專利名稱：半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件及其制法，特別是關(guān)于一種半導(dǎo)體封裝件的堆棧結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今電子產(chǎn)品向多功能、高電性及高速運行的方向發(fā)展，為配合此發(fā)展方向，半導(dǎo)體業(yè)界莫不積極研發(fā)能夠整合多個芯片或封裝件的半導(dǎo)體裝置，以滿足電子產(chǎn)品的需求。
請參閱圖1，美國專利第5,222,014號一種半導(dǎo)體封裝件的堆棧結(jié)構(gòu)，其提供一上表面設(shè)置有焊墊110的球柵陣列(BGA)基板11，在該球柵陣列基板11上接置半導(dǎo)體芯片10，并形成包覆該半導(dǎo)體芯片10的封裝膠體13，以形成第一半導(dǎo)體封裝件101，然后再將另一完成封裝的第二半導(dǎo)體封裝件102通過焊球14接置并電性連接至該第一半導(dǎo)體封裝件101的基板焊墊110上，形成一半導(dǎo)體封裝件的堆棧結(jié)構(gòu)。
上述半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)中，當(dāng)?shù)诙雽?dǎo)體封件通過焊球接置于該第一半導(dǎo)體封裝件的基板焊墊上，并經(jīng)回焊作業(yè)使其相互電性連接時，常因焊錫熔融軟化，發(fā)生第二半導(dǎo)體封裝件偏移現(xiàn)象，造成彼此電性連接的失敗。
請參閱圖2，有鑒于此，美國專利第6,828,664號另一種半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，它是在第一半導(dǎo)體封裝件201的基板焊墊上預(yù)先設(shè)置有預(yù)焊錫(pre-solder)材料22，供第二半導(dǎo)體封裝件202通過焊球24接置并回焊在該預(yù)焊錫材料22時，借由該預(yù)焊錫材料22與焊球24間的自動歸位(self-alignment)功能，將該第二半導(dǎo)體封裝件202定位在該第一半導(dǎo)體封裝件201上。這種方式須在第一半導(dǎo)體封裝件的基板焊墊上設(shè)置預(yù)焊錫材料，不僅增加制程成本，同時也提高制程的復(fù)雜性。
還請參閱圖3，中國臺灣專利公告第I250627號則揭示另一種半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，它是將一完成芯片封裝的第二半導(dǎo)體封裝件302通過多個焊球34電性連接到第一半導(dǎo)體封裝件301上，同時在該第一半導(dǎo)體封裝件301的基板311及第二半導(dǎo)體封裝件302的基板312間敷設(shè)紅外光膠(IR膠)35，并進行紅外線照射作業(yè)，通過該IR膠35將第二半導(dǎo)體封裝件302固著在該第一半導(dǎo)體封裝件301上。這種方式，仍須額外在在第一半導(dǎo)體封裝件的基板敷設(shè)IR膠，同時還必須進行照射紅外線，方可將該第二半導(dǎo)體封裝件定位在該第一半導(dǎo)體封裝件上，因而增加制程物復(fù)雜程度及成本。
因此，如何提供一種半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)及其制法，半導(dǎo)體封裝件間利用焊球進行電性連接與堆棧時，在回焊作業(yè)不會發(fā)生偏移問題，同時毋需在下層半導(dǎo)體封裝件的基板焊墊預(yù)設(shè)預(yù)焊錫材料，或在上、下層半導(dǎo)體封裝件的基板間敷設(shè)IR膠造成制程成本及復(fù)雜程度增加等問題，確為相關(guān)領(lǐng)域上迫切面對的課題。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)的缺失，本發(fā)明的主要目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)及其制法，避免半導(dǎo)體封裝件堆棧時在回焊作業(yè)發(fā)生偏移問題。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)及其制法，避免在下層半導(dǎo)體封裝件的基板焊墊預(yù)設(shè)預(yù)焊錫材料造成制程成本及復(fù)雜程度增加等問題。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)及其制法，避免現(xiàn)有在上、下層半導(dǎo)體封裝件的基板間敷設(shè)IR膠及照射紅外線造成制程成本及復(fù)雜程度增加等問題。
為達上述及其它目的，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，該半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法包括提供具有相對的第一表面及第二表面的基板，且在該基板第二表面上設(shè)置有電性連接墊及假連接墊(Dummy pad)；在該基板第一表面上設(shè)置并電性連接至少一半導(dǎo)體芯片；在該基板第二表面的電性連接墊及假連接墊上植設(shè)焊球，構(gòu)成上層半導(dǎo)體封裝件；以及將該上層半導(dǎo)體封裝件接置在一已完成芯片封裝的下層半導(dǎo)體封裝件上，該下層半導(dǎo)體封裝件具有基板、接置并電性連接至該基板的半導(dǎo)體芯片以及形成于該基板上用于包覆該半導(dǎo)體芯片的封裝膠體，其中該上層半導(dǎo)體封裝件是借由設(shè)在該電性連接墊的焊球電性連接至該下層半導(dǎo)體封裝件的基板，并借由設(shè)在該假連接墊的焊球圍束該下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體，構(gòu)成半導(dǎo)體封裝件的堆棧結(jié)構(gòu)。
另外，本發(fā)明設(shè)在該上層半導(dǎo)體封裝件的假連接墊位置是對應(yīng)于下層半導(dǎo)體封裝件中的封裝膠體位置周圍，其中該假連接墊實際設(shè)置位置及數(shù)量可視制程需求加以變更，至少對應(yīng)于該封裝膠體的各邊設(shè)有至少一假連接墊，如該假連接墊可設(shè)在對應(yīng)封裝膠體各邊中間、一端或二端，也或連續(xù)設(shè)在對應(yīng)封裝膠體的角隅并延伸至該角隅兩邊，供后續(xù)在其上植設(shè)焊球并形成一定位裝置。
本發(fā)明也提供一種半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)包括下層半導(dǎo)體封裝件，該下層半導(dǎo)體封裝件包括基板、接置并電性連接至該基板的半導(dǎo)體芯片以及形成在該基板上用于包覆該半導(dǎo)體芯片的封裝膠體；以及接置于該下層半導(dǎo)體封裝件上的上層半導(dǎo)體封裝件，該上層半導(dǎo)體封裝件包括具有相對的第一表面及第二表面的基板、接置并電性連接至該基板第一表面的半導(dǎo)體芯片、形成于該基板第二表面的多條電性連接墊及假連接墊(Dummy pad)以及植設(shè)在該電性連接墊及假連接墊的焊球，其中該上層半導(dǎo)體封裝件是借由設(shè)在該電性連接墊的焊球電性連接至該下層半導(dǎo)體封裝件的基板，并借由設(shè)在該假連接墊的焊球圍束該下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體。
本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)及其制法，是先在半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的上層半導(dǎo)體封裝件的基板第二表面上，同時設(shè)有作為電性輸入/輸出(I/O)的電性連接墊及假連接墊(Dummy pad)，其中該假連接墊的位置是對應(yīng)于下層半導(dǎo)體封裝件中的封裝膠體位置，供后續(xù)在該基板第二表面的電性連接墊及假連接墊上植設(shè)焊球，進而將該上層半導(dǎo)體封裝件接置于下層半導(dǎo)體封裝件時，使該上層半導(dǎo)體封裝件借由設(shè)在該電性連接墊的焊球電性連接至該下層半導(dǎo)體封裝件，并借由設(shè)在該假連接墊的焊球圍束該下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體，進而提供該上、下層半導(dǎo)體封裝件有效定位作用，避免現(xiàn)有技術(shù)中因半導(dǎo)體封裝件堆棧時，在回焊作業(yè)發(fā)生偏移，甚而導(dǎo)致電性連接失敗等問題。
再者，本發(fā)明用于定位上、下層半導(dǎo)體封裝件的假連接墊上的焊球是在植設(shè)電性連接墊的焊球時一起植設(shè)，毋需額外的制程步驟，現(xiàn)有技術(shù)在定位上、下層半導(dǎo)體封裝件時，須在下層半導(dǎo)體封裝件的基板焊墊預(yù)設(shè)預(yù)焊錫材料，供與上層半導(dǎo)體封裝件的焊球連接所產(chǎn)生的自動歸位來限制上、下層半導(dǎo)體封裝件的相對位移，以及在上、下層半導(dǎo)體封裝件的基板間敷設(shè)IR膠并照射紅外線等額外制程步驟，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明確可避免現(xiàn)有技術(shù)所造成制程成本增加及制程步驟復(fù)雜化等問題。


圖1是美國專利第5,222,014號所的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖2是美國專利第6,987,314號所的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖3是中國臺灣專利公告第I250627號的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)剖面示意圖；圖4A至圖4D是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)及其制法實施例1的剖面示意圖；圖5A至圖5C是對應(yīng)圖4A的基板不同實施形式的示意圖；圖6A及圖6B是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)實施例2中上層半導(dǎo)體封裝件的基板底部示意圖；圖7是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)實施例3的剖面示意圖；圖8是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)實施例4的剖面示意圖；以及圖9是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)實施例5的剖面示意圖。
具體實施例方式
實施例1請參閱圖4A至圖4D，它是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法剖面示意圖。
如圖4A所示，提供具有相對的第一表面41a及第二表面41b的基板41，且在該基板第二表面41b上設(shè)置有電性連接墊411及假連接墊(Dummy pad)412，其中該基板41是為后續(xù)進行上、下層半導(dǎo)體封裝件堆棧的上層半導(dǎo)體封裝件的基板結(jié)構(gòu)，它可例如是球柵陣列基板。
還請配合參閱圖5A，它是對應(yīng)圖4A的基板第二表面示意圖，該基板第二表面41b的外圍部分設(shè)有多個作為電性輸入/輸出(I/O)的電性連接墊411，同時在該基板第二表面的中央部分設(shè)有多個假連接墊412，且該假連接墊412是對應(yīng)于下層半導(dǎo)體封裝件中的封裝膠體位置(如虛線所示)周圍。
再者該假連接墊412實際設(shè)置位置及數(shù)量可視制程需求加以變更，至少對應(yīng)于后續(xù)接置其上的下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體各邊設(shè)有至少一假連接墊412，例如該假連接墊可設(shè)在對應(yīng)下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體各邊中間(如圖5A所示)，或各邊的一端(如圖5B所示)，或各邊的二端(如圖5C所示)等。
如圖4B所示，還在該基板第一表面41a上設(shè)置并電性連接至少一半導(dǎo)體芯片40；其中該半導(dǎo)體芯片40是可以多條焊線42電性連接至該基板41，接著即可在該基板第一表面41a上形成用于包覆該半導(dǎo)體芯片40及焊線42的封裝膠體43。
如圖4C所示，在該基板第二表面41b的電性連接墊411及假連接墊412上植設(shè)相對的焊球441，442，形成上層半導(dǎo)體封裝件410，其中該假連接墊412上的焊球442尺寸可與該電性連接墊411上的焊球441尺寸大至相同。
如圖4D所示，將該上層半導(dǎo)體封裝件410接置在一已完成芯片封裝的下層半導(dǎo)體封裝件510上。
該下層半導(dǎo)體封裝件510具有基板51、接置并電性連接至該基板51的半導(dǎo)體芯片50以及形成于該基板51上用于包覆該半導(dǎo)體芯片50的封裝膠體53。該下層半導(dǎo)體封裝件510的基板51具有相對的第一表面51a及第二表面51b，且在該第一及第二表面51a，51b上設(shè)有多個電性連接墊511，該半導(dǎo)體芯片50是接置在該基板51第一表面51a上，并可通過多條焊線52電性連接到該基板51。該下層半導(dǎo)封裝件510的基板未接置芯片的一側(cè)植設(shè)有焊球。
該上層半導(dǎo)體封裝件410是借由回焊作業(yè)，將設(shè)在電性連接墊411的焊球441電性連接到該下層半導(dǎo)體封裝件510的基板第一表面51a的電性連接墊511，并借由設(shè)在該假連接墊412的焊球442圍束該下層半導(dǎo)體封裝件510的封裝膠體53，構(gòu)成半導(dǎo)體封裝件的堆棧結(jié)構(gòu)。另在該下層半導(dǎo)體封裝件510的基板第二表面51b的電性連接墊511上還可植設(shè)焊球54，供該半導(dǎo)體封裝件的堆棧結(jié)構(gòu)電性連接至外部裝置。
另應(yīng)予特別說明的是，后續(xù)還可持續(xù)進行半導(dǎo)體封裝件的堆棧制程，非以本附圖的兩層為限。
通過上述制法，本發(fā)明也一種半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)包括一下層半導(dǎo)體封裝件510以及至少一接置于該下層半導(dǎo)體封裝件510上的上層半導(dǎo)體封裝件410。該下層半導(dǎo)體封裝件510包括基板51、接置并電性連接至該基板51的半導(dǎo)體芯片50、以及形成于該基板51上用于包覆該半導(dǎo)體芯片50的封裝膠體53；該上層半導(dǎo)體封裝件410包括具相對第一表面41a及第二表面41b的基板41、接置并電性連接至該基板第一表面41a的半導(dǎo)體芯片40、形成于該基板第二表面41b的多個電性連接墊411及假連接墊412以及植設(shè)在該電性連接墊411及假連接墊412的焊球441、442，其中該上層半導(dǎo)體封裝件410是借由設(shè)在該電性連接墊411的焊球441電性連接至該下層半導(dǎo)體封裝件510的基板51，并借由設(shè)在該假連接墊412的焊球442圍束該下層半導(dǎo)體封裝件510的封裝膠體53，進而有效定位該上、下層半導(dǎo)體封裝件。
實施例2另請參閱圖6A及圖6B，它是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)實施例2中上層半導(dǎo)體封裝件的基板底部示意圖。
本實施例2的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)及制法與上述實施例1大致相同，主要差異在于上層半導(dǎo)體封裝件的基板第二表面41b上所預(yù)設(shè)的假連接墊412，是連續(xù)設(shè)在對應(yīng)下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體(如虛線所示)的角隅并延伸至該角隅兩邊，供后續(xù)在其上植設(shè)焊球時，并經(jīng)回焊以對應(yīng)下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體的角隅形成一焊錫的攔壩結(jié)構(gòu)442c，在后續(xù)進行堆棧時，可有效將上層半導(dǎo)體封裝件定位于下層半導(dǎo)體封裝件上。
實施例3另請參閱圖7，它是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)實施例3的剖面示意圖。
本實施例3的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)與上述實施例大致相同，主要差異在于上層半導(dǎo)體封裝件410中植設(shè)在基板第二表面41b的假連接墊412的焊球442尺寸，是小于電性連接墊411上的焊球441尺寸，需確認(rèn)該假連接墊412上的焊球442是可用以圍束下層半導(dǎo)體封裝件510的封裝膠體53，進而限制該上層半導(dǎo)體封裝件相對該下層半導(dǎo)體封裝件發(fā)生偏移。
實施例4另請參閱圖8，它是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)實施例4的剖面示意圖。
本實施例4的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)與上述實施例大致相同，主要差異在于下層半導(dǎo)體封裝件510的基板第一表面51a上也設(shè)有假連接墊512，且它是對應(yīng)于上層半導(dǎo)體封裝件410的基板第二表面41b的假連接墊412位置，使植設(shè)在上層半導(dǎo)體封裝件410的假連接墊412上的焊球442得以連接至該下層半導(dǎo)體封裝件510的假連接墊512，進而強化上、下層半導(dǎo)體封裝件的結(jié)合性。
實施例5另請參閱圖9，它是本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)實施例5的剖面示意圖。
本實施例5的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)與上述實施例大致相同，主要差異在于設(shè)在上層半導(dǎo)體封裝件410的假連接墊412上的焊球442包括有核心部分442a及外圍部分442b，其中該核心部分442a是金屬銅、鉛或高分子材料，該外圍部分442b是焊錫材料，其中該假連接墊412的焊球核心部分442a的熔點，大于設(shè)在電性連接墊411上的焊球441熔點，使該焊球442有效圍束該下層半導(dǎo)體封裝510的封裝膠體。
再者，該上層半導(dǎo)體封裝件410的假連接墊412上的焊球442，也可采用熔點高于電性連接墊411上焊球441的合金，例如鉛/錫比(Pb/Sn)為90/10或95/5的高鉛合金(high-lead alloy)或如錫/銀/銅(Sn/Ag/Cu)比為96.5/3/.05的無鉛合金(Lead-free alloy)等。
因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)及其制法，是先在半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的上層半導(dǎo)體封裝件的基板第二表面上，同時設(shè)有作為電性輸入/輸出(I/O)的電性連接墊及假連接墊(Dummy pad)，其中該假連接墊的位置是對應(yīng)于下層半導(dǎo)體封裝件中的封裝膠體位置，供后續(xù)在該基板第二表面的電性連接墊及假連接墊上植設(shè)焊球，進而將該上層半導(dǎo)體封裝件接置于下層半導(dǎo)體封裝件時，使該上層半導(dǎo)體封裝件借由設(shè)在該電性連接墊的焊球，電性連接至該下層半導(dǎo)體封裝件，并借由設(shè)在該假連接墊的焊球，圍束該下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體，進而提供該上、下層半導(dǎo)體封裝件有效地定位，避免現(xiàn)有因半導(dǎo)體封裝件堆棧時在回焊作業(yè)發(fā)生偏移，甚而導(dǎo)致電性連接失敗等問題。
再者，由于本發(fā)明中用于定位上、下層半導(dǎo)體封裝件的假連接墊上的焊球是在植設(shè)電性連接墊的焊球時一起植設(shè)，毋需額外的制程步驟，現(xiàn)有技術(shù)在定位上、下層半導(dǎo)體封裝件時，須在下層半導(dǎo)體封裝件的基板焊墊預(yù)設(shè)預(yù)焊錫材料，供與上層半導(dǎo)體封裝件的焊球連接所產(chǎn)生的自動歸位限制上、下層半導(dǎo)體封裝件的相對位移，以及在上、下層半導(dǎo)體封裝件的基板間敷設(shè)IR膠并照射紅外線等額外制程步驟，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明可避免現(xiàn)有技術(shù)所造成制程成本增加及制程步驟復(fù)雜化等問題。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法包括提供具有相對的第一表面及第二表面的基板，且在該基板第二表面上設(shè)置有電性連接墊及假連接墊(Dummy pad)；在該基板第一表面上設(shè)置并電性連接至少一半導(dǎo)體芯片；在該基板第二表面的電性連接墊及假連接墊上植設(shè)焊球，構(gòu)成上層半導(dǎo)體封裝件；以及將該上層半導(dǎo)體封裝件接置在一已完成芯片封裝的下層半導(dǎo)體封裝件上，該下層半導(dǎo)體封裝件具有基板、接置并電性連接至該基板的半導(dǎo)體芯片以及形成于該基板上用于包覆該半導(dǎo)體芯片的封裝膠體，其中該上層半導(dǎo)體封裝件是借由設(shè)在該電性連接墊的焊球電性連接至該下層半導(dǎo)體封裝件的基板，并借由設(shè)在該假連接墊的焊球圍束該下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體，構(gòu)成半導(dǎo)體封裝件的堆棧結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該下層半導(dǎo)封裝件的基板未接置芯片的一側(cè)植設(shè)有焊球。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的基板第二表面外圍部分設(shè)有多個作為電性輸入/輸出的電性連接墊，同時在該基板第二表面的中央部分設(shè)有多個假連接墊，且該假連接墊是對應(yīng)于下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體位置周圍。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的基板第二表面上對應(yīng)于下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體各邊設(shè)有至少一假連接墊。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該假連接墊是設(shè)在對應(yīng)下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體各邊中間、各邊的一端或各邊的二端其中之一。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的基板第二表面上預(yù)設(shè)的假連接墊，是連續(xù)設(shè)在對應(yīng)下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體角隅并延伸到該角隅兩邊，后續(xù)在其上植設(shè)焊球時，對應(yīng)下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體的角隅形成一攔壩結(jié)構(gòu)。
7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該假連接墊上的焊球尺寸可選擇小于或等于該電性連接墊上的焊球尺寸。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該下層半導(dǎo)體封裝件的基板上設(shè)有假連接墊，且它是對應(yīng)于上層半導(dǎo)體封裝件的基板第二表面的假連接墊位置。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的假連接墊上的焊球包括有核心部分及外圍部分，且該核心部分的熔點大于設(shè)在電性連接墊上的焊球熔點。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該核心部分是金屬銅、鉛或高分子材料其中之一，該外圍部分是焊錫材料。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的假連接墊上的焊球熔點，高于電性連接墊上的焊球熔點。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的假連接墊上的焊球是高鉛合金(high-leadalloy)或無鉛合金(Lead-free alloy)。
13.一種半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)包括下層半導(dǎo)體封裝件，該下層半導(dǎo)體封裝件包括基板、接置并電性連接至該基板的半導(dǎo)體芯片以及形成在該基板上用于包覆該半導(dǎo)體芯片的封裝膠體；以及接置于該下層半導(dǎo)體封裝件上的上層半導(dǎo)體封裝件，該上層半導(dǎo)體封裝件包括具有相對的第一表面及第二表面的基板、接置并電性連接至該基板第一表面的半導(dǎo)體芯片、形成于該基板第二表面的多條電性連接墊及假連接墊(Dummy pad)以及植設(shè)在該電性連接墊及假連接墊的焊球，其中該上層半導(dǎo)體封裝件是借由設(shè)在該電性連接墊的焊球電性連接至該下層半導(dǎo)體封裝件的基板，并借由設(shè)在該假連接墊的焊球圍束該下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體。
14.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，該下層半導(dǎo)封裝件的基板未接置芯片的一側(cè)植設(shè)有焊球。
15.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的基板第二表面外圍部，分設(shè)有多個作為電性輸入/輸出的電性連接墊，同時在該基板第二表面的中央部分設(shè)有多個假連接墊，且該假連接墊是對應(yīng)于下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體位置周圍。
16.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的基板第二表面上對應(yīng)于下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體各邊設(shè)有至少一假連接墊。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，該假連接墊是設(shè)在對應(yīng)下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體各邊中間、各邊的一端或各邊的二端其中之一。
18.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的基板第二表面上所預(yù)設(shè)的假連接墊，是連續(xù)設(shè)在對應(yīng)下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體角隅并延伸至該角隅兩邊，供后續(xù)在其上植設(shè)焊球時，對應(yīng)下層半導(dǎo)體封裝件的封裝膠體的角隅形成一攔壩結(jié)構(gòu)。
19.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，該假連接墊上的焊球尺寸可選擇小于或等于該電性連接墊上的焊球尺寸。
20.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，該下層半導(dǎo)體封裝件的基板上設(shè)有假連接墊，且它是對應(yīng)于上層半導(dǎo)體封裝件的基板第二表面的假連接墊位置。
21.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的假連接墊上的焊球包括有核心部分及外圍部分，且該核心部分的熔點大于設(shè)在電性連接墊上的焊球熔點。
22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，該核心部分是金屬銅、鉛或高分子材料其中之一，該外圍部分是焊錫材料。
23.如權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的假連接墊上的焊球熔點，高于電性連接墊上的焊球熔點。
24.如權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)，其特征在于，該上層半導(dǎo)體封裝件的假連接墊上的焊球，是高鉛合金(high-lead alloy)或無鉛合金(Lead-free alloy)。
全文摘要
本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)及其制法，該半導(dǎo)體封裝件堆棧結(jié)構(gòu)包括下層半導(dǎo)體封裝件以及接置在該下層半導(dǎo)體封裝件上的上層半導(dǎo)體封裝件，該下層半導(dǎo)體封裝件包括基板、接置并電性連接至該基板的半導(dǎo)體芯片以及形成在該基板上用于包覆該半導(dǎo)體芯片的封裝膠體；該上層半導(dǎo)體封裝件包括具有相對的第一表面及第二表面的基板、接置并電性連接至該基板第一表面的半導(dǎo)體芯片、形成于該基板第二表面的多條電性連接墊及假連接墊以及植設(shè)在該電性連接墊及假連接墊的焊球。本發(fā)明可避免半導(dǎo)體封裝件堆棧時在回焊作業(yè)發(fā)生偏移問題、避免預(yù)設(shè)預(yù)焊錫材料造成制程成本及復(fù)雜程度增加等問題。
文檔編號H01L21/56GK101071779SQ200610077489
公開日2007年11月14日 申請日期2006年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月8日
發(fā)明者蔡芳霖, 蔡和易, 普翰屏, 蕭承旭 申請人:矽品精密工業(yè)股份有限公司