專利名稱：半導體元件以及半導體元件的制造方法
技術領域：
本說明書中公開的發(fā)明涉及用于半導體器件的半導體元件的元件隔離。而且，本發(fā)明還涉及通過元件隔離而形成的半導體元件。
背景技術：
作為半導體元件之一的薄膜晶體管，一般縮寫為TFT，作為用于有源矩陣型顯示器件的開關元件而廣為所知。通常，在半導體元件諸如薄膜晶體管等的制造工藝中，為了進行元件隔離采用如下方法通過構圖和蝕刻將半導體膜隔離為島狀圖案(下面稱作光刻法)；通過液滴噴射法直接形成島狀圖案；通過熱氧化選擇性地形成用于元件隔離的氧化膜，該方法被稱為LOCOS(硅的局部氧化，下面稱作LOCOS法)。
然而，在利用液滴噴射法時的問題在于，和LOCOS法相比更難于實現(xiàn)元件的微細化。在利用光刻法的情況下，產(chǎn)生如下問題當形成具有與形成在襯底上的基底膜的表面幾乎垂直(90°±10°)的側面的島狀圖案時，形成的島狀圖案的拐角部分(端部)成為如專利文件1的圖5A所示那樣的房檐狀，這是因為不僅半導體膜而且基底膜也被蝕刻的緣故。
即使能夠形成島狀圖案而不成為房檐狀，也通過對形成的島狀圖案執(zhí)行氫氟酸清洗，基底膜被蝕刻。因此，該島狀圖案的拐角部分成為房檐狀。在半導體元件的制造工藝中，氫氟酸清洗是為了去除形成在硅表面的自然氧化膜來獲得清潔的表面而經(jīng)常執(zhí)行的清洗方法。
如上述那樣房檐狀被形成之后，通過CVD法等形成柵絕緣膜以覆蓋島狀圖案時，例如專利文件1的圖5B所示那樣，存在形成的柵絕緣膜的厚度不均勻并產(chǎn)生薄部分，或在柵絕緣膜中產(chǎn)生裂縫等的問題。該問題隨著將柵絕緣膜形成為具有薄而均勻的厚度，越來越變得明顯。并且，上述問題被認為是導致通過柵絕緣膜的漏電流的原因。在專利文件1所描述的發(fā)明中，為了解決上述問題，當房檐狀形成之后在氧化氣氛中照射紅外光或激光，或在氧化氣氛中執(zhí)行加熱，以在島狀圖案的表面上形成薄氧化膜，并且進一步用CVD法等形成絕緣膜。然而，在這種情況下也由于不能解決房檐狀的形成問題，所以難以將柵絕緣膜形成為具有薄而均勻的厚度，并且存在用于形成柵絕緣膜的步驟數(shù)目增加的問題。
另一方面，當通過LOCOS法進行元件隔離而不形成島狀圖案時，需要在大約1000℃的高溫氧化氣氛中執(zhí)行硅的氧化。因此，作為使用的襯底，不可使用不能承受1000℃的高溫的襯底，例如塑料襯底和以無堿玻璃為代表的玻璃襯底等。另外，雖然有能夠承受1000℃的商用石英襯底(也稱作二氧化硅玻璃襯底)，但是石英襯底比玻璃襯底昂貴。
最近已注意了用高密度等離子體處理設備來形成半導體元件的柵絕緣膜的方法。例如，專利文件2中公開了通過使被等離子體激發(fā)而激活的氮與SOI(絕緣體基硅)襯底的半導體層直接反應而在該半導體層上形成將要用作柵絕緣膜的氮化硅層。此外，專利文件2中描述了在每個元件形成區(qū)域中SOI襯底的半導體層彼此隔離。然而，對于隔離的方法，專利文件2所描述的僅是通過干蝕刻法在半導體層中形成溝槽，或者用STI(Shallow Trench Isolation淺槽隔離)法等形成元件隔離區(qū)域這一點。
專利文件1日本專利申請公開特開平7-094756號公報(圖5A和5B)專利文件2日本專利申請公開2004-319952號公報發(fā)明內容本說明書所公開的發(fā)明的目的是，在用于半導體器件的半導體元件的制造工藝中，以比現(xiàn)有技術更簡單的方法制造半導體元件，該半導體元件抑制產(chǎn)生通過柵絕緣膜的漏電流。而且，本發(fā)明的另一個目的是提供一種元件隔離方法，該元件隔離方法不需要在不能使用玻璃襯底的高溫下進行熱處理，并且可以和采用LOCOS法的元件隔離相同或更高程度地實現(xiàn)元件微細化。
當進行元件隔離時，使用高密度等離子體處理設備，選擇性地使半導體膜氧化，以在該半導體膜上選擇性地形成用于元件隔離的氧化膜。也可以使用高密度等離子體處理設備選擇性地形成氮化膜來代替形成氧化膜。該用來形成氧化膜和氮化膜的高密度等離子體處理設備不用磁場而用微波在室中激勵等離子體，可以在被處理物上同時實現(xiàn)小于或等于1.5eV的電子溫度和大于或等于1×1011cm-3的電子密度。由此，因為它能夠在低電子溫度下產(chǎn)生高密度等離子體，可以抑制對元件的等離子體損傷。
等離子體是電離氣體，其中存在大約相等數(shù)量的帶負電的電子和帶正電的離子，總體上是電中性的。等離子體的每單位體積中包含的電子密度或離子密度稱為等離子體密度，在本說明書所公開的發(fā)明中，等離子體密度是指電子密度。此外，在等離子體中生成電中性的自由基例如氧自由基，該自由基對將進行等離子體處理的被處理物有作用。因此，利用高密度等離子體處理設備的氧化和氮化有時分別被稱為自由基氧化和自由基氮化。
本說明書中公開的發(fā)明是一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟第一步驟，在玻璃襯底上形成基底膜；第二步驟，在所述基底膜上形成半導體膜；第三步驟，在所述半導體膜上按預定的圖案形成防止該半導體膜的氧化或氮化的膜；第四步驟，在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜的不被所述預定的圖案所覆蓋的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而進行元件隔離。
可以將在上述第三步驟中被形成為預定圖案的、防止氧化或氮化的膜用作柵絕緣膜。
本說明書中公開的另一個發(fā)明是一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟第一步驟，在玻璃襯底上形成基底膜；第二步驟，在所述基底膜上形成半導體膜；第三步驟，在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而在該半導體膜的表面上形成氧化膜或氮化膜；第四步驟，在所述氧化膜或所述氮化膜上形成防止所述半導體膜的氧化或氮化的膜；第五步驟，將所述氧化膜或所述氮化膜以及所述防止氧化或氮化的膜形成為預定的圖案；第六步驟，在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜的不被所述預定的圖案所覆蓋的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而進行元件隔離。
可以將在上述第五步驟中被形成為預定圖案的氧化膜或氮化膜用作柵絕緣膜，并且，使用在上述第五步驟中被形成為預定圖案的、防止氧化或氮化的膜而在上述第六步驟之后形成柵電極。
本說明書中公開的另一個發(fā)明是一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟第一步驟，在玻璃襯底上形成柵電極；第二步驟，在所述柵電極上形成柵絕緣膜；第三步驟，在所述柵絕緣膜上形成半導體膜；第四步驟，與所述柵電極重疊地在所述半導體膜上按預定的圖案形成防止該半導體膜的氧化或氮化的膜；第五步驟，在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜的不被所述預定的圖案所覆蓋的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而進行元件隔離；第六步驟，去除所述按預定的圖案形成的防止氧化或氮化的膜。
在如下條件的等離子體處理室內執(zhí)行所述自由基氧化或所述自由基氮化在和等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的半導體膜上(特別是該半導體膜的表面或表面附近)，電子溫度為0.5eV至1.5eV，優(yōu)選為1.0eV或更低，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3。這種電子溫度以及電子密度的范圍是能夠減少對半導體膜的等離子體損傷，并可靠地執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化的條件。在進行用于元件隔離的自由基氧化或自由基氮化時，只要能夠使相鄰的元件電隔離，不需要使半導體膜從表面到背面完全氧化或氮化。
使玻璃襯底的溫度為比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度是因為考慮了玻璃襯底的耐熱性。在使用具有等于或高于650℃的應變點的玻璃襯底的情況下，玻璃襯底的溫度優(yōu)選為550℃或更低，例如設定為400℃。一般來說，用于形成半導體元件，尤其是用于形成薄膜晶體管的玻璃襯底具有超過500℃且700℃或更小的應變點。因此，在400℃的溫度下，玻璃襯底不受到溫度的影響，從而不需考慮變形等所引起的問題。為了形成具有所希望的膜質量及膜厚度的氧化膜或氮化膜，玻璃襯底的最低溫度設定為200℃。
可以使用柔性(撓性)襯底例如塑料襯底來代替玻璃襯底。本說明書所公開的發(fā)明中，優(yōu)選使用具有200℃或更高玻璃轉化點的耐熱塑料襯底。在執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化時，需要將塑料襯底的溫度設定為等于或低于該襯底的玻璃轉化點。注意，在某一溫度以下，由于分子運動被限制，因此塑料具有硬質的玻璃特性。但在加熱到某一溫度以上時，由于分子處于容易運動的狀態(tài)，所以塑料具有軟質的橡膠特性。該溫度是玻璃轉化點。
上述防止氧化或氮化的膜保護被該膜所覆蓋的部分的半導體膜以便防止自由基氧化或自由基氮化。作為這種膜，例如可以使用鎢膜。除了鎢之外，也可以采用鈦等其他金屬膜。除了金屬膜等的導電膜之外，也可以采用絕緣膜。通過組合CVD法或濺射法和光刻法將所述防止氧化或氮化的膜形成為預定的圖案。通過如噴墨法等的液滴噴射法或如絲網(wǎng)印刷法等的印刷法，可以直接形成預定的圖案。
上述半導體膜的結晶狀態(tài)可以是非晶體、多晶體和單晶體之中的任何一個。另外，作為上述半導體膜，例如，可以使用具有所述結晶狀態(tài)中的任何一個的硅膜或包含硅和鍺的膜，或者包含非晶硅和晶體硅兩者的膜。
根據(jù)本說明書所公開的發(fā)明，可以在不影響玻璃襯底或塑料襯底的溫度下執(zhí)行元件隔離，而不形成島狀圖案或溝槽(trench)。通過該元件隔離，可以和采用現(xiàn)有LOCOS法的情況相同或更高程度地實現(xiàn)元件微細化。由于與在形成島狀圖案的情況不同，在此形成的半導體元件不具有房檐狀，所以可以減少漏電流。


圖1A至1F是表示根據(jù)實施方式1的薄膜晶體管的制造工藝的截面圖；圖2A表示高密度等離子體處理設備，圖2B表示高密度等離子體處理室的截面；圖3A至3D是表示根據(jù)實施方式2的薄膜晶體管的制造工藝的截面圖；圖4A至4D是表示根據(jù)實施方式3的薄膜晶體管的制造工藝的截面圖；圖5A和5B是表示對附著有灰塵的絕緣膜執(zhí)行等離子體處理的狀態(tài)的截面圖；圖6A至6E是表示根據(jù)實施方式4的薄膜晶體管的制造工藝的截面圖；圖7是表示液晶顯示器件的截面圖；圖8A至8C是顯示器件的表面的示意圖；圖9是表示電致發(fā)光顯示器件的截面圖；圖10A至10D表示電子設備；圖11A和11B是表示RFID標簽的框圖；圖12是表示RFID標簽的截面圖；圖13A至13E表示RFID標簽的使用例子。
具體實施例方式
下述實施方式中，將描述在制造薄膜晶體管作為半導體元件的過程中使用高密度等離子體處理設備來執(zhí)行元件隔離的實例。每個實施方式可以將彼此結合適當執(zhí)行。
實施方式1
如圖1A所示，在玻璃襯底101上形成基底膜102?？梢允褂媚蜔崴芰弦r底來代替玻璃襯底。只要能夠承受200℃或更高的等離子體處理時的溫度，就可以使用其他襯底?；啄?02可以采用由一層或多層構成的結構，且在本實施方式中，通過CVD法等連續(xù)形成氮化硅膜和在其上的SiOxNy膜(x，y＞0)。為了提高和玻璃襯底101等的粘結性，氮化硅膜優(yōu)選使用含氧的氮化硅膜。下文中，本說明書所描述的氮化硅膜也同樣地可以含有氧。
形成基底膜102的目的是防止雜質從玻璃襯底101擴散到以后形成的半導體膜。因此，因為氧化硅膜不足以達到該目的，需要形成比氧化硅膜更有效防止雜質擴散的氮化硅膜或SiOxNy膜。此外，在與硅的粘結性方面，SiOxNy膜優(yōu)于氮化硅膜。
在基底膜102的整個表面上形成厚度為10nm至70nm的半導體膜103?？紤]到之后對半導體膜103執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化，半導體膜103的厚度優(yōu)選為20nm或更薄，但即使具有超過20nm的厚度，只要能夠通過自由基氧化或自由基氮化執(zhí)行元件隔離，就沒有問題。在本實施方式中，作為半導體膜103，通過CVD法形成非晶硅膜。通過CVD法而形成的非晶硅膜中含有來自原料氣體的氫。
然后，根據(jù)需要，通過下面說明的方法來晶化上述非晶硅膜以形成多晶硅膜。晶化方法之一如下在非晶硅膜的一部分或整個表面上形成含有促進非晶硅的晶化的元素諸如鎳等的層，接著，在比玻璃襯底101的應變點低100℃以上的溫度(例如550℃)下加熱預定時間(例如4個小時)晶化非晶硅膜。另一晶化方法如下在非晶硅膜的整個表面上照射激光來晶化非晶硅膜，其中所述激光通過光學系統(tǒng)被加工成其截面具有線狀、橢圓狀或矩形狀。也可以組合這兩種方法。此外，也可以通過RTA(Rapid Thermal Anneal快速熱退火)來晶化非晶硅膜以代替激光照射。當使用塑料襯底時，通過利用激光照射或RTA的方法來晶化非晶硅膜。
作為可用于上述晶化方法的激光，可以使用連續(xù)振蕩激光或者脈沖振蕩激光。具體來說，可以采用由如下的一種或多種激光器振蕩的激光，即氣體激光器諸如Ar離子激光器、Kr離子激光器、受激準分子激光器、銅蒸氣激光器、金蒸氣激光器；固體激光器諸如將在單晶的YAG、YVO4、Mg2SiO4、YAlO3、或GdVO4中添加Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質的激光器；將在多晶的YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、或GdVO4中添加Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質的激光器；玻璃激光器；紅寶石激光器；變石激光器；Ti蘭寶石激光器。通過照射這種激光的基波及這些基波的二次、三次或四次諧波的激光，可以獲得大粒徑的晶體。例如，可以采用Nd:YVO4激光器的二次諧波(波長532nm)或者三次諧波(波長355nm)，該激光能夠進行連續(xù)振蕩和脈沖振蕩。在采用連續(xù)振蕩的情況下，需要0.01至100MW/cm2(優(yōu)選0.1至10MW/cm2)的激光功率密度。而且，以10至2000cm/sec的掃描速度來將激光照射到非晶硅膜。
將在單晶的YAG、YVO4、Mg2SiO4、YAlO3、或GdVO4中添加Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質的激光器；將在多晶的YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、或GdVO4中添加Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm、Ta之中的一種或多種作為摻雜物而獲得的材料用作介質的激光器、Ar離子激光器、或Ti蘭寶石激光器可以進行連續(xù)振蕩和脈沖振蕩，而且，可以以10MHz或更高的振蕩頻率使激光進行脈沖振蕩。當使用10MHz或更高的振蕩頻率來使激光振蕩時，在非晶硅膜被某一個脈沖照射而熔化后到固化之前的期間中，照射下一個脈沖。因此，不同于使用振蕩頻率遠遠低于10MHz的脈沖振蕩激光的情況，可以獲得沿激光的掃描方向連續(xù)生長的晶粒。
在非晶硅膜含有氫的情況下，優(yōu)選在通過激光照射進行晶化之前執(zhí)行加熱處理，以便從該非晶硅膜中釋放氫。在執(zhí)行晶化后，為了進行溝道摻雜，可以對得到的多晶硅膜的整個表面上摻雜賦予一種導電類型的雜質諸如硼。此外，在執(zhí)行晶化后，有一種趨勢是多晶硅膜的厚度比當初的非晶硅膜的厚度稍薄。
如圖1B所示，在半導體膜103上按預定的圖案形成防止該半導體膜氧化的膜104。在本實施方式中，通過濺射法等在半導體膜103的整個表面上形成鎢膜，然后通過光刻法將該鎢膜形成為預定的圖案。鎢膜具有一種特性，即，在以后進行自由基氧化時通過選擇處理條件不在其表面上形成氧化膜。作為氧化防止膜104，只要能夠防止半導體膜103的自由基氧化，也可以使用由鎢之外的其他材料構成的膜。另外，可以通過液滴噴射法(噴墨法)或絲網(wǎng)印刷法等直接形成氧化防止膜104的預定圖案。通過將氧化防止膜104的厚度設為等于或大于半導體膜103的厚度，可以可靠地防止半導體膜103的自由基氧化。
當執(zhí)行自由基氮化而不是自由基氧化時，需要形成能夠防止半導體膜103自由基氮化的膜來代替氧化防止膜104。同樣，當執(zhí)行自由基氧化和自由基氮化兩者的情況下，需要形成能夠防止半導體膜103的自由基氧化以及自由基氮化的膜。
使用圖2A和2B所示的高密度等離子體處理設備對于半導體膜103執(zhí)行自由基氧化。圖2A和2B所示的高密度等離子體處理設備僅是一個例子，且不限于這些圖中示出的結構。
圖2A所示的高密度等離子體處理設備具有多室結構，且至少包括第一等離子體處理室201、第二等離子體處理室202、裝載鎖定室(loadlock chamber)203以及公共室204。在第一等離子體處理室201中執(zhí)行自由基氧化，且在第二等離子體處理室202中執(zhí)行自由基氮化。圖2A中的每個室都是抽真空的，可以連續(xù)執(zhí)行自由基氧化和自由基氮化而不使處理襯底200暴露于空氣中。在本實施方式中，玻璃襯底101相當于處理襯底200，該玻璃襯底101上形成有基底膜102、半導體膜103、形成為預定圖案的氧化防止膜104。
除了圖2A中示出的處理室，該高密度等離子體處理設備優(yōu)選還包括能夠執(zhí)行自由基氧化和自由基氮化之外的處理的處理室，諸如用于CVD的處理室、用于濺射的處理室、用于干蝕刻的處理室、用于離子摻雜的處理室、用于熱處理的處理室。由此，能夠通過比現(xiàn)有技術更少的設備制造薄膜晶體管，從而，可以提高制造效率并減少制造成本。
在公共室204中提供機械手205。在裝載鎖定室203中，提供容納多個處理襯底200的盒子206。盒子206中容納的處理襯底200可以使用機械手205通過公共室204傳遞到第一等離子體處理室201或第二等離子體處理室202。此外，處理襯底200可以使用機械手205通過公共室204從第一等離子體處理室201傳遞到第二等離子體處理室202，或者，也可以通過公共室204從第二等離子體處理室202反向傳遞到第一等離子體處理室201。
圖2B示出了第一等離子體處理室201和第二等離子體處理室202中的共同結構。能夠使壓力降低到預定壓力的真空泵(未示出)與等離子體處理室相連，并從排氣口210排氣。此外，在等離子體處理室中提供襯底保持臺211，需要進行自由基氧化或自由基氮化的處理襯底200固定在襯底保持臺211上。該襯底保持臺211配備有加熱器以加熱處理襯底200。
諸如氧氣、氮氣、氫氣、稀有氣體或氨氣之類的氣體從氣體引入孔進入到等離子體處理室，如箭頭212所示。用于激發(fā)等離子體的微波213通過在天線214上提供的波導215引入。天線214由產(chǎn)生用于激發(fā)等離子體的電場的部分、槽縫和慢波板構成。槽縫的形狀為形成有多個細長孔的板狀，諸如園板狀。
等離子體在電介質板216正下方的用斜線所表示的區(qū)域217中產(chǎn)生，并通過形成有多個孔的噴射板218供給到處理襯底200上。也可以不提供噴射板218而將所產(chǎn)生的等離子體供給到處理襯底200上。處理襯底200和產(chǎn)生等離子體的區(qū)域217被分開配置。該等離子體處理室中獲得的等離子體具有小于或等于1.5eV的電子溫度和大于或等于1×1011cm-3的電子密度，換句話說，獲得了低電子溫度和高電子密度，且具有0V至5V的等離子體電位。關于這種等離子體參數(shù)可以通過諸如雙探針法等的探針測量方法測量。
此外，作為能夠獲得高電子密度等離子體的設備，已知電子回旋共振(ECR)等離子體CVD設備。該ECR等離子體CVD設備需要在等離子體處理室周圍設置用于產(chǎn)生磁場的磁鐵。另一方面，本實施方式所使用的高密度等離子體處理設備不需要提供磁鐵，因為在產(chǎn)生等離子體時不使用磁場。
本實施方式中，將氬氣、氫氣和氧氣調整為預定的流量比例如Ar/H2/O2＝500sccm∶10sccm∶5sccm而引入到第一等離子體處理室201，使用頻率為2.45GHz的微波產(chǎn)生等離子體?？梢砸肫渌∮袣怏w代替氬氣。第一等離子體處理室201中的壓力設定為在5Pa至500Pa范圍內的最佳值，例如133.33Pa。在第一等離子體處理室201的襯底保持臺211上提供玻璃襯底101，該玻璃襯底101上形成有基底膜102、半導體膜103、形成為預定圖案的氧化防止膜104，并且該玻璃襯底101的溫度保持在400℃。在使用耐熱塑料襯底的情況中，該塑料襯底的溫度保持在等于或低于該襯底的玻璃轉化點的溫度，但保持在200℃或更高的溫度。而且，對于在半導體膜103的不被形成為預定圖案的氧化防止膜104所覆蓋的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化。
在氧化防止膜104為鎢膜的情況下，有如下特征如果將氬氣、氫氣和氧氣之中的氫氣和氧氣的流量比H2/O2設定為2或更高，鎢膜不被氧化而半導體膜103被氧化。推定其原因可能在于鎢膜和氧自由基起反應而暫時形成氧化鎢，但該氧化鎢和氫自由基起反應而還原為鎢。根據(jù)上述推定，通過暴露于空氣中而形成在鎢膜表面的自然氧化膜也被氫自由基去除掉。但是，隨著氫氣和氧氣的流量比H2/O2超過2，越來越抑制半導體膜103的氧化。因此，氫氣和氧氣的流量比H2/O2優(yōu)選為4或更小。這樣，通過使用鎢膜作為氧化防止膜104，能夠選擇性地只對半導體膜103執(zhí)行自由基氧化。
通過上述自由基氧化，如圖1C所示，形成氧化膜105作為隔離相鄰元件之間的絕緣膜。在執(zhí)行自由基氮化時，形成氮化膜來代替氧化膜105。為了使元件之間完全隔離，半導體膜103的不被形成為預定圖案的氧化防止膜104所覆蓋的區(qū)域優(yōu)選被完全自由基氧化，但是只要相鄰的元件之間電絕緣，也可以不使該區(qū)域的半導體膜103從表面到背面(接觸到基底膜102的面)完全氧化。這種情況例如相當于，半導體膜103具有和以后形成的高濃度雜質區(qū)域相反的導電類型的情況。在半導體膜103的厚度為10nm或更薄時，容易通過自由基氧化使該半導體膜103從表面到背面氧化。然而，當半導體膜的厚度超過20nm時，不容易通過自由基氧化使該半導體膜103從表面到背面完全氧化。
因為半導體膜103上的等離子體具有小于或等于1.5eV的電子溫度和大于或等于1×1011cm-3的電子密度，并且半導體膜103和圖2B所示的等離子體產(chǎn)生區(qū)域217彼此離開，所以對通過自由基氧化而獲得的氧化膜105的等離子體損傷被抑制。通過使用2.45GHz的微波產(chǎn)生等離子體，可以比使用13.56MHz的頻率的情況容易獲得低電子溫度和高電子密度。此外，只要能夠獲得低電子溫度和高電子密度，不局限于2.45GHz的微波。
然后，如圖1D所示，去除形成為預定圖案的氧化防止膜104。本實施方式中，由于使用鎢膜作為氧化防止膜104，所以通過利用過氧化氨(ammonia-peroxide mixture)的濕蝕刻法而去除該膜。當去除鎢膜時，在不去除掉氧化膜105的前提下，也可以使用除了上述之外的蝕刻劑，并且不局限于濕蝕刻也可以進行干蝕刻。通過使用由于自由基氧化不在其表面形成氧化膜的鎢膜作為氧化防止膜104，可容易只去除氧化防止膜104而不去除氧化膜105。
然后，在去除了氧化防止膜104的區(qū)域之上形成柵絕緣膜106。柵絕緣膜106通過CVD法等形成氧化硅膜、氮化硅膜或SiOxNy膜(x，y＞0)而構成。如圖1E所示，不僅在去除了氧化防止膜104的區(qū)域，即半導體膜103的沒有形成氧化膜105的區(qū)域，而且可以在氧化膜105上形成柵絕緣膜106。也可以通過使半導體膜103自由基氧化來形成柵絕緣膜106。在自由基氧化后半導體膜103在氧化膜105下部殘留時，由于在半導體膜103自由基氧化時，氧自由基擴散在氧化膜105中，因此，可以在氧化膜105和半導體膜103的界面上進行氧化。也可以用自由基氮化來代替自由基氧化來形成柵絕緣膜106。
即使在通過CVD法等形成柵絕緣膜106之前對半導體膜103進行氫氟酸清洗，也不會形成現(xiàn)有技術中所形成的房檐狀。這是因為半導體膜103不形成為島狀圖案并且存在著氧化膜105的緣故。此外，通過控制氫氟酸清洗的時間，可以使厚度比去除了氧化防止膜104的半導體膜103稍厚的氧化膜105平整化到和半導體膜103相同的水平。
存在灰塵附著在由CVD法或濺射法形成的膜上的情況。盡管可以考慮所述灰塵的各種形狀，但圖5A中示出了由無機物質形成的粒狀灰塵501附著到通過CVD法或濺射法形成的絕緣膜500的表面的狀態(tài)。在此，考慮對具有灰塵501附著在其上的絕緣膜500使用圖2A和2B所示的高密度等離子體處理設備執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化的情況。注意上述灰塵也稱為顆粒，要求通過CVD法、濺射法形成的膜具有盡可能少的顆粒。
通過自由基氧化或自由基氮化，如圖5B所示，灰塵501的表面部分502被氧化或氮化。因此，灰塵501的體積增大。此外，當絕緣膜500由氧化硅膜形成時，通過自由基氮化，不僅對絕緣膜500的不存在灰塵501的區(qū)域執(zhí)行氮化，而且氮化也蔓延到灰塵501下部的絕緣膜500。
此時，灰塵501處于可以通過簡單的清洗方法例如刷洗或兆頻超聲波清洗等很容易從絕緣膜500的表面去除的狀態(tài)。這樣，通過等離子體處理，甚至納米級的灰塵也很容易被去除。所述情況不僅適用于本實施方式，同樣適用于其它對附著有灰塵(顆粒)的膜(不局限于柵絕緣膜)執(zhí)行等離子體處理的實施方式。
上述描述用于灰塵(顆粒)由無機物質形成的情況。然而，在灰塵由有機物質形成的情況下，通過自由基氧化使其灰化，從而即使在不另外執(zhí)行清洗的情況下也可以去除灰塵(顆粒)。
接下來，在柵絕緣膜106上形成柵電極107。柵電極107可以具有單層、兩層或更多層的疊層結構，也可以形成為錐形形狀。接著，以柵電極107作為掩模將賦予N型的雜質諸如磷等摻雜到半導體膜103。
然后，根據(jù)需要在柵電極107的側面形成由絕緣體構成的側壁108。通過形成絕緣膜以覆蓋柵絕緣膜106以及柵電極107并且對該絕緣膜進行各向異性蝕刻而形成側壁108。在該各向異性蝕刻時柵絕緣膜106也被蝕刻的情況下，如圖1F所示，柵絕緣膜106只要至少殘留在柵電極107和側壁108的下方即可。
通過用柵電極107和側壁108作為掩模，以比前面的摻雜高的劑量將磷等賦予N型的雜質摻雜到半導體膜103，來和氧化膜105(使相鄰的元件之間隔離的絕緣膜)鄰接地形成高濃度雜質區(qū)域109，即源區(qū)域以及漏區(qū)域。側壁108的下方成為和高濃度雜質區(qū)域109鄰接的低濃度雜質區(qū)域110(也稱作LDD區(qū)域)。此外，夾在一對低濃度雜質區(qū)域110之間的區(qū)域是溝道形成區(qū)域。然后，使摻雜的雜質激活。另外，當形成低濃度雜質區(qū)域110和高濃度雜質區(qū)域109時，也可以摻雜硼等賦予P型的雜質來代替賦予N型的雜質。
然后，形成保護膜111以覆蓋柵電極107等，而且通過CVD法等在保護膜111上形成層間絕緣膜112。保護膜111和層間絕緣膜112也可以分別稱作第一層間絕緣膜以及第二層間絕緣膜。而且，通過對保護膜111和層間絕緣膜112進行干蝕刻，形成使高濃度雜質區(qū)域109的一部分露出的接觸孔，以便通過該接觸孔將布線113和高濃度雜質區(qū)域109電連接。
布線113可以具有兩層或更多層的疊層結構。例如，第一鈦膜、鋁膜和第二鈦膜這三層通過濺射法等連續(xù)形成。而且，可以對第一鈦膜執(zhí)行自由基氮化以在第一鈦膜的表面上形成氮化鈦層。優(yōu)選地連續(xù)進行第一鈦膜的形成、等離子體氮化、鋁膜的形成以及第二鈦膜的形成而不暴露于空氣。也可以夾著鋁膜地形成包含諸如鉻、鉬和鎢這樣熔點比鋁高的金屬作為其主要成分的膜，而不是形成第一和第二鈦膜。
所制造的薄膜晶體管不局限于圖1F所示的結構。例如，可以不提供側壁108，也可以和柵電極107重疊地形成低濃度雜質區(qū)域110。在制造P溝道型薄膜晶體管的情況下，可以不形成低濃度雜質區(qū)域110。當不提供側壁108時，柵絕緣膜106還存在于氧化膜105上以及高濃度雜質區(qū)域109上。
通過根據(jù)本實施方式制造薄膜晶體管，可以在不影響玻璃襯底或塑料襯底的溫度下執(zhí)行元件隔離。通過該元件隔離，可以和采用現(xiàn)有LOCOS法的情況相同或更高程度地實現(xiàn)元件微細化。由于沒有形成房檐狀，所以可以減少漏電流。
實施方式2在本實施方式中，也使用如圖2A和2B所示那樣的高密度等離子體處理設備通過對半導體膜的等離子體處理來執(zhí)行元件隔離。本實施方式與實施方式1的不同之處在于，不去除掉防止半導體膜氧化的膜而將其用作柵電極。
至于在玻璃襯底301上形成基底膜302并在其上形成半導體膜303的過程，與實施方式1相同(參照圖3A)。此外，本實施方式中，也可以使用耐熱塑料襯底來代替玻璃襯底。只要能夠承受200℃或更高的等離子體處理時的溫度，就可以使用其他襯底。
對半導體膜303執(zhí)行實施方式1所示的自由基氧化或自由基氮化，以形成柵絕緣膜304。此時，使半導體膜303不完全氧化或氮化，即，將半導體膜303殘留為預定的厚度(例如10nm至20nm)。也可以通過CVD法或濺射法在半導體膜303上形成柵絕緣膜304。接著，在柵絕緣膜304上形成防止半導體膜303氧化的膜305。作為氧化防止膜305，與實施方式1同樣通過濺射法等形成鎢膜。在后面執(zhí)行自由基氮化時，形成氮化防止膜來代替氧化防止膜305就可以。除了鎢膜之外，可以形成其他金屬膜諸如鈦膜等，該膜由能夠防止半導體膜303的自由基氧化或自由基氮化并且可以用作柵電極的材料而構成。
然后，通過光刻法將柵絕緣膜304以及氧化防止膜305形成為預定的圖案。也可以通過液滴噴射法(噴墨法)或絲網(wǎng)印刷法將氧化防止膜305形成為預定圖案。而且，用氧化防止膜305的圖案作為掩模，通過濕蝕刻法或干蝕刻法蝕刻柵絕緣膜304。這樣，半導體膜303的將進行元件隔離的區(qū)域的表面被暴露(參照圖3B)。
然后，通過實施方式1所示的方法，對半導體膜303執(zhí)行自由基氧化，以形成圖3C所示的氧化膜306作為使相鄰的元件之間隔離的絕緣膜。當執(zhí)行了自由基氮化時，氮化膜被形成來代替氧化膜。優(yōu)選的是，對不被氧化防止膜305所覆蓋的區(qū)域中的半導體膜303執(zhí)行自由基氧化，以使其從表面到背面完全氧化。然而，只要相鄰的元件之間電絕緣，就可以在半導體膜303的背面一側，即接觸到基底膜302的一側留存沒有形成氧化膜306的區(qū)域。
然后，如圖3D所示，用氧化防止膜305形成柵電極307的圖案。此時，可以使用光刻法。柵電極307也可以形成為錐形形狀。
然后，通過進行與實施方式1相同的步驟，可以形成如圖1F所示那樣的薄膜晶體管。
本實施方式與實施方式1的不同之處在于，將氧化防止膜305用來形成柵電極。因此，在本實施方式中，除了實施方式1所獲得的效果之外，由于不需要在實施方式1中實施的去除防止半導體膜氧化的膜的步驟，所以可以使薄膜晶體管的制造工藝簡單化。而且，由于之后不去除該氧化防止膜305而將其利用于柵電極的形成，因此，也可以使用通過自由基氧化而使其表面氧化后的導電性材料來形成該氧化防止膜305。
實施方式3在本實施方式中，也使用如圖2A和2B所示那樣的高密度等離子體處理設備通過對半導體膜的等離子體處理來執(zhí)行元件隔離。本實施方式與實施方式1的不同之處在于，使用絕緣膜形成防止半導體膜氧化的膜，并且不去除該絕緣膜而將其用作柵絕緣膜。
至于在玻璃襯底401上形成基底膜402并在其上形成半導體膜403的步驟，與實施方式1相同(參照圖4A)。此外，本實施方式中，也可以使用耐熱塑料襯底來代替玻璃襯底。只要能夠承受200℃或更高的等離子體處理時的溫度，就可以使用其他襯底。
在半導體膜403上形成防止該半導體膜氧化的膜404(參照圖4B)。在本實施方式中，通過CVD法等在半導體膜403的整個表面上形成氧化硅膜、氮化硅膜或SiOxNy膜(x，y＞0)，然后通過光刻法將該膜形成為預定的圖案。作為氧化防止膜404，只要能夠防止半導體膜403的自由基氧化且能夠用作柵絕緣膜，也可以使用由上述之外的其他絕緣材料構成的膜。通過將氧化防止膜404的厚度設為等于或大于半導體膜403的厚度，可以可靠地防止半導體膜403的自由基氧化。
當執(zhí)行自由基氮化而不是自由基氧化時，需要形成氮化防止膜來代替氧化防止膜404。同樣，當執(zhí)行自由基氧化和自由基氮化兩者的情況下，需要形成防止氧化和氮化的膜。
然后，與實施方式1同樣，通過執(zhí)行自由基氧化來形成圖4C所示的氧化膜405。在執(zhí)行自由基氮化的情況下，形成氮化膜來代替氧化膜405。
然后，與實施方式1不同，不去除氧化防止膜404并在其上形成柵電極406。本實施方式中，氧化防止膜404兼作柵絕緣膜。然后，通過進行和實施方式1相同的步驟，可以制造圖1F所示的薄膜晶體管。
本實施方式與實施方式1的不同之處在于，將氧化防止膜404用作柵絕緣膜。因此，在本實施方式中，除了實施方式1所獲得的效果之外，由于不需要在實施方式1中實施的去除防止半導體膜氧化的膜的步驟以及形成柵絕緣膜的步驟，所以可以使薄膜晶體管的制造工藝簡單化。
實施方式4本實施方式中，使用圖2A和2B所示那樣的高密度等離子體處理設備，通過對半導體膜的等離子體處理執(zhí)行元件隔離，來制造反交錯型薄膜晶體管。
如圖6A所示，在玻璃襯底601上形成柵電極602、柵絕緣膜603以及半導體膜604。與其他實施方式同樣，可以使用耐熱塑料襯底來代替玻璃襯底。只要能夠承受200℃或更高的等離子體處理時的溫度，就可以使用其他襯底。
通過實施方式1所示的方法形成柵電極602、柵絕緣膜603以及半導體膜604。柵電極602優(yōu)選形成為錐形形狀。
在半導體膜604上按預定的圖案通過實施方式1所示的方法形成防止該半導體膜氧化的膜605(參照圖6B)。作為氧化防止膜605，可以使用實施方式1所示的鎢膜，但只要能夠防止半導體膜604的自由基氧化，也可以使用由鎢之外的其他材料構成的膜。當執(zhí)行自由基氮化而不是自由基氧化時，形成能夠防止半導體膜604氮化的膜來代替氧化防止膜605。
然后，通過實施方式1所示的方法對半導體膜604執(zhí)行自由基氧化。如圖6C所示，在不被氧化防止膜605所覆蓋的區(qū)域的半導體膜604中形成氧化膜606作為絕緣膜，而使相鄰的元件之間隔離。如實施方式1所描述，有時不需要使半導體膜604從表面到背面(接觸到柵絕緣膜603的面)進行完全自由基氧化。當執(zhí)行自由基氮化來代替自由基氧化時，代替氧化膜606形成氮化膜。
如圖6D所示，通過實施方式1所示的方法去除氧化防止膜605。即使在之后對半導體膜604進行氫氟酸清洗，也不會形成現(xiàn)有技術中所形成的房檐狀。這是因為半導體膜604不形成為島狀圖案并且存在著氧化膜606的緣故。此外，通過控制氫氟酸清洗的時間，可以使厚度比去除了氧化防止膜605的半導體膜604稍厚的氧化膜606平整化到和半導體膜604相同的水平。
在半導體膜604上按預定的圖案形成由氮化硅等絕緣材料構成的保護膜607以覆蓋柵電極602(參照圖6E)。不對被該保護膜607所覆蓋的區(qū)域摻雜賦予N型的雜質諸如磷等或賦予P型的雜質諸如硼等。另外，在形成氮化硅膜等絕緣膜作為氧化防止膜605的情況下，可以將氧化防止膜605用來形成保護膜607而不必如上所述去除氧化防止膜605。此時，可以使反交錯型薄膜晶體管的制造工藝簡單化。
然后，通過使用保護膜607作為掩模，將磷等賦予N型的雜質摻雜到半導體膜604，來和氧化膜606(使相鄰的元件之間隔離的絕緣膜)鄰接地形成雜質區(qū)域608，即源區(qū)域以及漏區(qū)域。也可以摻雜硼等賦予P型的雜質來代替賦予N型的雜質。與實施方式1同樣，可以和雜質區(qū)域608鄰接地設置低濃度雜質區(qū)域(LDD區(qū)域)。
然后，和雜質區(qū)域608電連接地形成布線609。此時，可以將該布線609形成為和實施方式1所示的布線113相同的結構。該布線609也可以延伸到氧化膜606上。
所制造的反交錯型薄膜晶體管不局限于圖6E所示的結構。例如，與實施方式1同樣，可以和雜質區(qū)域608鄰接地形成低濃度雜質區(qū)域(LDD區(qū)域)。
通過根據(jù)本實施方式制造反交錯型薄膜晶體管，可以獲得與實施方式1同樣的效果。亦即，可以在不影響玻璃襯底或塑料襯底的溫度下執(zhí)行元件隔離。通過該元件隔離，可以和采用現(xiàn)有LOCOS法的情況相同或更高程度地實現(xiàn)元件微細化。由于沒有形成房檐狀，所以可以減少漏電流。
實施方式5在本實施方式中使用單晶硅片。在此使用直徑100mm至300mm的單晶硅片，但是通過研磨和拋光而使其厚度降低到1μm到20μm，優(yōu)選為5μm或更薄。如果將單晶硅片減薄到上述厚度，可具有柔性和透光性，這一點明顯不同于現(xiàn)有技術中的例如0.7mm厚的單晶硅片。此外，在本實施方式中，除了(100)晶面，也可以使用(110)和(111)晶面等的(100)晶面之外的單晶硅片。
將單晶硅片固定在支撐體上，并研磨該單晶硅片的表面以使該單晶硅片的厚度為30μm至50μm。而且，拋光該研磨后的單晶硅片的表面以使該單晶硅片的厚度為20μm或更薄，例如5μm。在該拋光步驟中，使用具有比在前面的研磨步驟中使用的磨粒(研磨材料)小的粒徑的磨粒，并使研磨后的單晶硅片的表面平坦，且使其厚度為均勻。變薄的單晶硅片也稱作單晶硅膜，并在其表面沒有產(chǎn)生通過肉眼能看見的深的瑕疵以及在其端部沒有產(chǎn)生缺口。
然后，將單晶硅片(單晶硅膜)貼附到玻璃襯底、耐熱塑料襯底等具有平坦表面的襯底上，并分離上述支撐體。如果能夠繼續(xù)使用上述支撐體作為襯底，就不需要將單晶硅片(單晶硅膜)貼附到襯底并分離支撐體的步驟。
然后，根據(jù)實施方式1、2或3，可以制造薄膜晶體管。
本實施方式與其他實施方式的不同之處在于，作為半導體膜，使用對單晶硅片進行研磨和拋光而形成的單晶硅膜。因此，在本實施方式中，除了實施方式1所獲得的效果之外，可以實現(xiàn)具有和在單晶硅片上形成的場效晶體管相同水平的高場效應遷移率的薄膜晶體管。此外，由于使用減薄到20μm或更薄的單晶硅片作為半導體膜，所以可以通過自由基氧化或自由基氮化來簡單地形成使相鄰的元件之間隔離的絕緣膜。
實施例1作為使用根據(jù)本說明書所公開的發(fā)明制造的半導體元件(薄膜晶體管)的顯示器件，示出液晶顯示器件和電致發(fā)光顯示器件的例子。以下稱電致發(fā)光顯示器件為EL顯示器件。
圖7表示液晶顯示器件的截面的一個例子。在第一襯底701和第二襯底702之間提供有液晶層704，并且使用密封材料700使這些襯底粘在一起。第一襯底701中至少形成有像素部分703，而第二襯底702中通過印刷法等至少形成有著色層705。著色層705是當進行彩色顯示時所需要的，并在RGB方式的情況下，對于各像素提供有對應紅、綠、藍的各種顏色的著色層。在第一襯底701和第二襯底702的外側分別提供有偏振片706和707。此外，在偏振片707的表面形成有保護膜716，并緩和來自外部的沖擊。
在像素部分703中對應于各像素形成有薄膜晶體管，并可以應用根據(jù)本說明書公開的發(fā)明所制造的薄膜晶體管。結果，各像素的薄膜晶體管的漏電流小，因此，可以減少顯示圖像的缺陷。
布線襯底710通過FPC709連接于提供在第一襯底701上的連接端子708。為FPC709或連接布線提供有驅動電路711(IC芯片等)，而在布線襯底710上提供有控制電路或電源電路等外部電路712。
冷陰極管713、反射板714及光學膜715是用作光源的背照光單元。利用邊框(bezel)717支撐并保護第一襯底701、第二襯底702、上述光源、布線襯底710、以及FPC709。
圖8A、圖8B及圖8C是俯視液晶顯示器件、EL顯示器件等顯示器件的示意圖。
在圖8A中，在襯底800上形成有將多個像素802排列為矩陣狀的像素部分801、掃描線側輸入端子803、信號線側輸入端子804。從掃描線側輸入端子803延伸的掃描線和從信號線側輸入端子804延伸的信號線交叉而使像素802排列為矩陣狀。多個像素802分別設有薄膜晶體管和像素電極。圖8A是由連接在襯底外部的驅動電路控制向掃描線及信號線輸入的信號的例子，其中，該驅動電路通過掃描線側輸入端子803及信號線側輸入端子804而連接在襯底外部。但是，也可以采用在襯底上形成驅動電路的COG方式。
圖8B是像素部分811及掃描線驅動電路812形成在襯底810上的例子。符號814是與圖8A相同的信號線側輸入端子。此外，圖8C是像素部分821、掃描線驅動電路822及信號線驅動電路824形成在襯底820上的例子。
圖8B所示的掃描線驅動電路812、圖8C所示的掃描線驅動電路822及信號線驅動電路824是由薄膜晶體管構成的，并可以是與提供在像素部分的薄膜晶體管同時形成的。注意，由于要求掃描線驅動電路及信號線驅動電路高速動作，所以，作為用于它們的薄膜晶體管，優(yōu)選采用將結晶半導體膜用于溝道形成區(qū)域的薄膜晶體管，而不使用非晶半導體膜。
通過將根據(jù)本說明書所公開的發(fā)明而制造的薄膜晶體管不僅用于圖8A、8B及8C所示的像素部分，而且還用于圖8B所示的掃描線驅動電路812、圖8C所示的掃描線驅動電路822及信號線驅動電路824，來可以減小上述驅動電路在襯底810或襯底820上占有的面積。
圖9表示EL顯示器件的截面的一個例子。該EL顯示器件具有端子部分900、驅動電路部分901及像素部分902，其中，驅動電路部分901具有P溝道型薄膜晶體管910及N溝道型薄膜晶體管911，而像素部分902具有開關用薄膜晶體管912及驅動用薄膜晶體管913。驅動電路部分901及像素部分902都形成在同一襯底上。為了對驅動電路部分901及像素部分902兩者的相鄰的薄膜晶體管之間執(zhí)行元件隔離，通過自由基氧化形成氧化膜915。也可以通過自由基氮化形成氮化膜來代替氧化膜915。
圖9表示以所謂的多柵結構作為開關用薄膜晶體管912及驅動用薄膜晶體管913，但也可以采用與驅動電路部分901相同的單柵結構。例如可以以N溝道型薄膜晶體管作為開關用薄膜晶體管912，而例如可以以P溝道型薄膜晶體管作為驅動用薄膜晶體管913。開關用薄膜晶體管912的柵電極電連接于掃描線，而通過提供在層間絕緣膜中的接觸孔連接于開關用薄膜晶體管912的源區(qū)域或漏區(qū)域的布線電連接于信號線。
通過提供在層間絕緣膜中的接觸孔連接于驅動用薄膜晶體管913的源區(qū)域或漏區(qū)域的布線電連接于發(fā)光元件914，在該發(fā)光元件914中層疊有陽極、陰極和在它們之間的發(fā)光層。圖9表示如下結構在層間絕緣膜上提供有布線，并在其上還提供有層間絕緣膜，并在其上形成有發(fā)光元件914。但是，不一定局限于這種結構。作為層間絕緣膜，可以在發(fā)光元件914的陰極和陽極中的單方或雙方中使用通過濺射法、液滴噴射法(噴墨法)或絲網(wǎng)印刷法等形成的透明導電膜如ITO(氧化銦錫)膜。構成透明導電膜的材料不局限于ITO，而也可以使用具有透光性并具有導電性的其它材料。通過將透明導電膜用于陰極和陽極中的雙方而可以向上及向下射出來自發(fā)光層的光，所以可以從EL顯示器件的表面和背面雙方向看到圖像。
根據(jù)本說明書所公開的發(fā)明制造的薄膜晶體管可以適用于像素部分902。結果，與液晶顯示器件的情況同樣，可以減少顯示圖像的缺陷。此外，通過將根據(jù)本說明書所公開的發(fā)明制造的薄膜晶體管既適用于像素部分902又適用于驅動電路部分901，可以減小驅動電路部分901在襯底上占有的面積。
本實施例所示的顯示器件被安裝在各種各樣的電子設備中。作為這些電子設備的例子，可以舉出電視接收機、影像拍攝裝置(攝像機、數(shù)字照相機等)、導航系統(tǒng)、聲音重放裝置(汽車音響、音響組件等)、個人計算機、游戲機、便攜信息終端(便攜計算機、手機、便攜型游戲機或電子書籍等)、具備記錄介質的圖像重放裝置(具體地說是重放數(shù)字通用光盤(DVD)等記錄介質并具有能夠顯示其圖像的顯示器件的裝置)等。本實施例所示的顯示器件被安裝在這些電子設備的顯示部分等中。
圖10A是電視接收機的一個例子，它包括外殼1001、顯示部分1002、揚聲器1003、操作部1004、視頻輸入端子1005等。使用根據(jù)本說明書所公開的發(fā)明制造的薄膜晶體管而完成的液晶顯示器件、EL顯示器件等顯示器件適用于顯示部分1002。
圖10B及圖10C表示數(shù)字照相機的一個例子，圖10B是從前面看的數(shù)字照相機，符號1011表示釋放按鈕，1012表示主開關，1013表示取景窗口，1014表示閃光燈，1015表示透鏡，1016表示外殼。圖10C是從后面看的所述數(shù)字照相機，符號1017表示取景器目鏡窗，1018表示顯示部分，1019及1020表示操作鈕。使用根據(jù)本說明書所公開的發(fā)明制造的薄膜晶體管而完成的液晶顯示器件、EL顯示器件等顯示器件適用于顯示部分1018。
圖10D表示手機的一個例子。該手機具有設有操作開關類1024、麥克風1025等的主體A 1021、以及設有顯示面板A 1028、顯示面板B1029、揚聲器1026等的主體B 1022，并且主體A 1021和主體B 1022被鉸鏈1030可開閉地連結著。顯示面板A 1028和顯示面板B 1029與電路襯底1027一起容納到主體B 1022的外殼1023中。顯示面板A 1028及顯示面板B 1029的像素部分配置為可以從形成在外殼1023中的開口窗視覺確認的形式。使用根據(jù)本說明書所公開的發(fā)明制造的薄膜晶體管而完成的液晶顯示器件、EL顯示器件等顯示器件適用于顯示面板A 1028及顯示面板B 1029。
根據(jù)上述手機的功能可以適當設定顯示面板A 1028和顯示面板B1029的像素數(shù)等的規(guī)格。例如，可以組合顯示面板A 1028和顯示面板B 1029分別作為主畫面和副畫面。
通過使用如上所述的顯示面板來可以以顯示面板A 1028為顯示文字和圖像的高清晰彩色顯示畫面，而以顯示面板B 1029為顯示文字信息的單色信息顯示畫面。尤其是，可以通過以顯示面板B 1029為有源矩陣型顯示面板并使它高清晰化，來顯示各種各樣的文字信息并提高每一畫面中的信息顯示密度。例如，通過將顯示面板A 1028設定為2至2.5英寸且64灰度，而且26萬色的QVGA(320點×240點)，并將顯示面板B 1029設定為單色且2至8灰度，而且180至220ppi的高清晰面板來可以顯示拉丁字母、平假名、片假名、數(shù)字、漢字等。
根據(jù)本實施例的手機可以按照其功能和用途轉換為各種各樣的形式。例如，也可以通過將攝像元件組合到鉸鏈1030等的部位中來用作照相手機。此外，也可以采用將操作開關類1024、顯示面板A 1028、顯示面板B 1029收到一個外殼中的結構。
本實施例可以與實施方式1至5組合而實施。
實施例2根據(jù)本說明書所公開的發(fā)明制造的半導體元件(薄膜晶體管)可以用于薄膜集成電路、非接觸型薄膜集成電路器件(可能被稱為IC卡、無線IC標簽、RFID(Radio Frequency Identification射頻識別)標簽)等半導體器件。通過將所述非接觸型薄膜集成電路裝置貼在如實施例1所示那樣的各種電子設備，來可以確認該電子設備的流通路徑等。非接觸型薄膜集成電路器件使用的頻帶例如為13.56MHz、2.45GHz、UHF(Ultra High Frequency超高頻)。以下稱非接觸型薄膜集成電路器件為RFID標簽而進行說明。
在圖11A和11B中以框圖表示了RFID標簽的一個例子。RFID標簽1100可以進行非接觸數(shù)據(jù)通訊，并具有電源電路1101、時鐘產(chǎn)生電路1102、數(shù)據(jù)解調/調制電路1103、控制電路1104、接口電路1105、存儲電路1106、總線1107、以及天線1108。圖11B表示在圖11A中還提供了CPU1121的情況。
電源電路1101基于從天線1108輸入的交流信號產(chǎn)生電源。時鐘產(chǎn)生電路1102基于從天線1108輸入的信號產(chǎn)生時鐘信號。數(shù)據(jù)解調/調制電路1103解調/調制與讀寫器1109通訊的數(shù)據(jù)。控制電路1104控制存儲電路1106。天線1108進行信號接收和數(shù)據(jù)發(fā)送。
作為構成天線1108的材料，例如，可以使用金、銀、銅、鋁、鐵氧體、陶瓷等。天線1108可以形成為如下形狀例如，偶極型、環(huán)形型、螺形型、平整的長方體狀的貼片型。
可以將根據(jù)本說明書所公開的發(fā)明制造的薄膜晶體管用于構成RFID標簽1100的電路。天線1108被設置為電連接于所述薄膜晶體管的形式?？梢栽谝r底上與薄膜晶體管一起制造天線1180，其中，該天線1180是通過濺射法或CVD法和光刻法的組合、電鍍法、絲網(wǎng)印刷法或液滴噴射法(噴墨法)等而制造的。此外，可以使用現(xiàn)成的部件作為天線1108，并通過導電膏等粘合它和形成有薄膜晶體管的襯底，來電連接天線1108和薄膜晶體管。
作為存儲電路1106，可以使用DRAM、SRAM、掩模ROM、EPROM(可擦可編程只讀存儲器)、EEPROM(電可擦可編程只讀存儲器)、閃速存儲器、有機存儲器等。有機存儲器具有如下結構在一對電極之間提供有機化合物層，或者，在一對電極之間提供具有有機化合物和無機化合物的層。并且，通過將有機存儲器用于RFID標簽的存儲電路1106來有助于實現(xiàn)RFID標簽的小型化、薄型化、輕量化。
圖12表示RFID標簽的截面例子，特別表示用于構成RFID標簽的電路中的薄膜晶體管和天線電連接在一起的狀態(tài)。圖12所示的例子相當于使用現(xiàn)成的部件作為天線的情況。
薄膜晶體管1201采用根據(jù)實施方式1至5而制造的結構。下面說明使用薄膜晶體管1201制造掩模ROM作為構成RFID標簽的電路的情況。在掩模ROM中，薄膜晶體管1201被用于存儲單元并且通過光刻法來形成。此時，根據(jù)是否形成與薄膜晶體管1201的例如漏區(qū)域連接的布線用接觸孔，在開孔時和不開孔時分別將1(導通)和0(截止)編程到存儲單元。在光刻膠曝光的步驟中，在使用曝光設備如步進式光刻機通過掩模原版(光掩模)來執(zhí)行曝光之前或之后，對將開出上述接觸孔的區(qū)域的光刻膠照射電子光束或激光。然后，和常規(guī)一樣進行顯像、蝕刻、剝離光刻膠等的步驟。通過這樣，只選擇是否照射電子光束或激光而不更換掩模原版(光掩模)，可以分別制作開上述接觸孔的圖案和不開接觸孔的圖案。
形成由環(huán)氧樹脂等構成的絕緣膜1206以覆蓋薄膜晶體管1201，然后，當薄膜晶體管1201形成在玻璃襯底上時，通過預定工藝將該玻璃襯底剝離，并替換該玻璃襯底在基體1203的表面上貼附具有粘結層1204的膜1202。該膜1202具有柔性。
并不需要如上述那樣剝離玻璃襯底。在此情況下，由于形成薄膜晶體管1201時使用的玻璃襯底的厚度即使很薄也有大約0.5mm的厚度，所以優(yōu)選的是對至少形成薄膜晶體管1201的玻璃襯底進行如實施方式5所示的研磨和拋光而使其減薄到50μm或更薄的厚度，在該厚度下玻璃襯底容易彎曲。此外，當在柔性塑料襯底上形成薄膜晶體管1201時，不需要剝離該塑料襯底。
此外，作為膜1202，優(yōu)選使用進行了防止靜電等的抗靜電處理的膜(以下稱作抗靜電膜)。作為抗靜電膜，例如，可以舉出在樹脂中分散有抗靜電材料的膜、至少一部分形成有抗靜電材料的膜等。作為抗靜電材料，可以使用如金屬、ITO(氧化銦錫)等的導電材料、以及界面活性劑。通過使用抗靜電膜作為膜1202，可以防止來自外部靜電等對薄膜晶體管1201的特性造成負面影響。
在絕緣膜1206中，在和薄膜晶體管1201的源區(qū)域或漏區(qū)域電連接的布線1205上設置有開口部分，該開口部分中形成有電極(突出部)1207。
將形成有薄膜晶體管1201的膜1202或柔性襯底分割為邊長幾mm(例如2mm至9mm)大小的多個芯片，而使利用薄膜晶體管1201而形成的電路不受到損壞。圖12示出了通過分割而獲得的芯片1200的例子。
另一方面，天線部件1208具有通過粘合層1211被夾在由聚酰亞胺樹脂等構成的兩片基體1210之間的天線布線1209。在兩片基體1210中的一個中提供有用于暴露天線布線1209的一部分的開口。該開口中形成有接觸于天線布線1209的焊盤1212。焊盤1212由其表面具有不容易氧化的金屬材料如金的膜構成。
然后，通過使用各向異性導電膏1213邊加熱邊對芯片1200和天線部件1208執(zhí)行壓接，將薄膜晶體管1201的布線1205和天線布線1209電連接在一起。
由于RFID標簽的制造成本比現(xiàn)有的條碼高，所以需要謀求降低成本。由于通過使用本說明書所公開的發(fā)明，可以使構成RFID標簽的電路微細化，所以可以減小芯片1200的大小。從而，由于分割一片膜1202或柔性襯底而獲得的芯片1200的數(shù)量增加，因此可以降低每一個RFID標簽的制造成本。并且，通過使用本說明書所公開的發(fā)明，可以減少在構成RFID標簽的電路中使用的薄膜晶體管的漏電流，從而可以制造高質量并特性不均勻性為低的RFID標簽。
在圖13A至13E中表示了RFID標簽的使用例子。通過安裝在物品如記錄有信息的記錄介質1301本身或容納記錄介質1301的容器、書籍1302、商品的包裝1303、衣類1304、由玻璃或塑料制成的瓶子1305等，來可以利用于如下用途管理安裝有RFID標簽的物品的銷售、貯存、出借及歸還；防止該物品的丟失或偷竊；該物品的回收、以及其他用途等。在圖13A至13E的各圖中表示了RFID標簽被安裝的位置1300的例子。由于本實施例所示的RFID標簽具有柔性，從而可以容易設置在曲面等的不平坦表面上。
本實施例可以與實施方式1至5、實施例1組合而實施。
權利要求
1.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在玻璃襯底上形成基底膜；在所述基底膜上形成半導體膜；在所述半導體膜上形成具有預定的圖案且防止該半導體膜的氧化或氮化的膜；以及在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述預定的圖案所覆蓋，以及其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化或所述自由基氮化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3。
2.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在柔性的塑料襯底上形成基底膜；在所述基底膜上形成半導體膜；在所述半導體膜上形成具有預定的圖案且防止該半導體膜的氧化或氮化的膜；以及在所述塑料襯底處于比該塑料襯底的玻璃轉化點低的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述預定的圖案所覆蓋，以及其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化或所述自由基氮化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3。
3.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在玻璃襯底上形成基底膜；在所述基底膜上形成半導體膜；在所述半導體膜上形成鎢膜；以及在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述鎢膜所覆蓋，以及其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3，并且，在所述等離子體處理室中引入氬、氫和氧，其中氫和氧的流量比H2/O2為2至4。
4.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在柔性的塑料襯底上形成基底膜；在所述基底膜上形成半導體膜；在所述半導體膜上形成鎢膜；以及在所述塑料襯底處于比該塑料襯底的玻璃轉化點低的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述鎢膜所覆蓋，以及其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3，并且，在所述等離子體處理室中引入氬、氫和氧，其中氫和氧的流量比H2/O2為2至4。
5.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在玻璃襯底上形成基底膜；在所述基底膜上形成半導體膜；在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而在該半導體膜的表面上形成氧化膜或氮化膜；在所述氧化膜或所述氮化膜上形成防止所述半導體膜的氧化或氮化的膜；將所述氧化膜或所述氮化膜以及所述防止氧化或氮化的膜分別形成為預定的圖案；以及在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述預定的圖案所覆蓋，以及其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化或所述自由基氮化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3。
6.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在柔性的塑料襯底上形成基底膜；在所述基底膜上形成半導體膜；在所述塑料襯底處于比該塑料襯底的玻璃轉化點低的溫度下，對所述半導體膜執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而在該半導體膜的表面上形成氧化膜或氮化膜；在所述氧化膜或所述氮化膜上形成防止所述半導體膜的氧化或氮化的膜；將所述氧化膜或所述氮化膜以及所述防止氧化或氮化的膜分別形成為預定的圖案；以及在所述塑料襯底處于比該塑料襯底的玻璃轉化點低的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述預定的圖案所覆蓋，以及其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化或所述自由基氮化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3。
7.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在玻璃襯底上形成基底膜；在所述基底膜上形成半導體膜；在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜執(zhí)行自由基氧化而在該半導體膜的表面上形成氧化膜；在所述氧化膜上形成鎢膜；將所述氧化膜以及所述鎢膜分別形成為預定的圖案；以及在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述預定的圖案所覆蓋，以及其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3，并且，在所述等離子體處理室中引入氬、氫和氧，其中氫和氧的流量比H2/O2為2至4。
8.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在柔性的塑料襯底上形成基底膜；在所述基底膜上形成半導體膜；在所述塑料襯底處于比該塑料襯底的玻璃轉化點低的溫度下，對所述半導體膜執(zhí)行自由基氧化而在該半導體膜的表面上形成氧化膜；在所述氧化膜上形成鎢膜；將所述氧化膜以及所述鎢膜分別形成為預定的圖案；以及在所述塑料襯底處于比該塑料襯底的玻璃轉化點低的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述預定的圖案所覆蓋，以及其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3，并且，在所述等離子體處理室中引入氬、氫和氧，其中氫和氧的流量比H2/O2為2至4。
9.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在玻璃襯底上形成柵電極；在所述柵電極上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成半導體膜；與所述柵電極重疊地在所述半導體膜上形成具有預定的圖案且防止該半導體膜的氧化或氮化的膜；在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述預定的圖案所覆蓋；以及去除所述按預定的圖案形成的防止氧化或氮化的膜，其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化或所述自由基氮化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3。
10.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在柔性的塑料襯底上形成柵電極；在所述柵電極上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成半導體膜；與所述柵電極重疊地在所述半導體膜上形成具有預定的圖案且防止該半導體膜的氧化或氮化的膜；在所述塑料襯底處于比該塑料襯底的玻璃轉化點低的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述預定的圖案所覆蓋；以及去除所述按預定的圖案形成的防止氧化或氮化的膜，其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化或所述自由基氮化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3。
11.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在玻璃襯底上形成柵電極；在所述柵電極上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成半導體膜；與所述柵電極重疊地在所述半導體膜上按預定的圖案形成鎢膜；在所述玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述預定的圖案所覆蓋；以及去除所述按預定的圖案形成的鎢膜，其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3，并且，在所述等離子體處理室中引入氬、氫和氧，其中氫和氧的流量比H2/O2為2至4。
12.一種半導體元件的制造方法，包括以下步驟在柔性的塑料襯底上形成柵電極；在所述柵電極上形成柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上形成半導體膜；與所述柵電極重疊地在所述半導體膜上按預定的圖案形成鎢膜；在所述塑料襯底處于比該塑料襯底的玻璃轉化點低的溫度下，對所述半導體膜的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化而進行元件隔離，其中，所述區(qū)域不被所述預定的圖案所覆蓋；以及去除所述按預定的圖案形成的鎢膜，其中，在等離子體處理室內，在與等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的所述半導體膜上執(zhí)行所述自由基氧化，所述等離子體處理室的條件如下電子溫度為0.5eV至1.5eV，電子密度為1×1011cm-3至1×1013cm-3，并且，在所述等離子體處理室中引入氬、氫和氧，其中氫和氧的流量比H2/O2為2至4。
13.根據(jù)權利要求1和2中任一項所述的半導體元件的制造方法，其中還包括如下步驟在進行所述元件隔離之后，去除所述按預定的圖案形成的防止氧化或氮化的膜。
14.根據(jù)權利要求3和4中任一項所述的半導體元件的制造方法，其中還包括如下步驟在進行所述元件隔離之后，去除所述按預定的圖案形成的鎢膜。
15.一種半導體元件，包括在玻璃襯底或柔性的塑料襯底上的基底膜；在所述基底膜上的使彼此相鄰的元件隔離的絕緣膜；在所述基底膜上的具有和所述絕緣膜接觸的源區(qū)域及漏區(qū)域的10nm至20nm厚的半導體膜；形成在所述半導體膜上的柵絕緣膜；以及在所述柵絕緣膜上的柵電極，其中，所述絕緣膜是通過自由基氧化或自由基氮化所述半導體膜而形成的。
16.一種半導體元件，包括在玻璃襯底或柔性的塑料襯底上的柵電極；在所述柵電極上的柵絕緣膜；在所述柵絕緣膜上的使彼此相鄰的元件隔離的絕緣膜；以及在所述柵絕緣膜上的具有和所述絕緣膜接觸的源區(qū)域及漏區(qū)域的10nm至20nm厚的半導體膜，其中，所述絕緣膜是通過自由基氧化或自由基氮化所述半導體膜而形成的。
17.根據(jù)權利要求15和16中任一項所述的半導體元件，其中所述半導體元件被組合到由電視接收機、影像拍攝裝置、電話機、IC卡和RFID標簽構成的組中的一種當中。
全文摘要
本發(fā)明旨在提供能夠抑制漏電流的產(chǎn)生且在可使用玻璃襯底的溫度下執(zhí)行元件隔離來制造細小元件的方法。本發(fā)明包括以下步驟第一步驟，在玻璃襯底上形成基底膜；第二步驟，在基底膜上形成半導體膜；第三步驟，在半導體膜上按預定的圖案形成防止該半導體膜的氧化或氮化的膜；第四步驟，在玻璃襯底處于比該玻璃襯底的應變點低100℃以上的溫度下，對半導體膜的不被預定的圖案所覆蓋的區(qū)域執(zhí)行自由基氧化或自由基氮化而進行元件隔離，其中，自由基氧化或自由基氮化在如下條件的等離子體處理室內被執(zhí)行在和等離子體產(chǎn)生區(qū)域離開而配置的半導體膜上，電子溫度為0.5eV至1.5eV，優(yōu)選為1.0eV或更低，電子密度為1×10
文檔編號H01L29/786GK1971885SQ200610160578
公開日2007年5月30日 申請日期2006年11月23日 優(yōu)先權日2005年11月23日
發(fā)明者齋藤曉 申請人:株式會社半導體能源研究所