和因該除去而露出的寬度狹窄的襯底表面處理層的氧化的技術(shù)。本發(fā)明尤其是通過(guò)控制激光照射條件使激光的能量密度在規(guī)定 的范圍內(nèi)，能夠只除去上側(cè)表面處理層(例如鍍金層)，并且能夠同時(shí)進(jìn)行因該除去而露出的寬度狹窄的襯底表面處理層(例如襯底鍍鎳 層)的氧化，其結(jié)果，能夠簡(jiǎn)單并且精度良好地形成寬度狹窄的氧化露出表面5。.襯底表面處理層的膜厚，在例如鍍鎳層的情況下優(yōu)選在0.6 1.5 lim的范圍內(nèi)，特別地，根據(jù)照射激光時(shí)激光能量密度的適當(dāng)范圍變 寬這一點(diǎn)，0.9 1.1um的范圍尤其合適。這是因?yàn)?，?dāng)鍍鎳層的膜 厚比0.6um薄時(shí)，通過(guò)激光照射只除去上側(cè)表面處理層，難以使鍍 鎳層露出；而且，即使當(dāng)鍍鎳層的膜厚比1.5um厚時(shí)，也只會(huì)導(dǎo)致 成本增加。而且，激光照射時(shí)激光的能量密度，在例如襯底表面處理層為鍍 鎳層的情況下，從素材的銅不露出這一點(diǎn)考慮，優(yōu)選在25 45mJ/mm2 的范圍內(nèi)。圖5 (a)、圖5 (b)為分別用不同的倍率(150倍和500倍)觀 察將激光照射到導(dǎo)電性基體材料為銅、襯底表面處理層為鍍鎳層(膜 厚2um)、上側(cè)表面處理層為金層(膜厚O.lum)的觸點(diǎn)的中間 部之前的觸點(diǎn)表面時(shí)的照片；圖6 (a)、圖6 (b)為分別用不同的倍 率(150倍和500倍)觀察將激光(能量密度40mJ/mm2)照射到圖 5 (a)、圖5 (b)的觸點(diǎn)的中間部之后的本發(fā)明的觸點(diǎn)表面時(shí)的照片； 圖7和圖8為表示分別用俄歇電子分光法從表面沿深度方向?qū)εc圖5 (a)、圖5 (b)和圖6 (a)、圖6 (b)對(duì)應(yīng)的照射激光前后的觸點(diǎn) 的中間部進(jìn)行元素分析時(shí)的結(jié)果的圖。圖7和圖8的元素分析結(jié)果顯示，照射激光前的觸點(diǎn)的中間部存 在可以認(rèn)為是自然氧化薄膜的5nm左右的Ni氧化薄膜層，另一方面， 照射激光后的觸點(diǎn)的中間部，存在厚度為自然氧化薄膜的約4倍即 20nm左右厚的Ni氧化薄膜層，這表示通過(guò)激光照射形成較厚的Ni 氧化薄膜層。圖9為表示對(duì)以各種能量密度的激光照射到導(dǎo)電性基體材料為銅、襯底表面處理層是以各種膜厚形成的鍍鎳層、上側(cè)表面處理層為金層(膜厚0.1 um)的觸點(diǎn)的中間部的部分的表面，進(jìn)行元素分析和檢査是否有釬焊接合時(shí)的焊料爬越的結(jié)果的圖，縱軸為激光的能量密度(mJ/mm2)，橫軸為鍍鎳膜厚(um)。從圖9可知，在鍍鎳層的膜厚為l.l"m以下的范圍內(nèi)時(shí)，具有 鍍鎳層的膜厚越厚、激光照射時(shí)激光能量密度的適當(dāng)范圍越寬的傾 向；當(dāng)膜厚在0.9um以上時(shí)，不管膜厚如何，激光能量密度的適當(dāng) 范圍幾乎相同。圖10 (a)是觀察將激光(能量密度40mJ/mm2)照射到導(dǎo)電性 基體材料為銅、襯底表面處理層為鍍鎳層(膜厚2um)、上側(cè)表面 處理層為金層(膜厚O.lum)的觸點(diǎn)的中間部后的本發(fā)明的觸點(diǎn)表 面時(shí)的SEM圖像，圖IO (b)是Au的的X射線圖像，圖10 (c)是 Ni的X射線圖像，圖IO (d)是Cu的X射線圖像；圖ll (a)是觀 察圖IO的觸點(diǎn)截面時(shí)的SEM圖像，圖11 (b)是X射線圖像；而圖 12 (a)是觀察在圖10 (a) (d)的觸點(diǎn)端子部實(shí)施釬焊之前的觸 點(diǎn)的表面時(shí)的照片，圖12 (b)是觀察實(shí)施釬焊之后的觸點(diǎn)的表面時(shí) 的照片。而且，圖13 (a)是觀察，激光(能量密度40mJ/mm2)照射到 導(dǎo)電性基體材料為銅、襯底表面處理層為鍍鎳層(膜厚2Pm)、上 側(cè)表面處理層為金層(膜厚0.1 um)的觸點(diǎn)的中間部后的比較例的 觸點(diǎn)表面時(shí)的SEM圖像，圖12 (b)是Au的的X射線圖像，圖12 (c)是Ni的X射線圖像、圖12 (d)是Cu的X射線圖像；圖14 (a)是觀察圖13的觸點(diǎn)截面時(shí)的SEM圖像，圖14 (b)是X射線 圖像；而圖15 (a)是觀察在圖13的觸點(diǎn)端子部實(shí)施釬焊之前的觸 點(diǎn)表面時(shí)的照片，圖15 (b)是觀察實(shí)施釬焊之后的觸點(diǎn)表面時(shí)的照 片。從圖10(a) (d)的結(jié)果能夠觀察到，本發(fā)明的觸點(diǎn)在中間部的激光照射面上幾乎不存在Au， Ni存在于整個(gè)表面上，基體材料銅 未露出；而且，從圖11 (a)和圖11 (b)的結(jié)果也能夠觀察到，Ni 層均勻存在于激光照射面的整個(gè)表面。而且，從圖12 (a)禾Q (b)的釬焊性的結(jié)果可知，在本發(fā)明的觸 點(diǎn)，焊料的浸潤(rùn)擴(kuò)散在形成于觸點(diǎn)的中間部的激光照射面的正下方位 置被抑制，能夠確認(rèn)Ni氧化層的浸潤(rùn)擴(kuò)散的抑制效果。另一方面，從圖13 (a) (d)的結(jié)果能夠觀察到，用能量密度 低的激光照射的比較例的觸點(diǎn)，在中間部的激光照射面的整個(gè)面上依 然附著有Au，并且，從圖14 (a)和(b)的結(jié)果也能夠觀察到，Au 層均勻地存在于激光照射面的整個(gè)表面；從圖15 (a)和(b)的釬 焊性的結(jié)果可知，比較例的觸點(diǎn)在越過(guò)形成于觸點(diǎn)的中間部的激光照 射面，直到靠近接觸部的地方產(chǎn)生焊料的浸潤(rùn)擴(kuò)散。而且，圖16是表示用激光顯微鏡(倍率1000倍)拍攝本發(fā)明 的觸點(diǎn)上形成的氧化露出表面5 (鍍鎳膜厚lPm，激光能量密度 30mJ/mm2)時(shí)的照片的一個(gè)例子。而且，作為本發(fā)明的其他實(shí)施方式，在圖4的加工裝置11中表 示了在巻筒14、 17之間配置多個(gè)用于對(duì)帶狀部件10的張力進(jìn)行調(diào)整 等的引導(dǎo)輥18a 18h時(shí)的情況，但這樣的結(jié)構(gòu)也可以根據(jù)需要適當(dāng) 地進(jìn)行選擇。另外，以上記載只示出本發(fā)明的實(shí)施方式的一例，在權(quán)利要求的 范圍內(nèi)能夠追加各種更改。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)分別以規(guī)定的傾斜角度向觸點(diǎn)的表面和背面照 射激光，同時(shí)進(jìn)行上側(cè)表面處理層的除去和因該除去而露出的寬度狹 窄的襯底表面處理層的氧化，能夠簡(jiǎn)單且精度良好地在觸點(diǎn)的中間部 內(nèi)形成氧化露出表面。
權(quán)利要求
1.一種超小型觸點(diǎn)，其特征在于，由導(dǎo)電性基體材料、形成在其上的襯底表面處理層和上側(cè)表面處理層構(gòu)成，包括接觸部，與對(duì)方連接器電氣接觸；端子部，通過(guò)釬焊接合與其他基板電氣連接；以及中間部，連接在這些接觸部與端子部之間；在所述中間部?jī)?nèi)沿其全周形成襯底表面處理層的氧化露出表面；通過(guò)以規(guī)定的傾斜角度分別向觸點(diǎn)的表面和背面照射激光，同時(shí)進(jìn)行上側(cè)表面處理層的除去和因該除去而露出的寬度狹窄的襯底表面處理層的氧化，從而形成所述氧化露出表面。
2. 如權(quán)利要求1所述的超小型觸點(diǎn)，其特征在于， 所述中間部的寬度在5mm以下。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的超小型觸點(diǎn)，其特征在于， 所述中間部?jī)?nèi)部的氧化露出表面的寬度在0.1 1.0mm的范圍內(nèi)。
4. 如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的超小型觸點(diǎn)，其特征在于， 襯底表面處理層是鍍鎳層，接觸部和中間部的上側(cè)表面處理層都是鍍金層，端子部的上側(cè)表面處理層是焊錫鍍層或鍍金層。
5. 如權(quán)'利要求1 4任一項(xiàng)所述的超小型觸點(diǎn)，其特征在于， 所述規(guī)定的傾斜角度是能夠激光照射端子的側(cè)面和表面這兩個(gè)面的范圍。
6. 如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的超小型觸點(diǎn)，其特征在于， 所述激光照射由分別間隔配置在觸點(diǎn)的表面和背面?zhèn)鹊某蓪?duì)的激光裝置進(jìn)行，并配置成 一個(gè)激光裝置射出的激光照射觸點(diǎn)的表面 和一個(gè)橫向端面，另一個(gè)激光裝置射出的激光照射觸點(diǎn)的背面和另一 個(gè)橫向端面。
7. —種電子部件，其特征在于，具備 多個(gè)上述權(quán)利要求1 6中任一項(xiàng)所述的觸點(diǎn)；以及 以規(guī)定間隔排列了該觸點(diǎn)的殼體。
8. —種超小型觸點(diǎn)的制造方法，制造上述權(quán)利要求1 7中任一 項(xiàng)所述的觸點(diǎn)，其特征在于，具備表面被覆工序，在導(dǎo)電性基體材料的表面依次形成襯底表面處理 層和上側(cè)表面處理層；以及，形成氧化露出表面的工序，通過(guò)以規(guī)定的傾斜角度分別向中間部 的表面和背面照射激光，除去上層，并且使因該除去而露出的寬度狹 窄的襯底表面處理層同時(shí)氧化。
全文摘要
提供一種超小型觸點(diǎn)及其制造方法和電子部件，在將端子部釬焊接合到基板時(shí)，能夠在觸點(diǎn)的中間部簡(jiǎn)單且精度良好地形成可以使焊料爬越停止在規(guī)定位置的氧化露出表面。本發(fā)明的觸點(diǎn)由導(dǎo)電性基體材料、形成在其上的襯底表面處理層和上側(cè)表面處理層構(gòu)成，其包括接觸部(2)、端子部(3)和中間部(4)，在中間部(4)內(nèi)沿其全周形成襯底表面處理層的氧化露出表面(5)。上述氧化露出表面(5)通過(guò)分別以規(guī)定的傾斜角度(θa、θb)向觸點(diǎn)(1)的表面和背面(1a、1b)照射激光，同時(shí)進(jìn)行上側(cè)表面處理層的除去和因該除去而露出的寬度狹窄的襯底表面處理層的氧化而形成。該超小型觸點(diǎn)為全長(zhǎng)在10mm以下的觸點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01R43/16GK101248556SQ200680030749
公開(kāi)日2008年8月20日 申請(qǐng)日期2006年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月23日
發(fā)明者大森英男, 森內(nèi)裕之, 清水春樹(shù) 申請(qǐng)人:第一電子工業(yè)株式會(huì)社