專利名稱：半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體晶圓制造中的器具，尤其涉及一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)具有一遮套結(jié)構(gòu)，以降低污染物附著、提高清潔操作效率。
背景技術(shù)：
一般而言，半導(dǎo)體制程如化學(xué)沉積等制程常產(chǎn)生污染物，而附著于制程室內(nèi)的污染物易造成后制程的晶圓被前制程污染物所污染。如圖1所示，已知的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)10，其中包括制程室11、軟管12、以及真空阻絕件13，其中真空阻絕件13藉由軟管12連接于制程室11外側(cè)，以保持制程室11內(nèi)真空效果。制程室11又包括載盤111與移動(dòng)構(gòu)件112，載盤111設(shè)置于移動(dòng)構(gòu)件112上。當(dāng)晶圓14放置于載盤111上，移動(dòng)構(gòu)件112將載盤111移動(dòng)至定位以進(jìn)行半導(dǎo)體制程。半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)10在制程過程中所產(chǎn)生化學(xué)雜質(zhì)或碎物會(huì)附著于載盤111下方與移動(dòng)構(gòu)件112上，甚至附著在移動(dòng)構(gòu)件112與制程室11之間隙中，清理時(shí)必須拆卸移動(dòng)構(gòu)件112，使得操作過程十分不便以及半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)10維護(hù)效率無法提升。
因此，提供易于清潔以及降低污垢附著的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，以提高半導(dǎo)體制程品質(zhì)與效率，便成為半導(dǎo)體制程的關(guān)鍵課題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本實(shí)用新型之目的在于提供一種可改善污染物附著、提高清潔操作效率之半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其中藉由一遮套阻擋污染物附著，而此遮套設(shè)置于承載裝置外側(cè)，并連接于制程室內(nèi)壁以產(chǎn)生阻隔功能。
為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供的技術(shù)特征如下一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其中包括一制程室、一承載裝置、一晶圓載盤、一真空阻絕件、以及一遮套。晶圓載盤設(shè)置于制程室內(nèi)。承載裝置具有一頂端，此頂端連接于晶圓載盤。真空阻絕件則設(shè)置于承載裝置內(nèi)。遮套設(shè)置于承載裝置外側(cè)并連接于制程室之內(nèi)壁。
其中，該遮套為一不銹鋼軟管。
本實(shí)用新型中所敘述的真空腔的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，可用于晶圓沉積等制程中。
通過上述技術(shù)特征，本實(shí)用新型具有的有益效果在于清理半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)時(shí)僅需更換或清潔遮套，無須拆卸承載裝置，操作過程十分簡(jiǎn)易，該改進(jìn)結(jié)構(gòu)可以降低污染物附著、提高清潔操作效率。


圖1為已知的真空腔示意圖；圖2A為半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)操作示意圖。
圖中符號(hào)說明10已知的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)； 11制程室；111載盤；112移動(dòng)構(gòu)件；12軟管； 13真空阻絕件；14晶圓；20半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu) 21制程室；22承載裝置； 221頂端；22A套筒；22B旋轉(zhuǎn)動(dòng)件；23晶圓載盤 24真空阻絕件；
25遮套；26氣壓驅(qū)動(dòng)元件；26A氣壓缸； 26B步進(jìn)馬達(dá)；26C滑軌； 26D氣動(dòng)件。
具體實(shí)施方式
以下以具體之實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型揭示之各形態(tài)內(nèi)容加以詳細(xì)說明。
參照?qǐng)D2A，圖2A分別為根據(jù)本實(shí)用新型所提供的一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)20之示意圖，其中包括一制程室21、一承載裝置22、一晶圓載盤23、一真空阻絕件24、以及一遮套25。晶圓載盤23設(shè)置于制程室21內(nèi)。承載裝置22具有一頂端221，此頂端221連接于晶圓載盤23。真空阻絕件24則設(shè)置于承載裝置22內(nèi)。遮套25設(shè)置于承載裝置22之套筒22A外側(cè)，并連接于制程室21之內(nèi)壁。
進(jìn)一步說明，制程室21為一晶圓沉積制程室，可于其中進(jìn)行晶圓沉積等半導(dǎo)體制程。承載裝置22又包括一套筒22A與一旋轉(zhuǎn)動(dòng)件22B，其中套筒22A設(shè)置于制程室21內(nèi)，旋轉(zhuǎn)動(dòng)件22B連接于晶圓載盤23，而真空阻絕件24設(shè)置于套筒22A與該旋轉(zhuǎn)動(dòng)件22B之間。
其中，遮套25也可采用一具有粗操表面的不銹鋼軟管，而此粗操表面可經(jīng)由鋁電漿噴覆處理(Al Spray)達(dá)到粗操表面，加強(qiáng)污染物附著于遮套25表面之效果。
此外，真空阻絕件24可采用一磁流體(Magnet Feedthrough)，此磁流體包括一內(nèi)管(圖中未示)與一外管(圖中未示)，其中內(nèi)管是可轉(zhuǎn)動(dòng)的。在此內(nèi)管與外管之間設(shè)置一磁性流體材料(圖中未示)，在磁回路的作用下，磁性流體材料因承受磁力約束而將內(nèi)管與外管之間的間隙填滿，使磁流體具有阻絕與保障真空之功能。
又參照?qǐng)D2B，圖2B為圖2A中半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)20之一操作狀態(tài)示意圖。其中，半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)20又包括一氣壓驅(qū)動(dòng)元件26，且套筒22A與旋轉(zhuǎn)動(dòng)件22B皆連接于氣壓驅(qū)動(dòng)元件26上。此氣壓驅(qū)動(dòng)元件26包括一氣壓缸26A、一步進(jìn)馬達(dá)26B、數(shù)個(gè)滑軌26C、以及一氣動(dòng)件26D。氣壓缸26A固定設(shè)置于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)20上，而氣動(dòng)件26D則以可滑動(dòng)方式設(shè)置于氣壓缸26A中央。并且，氣動(dòng)件26D也固定設(shè)置于氣壓驅(qū)動(dòng)元件26上，藉由氣壓缸26A推動(dòng)氣壓驅(qū)動(dòng)元件26產(chǎn)生一升降運(yùn)動(dòng)。步進(jìn)馬達(dá)26B固定設(shè)置于氣壓驅(qū)動(dòng)元件26上，并連接于旋轉(zhuǎn)動(dòng)件22B。數(shù)個(gè)滑軌26C固定設(shè)置于半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)20上，用以引導(dǎo)氣壓驅(qū)動(dòng)元件26升降運(yùn)動(dòng)之方向。
氣壓驅(qū)動(dòng)元件26藉由氣壓缸26A推動(dòng)氣動(dòng)件26D，并藉由數(shù)個(gè)滑軌26B導(dǎo)引氣壓驅(qū)動(dòng)元件26產(chǎn)生升降運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而推動(dòng)套筒22A產(chǎn)生升降運(yùn)動(dòng)、同時(shí)驅(qū)使遮套25產(chǎn)生壓縮或拉伸動(dòng)作。套筒22A的升降運(yùn)動(dòng)，通過真空阻絕件24與旋轉(zhuǎn)動(dòng)件22B的連接，驅(qū)使晶圓載盤23同時(shí)產(chǎn)生一對(duì)應(yīng)升降運(yùn)動(dòng)。
又，因?yàn)樾D(zhuǎn)動(dòng)件22B連接于步進(jìn)馬達(dá)27C，當(dāng)步進(jìn)馬達(dá)27C旋轉(zhuǎn)時(shí)，經(jīng)由旋轉(zhuǎn)動(dòng)件22B驅(qū)使晶圓載盤23產(chǎn)生一旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，以利于半導(dǎo)體制程進(jìn)行。
此外，本實(shí)用新型之半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其中晶圓載盤23上包括數(shù)個(gè)支持銷(圖中未示)，支持銷的分布位置可適合頂起六時(shí)或八時(shí)用的晶圓載盤而不需更動(dòng)位置，亦即六時(shí)或八時(shí)晶圓皆可共用本實(shí)用新型的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，只需要更換適當(dāng)?shù)妮d盤，而不需要更動(dòng)機(jī)臺(tái)主要結(jié)構(gòu)。
雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟習(xí)此技藝者，在不脫離本實(shí)用新型之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與潤(rùn)飾。因此本實(shí)用新型的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其中包括一制程室；一晶圓載盤，設(shè)置于該制程室內(nèi)；一承載裝置，具有一頂端，該頂端連接于該晶圓載盤；一真空阻絕件，設(shè)置于該承載裝置內(nèi)；其特征在于，還包括一遮套，設(shè)置于該承載裝置外側(cè)，并連接于該制程室之內(nèi)壁。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，該制程室為一晶圓沉積制程室。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，該承載裝置包括一套筒與一旋轉(zhuǎn)動(dòng)件，該旋轉(zhuǎn)動(dòng)件連接于該晶圓載盤，而該真空阻絕件設(shè)置于該套筒與該旋轉(zhuǎn)動(dòng)件之間。
4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，該套筒連接于一氣壓驅(qū)動(dòng)元件上，該氣壓驅(qū)動(dòng)元件包括一氣壓缸、一氣動(dòng)件、以及數(shù)個(gè)滑軌。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，該氣壓驅(qū)動(dòng)元件依序連接該套筒、該真空阻絕件、以及該旋轉(zhuǎn)動(dòng)件。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其中該氣壓驅(qū)動(dòng)元件又包括一步進(jìn)馬達(dá)，該步進(jìn)馬達(dá)連接于該旋轉(zhuǎn)動(dòng)件。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，該真空阻絕件為一磁流體。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，該遮套為一不銹鋼軟管。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)，其特征在于，該半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)是一種六時(shí)或八時(shí)晶圓共用的機(jī)臺(tái)。
專利摘要一種適用于半導(dǎo)體的晶圓制程，具有降低污染物附著效果，以及提高清潔操作效率的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的改進(jìn)結(jié)構(gòu)。此半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)包括一制程室、一承載裝置、一晶圓載盤、一真空阻絕件、以及一遮套。承載裝置設(shè)置于制程室內(nèi)。晶圓載盤設(shè)置于承載裝置上。真空阻絕件則設(shè)置于承載裝置內(nèi)。遮套設(shè)置于承載裝置外側(cè)并連接于制程室的內(nèi)壁，其具有阻隔污染物附著于承載裝置上的功能，使半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)污染物附著降低并提高清潔操作效率。
文檔編號(hào)H01L21/31GK2929957SQ20062011983
公開日2007年8月1日 申請(qǐng)日期2006年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年8月2日
發(fā)明者劉相賢, 梁金堆, 林俊良 申請(qǐng)人:聯(lián)萌科技股份有限公司