專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電極基板，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板。
背景技術(shù)：
近幾年新出現(xiàn)的有機(jī)電致發(fā)光顯示器具有自主發(fā)光、低電壓直流驅(qū)動(dòng)、全固化、視角寬、顏色豐富等一系列的優(yōu)點(diǎn)，與液晶顯示器相比，OLED不需要背光源，視角大，功率低，其響應(yīng)速度可達(dá)液晶顯示器的1000倍，制造成本卻低于同等分辨率的液晶顯示器，因此，有機(jī)電致發(fā)光顯示器勢必具有廣闊的應(yīng)用前景。
OLED顯示屏所使用的電極基板的結(jié)構(gòu)包括基板、電極層、導(dǎo)線層。用于基板的材料有玻璃、塑料等；電極層位于基板之上，所用的材料有ITO、IZO、ZnO等，這些材料同時(shí)具有透明和導(dǎo)電的特性，但這些材料導(dǎo)電率不高，電流經(jīng)過時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量的焦耳熱，影響屏體的發(fā)光效率；導(dǎo)線層位于電極層之上，用于降低電極層的電阻，特別是引線區(qū)的電阻，以提高整個(gè)屏體的效率。目前使用比較廣泛的導(dǎo)線層材料是鉻、鉬等高熔點(diǎn)金屬材料，基于進(jìn)一步降低電阻的要求，銀、鋁、銅等高電導(dǎo)率材料也逐漸被用作導(dǎo)線層材料，并表現(xiàn)出更強(qiáng)的實(shí)用性。但銀、銅等對(duì)硫、氨、氯及氧等氣氛抵抗力不強(qiáng)，鋁層材料容易和酸堿發(fā)生反應(yīng)，并且薄膜在制備過程中容易出現(xiàn)針孔缺陷，長時(shí)間使用會(huì)導(dǎo)致導(dǎo)線層膜劣化，電阻上升，進(jìn)而使得屏體的發(fā)光效率下降。因而，眾多的保護(hù)層結(jié)構(gòu)，諸如氧化鋁、氧化硅、IZO、氮化硅、氮氧化硅等陶瓷材料被用作導(dǎo)線層的保護(hù)層結(jié)構(gòu)，用以改善導(dǎo)線層在使用中的穩(wěn)定性。
但在這種結(jié)構(gòu)的器件中，導(dǎo)線層薄膜與這類陶瓷材料之間附著力不強(qiáng)，保護(hù)層陶瓷材料易從導(dǎo)線層薄膜上脫落，從而使得導(dǎo)線層薄膜直接暴露在外界環(huán)境中，仍受硫、氧等元素的侵蝕。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠提高易被氧化的導(dǎo)線層與其保護(hù)層的結(jié)合能力，從而明顯提高基板導(dǎo)線性能和使用壽命的有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的其包括基板本體、電極層、導(dǎo)線層及保護(hù)層；其特征在于，所述導(dǎo)線層及保護(hù)層之間還設(shè)有過渡層，所述過渡層為半導(dǎo)體化合物。
所述過渡層最好選用硫化鋅、二氧化錫或氧化鎢中的一種或幾種的層疊結(jié)構(gòu)。。
所述過渡層厚度為1nm～20nm。
所述保護(hù)層為氧化鋁、氧化硅、IZO、氮化硅、氮氧化硅等陶瓷材料中的一種或幾種的疊層結(jié)構(gòu)。
所述保護(hù)層的厚度為1nm～20nm。
所述導(dǎo)線層的材質(zhì)為銀金屬、銀合金、含有銀金屬的混合物、銅金屬、銅合金、含有銅金屬的混合物、鋁金屬、鋁合金或含有鋁金屬的混合物。
所述導(dǎo)線層厚度為100nm～600nm。
本發(fā)明利用半導(dǎo)體化合物與銀、銅、鋁金屬或含銀、銅、鋁的合金、混合物等導(dǎo)線層材料貼敷性好，且與氧化鋁、氧化硅、IZO、氮化硅、氮氧化硅等陶瓷材料之間也具有很強(qiáng)的黏著性的特性，使易被氧化的導(dǎo)線層及陶瓷材料保護(hù)層間存在著的附著性差的問題，得到了很好的解決。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例1～3的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為對(duì)比例1的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
對(duì)比例1參照?qǐng)D2。本對(duì)比例的有機(jī)發(fā)光顯示器基板包括基板本體1、電極層2、導(dǎo)線層3及保護(hù)層4。實(shí)施過程如下在玻璃基板1上，采用濺射的方法制備ITO電極層2，薄膜厚度為180nm；其后，在其上采用濺射的方法制備銀導(dǎo)線層3，薄膜厚度為160nm；最后制備8nm的氧化鋁保護(hù)層4。
所得到的電極基板表面電阻為0.10ohm/sq，80攝氏度下加熱30分鐘，表面電阻為0.11ohm/sq，加熱前后電阻變化小于15％；120攝氏度下加熱30分鐘后，表面電阻為0.30ohm/sq，加熱前后表面電阻增加了2倍，且在顯微鏡下可觀察到電阻變化是由于保護(hù)層4出現(xiàn)脫落所致。
實(shí)施例1參照?qǐng)D1。本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器基板包括基板本體1、電極層2、導(dǎo)線層3、過渡層5及保護(hù)層4。實(shí)施過程如下在玻璃基板1上，采用濺射的方法制備ITO電極層2，薄膜厚度為180nm；其后，在其上采用濺射的方法制備銀導(dǎo)線層3，薄膜厚度為160nm；在制備保護(hù)層4之前，以濺射的方法制備硫化鋅過渡層5，厚度控制為6nm。最后在硫化鋅過渡層5上，制備8nm的氧化鋁保護(hù)層4。
所得到的電極基板表面電阻為0.10ohm/sq，80攝氏度下加熱30分鐘，表面電阻為0.11ohm/sq，120攝氏度下加熱30分鐘后，表面電阻為0.12ohm/sq，不同溫度下放置表面電阻變化均小于20％，呈現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。
實(shí)施例2參照?qǐng)D1。本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器基板包括基板本體1、電極層2、導(dǎo)線層3、過渡層5及保護(hù)層4。實(shí)施過程如下在玻璃基板1上，采用濺射的方法制備ITO電極層2，薄膜厚度為150nm；其后，在其上采用濺射的方法制備鋁/鉬導(dǎo)線層3，薄膜厚度為5nm/300nm；在制備保護(hù)層4之前，以濺射的方法制備二氧化錫過渡層5，厚度控制為8nm。最后在二氧化錫過渡層5上，制備10nm的氧化硅保護(hù)層4。
所得到的電極基板表面電阻為0.30ohm/sq，80攝氏度下加熱30分鐘，表面電阻為0.32ohm/sq，120攝氏度下加熱30分鐘后，表面電阻為0.35ohm/sq，不同溫度下放置表面電阻變化均小于17％，呈現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。
實(shí)施例3參照?qǐng)D1。本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示器基板包括基板本體1、電極層2、導(dǎo)線層3、過渡層5及保護(hù)層4。實(shí)施過程如下在玻璃基板1上，采用濺射的方法制備ITO電極層2，薄膜厚度為200nm；其后，在其上采用濺射的方法制備銅導(dǎo)線層3，薄膜厚度為250nm；在制備保護(hù)層4之前，以濺射的方法制備氧化鎢過渡層5，厚度控制為10nm。最后在氧化鎢過渡層5上，制備10nm的氧化硅保護(hù)層4。
所得到的電極基板表面電阻為0.50ohm/sq，80攝氏度下加熱30分鐘，表面電阻為0.52ohm/sq，120攝氏度下加熱30分鐘后，表面電阻為0.60ohm/sq，不同溫度下放置表面電阻變化均小于20％，呈現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。
雖然以上描述了本發(fā)明的最佳實(shí)施例，但本發(fā)明的技術(shù)范圍并不局限于上述討論的范圍。上述提供的實(shí)施例只是僅僅用于進(jìn)一步在發(fā)明內(nèi)容的基礎(chǔ)上解釋本發(fā)明。應(yīng)該理解的是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)上述過程做出多種改進(jìn)，但是所有的這類改進(jìn)也都屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板，其包括基板本體、電極層、導(dǎo)線層及保護(hù)層；其特征在于，所述導(dǎo)線層及保護(hù)層之間還設(shè)有過渡層，所述過渡層為半導(dǎo)體化合物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板，其特征在于，所述過渡層為硫化鋅、二氧化錫或氧化鎢中的一種或幾種的層疊結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板，其特征在于，所述過渡層厚度為1nm～20nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板，其特征在于，所述保護(hù)層為陶瓷材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板，其特征在于，所述保護(hù)層為氧化鋁、氧化硅、IZO、氮化硅、氮氧化硅中的一種或幾種的疊層結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板，其特征在于，所述保護(hù)層厚度為1nm～20nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板，其特征在于，所述導(dǎo)線層的材質(zhì)為銀金屬、銀合金、含有銀金屬的混合物、銅金屬、銅合金、含有銅金屬的混合物、鋁金屬、鋁合金或含有鋁金屬的混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板，其特征在于，所述導(dǎo)線層厚度為100nm～600nm。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機(jī)發(fā)光顯示器電極基板，其包括基板本體、電極層、導(dǎo)線層及保護(hù)層；導(dǎo)線層及保護(hù)層之間還設(shè)有過渡層，所述過渡層為半導(dǎo)體化合物，保護(hù)層為氧化鋁、氧化硅、IZO、氮化硅、氮氧化硅中的一種或幾種的疊層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明利用半導(dǎo)體化合物與銀、銅、鋁金屬或含銀、銅、鋁的合金、混合物等導(dǎo)線層材料貼敷性好，且與氧化鋁、氧化硅、IZO、氮化硅、氮氧化硅等陶瓷材料之間也具有很強(qiáng)的黏著性的特性，使易被氧化的導(dǎo)線層及陶瓷材料保護(hù)層間存在著的附著性差的問題，得到了很好的解決。
文檔編號(hào)H01L23/52GK1971935SQ20061009814
公開日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2006年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月30日
發(fā)明者邱勇, 劉嵩, 高裕弟 申請(qǐng)人:昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司, 清華大學(xué)