專利名稱：有機電子器件結構和制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及有機電子器件的結構和制造方法，具體地涉及有機發(fā)光二極管(OLED)。為了有助于了解本發(fā)明，首先描述OLED顯示器的某些特征和它 們的制造的某些問題是有幫助的。然而，將會看到，雖然本發(fā)明的實 施例是具體參照OLED顯示器描述的，但所述技術更一般地可應用于 有機電子器件的制造。有機發(fā)光二極管(OLED)是電光顯示的特別有利的形式。它們是明 亮的、彩色的、快速開關的，可以提供寬的視角，并且容易和便宜地 制造在各種不同的基板上。有機(在這里包括有機金屬化的)LED可以 通過使用聚合物或小分子在一顏色范圍內(或在多色顯示器中)制造， 這取決于所使用的材料。典型的OLED器件包括兩層有機材料， 一層 是諸如發(fā)光聚合物(LEP)、低聚物、或發(fā)光低分子量材料那樣的發(fā)光材 料層，另一層是諸如聚瘞吩衍生物或聚苯胺衍生物那樣的空穴傳輸材 料層。有機LED可以以像素矩陣形式設置在基板上，以形成單色或多色 像素顯示器?？梢酝ㄟ^使用紅色、綠色和藍色發(fā)光像素的組而被構建 多色顯示器。所謂的有源矩陣顯示器具有與每個像素有關的存儲器單 元，典型地為存儲電容器和晶體管，而無源矩陣顯示器不具有這樣的 存儲器單元，而是被重復掃描以給出穩(wěn)定圖像的印象。圖l顯示OLED器件100的例子的垂直截面圖。在有源矩陣顯示 器中，像素的面積的一部分被相關的驅動電路(

圖1中未示出)占用。 為了顯示起見，器件的結構在一定程度上被簡化。OLED 100包括基板102，典型地為0.7mm或l.lmm玻璃，但可 選為透明的塑料，在其上沉積陽極層106。陽極層典型地包括約150nm 厚度的ITO(氧化銦錫)，在其上提供金屬接觸層，典型地為約500nm的鋁，有時稱為陽極金屬。涂敷有ITO和接觸金屬的玻璃基板可以從 美國的Corning公司購買。接觸金屬(和可選的ITO)按希望地通過傳 統(tǒng)的光刻并隨后進行蝕刻的過程構圖，使得它不遮蔽顯示器?；旧贤该鞯目昭▊鬏攲?08a被提供在陽極金屬上，隨后是電致 發(fā)光層108b。堤狀物112例如可以由正型或負型光致抗蝕劑形成在基 板上，以限定阱114，在阱中可以例如通過液滴沉積或噴墨印制技術 選擇性地沉積這些有源有機層。該阱由此限定顯示器的發(fā)光區(qū)域或像 素。然后通過比如說物理汽相沉積而涂敷陰極層110。陰極層典型地 包括被較厚的鋁蓋層覆蓋的低功函數(shù)金屬如鈣或鋇，并且可選地包括 附加層，該附加層與諸如氟化鋰層那樣的電致發(fā)光層緊接相鄰，以提 高電子能級匹配。陰極線的相互電隔離可以通過使用陰極分隔件(圖3b 的元件302)而達到。典型地，多個顯示器被制作在單個基板，并且在 制造過程結束時，基板被劃線，在封裝入殼之前分開的顯示器互相附 接，以禁止氧化和濕氣侵入。這種通用類型的有機LED可以通過使用包括聚合物、樹形化合物 和所謂的小分子的材料范圍制作，以便以變化的驅動電壓和效率在一 波長范圍上發(fā)射?；诰酆衔锏腛LED材料的例子已在WO 90/13148、 WO 95/06400和WO 99/48160中描述；基于樹形化合物的材料的例子 已在WO 99/21935和WO 02/067343中描述；以及小分子OLED材料 的例子已在US 4,539,507中描述。上述聚合物、樹形化合物和小分子 通過單重態(tài)激子的輻射性衰變而發(fā)光(熒光)。然而，高達75%的激子 是三重態(tài)激子，它通常經(jīng)受非輻射性衰變。通過三重態(tài)激子的輻射性 衰變的電致發(fā)光(磷光)已在例長口"Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence", M.A.Baldo， S.Lamansky， P.E.Burrows, M.E.Thompson, and S.R.Forrest, Applied Physics Letters, Vol.75(l) pp.4-6， July 5,1999中^>開的。在基于聚合物 的OLED的情形下，層108包括空穴傳輸層108a和發(fā)光聚合物(LEP) 電致發(fā)光層108b。電致發(fā)光層可以包括，例如，約70nm(干)厚度的PPV(聚(p-亞苯基乙烯撐)，poly(p-phenylenevinylene))，以及空穴傳輸 層，用于幫助匹配陽極層和電致發(fā)光層的空穴能級，它可包括例如約 50-200nm，優(yōu)選地約150nm(干)厚度的PEDOT:PSS(摻雜聚磺苯乙烯 的聚乙烯二氧噻吩)。圖2顯示在沉積有源顏色層之一后三色有源矩陣像素化OLED顯 示器200的一部分的從上面看的視圖(即，不通過基板)。該圖顯示限 定顯示器的像素的阱114和堤狀物112的陣列。圖3a顯示用于噴墨印制無源矩陣OLED顯示器的基板300的從 上面看的視圖。圖3b顯示沿Y-Y，線通過圖3a的基板的截面圖。參照圖3a和3b，基板配備有多個陰極底切分隔件302，用來分開 相鄰的陰極線(它將被沉積在區(qū)域304)。多個阱308由圍繞每個阱308 的周界構建的堤狀物310限定，并使得陽極層306暴露在阱的底部 (base)。提狀物的邊緣或面朝著所顯示的基板的表面漸縮，典型地以 10度與40度之間的角度。堤狀物呈現(xiàn)疏水表面，以使得它們不被沉 積的有機材料的溶液潤濕(wet)，因此幫助把沉積材料包含在阱內(雖然 可以利用極性或非極性溶劑，但通常所使用的溶劑具有一定的極性)。這通過用02/CF4等離子體處理例如聚酰亞胺的堤狀物材料而達到，正如在EP 0989778中公開的?？商鎿Q地，可以通過使用諸如氟化聚酰亞 胺那樣的熒光材料來避免等離子體處理步驟，正如在WO 03/083960 中公開的。如前所述，堤狀物和分隔件結構可以用抗蝕劑材料形成，例如使用正型(負型)抗蝕劑用于堤狀物和負型(正型)抗蝕劑用于分隔件；這些抗蝕劑可以是基于聚酰亞胺的，并旋轉涂敷在基板上，或可以利用氟化或類氟化(fluorinated-like)光致抗蝕劑。在所顯示的例子中，陰極分 隔件高度約為5微米，而寬度約為20微米。堤狀物寬度通常在20微 米與IOO微米之間，以及在所顯示的例子中在每個邊緣具有4微米漸 縮部(taper)(這樣，堤狀物高度約為1微米)。圖3a的像素約300微米 見方，但正如后面描述的，像素的尺寸可以根據(jù)期望的應用而很大地 變化。用于使用噴墨印制技術沉積用于有機發(fā)光二極管(OLED)的材料 的技術已在多個文件中描述，例如包括T.R. Hebner， C.C. Wu， D. Marcy， M.H. Lu and J.C. Sturm, "Ink-jet Printing of doped Polymers for Organic Light Emitting Devices", Applied Physics Letters, Vol. 72， No. 5， pp.519-521, 199& Y, Yang， "Review of Recent Progress on Polymer Electroluminescent Devices," SPIE Photonics West: Optoelectronics '98， Conf. 3279, San Jose, Jan., 1998; EP O 880 303; and "Ink-Jet Printing of Polymer Light-Emitting Devices", Paul C. Duineveld, Margreet M. de Kok, Michael Buechel, Aad H. Sempel， Kees A.H. Mutsaers, Peter van de Weijer， Ivo G.J. Camps, Ton J.M. van den Biggelaar, Jan-Eric J.M. Rubingh and Eliav I. Haskal， Organic Light-Emitting Materials and Devices V， Zakya H. Kafafi， Editor, Proceedings of SPIE Vol. 4464 (2002)。噴墨技術可被用來沉積 用于小分子和聚合物LED的材料。揮發(fā)性溶劑通常被用來沉積有機電子材料，其中具有0.5%到4% 溶解的溶劑材料。這可以花費幾秒鐘與幾分鐘之間的任何時間來干燥， 導致與初始的"墨水，，體積相比較的相對較薄的膜。常常是(優(yōu)選地在干 燥開始之前)沉積多個液滴，以提供千材料的足夠的厚度?？梢允褂玫?溶劑包括環(huán)己基苯和烷基化苯，具體地甲苯或二甲苯；其它溶劑在在 WO 00/59267、 WO 01/16251和WO 02/18513中描述；還可以利用包 括混合了這些溶劑的溶劑。使用精度噴墨印制機，例如來自Litrex Corporation of California, USA的機器；適當?shù)挠≈祁^可從Xaar of Cambridge, UK and Spectra, Inc. of NH， USA得到。某些特別有利的 印制策略在2002年11月28日提交的本申請人的英國專利申請?zhí)?0227778.8(和相應的PCT公布WO 2004/049466)中描述。噴墨印制對于用于有機電子器件的材料的沉積具有許多優(yōu)點，但 也有與該技術有關的某些缺點。然而已發(fā)現(xiàn)，被沉積在具有淺邊緣的4a和4b顯示這個處理過禾呈,圖4a顯示被填充有溶解的材料402的阱308的簡化的截面圖400， 以及圖4b顯示在材料被干燥以形成固態(tài)膜404后的同一個阱。在這個 例子中，堤狀物角度約為15。，以及堤狀物高度約為1.5微米。正如可 以看到的，阱通常被填充直至它滿溢為止。溶液402與等離子體處理 后的提狀物材料的接觸角9c典型地在30°與40°之間，例如在35。左右； 這是溶解的材料402的表面與它接觸的(堤狀物)材料構成的角度，例 如圖4a中的角度402a。當溶劑蒸發(fā)時溶液變得更濃，以及溶液的表 面沿堤狀物的漸縮面朝基板向下移動；在基板上堤狀物的根部(阱的底 部)與初始著陸的濕邊緣之間的點處會出現(xiàn)干邊緣的束縳(pin)。結果， 如圖4b所示，干材料的膜404在它與堤狀物面相交會的區(qū)域404a中 可以非常薄，例如約為10nm或更小。我們以前在2004年2月5日提交的英國專利申請?zhí)?402559.9， 被公布為WO 2005/076386中描述了使用底切的堤狀物，它具有把溶 液拉向阱的邊緣的效應，因此幫助得到更均勻的填充。然而，這樣的 堤狀物制作起來很復雜，通常使用負型光致抗蝕劑，這是昂貴的，并 對于處理條件很敏感。所以需要有進一步改進的技術，它們更適用于 同正型光致抗蝕劑 一起使用。對于較大的像素(阱)有另一個困難，例如具有被用來提供300微 米像素間距的240微米到260微米的開口的阱。墨水滴的體積正比于 該液滴的特征長度的立方，而表面覆蓋度正比于像素尺寸的平方，因 為這一點，對于給定的墨水稀釋，太多的材料沉積到大的像素中，這 樣需要更多的稀釋的墨水。例如，對于大的像素和80nm的想要的 PED(O)T膜厚度，可以利用約百分之一的墨水濃度，但很難使得百分 之一的墨水展開(spreadout)、潤濕和填充大的像素。這使得很難制造 大于500微米見方的像素，因為例如充滿至滿溢的像素導致厚度為 120nm的膜。而且，在生產(chǎn)過程中改變墨水稀釋是昂貴的。通常，像素阱的底部包括ITO，它具有低的接觸角，典型地小于 IO度(例如，5到7度)，因此提供相對較好的(親水的)潤濕性。然而， 特別是對于較大的像素，潤濕性從不完美，而不是具有圓形的沉積液滴，沉積的液滴通常具有更粗糙的邊緣，因為溶劑趨于在阱底部內的 點處被束縛住。如前所述，因為溶劑在提狀物上的接觸角相對較高， 當更多的溶劑添加到阱中時液滴高度趨于增加，而不是溶劑向堤狀物 上方移動，以及在干燥時，表面能趨于把溶液拉到遠離阱的邊緣。這對于PEDOT沉積特別是問題，其中薄的邊緣會導致在陰極(ITO)與覆 在上方的發(fā)光聚合物(LEP)之間的直接接觸，導致有缺陷的或減小效率 的像素。在EP 0993235中，Seiko Epson的目的在于通過在像素阱的 底部的內邊緣處的陽極上沉積電介質層來解決這個問題，但是當考慮 到對準容差的需要時，這具有減小有效像素面積高達20%的缺點。所以，需要解決這些問題的改進的有機電子器件結構和制造技術， 具體地，在基于溶劑的沉積過程中幫助展開有機電子材料。按照本發(fā)明的第一方面，提供了一種有機電子器件結構，所述結 構包括基板；由所述基板支撐的底部層，限定用于基于溶劑沉積有 機電子材料的阱的底部；形成在所述基板上的一個或多個襯墊層；形 成在所述襯墊層上的堤狀物層，用來限定所述阱的側面；并且其中與 所述底部層相鄰的所述阱的邊緣被底切，以限定所述基板上方的支架， 所述支架限定用來接納所述有機電子材料的凹口。優(yōu)選地，支架的下側基本上是水平的，并與所述基板隔開由所述 一個或多個襯墊層限定的距離。支架可以由堤狀物限定，或由可能被 包括在襯墊層與提狀物層之間的結構中的一個或多個支架層限定，以 限定支架。優(yōu)選地，支架層包括電介質層，但在實施例中，支架層可 包括金屬層。從以上描述的實施例將會看到，支架和/或襯墊層通常由 諸如金屬、氧化物和/或摻雜或未摻雜的硅層那樣的對于器件制造已存 在的層提供。對于有源矩陣顯示器件，薄膜晶體管(TFT)與每個像素有 關，然后襯墊層可以由被使用于TFT制造的摻雜或未摻雜的非晶硅層 的一部分或氧化物層形成。同樣地，支架層也可以方便地由在任何情 形下在TFT制造期間沉積的 一個層如氮化硅電介質和/或鈍化層形成。優(yōu)選地，在支架下面的凹口被配置成允許襯墊層與有機電子材料 之間的接觸--也就是，凹口暴露襯墊層的邊緣。這有助于將溶劑束縛到阱的邊緣。因此，在優(yōu)選實施例中(其中溶劑是至少部分極化的)， 村墊層包括親水材料，諸如硅、 一氧化硅、二氧化硅、氧氮化硅等等。 可選地，襯墊層可以被處理，以使得它是(更)親水的。在實施例中，使用親水材料用于襯墊層有助于使得對于PEDOT 和LEP潤濕性想要的屬性去耦合，因為PEDOT潤濕親水的襯墊層， 因此允許基本上獨立地調節(jié)LEP在堤狀物上的浸潤角(因為PEDOT 潤濕性主要由親水材料決定)。例如，通常堤狀物抗蝕劑是疏水的，具 有對于LEP溶劑大于90度的浸潤角，但這可以減小到90度、60度 或甚至30度，例如提供LEP對于堤狀物材料的改進的潤濕性。因為 PEDOT溶劑在支架下面流動，并由親水層束縛，跨PEDOT層短路的 風險大大地減小。將會看到，雖然通常參考提供用于PEDOT溶劑束 縛的親水性邊緣的襯墊層(因為傾向于釆用具有某些極性的溶劑)，但 更一般地，希望溶劑對于暴露的襯墊層的邊緣具有良好的潤濕性，例 如由諸如15度、IO度或更小的低接觸角限定的。將會看到，對于以上結構的實施例，堤狀物層可以沿通常的方向 朝基板漸縮(隨著接近側面而朝基板變得更薄)，所以可以使用正型光 致抗蝕劑來限定提狀物。在某些優(yōu)選實施例中，該結構形成OLED顯示器件的一部分，如 有源矩陣顯示器像素。在這種情形下，底部層通常包括透明的陽極層， 諸如ITO，且被沉積在阱中的有機電子材料包括導電(整個)傳輸材料 的第一層，諸如PEDOT，其上覆著發(fā)光材料的第二層，例如發(fā)光聚 合物，小分子材料，基于樹形化合物的材料等等。然后由第一層的有 機電子材料(例如，PEDOT)的第一層占用支架下面的凹口 ，優(yōu)選地基 本上全部被這個材料占用，第二發(fā)光層覆在第一層上面，也可以部分 跨在堤狀物上。在其它實施例中，發(fā)光層也可以在支架下面，并且在 阱邊緣處被第二襯墊層束綽，該襯墊層例如可以根據(jù)被用來沉積發(fā)光 層的溶劑進行調節(jié)以提供良好的潤濕性。在一個這樣的實施例中，第 一襯墊層包括未摻雜的(非晶)硅，第二襯墊層包括摻雜的(非晶)硅，二 者都在有源矩陣TFT晶體管的制造中使用，因此，方便地沉積用于在阱邊緣處束綽。在相關的方面，本發(fā)明提供了一種在基板上制造有機電子器件的方法，該方法包括在所述基板上制造一個或多個底部層；在所述一 個或多個底部層上制造一個或多個襯墊層；在所述一個或多個襯墊層 上沉積堤狀物材料；蝕刻所述基板以限定阱，所述阱具有限定其底部 的凹口的底切支架；以及向所述阱中沉積有機電子材料。優(yōu)選地，蝕刻包括至少部分自對準蝕刻。這樣，被使用來限定所 述堤狀物的掩模也可以被使用于蝕刻底切的支架，以暴露襯墊層，以 在部分自對準器件中用于蝕刻支架層。在另外的方面，本發(fā)明提供了 一種在用于基于液滴沉積制造有機 電子器件的結構中形成液滴沉積阱的方法，該方法包括在基板上沉 積親水材料層；在所述親水材料層上沉積堤狀物材料層；對所述堤狀 物材料層進行構圖，以限定形成一個或多個所迷液滴沉積阱的堤狀物； 以及使用所述已構圖的提狀物材料層作為掩模，以自對準工藝蝕刻所 述親水材料層。在實施例中，這個方法避免對于兩個分開的掩模步驟(一個用于 堤狀物材料以及笫二個用于親水(或襯墊)層)的需要。本領域技術人 員將會看到，通常將購買或準備初始的下面的透明導體層，如ITO， 作為應用本方法的基板。在本方法的某些優(yōu)選實施例中，堤狀物材料 包括抗蝕劑，優(yōu)選地正抗蝕劑。優(yōu)選地，堤狀物具有僅僅一個堤狀物 材料層(它優(yōu)選地是疏水的)，和僅僅一個親水材料層(諸如氧化物)。在本方法的某些優(yōu)選實施例中，親水材料包括電介質材料，特別 是SK)2,雖然也可以利用其它電介質材料，諸如氮化硅和氧氮化硅或 甚至抗蝕劑。在其它實施例中，親水材料包括親水金屬，如鋁、鉻、 或鉬。在這樣的實施例中，金屬例如可以是被形成在ITO上的陽極金 屬，用來減小陽極軌條電阻。在使用本方法制造的OLED器件的實施 例中，金屬可被暴露于有機電子材料，具體地，在以后沉積到阱中的 PEDOT。然而，在金屬對于相關的材料(PEDOT)是差的電子注入器(具 有高的功函數(shù))的場合下，這種接觸不會很大地影響器件的工作，因為實際上它基本上是絕緣體。在其中堤狀物抗蝕劑用作為掩模的自對準蝕刻階段可以是各向同 性或是各向異性的。在優(yōu)選實施例中，蝕刻包括等離子體蝕刻。各向 同性蝕刻底切親水層(它因此用作為在基板與覆在其上的堤狀物層之間的襯墊)；各向異性蝕刻基本上垂直向下切割到其中堤狀物邊緣(它 通常漸縮的)終結處的親水層的邊緣。在各向同性蝕刻的情形下，可以 利用千法蝕刻，具體地等離子體氣體蝕刻，它自限制在底切部分內， 允許控制底切部分的深度。可替換地，可以利用濕法蝕刻，只要存在 蝕刻劑就可以繼續(xù)進行蝕刻。對于各向異性蝕刻，最好采用干法等離 子體蝕刻。對于器件結構的底切實施例，親水(襯墊)層可以具有小于500nm 的厚度，例如在50nm與200nm之間，以及在某些實施例中約為 100nm。在其它實施例中，在親水層提供(有效的)絕緣以幫助減小在提燥效應而趨于更薄的場合下)，親水層可以是更薄的，例如小于100nm、 50nm、 10nm、或5nm。限制的厚度按希望確定以形成連續(xù)的絕緣膜， 對于Si()2可以是約2nm。各向異性蝕刻是對于在阱的底部創(chuàng)建絕緣支 架的方法的實施例優(yōu)選的，因為這基本上避免底切，因此減小為留下 這樣的支架要去除的堤狀物材料的量。在某些具體的優(yōu)選的實施例中，在蝕刻后執(zhí)行抗蝕劑剝除過程， 優(yōu)選地等離子體灰化過程，諸如02等離子體灰化。這在它是最薄的場 合下去除與阱的底部相鄰的、(漸縮的)堤狀物的部分底部(也減小堤狀 物的總的厚度)，以暴露與阱的底部相鄰的親水材料。這加大堤狀物材 料的孔徑，這樣，它大于在親水層中的孔徑。親水層的暴露的部分用 作為絕緣襯墊，正如先前提到的，以幫助阻止在阱底部的邊緣處短路。 具體地，它吸引親水的PEDOT溶液，這有效地附著到這種材料的暴 露的部分，束縛這樣的沉積材料的液滴的邊緣。而且，因為PEDOT 溶液這樣地被約束，堤狀物材料層的表面能特性可以分開地調節(jié)成對 于以后沉積的材料層如發(fā)光聚合物(LEP)層的想要的特性。在堤狀物抗蝕劑的情形下，例如，這可以通過用CF4等離子體處理堤狀物材料使 得它是親水的以具有更好的LEP約束來完成。(這種"調節(jié)，，對于下面 的氧化物的親水特性幾乎沒有影響，雖然有小的"污染影響，，)?？商鎿Q 地，"特氟綸化(teflonised)，，或氟化抗蝕劑可被利用來達到親水堤狀物 特性。因此，這些方法實施例廣義地說允許溶液即PEDOT和LEP的 沉積的不同的想要的表面能處理(親水和疏水)去耦合。而且，比如說 PEDOT在水中的溶液的高的堤狀物接觸角，可以是90°-100°，幫助 PEDOT避開提狀物，所以包含這種材料。因此，另一方面，本發(fā)明提供了一種在用于基于液滴沉積制造有 -K電子器件的結構中形成液滴沉積阱的方法，該方法包括在基板上 沉積親水材料層；在所述親水材料層上沉積抗蝕劑材料層；對所述抗 蝕劑材料層進行構圖，以限定形成一個或多個所述液滴沉積阱的提狀 物；對所述親水材料層進行構圖，以從所述一個或多個液滴沉積層阱 的底部區(qū)域的至少一部分去除所述親水材料；以及使用抗蝕劑剝除過 程來暴露與形成一個或多個所述液滴沉積阱的所述堤狀物的底部相鄰 的所述已構圖的親水材料層的上表面的一部分。在實施例中，提供伸出到堤狀物以外且具有類似于下面的ITO的 表面能的較低層，可以幫助產(chǎn)率和均勻性而對于成本和孔徑比沒有很 大的影響。經(jīng)受抗蝕劑剝除(灰化)的結構不需要通過自對準過程形成， 但例如可以通過4吏用雙掩才莫處理過程形成。在相關的方面，本發(fā)明提供了一種通過使用上述的方法制造的有 機電子器件。具體地，這樣的器件包括基板，該基板承載在填充有機 電子材料的多個液滴沉積阱下面的已構圖的親水材料層，其中與形成 一個或多個所述液滴沉積阱的所述堤狀物的底部相鄰的所述已構圖的 親水材料層的上表面的一部分暴露于所述有機電子材料。在再一個方面，本發(fā)明提供了一種有機電子器件結構，所述結構包括基板；由所述基板支撐的堤狀物層，限定用于基于溶劑沉積有 機電子材料的阱；并且其中所述結構還包括嵌條層，該嵌條層被構圖 以限定位于所述阱的內邊緣且在所述阱的底部的嵌條。優(yōu)選地，嵌條包括親水材料，如硅的氧化物和/或氮化物。嵌條層 可以方便地包括也形成有機電子器件的某些其它部分的層，如形成器 件的部分或與器件相關聯(lián)的薄膜晶體管的氧化物層。在一個實施例中，嵌條覆在朝向基板漸縮的提狀物的一部分上面； 在另 一組實施例中， 一個或多個層被構圖以限定位于阱的內邊緣的臺 階且嵌條鄰接該臺階。例如，在優(yōu)選實施例中，阱具有底部層，如陽 極或ITO層，并且臺階層(它又可以通過"重新使用，，器件的現(xiàn)有的層 而被提供)被提供在底部層與基板之間，以提供在與阱的內邊緣相鄰的 底部層處臺階的高度改變。在這種情形下，嵌條鄰接底部層中的這個 臺階。在某些實施例中，通過使用兩個(或多個)下面的"臺階"層在底 部層中限定雙臺階，以提供在ITO下面的更高的襯墊堆疊，并從而提 供更大的嵌條面積，以改進溶劑在阱的邊緣處的束綽。在實施例中， 所迷一個或多個臺階層可包括一個或多個金屬層、未摻雜的硅層、摻 雜的硅層、和第二金屬層。這些層可以例如已作為用于與OLED顯示 器件的像素相關聯(lián)的薄膜晶體管的現(xiàn)有的制造過程的一部分存在。優(yōu) 選地，在這樣的器件中，堤狀物層包括正型光致抗蝕劑，并且傳統(tǒng)上 朝向基板漸縮。在這種情形下，有機電子材料的沉積層可包括導電(全 部傳輸)層和覆在上面的發(fā)光層。另 一方面，本發(fā)明提供了 一種在承載用于基于溶劑沉積有機電子 材料的至少一個阱的基板上制造有機電子器件的方法，該方法包括 沉積嵌條層和各向異性地蝕刻所述嵌條層，以在基于溶劑沉積所述有 機電子材料以制造所述器件之前限定位于所述阱的內邊緣處的嵌條。優(yōu)選地，嵌條材料被選擇或處理，以使得它被用于沉積有機電子 材料的溶劑或溶劑混合物潤濕。優(yōu)選地，這樣的潤濕提供在嵌條與溶 劑或溶劑混合物之間小于15度的接觸角，更優(yōu)選地小于10度。本發(fā)明還提供按照本發(fā)明的一個方面的方法制造的有機電子器 件，特別是有源或無源OLED顯示器件?，F(xiàn)在參照附圖，僅僅作為例 子，進一步描述本發(fā)明的這些和其它方面，其中圖1通過OLED器件的例子顯示垂直截面圖；圖2顯示三色像素化的OLED顯示器的一部分從上面看的視圖； 圖3a和3b分別顯示無源矩陣OLED顯示器的從上面看的視圖和 截面圖；圖4a和4b分別顯示被填充有溶解的材料和干材料的OLED顯示 器基板的阱的簡化截面圖；圖5顯示按照本發(fā)明的第一方面的第一實施例的有機電子器件結構；圖6顯示適用于制造體現(xiàn)本發(fā)明的方面的并排結構的底部柵極薄膜晶體管(TFT)結構；圖7顯示按照本發(fā)明的第一方面的第二實施例的有機電子器件結構；圖8顯示按照本發(fā)明的第一方面的第三實施例的有機電子器件結構；圖9顯示按照本發(fā)明的第一方面的第四實施例的有機電子器件結構；圖10顯示按照本發(fā)明的第一方面的第五實施例的有機電子器件 結構；圖11顯示按照本發(fā)明的第二方面的第一實施例的有機電子器件 結構；圖12顯示按照本發(fā)明的第二方面的第二實施例的有機電子器件 結構；圖13顯示按照本發(fā)明的第二方面的第三實施例的有機電子器件 結構；圖14顯示按照本發(fā)明的第二方面的第四實施例的有機電子器件 結構；圖15顯示按照本發(fā)明的第二方面的第五實施例的有機電子器件 結構；圖16顯示按照本發(fā)明的第二方面的第六實施例的有機電子器件 結構；以及圖17顯示按照本發(fā)明的方面的實施例的有機電子器件的制造。 首先參照圖5，圖上顯示用于有源矩陣OLED顯示器的像素的阱 502的第一結構500的截面圖和頂視圖。阱502由朝基板506漸縮的 堤狀物504限定，在該基板上有提供用于像素的陽極的ITO層508。 在阱502內沉積PEDOT層510，在所述PEDOT上有發(fā)光聚合物(LEP) 層512。圖5還顯示在PEDOT和LEP層沉積之前的結構的截面圖。氧化物襯墊層514被提供在ITO層518之上和提狀物層504之下。 這是在對正型堤狀物光致抗蝕劑構圖后通過使用傳統(tǒng)的濕法或干法各 向同性蝕刻過程進行蝕刻的。這個蝕刻過程導致圍繞阱502的下部的 內邊緣的突出的支架(shelf) 516(在頂視圖中以虛線表示)，從而提供凹 口 ，承載溶解的PEDOT的溶劑在沉積期間可以流入這個凹口 。 PEDOT 溶液將通過毛細作用自然地吸入凹口，但由于氧化物襯墊514是親水 性的，溶劑也附著到在支架516下面的層514的暴露的內邊緣。在實 施例中這兩個效應的組合提供可靠的PEDOT邊緣厚度分布。PEDOT 仍舊附著到這個凹進的邊緣，但在干燥時不附著到(疏水的)堤狀物。 堤狀物例如可以通過CF4處理，以提供對于LEP(它具有想要的疏水程 度)的沉積專門加工的表面，很大程度上與PEDOT溶液要求無關，因 為PEDOT溶液由親水層514的暴露的邊緣和/或凹口的毛細管吸引有 效地束縛住。在筒單的示例制造過程中，被涂敷以ITO的基板從任何的各種各 樣的供應商處購買，被構圖和然后涂敷以均厚(blanket)氧化物，如二 氧化硅、 一氧化硅或氧氮化硅，以提供親水層。這個均厚氧化物例如 可包括旋涂玻璃。然后旋涂正型光致抗蝕劑層504，并通過光刻法構 圖(曝光、顯影和漂洗)。然后通過在不需要附加掩模的情況下對氧化 物襯墊層514進行各向同性回蝕刻而形成凹口 ，該過程是自對準的， 因為提狀物有效地提供用于氧化物層的蝕刻掩模。圖6顯示底部-柵極TFT結構600的垂直截面圖，該結構可以與 圖5的像素結構500并排和/或與以后進一步描述的本發(fā)明的第一和第 二方面的其它實施例并排制作。在圖6中，與圖5的元件相同的元件用相同的附圖標記表示。在本例中，基板還沒有用ITO構圖，而是首 先，把相對較厚的金屬層602沉積在玻璃基板506上并構圖以提供用 于TFT的柵極金屬。例如包括氮化硅的柵極電介質層604 ^L沉積在柵 極金屬602上，隨后沉積未摻雜的非晶硅606和摻雜的非晶硅608并 構圖，分別形成TFT的溝道和漏極/源極區(qū)域。然后沉積第二金屬層 610并構圖以提供用于晶體管的源極和漏極導體，然后例如再次把氮 化硅的鈍化層612沉積在該結構上，并蝕刻源極和漏極接觸窗口 612a。 然后沉積ITO層508，使得與源電極和漏電極連接，以把這些鏈接到 一個或多個相鄰的像素。在傳統(tǒng)的處理過程中，這個ITO層是在堤狀 物光致抗蝕劑層504被沉積之前的最后的層，但當這個TFT結構結合 例如圖5的改進的阱結構一起被使用時，在堤狀物層504的沉積和構 圖之前把另一個氧化物層(圖6中未示出)沉積在ITO層上?，F(xiàn)在參照圖7，圖上顯示利用圖5所示的原理的更典型的"真實情 形的"阱結構。在圖7和以后的圖上，與圖5和6的元件相同的元件用相同的附 圖標i己表示。在圖7所示的阱結構700的實施例中，顯示兩個下面的氮化硅層 (電介質層604和鈍化層612)。圖8顯示阱結構800的另一個實施例，其中支架由鈍化層612與 第二金屬層610的組合提供。不像先前的兩個實施例，這個實施例僅 僅部分自對準的，而且，它牽涉到在任何硅層之前沉積ITO層508。 這在有源矩陣顯示器中是可能的，因為TFT結構僅僅在像素的有源區(qū) 域中被使用。然而，雖然在這個實施例中層序列是不同的，但利用相 同的一般原理。概括地，硅606、 608,金屬610，和氮化物612層在堤狀物邊緣 內被對準，然后利用對金屬邊緣下的硅層的各向同性回蝕刻來創(chuàng)建該 結構(因為金屬沒有被硅邊緣侵蝕)。金屬和/或氮化物層同時被構圖。在阱結構800中，在支架下面的襯墊可能比先前的實施例的支架 更深，并且在實施例中(如顯示的)，這個深度可以不被PEDOT層完全填充。在這樣的情形下，電致發(fā)光層也延伸到支架下面。PEDOT層 和電致發(fā)光的發(fā)光層可以各自與不同的各個襯墊層，例如如所示的未 摻雜的和摻雜的硅(都是親水的)，相關聯(lián)。有機材料層的厚度可以高 達500nm，雖然厚度通常是更小的，例如在50nm到200nm的范圍； 在圖8的實施例中，在支架下面的凹口的總的高度可以高達500nm(或 更多)。接著參照圖9,圖中顯示阱結構900的另一個實施例，再次使用 在珪沉積之前進行ITO沉積的部分自對準蝕刻過程。概略地，硅和氮 化物層與堤狀物邊緣對準，然后硅層在氮化物邊緣下面被各向同性地 回蝕刻。這在并入TFT的結構中是可能的，因為摻雜的和未摻雜的硅 層在不同的階段被蝕刻。圖IO顯示阱結構IOOO的再一個實施例，其中在ITO層508之后 但在(氮化硅)鈍化層612之前沉積氧化物襯墊層514。該結構的制造是 部分自對準的，因為凹口是通過對氧化物層的各向同性回蝕刻形成的。 再次地，PEDOT溶液通過親水性和/或毛細作用被吸入凹口 ，并被束 綽在阱的邊緣處，以幫助提供可靠的PEDOT邊緣厚度分布。現(xiàn)在參照圖11，圖上顯示按照本發(fā)明的第二方面的阱結構1100 的第一實施例的垂直截面圖(在基于溶劑的有機材料沉積之前和之后) 和從上看的^見圖。再次地，在本實施例和以后的實施例中，與以上描述的層相同的 層用相同的附圖標記表示。在圖11中，第一金屬層602被構圖以提供位于阱的周界周圍、正 好在其內邊緣的外面的"圖片框"。這在覆在上面的ITO 508中創(chuàng)建臺 階。然后沉積均厚氧化物層，并且以本領域技術人員熟知的方式進行 各向同性(垂直地)蝕刻，以在垂直邊緣上創(chuàng)建材料的嵌條(fillet) 1102、 1102a。這些氧化物嵌條包括親水材料，因此幫助將包含PEDOT的溶 劑束縛到阱的邊緣(但這個溶劑不趨于或行進到疏水堤狀物邊緣)。疏 水性CF4表面處理因此按照LEP溶劑很大程度上與PEDOT沉積無關 地被調整，因為PEDOT溶劑只沿堤狀物向上行進短的距離，如果有的話。所以，堤狀物材料、處理和/或LEP溶劑可被調節(jié)成例如LEP 溶劑潤濕堤狀物到某個程度，留下LEP的尾部朝提狀物上部行進，如 圖所示。將會看到，雖然圖ll顯示提狀物邊緣與嵌條的精確的對準， 但實際上這不一定發(fā)生，但將會理解，該結構提供在堤狀物邊緣對準 中小的變化的某個容差(它可以具體地由漸縮的堤狀物邊緣引起)。圖12顯示按照本發(fā)明的第二方面的阱結構1200的第一替換實施 例。像圖ll所示的實施例那樣，這在某種程度上代表理想化的結構。 再次地，嵌條1102被形成，但在這種情形下，金屬臺階是在ITO層 508的上面而不是在它的下面。和先前一樣，嵌條1102提供位于阱502 的底部在內邊緣周圍的"圖片框，，。在圖12的實施例中指出的特性是在 金屬602與LEP層512之間的直接接觸。這種安排提供堤狀物對準的 提高的魯棒性，因為由于功函數(shù)的差別而從金屬與LEP之間的直接接 觸區(qū)域很少發(fā)射或不發(fā)射光。金屬602不應當與諸如PEDOT(在存在 的場合下)那樣的空穴傳輸層接觸，因此減小它作為陽極的有效性；并 且/或者應當足夠厚，以便基本上是不透明的，使得在金屬602與LEP 層之間的接觸區(qū)域中發(fā)射的任何光是不可見的；并且/或者應當具有低 的功函數(shù)。對于不透明性，金屬602具有a0nm的優(yōu)選的厚度(對于不 同的材料，不透明性所需要的精確厚度是不同的)。圖13顯示阱結構1300的第三(理想化)例子，其中嵌條1102沿阱 的堤狀物層504的斜壁行進。結構1300例如可以通過在旋轉正型堤狀 物光致抗蝕劑層504并對其進行光刻構圖之后對旋涂玻璃進行均厚沉 積而制造。然后通過使用各向異性，優(yōu)選干法蝕刻過程而被均厚(不遮 蔽地)蝕刻旋涂玻璃，該蝕刻過程去除旋涂玻璃而留下嵌條。更一般地， 可以沉積其它低溫或旋涂材料，隨后進行各向異性蝕刻，以在堤狀物 抗蝕劑邊緣內形成親水空間。圖13的實施例具有更高的嵌條的優(yōu)點， 因此潛在地提供改進的溶劑束縛。圖14顯示阱結構1400的另一個替換實施例，其中臺階層包括未 摻雜的和摻雜的非晶硅層606、 608和第二金屬層610，在本例中，它 們在氮化硅鈍化層612和在ITO層508的下面。這種結構，通過在ITO層508下面的襯墊堆疊，潛在地能夠提供更高的臺階邊緣，因此提供 更大的嵌條表面積和改進的PEDOT堤狀物分隔。圖15顯示阱結構1500的另一個替換實施例，類似于圖14所示的 結構，但具有雙臺階，由與圖14實施例相同的層的組加上在氮化硅電 介質層604下面由第一金屬層602提供的另一個臺階而形成。這提供 在ITO層508下面的更高的襯墊堆疊，因此潛在地提供嵌條1102的 更大的表面積。圖16顯示阱結構1600的再一個替換實施例，顯示結構中漸縮的 堤狀物504邊緣的兩個可替換的相對對準，說明對準容差。在圖16的結構中，ITO層508被沉積在一個金屬層上，在所示出 的例子中，第一金屬層602和之后的自對準襯墊嵌條1102被形成在(已 構圖的)ITO層508的邊緣周圍。漸縮的堤狀物層504的邊緣與下面的 金屬層對準，但不需要與ITO層508精確地對準，這是由于即使下面 的金屬層602因為功函數(shù)的失配而被曝光，所形成的二極管在發(fā)光時 也是低效率的。因此，在圖16的結構1600中像素的發(fā)射基本上由ITO 508的面積確定，從而提供對準容忍結構。無論如何，正如先前那樣。這將覆蓋ITO，所以由于在堤狀物邊緣的緊鄰區(qū)域^存在有效的器件， 堤狀物邊緣潤濕或相反的程度基本上是無關緊要的)。該原理在某種程度上類似于圖12實施例的原理，雖然在本實施例 中，實際上僅僅一小點像素區(qū)域(的周界)與對準容差折衷。如圖所示， 在圖16的第一實施例中，金屬是透明的但不與PEDOT接觸，所以它 可以是高功函數(shù)金屬。在圖16的第二實施例中，金屬是透明的并且可 以由于堤狀物未對準而與PEDOT接觸，這意-未著在本實施例中的金 屬層優(yōu)選地具有低功函數(shù)，以提供與PEDOT的失配。參照圖17,其中顯示制造OLED器件的方法的實施例，正如顯示 的，用于制造在"墨滴，，沉積阱的底部包括親水材料的短的突出支架的 器件。方法也可以在變例中使用于制造具有底切的堤狀物的器件。更詳細地，圖17a到17c顯示在制造阱結構1700時的接連的階段，其中使用先前利用的附圖標記，用于OED顯示器的像素的阱502由 基板506上的堤狀物504限定?；?06承載ITO層508,以提供用 于像素的陽極連接，在其上沉積氧化物村墊層514，然后沉積優(yōu)選地 在有機材料中限定的堤狀物材料如正型光致抗蝕劑，并以傳統(tǒng)的方式 構圖以形成堤狀物504,這使得基板漸縮，如圖17a所示。在圖17b,通過使用堤狀物504作為掩模執(zhí)行對Si02層514的各 向異性干法(等離子體氣體)蝕刻，以提供自對準蝕刻掩模過程。這是 用于制造圖17c所示突出臺階的準備。這創(chuàng)建基本上與由堤狀物材料 限定的相同的孔徑。可替換地，可以執(zhí)行濕法(或干法，等離子體)各 向同性蝕刻，以底切氧化物層514，而不是提供如圖17b所示的直的 垂直邊緣，以便制造圖5所示的一般類型的結構。在另一個替換例中， 可以執(zhí)行濕法(或干法，等離子體)各向同性蝕刻，并在后續(xù)步驟中去 除足夠的提狀物材料，而仍舊留下圖17c所示的突出臺階。圖17c顯示在02等離子體灰化抗蝕劑剝除步驟后的結構，它減小 堤狀物504的厚度，增大孔徑，以暴露Si02層514的邊緣，如圖所示， 這樣，在像素邊緣處變薄不造成短路。這個步驟也清洗氧化物和下面 的ITO，使得它被很好地潤濕，準備好用于PEDOT溶液沉積，及隨 后的LEP沉積。本方法的實施例在抗蝕劑堤狀物像素阱的邊緣處提供親水作用， 并允許以自對準或部分自對準的方式實施這一點而不使用單獨的用于 氧化物層的掩模。而且，如果把邊緣(突出臺階或底切)結構形成在諸 如鋁的層一側上，則該層也可以提供有源像素的自然定義，因為當以 低功函數(shù)金屬形成陽極接觸(通常陽極是高功函數(shù)金屬如ITO)時，該 二極管結構是低效的。這個方法的實施例允許使用標準的正型光致抗 蝕劑(以保持良好的臺階覆蓋，用于在像素堤狀物邊緣的陰極金屬化)。 因此，LEP墨水可以(可選地)根據(jù)表面能修改處理過程(例如，CF4等 離子體處理，正如先前提到的)而被約束，而同時使得能夠使PEDT潤 濕和LEP潤濕過程去耦合。這允許對于LEP調整表面修整過程(潛在 地，使得能夠更好地約束在像素抗蝕劑內)，而PEDT潤濕可以對于在抗蝕劑上的PEDT接觸角不太敏感，因為它現(xiàn)在應當更多地或幾乎全 部依賴于自對準像素邊緣(突出臺階或底切)結構的親水或毛細作用。描述的結構(同一個出處)的優(yōu)點，特別是易于實現(xiàn)良好的金屬陰極接 觸，而在像素邊緣沒有不連續(xù)性，以及基本上使PEDOT和LEP潤濕 過程去耦合以便于適配于用于PEDOT和LEP(或其它發(fā)光材料)沉積 的分開的階段的結構(例如，表面修整)。而且，我們已描述的結構的 實施例可以通過使用自對準或部分自對準過程制作，而不需要例如附 加的掩模/構圖步驟。當陽極接觸用低功函數(shù)金屬(如小于4電子伏特) 并且/或這在沒有插入的空穴傳輸層的情況下形成時，其它實施例通過 利用發(fā)光二極管結構的固有低效率而達到對準容差。廣義地說，本發(fā) 明的實施例依賴于與表面能有關的技術，以便于在要沉積材料的阱的 側面上PEDOT(和LEP)溶劑的潤濕/束縳。以上描述的阱結構可以在寬范圍的溶液沉積的有機電子器件中釆 用。它們可以被結合到有源或無源矩陣電致發(fā)光顯示器件，或例如結 合到用于這樣的器件的基于TFT的有源矩陣背板，以準備用于比如說 堤狀物層和/或有機電子材料的沉積。無疑地，本領域技術人員可以想到許多其它有效的替換例。將會 明白，本發(fā)明不限于所描述的實施例，而可以包括對于本領域技術人 員明顯、且屬于這里所附權利要求的精神和范圍的修改方案。
權利要求
1.一種有機電子器件結構，該結構包括基板；由所述基板支撐的底部層，限定用于基于溶劑沉積有機電子材料的阱的底部；形成在所述基板上的一個或多個襯墊層；形成在所述襯墊層上的堤狀物層，用來限定所述阱的側面；并且其中與所述底部層相鄰的所述阱的邊緣被底切，以限定所述基板上方的支架，所述支架限定用來接納所述有機電子材料的凹口。
2. 如權利要求l所述的有機電子器件結構，其中所述支架的下側 基本上是水平的，并與所述基板或底部層隔開由所述一個或多個襯墊 層限定的距離。
3. 如權利要求1或2所述的有機電子器件結構，其中所述支架的 下側由所述堤狀物層限定。
4. 如權利要求1或2所述的有機電子器件結構，還包括在所述襯 墊層與所述堤狀物層之間的至少一個支架層，用于限定所述支架。
5. 如權利要求4所述的有機電子器件結構，其中至少一個支架層包括電介質層。
6. 如權利要求4或5所述的有機電子器件結構，其中所述至少一 個支架層包括金屬層。
7. 如前述任何一項權利要求所述的有機電子器件結構，其中所述 凹口被配置成允許所述襯墊層與所述有機電子材料之間的接觸。
8. 如權利要求7所述的有機電子器件結構，其中所述襯墊層包括 親水材料。
9. 如權利要求8所述的有機電子器件結構，其中所述襯墊層包括 硅的氧化物和/或氮化物。
10. 如權利要求8所述的有機電子器件結構，其中所述襯墊層包 括摻雜或未摻雜的硅。
11. 如前述任何一項權利要求所述的有機電子器件結構，其中所 述堤狀物層的厚度隨著接近所述阱的側面而朝著所述基板漸縮。
12. 如前述任何一項權利要求所述的有機電子器件結構，其中所 述堤狀物層包括正型光致抗蝕劑。
13. —種包括前述任何一項權利要求所述的結構的OLED顯示器 件，其中所述底部層包括陽極層，所述有機電子材料包括導電材料的 第一層和發(fā)光材料的第二層，并且所述凹口被所述導電材料的第一層 占用。
14. 一種在基板上制造有機電子器件的方法，該方法包括以下步驟在所述基板上制造一個或多個底部層； 在所述一個或多個底部層上制造一個或多個襯墊層； 在所述一個或多個襯墊層上沉積堤狀物材料； 蝕刻所述基板以限定阱，所述阱具有限定其底部的凹口的底切支 架；以及向所述阱中沉積有機電子材料。
15. 如權利要求14所述的方法，其中所述支架的下側基本上是水 平的，并與所述底部層隔開由所述一個或多個襯墊層限定的距離。
16. 如權利要求14或15所述的方法，其中所述蝕刻步驟包括對 所述阱和所述凹口的至少部分自對準蝕刻。
17. —種在用于基于液滴沉積制造有機電子器件的結構中形成液 滴沉積阱的方法，該方法包括以下步驟在基板上沉積親水材料層； 在所述親水材料層上沉積堤狀物材料層；對所述堤狀物材料層進行構圖，以限定形成一個或多個所述液滴 沉積阱的堤狀物；以及使用所述已構圖的堤狀物材料層作為掩模，以自對準工藝蝕刻所 述親水材料層。
18. 如權利要求17所述的方法，其中所述蝕刻步驟包括各向同性蝕刻以在所述親水層中在所迷堤狀物的邊緣處限定底切部分。
19. 如權利要求17所述的方法，其中所述蝕刻步驟包括各向異性 蝕刻。
20. 如權利要求17到19中任何一項所述的方法，其中所述堤狀 物由所述堤狀物材料的單個層和所述親水材料的單個層限定。
21. 如權利要求17到20中任何一項所述的方法，其中所述親水 材料包括電介質材料。
22. 如權利要求17到20中任何一項所述的方法，其中所述親水 材料包括金屬。
23. 如權利要求17到22中任何一項所述的方法，其中所述堤狀 物材料包括抗蝕劑材料，該方法還包括在所述蝕刻之后采用抗蝕劑 剝除過程來暴露與形成一個或多個所述液滴沉積阱的所述堤狀物的底 部相鄰的所述已蝕刻的親水材料層的上表面的一部分。
24. —種在用于基于液滴沉積制造有機電子器件的結構中形成液 滴沉積阱的方法，該方法包括以下步驟在基板上沉積親水材料層；在所述親水材料層上沉積抗蝕劑材料層；對所述抗蝕劑材料層進行構圖，以限定形成一個或多個所述液滴 沉積阱的堤狀物；對所述親水材料層進行構圖，以從所述一個或多個液滴沉積層阱 的底部區(qū)域的至少一部分去除所述親水材料；以及使用抗蝕劑剝除過程來暴露與形成一個或多個所述液滴沉積阱的 所述堤狀物的底部相鄰的所述已構圖的親水材料層的上表面的一部 分。
25. 如權利要求23或24所述的方法，其中所述抗蝕劑剝除過程 包括等離子體灰化。
26. 如權利要求17到25中任何一項所述的方法，還包括通過 使用液滴沉積工藝向所述液滴沉積阱沉積溶解的有機電子材料來制造 所述有機電子器件。
27. 如權利要求26所述的方法，其中所述有機電子器件包括 OLED器件，并且所述溶解的有機電子材料包括PEDOT的親水溶液。
28. —種有機電子器件，包括基板，該基板承載在填充有機電子 材料的多個液滴沉積阱下面的已構圖的親水材料層，其中與形成一個 或多個所述液滴沉積阱的所述堤狀物的底部相鄰的所述已構圖的親水 材料層的上表面的一部分暴露于所述有機電子材料。
29. —種有機電子器件結構，該結構包括 基板；以及由所述基板支撐的堤狀物層，限定用于基于溶劑沉積有機電子材 料的阱；并且其中所述結構還包括嵌條層，該嵌條層被構圖以限定位于所述阱 的內邊緣且在所述阱的底部的嵌條。
30. 如權利要求29所述的有機電子器件結構，其中所述嵌條包括 親水材料。
31. 如權利要求39所述的有機電子器件結構，其中所述嵌條包括 硅的氧化物和/或氮化物。
32. 如權利要求29到31中任何一項所述的有機電子器件結構， 其中所述堤狀物層的厚度隨著接近所述阱的側面而朝著所述基板漸 縮，并且所述嵌條覆在所述提狀物層的所述漸縮的部分上。
33. 如權利要求29到31中任何一項所述的有機電子器件結構， 還包括一個或多個臺階層，該臺階層被構圖以限定位于所述阱的所述 內邊緣處的臺階，并且其中所述嵌條鄰接所述臺階。
34. 如權利要求33所述的有機電子器件結構，還包括由所述基板 支撐的底部層，用于限定所述阱的所述底部，其中所述臺階層位于所 述底部層與所述基板之間，所述臺階包括所述底部層離所述基板的臺 階改變距離，并且所述嵌條鄰接所述底部層。
35. 如權利要求34所述的有機電子器件結構，包括至少兩個所述 臺階層，該至少兩個所述臺階層被構圖以限定位于所述阱的所述內邊 緣處用于所述嵌條的雙臺階。
36. 如權利要求34或35所迷的有機電子器件結構，其中所迷提 狀物層的厚度隨著接近所述阱的側面而朝著所述基板漸縮，以允許在 所述阱的所述內邊緣周圍所述底部層的位置與所述有機電子材料之間 的接觸。
37. 如權利要求29到36中任何一項所述的有機電子器件結構， 其中所述一個或多個臺階層包括用于所述有機電子器件的有源部分的 金屬和/或硅層。
38. —種OLED顯示器件，包括如權利要求29到37中任何一項 所述的結構，其中所述堤狀物層包括正型光致抗蝕劑，并且所述有機 電子材料包括導電材料的第 一層和發(fā)光材料的第二層。
39. —種在承載用于基于溶劑沉積有機電子材料的至少一個阱的 基板上制造有機電子器件的方法，該方法包括沉積嵌條層和各向異 性地蝕刻所述嵌條層，以在基于溶劑沉積所述有機電子材料以制造所 述器件之前限定位于所述阱的內邊緣處的嵌條。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于有機電子器件特別是有機發(fā)光二極管(OLED)的結構和制造。一種有機電子器件結構(500)，所述結構包括基板(506)；由所述基板(500)支撐的底部層(508)，限定用于有機電子材料(510，512)的基于溶劑的沉積的阱(502)的底部；被形成在所述底部層(508)上的一個或多個襯墊層(514)；被形成在所述襯墊層(514)上的堤狀物層(504)，限定所述阱(502)的側面；并且其中與所述底部層(508)相鄰的所述阱(502)的邊緣被底切，以限定所述底部層(508)上方的支架(516)，并且支架(516)限定用來接納所述有機電子材料(510)的凹口。
文檔編號H01L27/32GK101243553SQ200680030598
公開日2008年8月13日 申請日期2006年8月22日 優(yōu)先權日2005年8月23日
發(fā)明者哈德恩·格利高利, 朱利安·卡特 申請人:劍橋顯示技術有限公司