專利名稱：：周邊露光處理單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種芯片制造的顯影
技術(shù)領(lǐng)域：
，特別是指一種周邊露光處理單元。
背景技術(shù)：
：半導(dǎo)體生產(chǎn)中涂過光刻膠的硅片與支撐架周邊，其它半導(dǎo)體生產(chǎn)裝置，特別是離子注入裝置的接觸會導(dǎo)致周邊光刻膠剝落進而產(chǎn)生顆粒，為防止該問題發(fā)生使用周邊露光裝置在硅片現(xiàn)象前進行周邊露光，以去除硅片周圍的光刻膠。目前，周邊露光裝置主要由日本USHIO(優(yōu)志旺)和H0YA(豪雅)兩家公司生產(chǎn)，其中H0YA公司生產(chǎn)的周邊露光裝置主要搭載在TEL(東京電子有限公司)公司生產(chǎn)的現(xiàn)象機MARK-8和ACT-8設(shè)備上。在TEL現(xiàn)象機臺上搭載的H0YA周邊露光裝置是主要對應(yīng)于單個機臺使用兩個現(xiàn)象處理單元而設(shè)計的，當(dāng)因產(chǎn)能需要另外增加現(xiàn)象處理單元時，設(shè)備作業(yè)瓶頸會從現(xiàn)象處理單元轉(zhuǎn)移到周邊露光處理單元，導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低。因此，在此
技術(shù)領(lǐng)域：
中，需要一種周邊露光處理單元，縮短單枚硅片處理時間，提高其生產(chǎn)效率。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種周邊露光處理單元。它可以對已有周邊露光處理單元的露光面罩進行改造處理，用以增加單位時間的露光量，提高設(shè)備利用效率及產(chǎn)量。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的周邊露光處理單元，包括一露光面罩，所述露光面罩上設(shè)有一露光區(qū)域，該露光區(qū)域為矩形，其大小范圍為4*2.5咖<露光區(qū)域《4*8咖。所述露光面罩為4*5mm的矩形。采用上述結(jié)構(gòu)后，周邊露光處理單元有效縮短了單枚硅片處理時間，同時仍可完全去除光刻膠，并且無其它不良影響，大大減小了制品作業(yè)時間。該周邊露光處理單元應(yīng)用于一臺生產(chǎn)設(shè)備上，在沒有增加其它費用的前提下使該臺設(shè)備的產(chǎn)能約提高29%。下面結(jié)合附圖與具體實施方式對本發(fā)明作進一步詳細的說明。圖l是周邊露光處理原理簡圖；圖2是H0Y0制周邊露光處理單元示意圖；圖3是本發(fā)明周邊露光處理單元露光面罩立體圖。具體實施方式周邊露光處理單元的基本工作原理為如圖1所示，首先通過定波長的紫外光對硅片周圍的光刻膠進行露光，再進行現(xiàn)象處理去除光刻膠。目前在TEL制MARK-8的現(xiàn)象機臺上所使用的HOYA制周邊露光處理單元基本構(gòu)造如圖2所示，燈箱1中設(shè)置反射鏡2，從燈箱中產(chǎn)生由水銀燈3發(fā)出的特定波長的光，經(jīng)由光纖導(dǎo)引5到露光處理單元，光纖頭端有凸鏡鏡頭6聚光，再通過UVNOZZLE(紫外光發(fā)射端口)4上的露光面罩將光照射到硅片上。如圖2所示，可以判斷照射到硅片上光量的大小取決于三個因素一是露光處理的時間，二是提高周邊露光燈的照度，三是露光面罩的大小。在使用時間決定模式的條件下，露光處理時間是由生產(chǎn)條件程序固定，無法做更改。為了提高露光燈的照度，將基準(zhǔn)照度提高到該臺設(shè)備所能達到的最高照度1200mw/cm2后，在50S內(nèi)能去除周邊光刻膠，但因照度太高會有導(dǎo)致光刻膠碳化的可能性，而且對周邊露光燈來說，工作在最高照度的70%-80%是能保證照度穩(wěn)定的最佳區(qū)間。在排除以上兩種可能性之后，改變露光面罩的大小是唯一可行的方法。光刻膠完全去除的曝光量的計算公式如下曝光量(mj/cm2)=曝光圈數(shù)*曝光一圈所需時間(S)*照度(mw/cm2)*面罩幅度(■)/晶圓周長(mm)如圖3所示，HOYA制周邊露光處理單元的露光面罩(Notch型)7的露光區(qū)域8大小為4mm*2.5mm，面罩幅度為2.5mm，將面罩幅度由標(biāo)準(zhǔn)的2.5腿改成5mm后，在其它條件不變的情況下，曝光量增加了一倍，通過增大有效露光面積，從而提高單位時間的露光量，達到縮短露光時間。以去除POLYMIDE(聚氬酰氨)光刻膠為例，如表1所示，工藝要求在處理時間為50S,基本照度為1000mw/cm2的條件下能完全去除10000A厚度的光刻膠，實驗數(shù)據(jù)表明未改造前，該周邊露光裝置需要70S的露光時間才能將光刻膠完全去除表l.露光面罩露光區(qū)域大小為^2.5cm時，實驗結(jié)果如下。<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>表2.露光面罩露光區(qū)域的大小改為4*5^時，實驗結(jié)果如下。<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table>如表2所示，對露光面罩的露光區(qū)域的大小進行改造后，露光效果經(jīng)確認，在有效縮短露光時間后仍可完全去除光刻膠，并且無其它不良影響。權(quán)利要求1、一種周邊露光處理單元，其包括一露光面罩，所述露光面罩上設(shè)有一露光區(qū)域，其特征在于，該露光區(qū)域為矩形，其大小范圍為4*2.5mm＜露光區(qū)域≤4*8mm。2、如權(quán)利要求1所述的周邊露光處理單元，其特征在于，所述露光面罩的露光區(qū)域為4*5咖的矩形。全文摘要本發(fā)明公開了一種周邊露光處理單元，其包括一露光面罩，所述露光面罩上設(shè)有一露光區(qū)域，該露光區(qū)域為矩形，其大小范圍為4*2.5mm＜露光區(qū)域≤4*8mm。本發(fā)明通過改變露光面罩的露光區(qū)域的大小，實現(xiàn)增加單位時間內(nèi)的露光量，可縮短制品作業(yè)時間，提高設(shè)備利用效率及產(chǎn)量。文檔編號H01L21/00GK101131542SQ20061003027公開日2008年2月27日申請日期2006年8月22日優(yōu)先權(quán)日2006年8月22日發(fā)明者鵬張,華謝申請人:上海華虹Nec電子有限公司