專利名稱：發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光顯示器及其制造方法，更具體地講，涉及一種能夠防止外來物如水、氧氣等通過發(fā)光顯示器的第一絕緣層流入發(fā)光二極管的發(fā)光顯示器，及其制造方法。
背景技術(shù)：
和陰極射線管(CRT)一樣，傳統(tǒng)發(fā)光顯示器的響應(yīng)速度快于無源發(fā)光二極管如需要獨(dú)立光源的液晶顯示器(LCD)。
相對于其它平板顯示器，平板顯示器(FPD)中的發(fā)光顯示器由于它的工作溫度范圍更大、抗沖擊或振動的穩(wěn)定性更好、視角更寬和響應(yīng)速度更快，所以它可以提供栩栩如生的運(yùn)動畫面。根據(jù)材料和結(jié)構(gòu)，發(fā)光顯示器分為具有無機(jī)發(fā)光層的無機(jī)發(fā)光顯示器和具有有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)發(fā)光顯示器。有機(jī)發(fā)光顯示器通過使半導(dǎo)體中的電子和空穴發(fā)生電子-空穴復(fù)合來產(chǎn)生光。載流子被激發(fā)到更高的能級，激發(fā)后降為基態(tài)。
以下，將參照附圖來詳細(xì)描述傳統(tǒng)的發(fā)光顯示器。
圖1是示意性示出傳統(tǒng)發(fā)光顯示器的平面圖，圖2是沿圖1中的線II-II’截取的側(cè)面剖視圖。如圖1所示，傳統(tǒng)的發(fā)光顯示器100包括基底110；圖像顯示部分111，具有有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)(未示出)；焊盤部分112，具有在基底110一側(cè)面形成的多個焊盤；電源線115，沿著基底110的邊框形成，除了形成有焊盤部分112的區(qū)域；掃描驅(qū)動器113；和數(shù)據(jù)驅(qū)動器114。
更具體地講，參照圖2，傳統(tǒng)的發(fā)光顯示器100包括順序形成在基底110上的緩沖層120、半導(dǎo)體層130、131和132、柵極絕緣層125、中間絕緣層135、源極141、漏極142、第一絕緣層145、OLED 150和透射面板155。
首先，包括氧化膜的緩沖層120形成在基底110上，半導(dǎo)體層130、131、132通過形成多晶硅層并將多晶硅層圖案化形成在緩沖層120上。柵極絕緣層125形成在包括半導(dǎo)體層130、131、132的緩沖層120上，柵極金屬層沉積在柵極絕緣層125上，通過將沉積的柵極金屬層圖案化來形成柵極140。
中間絕緣層135形成在柵極140上，通過沉積源極/漏極金屬層并使源極/漏極金屬層圖案化來形成源極1 41和漏極142。通常，數(shù)據(jù)線(未示出)和電源線115與源極141和漏極142同時形成。在其上形成有源極141、漏極142和電源線115的中間絕緣層135上，為了去除由于圖案化如源極、漏極和電源線的圖案化而形成的圖案彎曲，形成第一絕緣層145，在第一絕緣層145上形成通常具有紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)顏色的OLED 150。
此外，在其上形成有OLED 150的第一絕緣層145的上方，提供了用于覆蓋OLED 150的透射面板155，以防止上面的區(qū)域被暴露。在透射面板155的下表面上，即，在面向OLED 150的上面的區(qū)域的表面上，形成了透射吸濕劑156。透射面板155和第一絕緣層145通過沿著它們的外圍涂覆在表面上的密封劑160使它們相互結(jié)合。
然而，在傳統(tǒng)的發(fā)光顯示器中，為了去除由于每層的圖案彎曲導(dǎo)致的臺階狀部分而形成的第一絕緣層通常由硅或苯并環(huán)丁烯(BCB)、丙烯酸、聚酰亞胺等制成，由于這些材料的特性導(dǎo)致它們的附著性相對弱，所以當(dāng)將密封劑涂覆在第一絕緣層的表面或透射面板的表面上并將第一絕緣層與透射面板結(jié)合時，會劣化第一絕緣層和透射面板之間的附著性。因此，在高溫或高濕度的條件下，潮氣或氧氣可從外部滲透到發(fā)光顯示器中。
此外，在傳統(tǒng)顯示器中，當(dāng)潮氣滲透到發(fā)光顯示器中時，滲透的潮氣可沿著第一絕緣層直接接觸OLED，從而劣化OLED的發(fā)光效率并縮短了OLED的使用壽命。

發(fā)明內(nèi)容
因此，發(fā)光顯示器可包括用于阻擋外來物從外部流入第一絕緣層的阻擋部分，使得含有潮氣的外來物不能與有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)直接接觸。下面還描述一種制造這種顯示器的方法發(fā)光顯示器還可以包括在第一絕緣層上形成的無機(jī)絕緣層，用于提高第一絕緣層和在OLED上方形成的透射面板之間的附著性，形成第一絕緣層是為了減少圖案的臺階狀部分。下面還描述一種制造這種顯示器的方法。
本發(fā)明的前述和/或其他方面通過提供一種發(fā)光顯示器來實(shí)現(xiàn)，該發(fā)光顯示器包括形成在基底上的薄膜晶體管、沉積在薄膜晶體管上的第一絕緣層、在第一絕緣層上用于形成圖像顯示部分的至少一個OLED。阻擋部分鄰近于圖像顯示部分的至少一個側(cè)面形成以防止外來物流入OLED。
在一個實(shí)施例中，發(fā)光顯示器還包括在形成像素電極前在第一絕緣層上形成的無機(jī)絕緣層。阻擋部分可為穿過第一絕緣層的狹縫形通孔，該通孔可形成在第一絕緣層和無機(jī)絕緣層中，并具有至少2μm的寬度。在一個實(shí)施例中，無機(jī)絕緣層從SiNx和SiOx中選擇。
阻擋部分的高度可等于第一絕緣層的厚度或者大于或小于第一絕緣層的厚度。
在另一實(shí)施例中，發(fā)光顯示器包括形成在基底上的薄膜晶體管、薄膜晶體管上方的第一絕緣層、形成在第一絕緣層上的無機(jī)絕緣層、在無機(jī)絕緣層上用于形成圖像顯示部分的至少一個OLED。沿由OLED形成的圖像顯示部分的外圍在第一絕緣層中形成至少一個阻擋部分，以基本防止外來物流入OLED。
制造發(fā)光顯示器的方法的又一實(shí)施例包括制備基底；在基底上形成包括源極和漏極的薄膜晶體管；在薄膜晶體管上形成第一絕緣層；在第一絕緣層中形成接觸孔；在包括由薄膜晶體管驅(qū)動的至少一個OLED的圖像顯示部分的至少一側(cè)中形成至少一個阻擋部分；形成在第一絕緣層上形成并通過接觸孔電連接到源極或漏極的像素電極。
在一個實(shí)施例中，該方法還包括在形成像素電極前在第一絕緣層上形成無機(jī)絕緣層。阻擋部分可與形成接觸孔同時形成。阻擋部分可與形成接觸孔分開形成。


下面通過結(jié)合附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例的示例，本發(fā)明的這些和/或其它方面和特征將會變得清楚并且更易于理解，其中圖1是示意性示出傳統(tǒng)發(fā)光顯示器的平面圖；圖2是沿圖1中的線II-II’截取的側(cè)面剖視圖；圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光顯示器的平面圖；
圖4是沿圖3中的線IV-IV’截取的側(cè)面剖視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的側(cè)面剖視圖；圖6A至圖6E是示出制造圖3中示出的發(fā)光顯示器的步驟的側(cè)面剖視圖；圖7A至圖7C是示出制造根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的步驟的側(cè)面剖視圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的平面圖；圖9是沿圖8中的線IX-IX’截取的側(cè)面剖視圖；圖10是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的側(cè)面剖視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，將參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的示例。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的發(fā)光顯示器的平面圖，圖4是沿圖3中的線IV-IV’截取的側(cè)面剖視圖，圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的側(cè)面剖視圖。這里，為了避免重復(fù)描述，相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。
如圖3所示，發(fā)光顯示器400包括基底410；圖像顯示部分411，具有在形成在基底410上的掃描線S和數(shù)據(jù)線D的交叉區(qū)域中形成的由至少一個薄膜晶體管(未示出)驅(qū)動的至少一個子像素；焊盤部分412，形成在基底410的一側(cè)；電源線415，形成在基底410上除了焊盤部分412之外；掃描驅(qū)動器413，形成在圖像顯示部分411和電源線415之間；數(shù)據(jù)驅(qū)動器414，形成在圖像顯示部分411和焊盤部分412之間。
如圖3至圖5所示，發(fā)光顯示器400包括形成在基底410上的緩沖層420、半導(dǎo)體層430和431、柵極絕緣層425、柵極440、中間絕緣層435、源極和漏極441、OLED 450。發(fā)光顯示器500包括形成在基底510上的緩沖層520、半導(dǎo)體層530和531、柵極絕緣層525、柵極540、中間絕緣層535、源極和漏極541、OLED 550。
緩沖層420、520形成在基底410、510上，半導(dǎo)體層430、530和431、531形成在緩沖層420、520上，并包括源區(qū)和漏區(qū)431、531。柵極絕緣層425、525形成在其上形成有半導(dǎo)體層430、530和431、531的緩沖層420、520上，柵極440、540形成在柵極絕緣層425、525上。
中間絕緣層435、535形成在柵極絕緣層425、525上，并包括用于暴露源區(qū)和漏區(qū)431、531的第一接觸孔(未示出)。經(jīng)第一接觸孔接觸源區(qū)和漏區(qū)431、531的源極和漏極441、541形成在中間絕緣層435、535上。通常，電源線415、515與源極和漏極441、541同時形成。
第一絕緣層445、545形成在其上形成有源極和漏極441、541以及電源線415、515的中間絕緣層435、535上，從而可以減少由于源極和漏極441、541以及電源線415、515的圖案化而導(dǎo)致的圖案彎曲。在第一絕緣層445、545上，形成用于暴露源極和漏極441、541之一的第二接觸孔447、547。OLED 450、550形成在第一絕緣層445、545上，并且通常具有三種顏色如紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)。用于形成OLED 450、550的象素電極(未示出)經(jīng)形成在第一絕緣層445、545上的第二接觸孔447、547連接到源極和漏極441、541。
在第一絕緣層445、545中，為了防止外來物通過第一絕緣層445、545流入OLED 450、550，阻擋部分470(圖4)或571(圖5)在圖像顯示裝置的圖像顯示部分411的一側(cè)上或多側(cè)上，通過OLED 450、550和薄膜晶體管使圖像顯示在圖像顯示裝置的圖像顯示部分411上。阻擋部分470(或571)沿著圖像顯示部分411、掃描驅(qū)動器413、513、和數(shù)據(jù)驅(qū)動器414、514的外圍形成在電源線415、515和焊盤部分412的內(nèi)側(cè)。
圖4中示出的阻擋部分470是通過蝕刻形成在第一絕緣層445的沉積厚度，即第一絕緣層445的整個厚度上的通孔，并且可以在形成第二接觸孔447時形成。在一個實(shí)施例中，阻擋部分470的寬度是2μm到50μm，并且可以在考慮到發(fā)光顯示器的其它元件的排列的情況下在設(shè)計工藝允許的范圍內(nèi)設(shè)計。
圖5中示出的阻擋部分571可以形成為厚度小于第一絕緣層545的沉積厚度的凹槽。凹形的阻擋部分571可利用分離掩?；蛲ㄟ^半色調(diào)方法形成。凹形的阻擋部分571還可以與第二接觸孔547同時形成或者單獨(dú)地形成，在一個實(shí)施例中，凹形的阻擋部分571的蝕刻寬度大于2μm。
參照圖4和圖5，在其上形成有OLED 450、550的第一絕緣層445、545的上方，形成了用于覆蓋OLED 450、550的透射面板455、555，從而OLED450、550的上部區(qū)域沒有暴露到外部。在透射面板455、555的下側(cè)，即，在面向OLED 450、550的上部區(qū)域的表面上，形成有透射吸濕劑456、556。通過沿透射面板455、555和第一絕緣層445、545的外圍的至少一側(cè)涂覆密封劑，將透射面板455、555和第一絕緣層445和545結(jié)合。
通過在圖3至圖5中所示的結(jié)構(gòu)，因?yàn)榧词拱駳獾耐鈦砦餄B入第一絕緣層445、545，外來物也被沿阻擋部分470、571引導(dǎo)，所以外來物不能直接接觸OLED 450、550。此外，流入第一絕緣層445、545并被沿阻擋部分470、571引導(dǎo)的濕氣可通過形成在透射面板455、555的下部區(qū)域上的吸濕劑456、556來去除。
在上面的實(shí)施例中，盡管阻擋部分470、571在形成第一絕緣層445、545和OLED 450、550之前形成，但是阻擋部分470、571可以在第一絕緣層445、545上形成OLED 450、550之后形成。此外，在圖4和圖5中，為了示出的目的，相對寬地示出了OLED 450、550和透射面板455、555之間的間隙。
圖6A至圖6E是示出在制造根據(jù)圖3和圖4中示出的實(shí)施例的發(fā)光顯示器的步驟的側(cè)面剖視圖。
首先，如圖6A和圖6B所示，為了制造發(fā)光顯示器600，設(shè)置了基底610，緩沖層620和半導(dǎo)體層630和631形成在基底610上。通常，基底610由玻璃基底或絕緣基底如合成樹脂制成，通過沉積非晶硅并將沉積的非晶硅圖案化來形成半導(dǎo)體層630和631。
如圖6B所示，柵極絕緣層625形成在包含半導(dǎo)體層630和631的緩沖層620上，柵極640通過沉積柵極金屬并將沉積的柵極金屬圖案化來形成在柵極絕緣層625上。接著，通過離子注入將n型或p型雜質(zhì)注入到半導(dǎo)體層中，從而源極部分和漏極部分631形成在半導(dǎo)體層上。
接著，如圖6C所示，在形成有源極部分和漏極部分631的緩沖層620上，通過沉積方法如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)來形成中間絕緣層635，在下一步驟中形成用于連接源極和漏極641的第一接觸孔636。通過蝕刻中間絕緣層635來形成第一接觸孔636。
如圖6D所示，通過使沉積在中間絕緣層635上的源極金屬和漏極金屬圖案化，在形成電源線615的同時在中間絕緣層635上形成源極和漏極641。源極和漏極641分別通過第一接觸孔636接觸源極部分和漏極部分631。
接著，如圖6E所示，為了減輕源極和漏極641的圖案彎曲，第一絕緣層645形成在中間絕緣層635上。在第一絕緣層645上，形成了將在下一個步驟中形成的第二接觸孔647，第二接觸孔647用于將源極和漏極641與OLED 650電連接。在第一絕緣層645中，為了防止外來物流入OLED 650，沿著在第一絕緣層645的厚度的上方由OLED 650形成的圖像顯示部分的外部邊緣在任何位置形成阻擋部分670。第二接觸孔647和阻擋部分670可同時形成或者單獨(dú)形成。
阻擋部分670是由執(zhí)行一次蝕刻形成的并延伸到第一絕緣層645的沉積厚度的夾縫形通孔。在一個實(shí)施例中，通孔681的寬度是2μm到50μm，并且可以在考慮到發(fā)光顯示器的其它元件的排列的情況下在設(shè)計工藝允許的范圍內(nèi)設(shè)計。在這個實(shí)施例中，盡管孔形的阻擋部分形成在第一絕緣層645的整個厚度的上方，但是阻擋部分670也可以以凹槽的形式形成。凹槽形的阻擋部分670可利用分離掩?；虬肷{(diào)方法形成。
圖7A至圖7C是示出制造根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的步驟的側(cè)面剖視圖。在圖7A至圖7C中示出的制造工藝中，為了示出方便，示出與圖6A至圖6E中示出的工藝相同的工藝的附圖被省略并且也省略了對它們的描述。此外，相同的標(biāo)號表示與圖6A至圖6E的相關(guān)描述的元件相同的元件。
將參照圖7A至圖7C來描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的形成薄膜晶體管的工藝，該薄膜晶體管形成了發(fā)光顯示器。如圖7A所示，發(fā)光顯示器700的薄膜晶體管包括半導(dǎo)體層730和731、形成在緩沖層720上的柵極絕緣層725、柵極740、中間絕緣層735、源極和漏極741。
如圖7B所示，電源線715形成在中間絕緣層735上，第一絕緣層745形成在中間絕緣層735上，無機(jī)絕緣層780形成在第一絕緣層745上。阻擋部分形成在第一絕緣層745和無機(jī)絕緣層780中，用來防止外來物經(jīng)第一絕緣層745流入OLED 750。阻擋部分770、781是在第一絕緣層745和無機(jī)絕緣層780的整個厚度上延伸的通孔?？仔巫钃醪糠?70、781可通過蝕刻與第二接觸孔同時形成或者單獨(dú)形成。
此外，在這個實(shí)施例中，盡管阻擋部分770和781在使第一絕緣層745和無機(jī)絕緣層780均形成疊層后形成，但是在第一絕緣層745中形成阻擋部分770并使無機(jī)絕緣層780形成疊層之后，也可以在層疊的無機(jī)絕緣層780中形成連接到阻擋部分770的阻擋部分781。在這個實(shí)施例中，阻擋部分781也是通過蝕刻形成的通孔。阻擋部分770和781可與第二接觸孔747同時形成或者也可以單獨(dú)形成。
第一絕緣層745由熱固性樹脂如丙烯酸樹脂、BCB等制成，第一絕緣層745是平坦的，并且起絕緣層和保護(hù)層的作用。這里，無機(jī)絕緣層780由SiNx和SiOx之一制成，并且沉積厚度為200到500(1＝10-10m)。在形成無機(jī)絕緣層780后，OLED 750電連接到在第一絕緣層745和無機(jī)絕緣層780中形成的第二接觸孔747。
接著，如圖7C所示，圍繞OLED 750的上部的透射面板755形成在無機(jī)絕緣層780上。用于吸收潮氣并透射OLED 750產(chǎn)生的光的透明的吸濕劑756形成在透射面板755的下表面上，即，形成在面向OLED 750的上側(cè)的表面上。通過沿透射面板755和無機(jī)絕緣層780的外圍在它們的至少一個的側(cè)面上涂覆密封劑760，將透射面板755和無機(jī)絕緣層780結(jié)合。
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的平面圖，圖9是沿圖8中的線IX-IX’截取的側(cè)面剖視圖。為了避免重復(fù)描述，將省略對與圖3至圖5中的相同元件的描述。
如圖8所示，發(fā)光顯示器800包括基底810、由OLED形成的圖像顯示部分811、焊盤部分812、電源線815、掃描驅(qū)動器813和數(shù)據(jù)驅(qū)動器814。如圖8和圖9所示，發(fā)光顯示器800還包括形成在基底810上的緩沖層820、半導(dǎo)體層830和831、柵極絕緣層825、柵極840、中間絕緣層835、源極和漏極841、第一絕緣層845和OLED 850。
在這個實(shí)施例中，第一絕緣層845形成在源極和漏極841上，以減少由源極和漏極841及電源線815導(dǎo)致的圖案彎曲。源極和漏極841及電源線815形成在中間絕緣層835上。
用于暴露源極和漏極841的任何一個的第二接觸孔847形成在第一絕緣層845中。OLED 850形成在第一絕緣層845上，并通常具有如紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)的顏色。用作OLED 850的元件的像素電極(未示出)經(jīng)形成在第一絕緣層845上的第二接觸孔847電連接到源極和漏極841。
在第一絕緣層845中，為了防止外來物經(jīng)第一絕緣層845流入OLED 850，沿圖像顯示部分811的外圍形成一對阻擋部分870和871。阻擋部分870和871相互分隔開，沿圖像顯示部分811、掃描驅(qū)動器813和數(shù)據(jù)驅(qū)動器814的外圍在電源線815和焊盤部分812內(nèi)形成兩條線。
圖9中示出的阻擋部分870和871的每個是通過在第一絕緣層845的整個沉積厚度上蝕刻形成的通孔，并且可以在形成第二接觸孔847時同時形成。在一個實(shí)施例中，阻擋部分的寬度是2μm到50μm?；谠诳紤]到發(fā)光顯示器的其它元件的排列的情況下的設(shè)計工藝，形成阻擋部分。
如圖8和圖9所示，雖然所有的阻擋部分870和871以穿過第一絕緣層845的通孔的形式形成，但是阻擋部分870和871之一可是通孔，另一個可是凹槽，或者二者均為通孔。當(dāng)阻擋部分870和871的至少一個以凹槽的形式形成時，可使用分離掩?；虬肷{(diào)方法。此外，當(dāng)以凹槽的形式形成阻擋部分時，阻擋部分可與第二接觸孔847同時形成或者單獨(dú)形成，在一個實(shí)施例中，阻擋部分的寬度是2μm到50μm。在其上形成有OLED 850的第一絕緣層845的上方，為了防止OLED 850被暴露到外部，形成了透射面板855。在透射面板855的下表面上形成了吸濕劑856。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的側(cè)面剖視圖。為了示出的目的，將省略對與圖7A至圖7C中的元件相同的元件的詳細(xì)描述，并將對發(fā)光顯示器的描述重點(diǎn)放在這個實(shí)施例的特有結(jié)構(gòu)上。
如圖10所示，發(fā)光顯示器900包括形成在基底910上的緩沖層920、半導(dǎo)體層930和931、柵極絕緣層925、柵極940、中間絕緣層935、源極和漏極941、第一絕緣層945、無機(jī)絕緣層980、OLED 950和其上形成有吸濕劑956的透射面板955。
在這個實(shí)施例中，第一絕緣層945形成在基底910上，在基底910上形成了包括半導(dǎo)體930和931、柵極940、源極和漏極941的薄膜晶體管，在第一絕緣層945和無機(jī)絕緣層980中形成了一對阻擋部分970和971，該對阻擋部分970和971用于阻擋將經(jīng)第一絕緣層945被引入的外來物。
阻擋部分970和971是通過蝕刻形成并在第一絕緣層945和無機(jī)絕緣層980的整個厚度上延伸的通孔?？仔巫钃醪糠?70和971可與接觸孔947同時形成或者單獨(dú)形成，在一個實(shí)施例中，阻擋部分970和971的寬度是2μm到50μm或者在考慮到其它元件的排列的情況下的設(shè)計工藝允許的范圍內(nèi)。圖10中示出的阻擋部分970和971可是與圖8和圖9中示出的阻擋部分870和871一樣的通孔，它們之一可是通孔并且另一個可是凹槽，或者二者均為通孔。
在根據(jù)圖8至圖10中示出的實(shí)施例的發(fā)光顯示器800和900中，由于含由潮氣的外來物從外部通過各個發(fā)光顯示器800和900的第一絕緣層845和945流入，并被阻擋部分870、871、970和971引導(dǎo)，所以可防止通過第一絕緣層845和945流入的外來物直接接觸OLED 850和950。
在以上的實(shí)施例中，盡管發(fā)光顯示器包括第一絕緣層，阻擋部分形成在該第一絕緣層中，或者包括第一絕緣層和無機(jī)絕緣層，此時阻擋部分在整個第一絕緣層和無機(jī)絕緣層中延伸，但是阻擋部分可分別形成在第一絕緣層和無機(jī)絕緣層中。
在本發(fā)明的以上實(shí)施例中，盡管阻擋部分以線形形成并互相連接以形成“U”形，但是阻擋部分可以以各種相互分離的虛線形狀形成。
在實(shí)施例的以上示例中的阻擋部分形成在第一絕緣層上，從而可以防止外來物經(jīng)第一絕緣層直接接觸OLED。因此，可以提供一種能夠提高發(fā)光效率并延長OLED使用壽命的發(fā)光二極管及其制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的這些實(shí)施例，為了減少圖案的彎曲部分，無機(jī)絕緣層形成在第一絕緣層上，使得第一絕緣層和透射面板之間的附著性提高以防止外來物從外部流入發(fā)光顯示器。
盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實(shí)施例的幾個示例，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的原理和精神，可以對這些實(shí)施例進(jìn)行修改，本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求及其等同物限定。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光顯示器，包括薄膜晶體管，形成在基底上；第一絕緣層，沉積在所述薄膜晶體管上；至少一個有機(jī)發(fā)光二極管，在所述第一絕緣層上并形成圖像顯示部分；阻擋部分，鄰近所述圖像顯示部分的側(cè)面以基本防止外來物流入所述至少一個有機(jī)發(fā)光二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中，所述阻擋部分的高度近似等于所述第一絕緣層的厚度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光顯示器，其中，所述阻擋部分包括穿過所述第一絕緣層的通孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中，所述阻擋部分的高度小于所述第一絕緣層的厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示器，其中，所述阻擋部分包括形成在所述第一絕緣層中的凹槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中，所述阻擋部分的寬度是2μm到50μm。
7.一種發(fā)光顯示器，包括薄膜晶體管，形成在基底上；第一絕緣層，設(shè)置在所述薄膜晶體管的上方；無機(jī)絕緣層，形成在所述第一絕緣層上；至少一個有機(jī)發(fā)光二極管，在所述無機(jī)絕緣層上形成圖像顯示部分；至少一個阻擋部分，鄰近于所述圖像顯示部分的側(cè)面形成在所述第一絕緣層中，以基本防止外來物流入所述至少一個有機(jī)發(fā)光二極管。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光顯示器，其中，所述阻擋部分的高度基本等于所述第一絕緣層和所述無機(jī)絕緣層的總厚度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光顯示器，其中，所述阻擋部分包括穿過所述無機(jī)絕緣層和所述第一絕緣層的通孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光顯示器，其中，所述阻擋部分的高度小于所述無機(jī)絕緣層和所述第一絕緣層的總厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光顯示器，其中，所述阻擋部分包括形成在所述無機(jī)絕緣層和所述第一絕緣層中的凹槽。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光顯示器，其中，所述無機(jī)絕緣層包含SiNx或SiOx。
13.一種制造發(fā)光顯示器的方法，所述方法包括制備基底；在所述基底上形成包括源極和漏極的薄膜晶體管；在所述薄膜晶體管上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層中形成接觸孔；形成圖像顯示部分，所述圖像顯示部分包括由所述薄膜晶體管驅(qū)動的至少一個有機(jī)發(fā)光二極管；形成鄰近于所述圖像顯示部分的側(cè)面的至少一個阻擋部分；在所述第一絕緣層上形成像素電極，所述像素電極經(jīng)所述接觸孔電連接到所述源極或所述漏極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括在形成所述像素電極前，在所述第一絕緣層上形成無機(jī)絕緣層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述阻擋部分形成在所述第一絕緣層和所述無機(jī)絕緣層中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述阻擋部分與所述第一絕緣層和所述無機(jī)絕緣層同時被蝕刻。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述阻擋部分與形成所述接觸孔同時形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述阻擋部分與形成所述接觸孔單獨(dú)形成。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述阻擋部分的高度基本等于所述第一絕緣層的厚度。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述阻擋部分的高度小于所述第一絕緣層的厚度。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種發(fā)光顯示器，該發(fā)光顯示器包括形成在基底上的薄膜晶體管、沉積在薄膜晶體管上的第一絕緣層、在第一絕緣層上用于形成圖像顯示部分的至少一個有機(jī)發(fā)光二極管。至少一個阻擋部分鄰近于圖像顯示部分的至少一個側(cè)面以基本上防止外來物流入有機(jī)發(fā)光二極管。本發(fā)明還提供了一種制造發(fā)光顯示器的方法，該方法包括制備基底；形成薄膜晶體管、第一絕緣層、第一絕緣層中的接觸孔、圖像顯示部分、鄰近于圖像顯示部分的側(cè)面的至少一個阻擋部分和像素電極。
文檔編號H01L21/82GK1841762SQ200610066018
公開日2006年10月4日 申請日期2006年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月21日
發(fā)明者李樹美, 李寬熙 申請人:三星Sdi株式會社