專利名稱：改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其中針對(duì)真空腔體中晶圓載板下方的護(hù)板(back side shielding)進(jìn)行改進(jìn)，以便利于維修。
背景技術(shù)：
請(qǐng)參閱圖1，此為剖面示意圖，顯示現(xiàn)有技術(shù)之半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的大致結(jié)構(gòu)，此機(jī)臺(tái)例如可為蝕刻機(jī)臺(tái)或?yàn)R鍍(又稱物理氣相沉積，PVD)機(jī)臺(tái)。如圖所示，半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)中包括一個(gè)真空腔體(vacuum chamber)1，腔體中設(shè)有一個(gè)載板(pallet)2，其上可供承載晶圓(wafer)3；載板2的中心與一個(gè)支撐軸4連接，此軸4可控制載板升降或旋轉(zhuǎn)。除以上之外，在載板的下方通常也設(shè)有一個(gè)冷卻基座(cooling base)5，通過其中的冷卻液回路，以提供冷卻功能，藉由冷卻載板，而避免晶圓過熱。冷卻基座5與冷卻管路連接器6連接，冷卻液通過支撐軸4的內(nèi)部管路，再經(jīng)過冷卻管路連接器6而流入冷卻基座5，之后又經(jīng)過冷卻管路連接器6而流回支撐軸4的內(nèi)部管路。在冷卻基座5的下方一段短距離處，設(shè)有一個(gè)下方護(hù)板7，此下方護(hù)板7的作用是保護(hù)載板下方，而于蝕刻制程時(shí)，該下方護(hù)板7尚有更進(jìn)一步的作用由于蝕刻制程需在真空腔體內(nèi)產(chǎn)生等離子，而等離子會(huì)反應(yīng)于陰極上，故通過下方護(hù)板7接地，可使等離子完全反應(yīng)于載板上方的晶圓上。下方護(hù)板7藉由數(shù)個(gè)螺絲8而鎖在冷卻管路連接器6上。
上述現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的缺點(diǎn)是，并未考慮到維修清理下方護(hù)板7時(shí)的便利性。詳言之，例如遇到定期維修或其它維修場(chǎng)合，針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，必須先從上方拆卸掉載板2，才能拆取下方護(hù)板7予以清理。且在真空腔體進(jìn)行反應(yīng)的反應(yīng)物、所產(chǎn)生的生成物、或?yàn)R鍍產(chǎn)生的微粒，也可能經(jīng)由載板2和下方護(hù)板7之間的周邊空隙處，落入下方護(hù)板7上較接近內(nèi)側(cè)的深處，造成清理上較多的困擾。

發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供一種改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，該機(jī)臺(tái)便是要針對(duì)下方護(hù)板進(jìn)行改進(jìn)，以便使半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的維修較為便利。
根據(jù)上述目的，本實(shí)用新型提出的一種改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其包含一個(gè)真空腔體；一個(gè)位于上述真空腔體之內(nèi)的載板；一個(gè)支撐上述載板的支撐軸；以及一個(gè)位于載板下方的下方護(hù)板；其特征在于上述下方護(hù)板包括一個(gè)中心部份與一個(gè)周邊部份，彼此以可拆卸的方式連接。
如上所述的改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，因?yàn)槠湎路阶o(hù)板由可拆卸的兩部份所構(gòu)成，因此維修十分便利。在本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例中，周邊部份具有一個(gè)水平部份，此水平部份的位置比中心部份為高，此設(shè)計(jì)可進(jìn)一步使微粒不易掉入中心部份。
以下對(duì)具體實(shí)施例詳加說明，當(dāng)更容易了解本實(shí)用新型的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其所達(dá)成的功效。


圖1為剖面示意圖，顯示現(xiàn)有技術(shù)之半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的大致結(jié)構(gòu)。
圖2為剖面示意圖，顯示根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例之半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的結(jié)構(gòu)。
圖3顯示根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例之下方護(hù)板的頂視圖。
圖中符號(hào)說明1真空腔體2載板
3晶圓4支撐軸5冷卻基座6冷卻管路連接器7下方護(hù)板8螺絲60冷卻管路連接器70下方護(hù)板71中心部份72周邊部份73水平部份74垂直部份75銜接部份具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖2，此為剖視圖，顯示根據(jù)本實(shí)用新型實(shí)施例的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)。如圖所示，半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)包含一個(gè)真空腔體1；一個(gè)位于真空腔體內(nèi)的載板2；一個(gè)支撐載板的支撐軸4；以及一個(gè)位于載板下方的下方護(hù)板70。除此之外，在載板2的下方可設(shè)置一個(gè)冷卻基座5，以提供冷卻功能。冷卻基座5與冷卻管路連接器60連接，以便利冷卻液的流通。圖標(biāo)的冷卻管路連接器60，與圖1所示的冷卻管路連接器6不同，此為申請(qǐng)人的另一發(fā)明內(nèi)容，因非本案重點(diǎn)，在此不予贅述。下方護(hù)板70設(shè)置在冷卻基座5的下方一段短距離處，與冷卻管路連接器60銜接。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的差異在于，下方護(hù)板70并非如現(xiàn)有技術(shù)中的下方護(hù)板7一般，在單一水平線上形成一體。請(qǐng)同時(shí)參閱圖2的剖面圖與圖3的護(hù)板頂視圖，下方護(hù)板70包含兩個(gè)主要部份，亦即中心部份71和周邊部份72，彼此以可拆卸的方式連接。如此，當(dāng)有必要對(duì)半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)進(jìn)行維修，需要拆卸下方護(hù)板70時(shí)，僅拆除周邊部份72即可，且拆卸遠(yuǎn)較現(xiàn)有技術(shù)便利。
不但如此，如圖所示，周邊部份72和中心部份71并非位在同一水平線上。在本實(shí)施例中，周邊部份72包括一個(gè)水平部份73，此水平部份73的水平位置比中心部份71的水平位置為高。由于水平部份73和載板2之間的空間狹小，真空腔體1內(nèi)經(jīng)物理反應(yīng)或化學(xué)反應(yīng)所產(chǎn)生的微粒，便不易掉落至中心部份71上，而絕大部份甚至全部落在水平部份73之上。如有極少部分微粒掉落至中心部份71上，也將掉落在其外緣，故維修清理十分便利。
為達(dá)成以上目的，周邊部份72尚具有一個(gè)垂直部份74，其上緣與水平部份73的內(nèi)緣相接，目的是升高水平部份73的水平位置；此外尚有一個(gè)銜接部份75，以供與中心部份71銜接。銜接方式例如可使用螺絲76。
1.當(dāng)載板2的下方設(shè)置有冷卻基座5時(shí)，根據(jù)本實(shí)用新型，水平部份73的形狀最好與冷卻基座5相似，且面積較冷卻基座5(圖3之虛線)稍大。一般而言，可使水平部份73的面積，較冷卻基座5稍大5％-20％。在該實(shí)施例中，該下方護(hù)板的形狀呈圓形；該中心部份與周邊部份均為不銹鋼材質(zhì)；所實(shí)施的機(jī)臺(tái)可以為蝕刻機(jī)臺(tái)也可以是濺鍍機(jī)臺(tái)。
以上已針對(duì)較佳實(shí)施例來(lái)說明本實(shí)用新型，以上所述，僅為使熟悉本技術(shù)者易于了解本實(shí)用新型的內(nèi)容而已，并非用來(lái)限定本實(shí)用新型的權(quán)利范圍。熟悉本技術(shù)者，當(dāng)可在本實(shí)用新型概念之內(nèi)，立即思及各種等效變化。例如，銜接方式可以不一定要使用螺絲，而可使用其它方法；等等。故凡依本實(shí)用新型之概念與精神所為之均等變化或修飾，均應(yīng)包括于本實(shí)用新型的申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，包含一個(gè)真空腔體；一個(gè)位于上述真空腔體之內(nèi)的載板；一個(gè)支撐上述載板的支撐軸；以及一個(gè)位于載板下方的下方護(hù)板；其特征在于，上述下方護(hù)板包括一個(gè)中心部份與一個(gè)周邊部份，彼此以可拆卸的方式連接。
2.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，上述周邊部份具有一個(gè)水平部份，此水平部份的位置比中心部份為高。
3.如權(quán)利要求2所述的改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，上述周邊部份尚具有一個(gè)垂直部份，其上緣與水平部份的內(nèi)緣相接；及一個(gè)銜接部份，其外緣與垂直部份的下緣相接；其中該銜接部份與前述中心部份銜接。
4.如權(quán)利要求3所述的改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，該銜接部份與中心部份以螺絲銜接。
5.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，更包含一個(gè)位于載板下方的冷卻基座。
6.如權(quán)利要求5所述的改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，所述中心部份與該冷卻基座的頂視形狀相同，且面積較該冷卻基座大5％-20％。
7.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，該下方護(hù)板的形狀呈圓形。
8.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，該中心部份與周邊部份均為不銹鋼材質(zhì)。
9.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，此機(jī)臺(tái)為蝕刻機(jī)臺(tái)。
10.如權(quán)利要求1所述的改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，此機(jī)臺(tái)為濺鍍機(jī)臺(tái)。
專利摘要本實(shí)用新型提出一種改進(jìn)式半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其包含一個(gè)真空腔體；一個(gè)位于上述真空腔體之內(nèi)的載板；一個(gè)支撐上述載板的支撐軸；以及一個(gè)位于載板下方的下方護(hù)板；其特征在于上述下方護(hù)板包括一個(gè)中心部份與一個(gè)周邊部份，彼此以可拆卸的方式連接。本實(shí)用新型因?yàn)槠湎路阶o(hù)板由可拆卸的兩部份所構(gòu)成，因此維修十分便利。同時(shí)本實(shí)用新型的周邊部份具有一個(gè)水平部份，此水平部份的位置比中心部份為高，此結(jié)構(gòu)可進(jìn)一步防止微粒不易掉入中心部份。
文檔編號(hào)H01L21/31GK2929958SQ20062011983
公開日2007年8月1日 申請(qǐng)日期2006年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月2日
發(fā)明者劉相賢, 彭弼聲, 卓瑞斌 申請(qǐng)人:聯(lián)萌科技股份有限公司