專利名稱：橫向發(fā)光二極管裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種橫向發(fā)光二極管裝置，特別是涉及一種焊接時可牢固地粘接于電路板上的橫向發(fā)光二極管裝置。
背景技術：
發(fā)光二極管的發(fā)光原理，是利用半導體固有特性，將電流順向流入半導體的PN接面，使其發(fā)出光線，所以LED被稱為冷光源(coldlight)；且因LED具有高耐久性、壽命長、體積小、耗電量低，而且不含水銀等有害物質等優(yōu)點，故可廣泛應用于電子產品及照明設備產業(yè)中。
目前現有橫向發(fā)光二極管的結構，請參閱圖1所示，其設有一電路基板10，基板10的正面蝕刻出二分隔的電路區(qū)11，基板10的下方二邊角為原始電路基板上的圓孔，據以形成二圓弧吃錫區(qū)12，二電路區(qū)11并分別與二吃錫區(qū)12電性連接；一發(fā)光晶片13固設于其中一電路區(qū)11上，并使用二金屬電極線14自發(fā)光晶片13的二電極引線到二電路區(qū)11上，令發(fā)光晶片13的二電極與二吃錫區(qū)12電性連接；電路基板10的正面安裝有一框體15，用以引導發(fā)光晶片13的光線自正面橫向發(fā)射出去。
安裝使用時，可利用表面粘著方式(SMT)，將二吃錫區(qū)12粘著于一電路板(未圖示)的預設錫點上，藉由電路板的電流通過發(fā)光晶片13，使發(fā)光晶片13釋放出光能。但是，現有橫向發(fā)光二極管其吃錫區(qū)12為圓弧狀，令焊錫無法往上充填整個吃錫區(qū)12，造成粘著面積狹小，粘著不牢固等缺憾，并導致該現有橫向發(fā)光二極管容易自電路板上脫落。
由此可見，上述現有的橫向發(fā)光二極管在結構與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決橫向發(fā)光二極管存在的問題，相關廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設計被發(fā)展完成，而一般產品又沒有適切的結構能夠解決上述問題，此顯然是相關業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設一種新型結構的橫向發(fā)光二極管裝置，便成為當前業(yè)界極需改進的目標。
有鑒于上述現有的橫向發(fā)光二極管存在的缺陷，本設計人基于從事此類產品設計制造多年豐富的實務經驗及專業(yè)知識，并配合學理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設一種新型結構的橫向發(fā)光二極管裝置，能夠改進一般現有的橫向發(fā)光二極管，使其更具有實用性。經過不斷的研究、設計，并經過反復試作樣品及改進后，終于刨設出確具實用價值的本實用新型。
發(fā)明內容
本實用新型的主要目的在于，克服現有的橫向發(fā)光二極管存在的缺陷，而提供一種新型結構的橫向發(fā)光二極管裝置，所要解決的技術問題是使其牢固地焊接于電路板上，從而更加適于實用。
本實用新型的目的及解決其技術問題是采用以下的技術方案來實現的。依據本實用新型提出的一種橫向發(fā)光二極管裝置，其包括一電路基板，其正面蝕刻出二分隔的電路區(qū)，且該基板的下方兩側面及與該二側面相連的左右底面各形成有一吃錫面，并分別與該二電路區(qū)電性連接，該二吃錫面各向內凹陷一定的高度，用以與一電路板間形成一可充填焊錫的間隙；一發(fā)光晶片，固設于該電路基板的其中一電路區(qū)上，并以二金屬電極線分別自該發(fā)光晶片的二電極引線到該二電路區(qū)上，令該發(fā)光晶片的二電極分別與該二吃錫面電性連接；以及一反射件，安裝于該電路基板的正面，該反射件內表面濺鍍有一高反射率金屬層，用以集光并引導該發(fā)光晶片的光線自該電路基板的正面橫向發(fā)射出去。
本實用新型的目的及解決其技術問題還可以可采用以下的技術措施來進一步實現。
前述的橫向發(fā)光二極管裝置，其中所述的高反射率金屬層為鋅、鋁、銀或金。
前述的橫向發(fā)光二極管裝置，其中所述的反射件可透過一環(huán)氧薄膜或接著劑粘結于該電路基板的正面上。
本實用新型與現有技術相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。經由以上可知，為了達到上述的目的，本實用新型橫向發(fā)光二極管裝置包括有一電路基板，基板之正面蝕刻出二分隔的電路區(qū)，且基板的下方兩側面及與該二側面相連的左右底面各形成有一吃錫面，該二吃錫面各向內凹陷一定的高度，并分別與該二電路區(qū)電性連接；發(fā)光晶片固設于電路基板的其中一電路區(qū)上，并以二金屬電極線分別自發(fā)光晶片的二電極引線到二電路區(qū)上，令發(fā)光晶片的二電極分別與二吃錫面電性連接；電路基板的正面安裝有一反射件，反射件內表面濺鍍有高反射率金屬層，用以集光并引導發(fā)光晶片之光線自電路基板的正面橫向發(fā)射出去。
借由上述技術方案，本實用新型橫向發(fā)光二極管裝置至少具有下列優(yōu)點本實用新型橫向發(fā)光二極管在安裝使用時，可利用表面粘著方式(SMT)，將二吃錫面粘著于一電路板的預設錫點上，藉由吃錫面與電路板問保留的間隙，令透過錫膏的表面張力，使錫膏可充填于此間隙，而能牢固地焊接于電路板上，不易脫落。
綜上所述，本實用新型具有上述諸多優(yōu)點及實用價值，其不論在裝置結構或功能上皆有較大的改進，在技術上有顯著的進步，并產生了好用及實用的效果，且較現有的橫向發(fā)光二極管具有增進的功效，從而更加適于實用，并具有產業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設計。
上述說明僅是本實用新型技術方案的概述，為了能夠更清楚了解本實用新型的技術手段，而可依照說明書的內容予以實施，并且為了讓本實用新型的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。
圖1為繪示現有一種橫向發(fā)光二極管的分解立體圖。
圖2為繪示本實用新型橫向發(fā)光二極管裝置的外觀立體圖。
圖3為繪示本實用新型橫向發(fā)光二極管裝置的分解立體圖。
圖4為繪示本實用新型橫向發(fā)光二極管裝置的使用狀態(tài)圖。
10電路基板11電路區(qū)12吃錫區(qū)13發(fā)光晶片14金屬電極線15框體20電路基板21電路區(qū)22吃錫面23金屬電極線30發(fā)光晶片40反射件41高反射率金屬層50環(huán)氧薄膜60電路板G 間隙具體實施方式
為更進一步闡述本實用新型為達成預定發(fā)明目的所采取的技術手段及功效，
以下結合附圖及較佳實施例，對依據本實用新型提出的橫向發(fā)光二極管裝置其具體實施方式
、結構、特征及其功效，詳細說明如后。
圖2、3分別繪示本實用新型橫向發(fā)光二極管裝置一較佳實施例的外觀立體圖及分解立體圖。參照圖2、3所示，本實用新型橫向發(fā)光二極管裝置包括有一電路基板20，基板20的正面蝕刻出二分隔的電路區(qū)21；且基板20的下方兩側面及與該二側面相連的左右底面各形成有一吃錫面22，二吃錫面22向內凹陷一定的高度，并分別與二電路區(qū)21電性連接。一發(fā)光晶片30固設于電路基板20的其中一電路區(qū)21上，并以二金屬電極線23分別自發(fā)光晶片30的二電極引線到二電路區(qū)21上，令發(fā)光晶片30的二電極分別與二吃錫面22電性連接。電路基板20的正面安裝有一框形反射件40，反射件40內表面濺鍍有一高反射率金屬層41(如鋅、鋁、銀或金等金屬層)，以提供較佳反射率，用以集光并引導發(fā)光晶片30的光線自電路基板的正面橫向發(fā)射出去(光線側射式發(fā)出)。反射件40可透過環(huán)氧薄膜50或接著劑粘結于電路基板20的正面上。
請參照圖4所示，本實用新型橫向發(fā)光二極管在安裝使用時，可利用表面粘著方式(SMT)，將二吃錫面22粘著于一電路板60的預設錫點上，藉由吃錫面22與電路板60間保留的間隙G，令透過錫膏的表面張力，使得錫膏可充填于此間隙G，而能將本實用新型發(fā)光二極管裝置牢固地焊接于電路板60上，不易脫落。
再者，電路基板30側面吃錫面22主要為電路基板下緣左右兩直角端，包覆兩直角的直橫兩側面為原始電路基板上的導通孔，導通孔壁已有電鍍，經切割后，即形成所見的吃錫面22。因此，吃錫面22與電路板60間可保持一定間隙G(如圖4所示)，透過錫膏的表面張力，使錫膏可充填于此間隙G，而能將發(fā)光二極管裝置牢固地焊接于電路板60上，令發(fā)光二極管裝置能側立于一般電路板60上，形成發(fā)出側射的橫向光源。
以上所述，僅是本實用新型的較佳實施例而已，并非對本實用新型作任何形式上的限制，雖然本實用新型已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本實用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術人員在不脫離本實用新型技術方案范圍內，當可利用上述揭示的技術內容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本實用新型技術方案的內容，依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實用新型技術方案的范圍內。
權利要求1.一種橫向發(fā)光二極管裝置，其特征在于包括一電路基板，其正面蝕刻出二分隔的電路區(qū)，且該基板的下方兩側面及與該二側面相連的左右底面各形成有一吃錫面，并分別與該二電路區(qū)電性連接，該二吃錫面各向內凹陷一定的高度，用以與一電路板間形成一可充填焊錫的間隙；一發(fā)光晶片，固設于該電路基板的其中一電路區(qū)上，并以二金屬電極線分別自該發(fā)光晶片的二電極引線到該二電路區(qū)上，令該發(fā)光晶片的二電極分別與該二吃錫面電性連接；以及一反射件，安裝于該電路基板的正面，該反射件內表面濺鍍有一高反射率金屬層，用以集光并引導該發(fā)光晶片的光線自該電路基板的正面橫向發(fā)射出去。
2.根據權利要求1所述的橫向發(fā)光二極管裝置，其特征在于其中所述的高反射率金屬層為鋅、鋁、銀或金。
3.根據權利要求1所述的橫向發(fā)光二極管裝置，其特征在于其中所述的反射件可透過一環(huán)氧薄膜或接著劑粘結于該電路基板的正面上。
專利摘要本實用新型是有關于一種橫向發(fā)光二極管裝置，包括有一電路基板，該基板的正面蝕刻出二分隔的電路區(qū)，該基板的下方兩側面及與該二側面相連的左右底面各形成有一吃錫面，該等吃錫面向內凹陷一定的高度，并分別與二電路區(qū)電性連接；發(fā)光晶片固設于其中一電路區(qū)上，并以二金屬電極線分別自發(fā)光晶片的二電極引線到二電路區(qū)上；基板的正面安裝有一反射件，反射件內表面濺鍍有高反射率金屬層。發(fā)光二極管裝置以其二吃錫面粘著于一電路板的預設錫點上，藉由吃錫面與電路板間保留的間隙，令透過錫膏的表面張力，使錫膏可充填于此間隙，而將發(fā)光二極管裝置牢固地焊接于電路板上。
文檔編號H01L33/00GK2929969SQ200620121009
公開日2007年8月1日 申請日期2006年6月27日 優(yōu)先權日2006年6月27日
發(fā)明者莊世任, 徐志宏 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司