專利名稱：薄膜晶體管陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種主動(dòng)元件陣列的制造方法，且特別是有關(guān)于一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)：
由于顯示器的需求與日俱增，因此業(yè)界全力投入相關(guān)顯示器的發(fā)展。其中，又以陰極射線管(Cathode Ray Tube，CRT)因具有優(yōu)異的顯示品質(zhì)與技術(shù)成熟性，因此長年獨(dú)占顯示器市場。然而，近來由于綠色環(huán)保概念的興起對(duì)于其能源消耗較大與產(chǎn)生輻射量較大的特性，加上其產(chǎn)品扁平化空間有限，因此無法滿足市場對(duì)于輕、薄、短、小、美以及低消耗功率的市場趨勢。因此，具有高畫質(zhì)、空間利用效率佳、低消耗功率、無輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFTLCD)已逐漸成為市場的主流。
薄膜晶體管液晶顯示器主要由液晶顯示面板(LCD pannel)與一背光模塊(back light module)所構(gòu)成，其中，液晶顯示面板主要由薄膜晶體管陣列基板(thin film transistor array substrate)、彩色濾光基板(colorfilter substrate)和配置在兩基板之間的液晶層(liquid crystal layer)所構(gòu)成。此外，背光模塊用以提供此液晶顯示面板所需的面光源，以使薄膜晶體管液晶顯示器達(dá)到顯示的效果。
圖1A、圖2A、圖3A及圖4A繪示現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖，而圖1B至圖4B分別繪示沿圖1A至圖4A的I-I’線的剖面圖。
請(qǐng)先參考圖1A與圖1B，現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板的制造方法包括下列步驟。首先，提供一基板110，然后在基板110上以濺鍍(sputtering)工藝形成一厚度約為數(shù)千埃(angstrom)的第一金屬層。然后，對(duì)于此第一金屬層進(jìn)行第一道光掩膜工藝，以形成多條掃描配線(scanning lines)122、多個(gè)掃描接墊124、多條共享配線132與多個(gè)共享接墊(pads)134。其中，掃描配線122的一端連接至掃描接墊124，而共享配線132的一端連接至共享接墊134。
請(qǐng)參考圖2A與圖2B，在基板110上依序形成一介電層、一半導(dǎo)體層(semiconductor layer)與一歐姆接觸層(ohmic contact layer)，其中介電層的材質(zhì)為氮化硅，而半導(dǎo)體層的材質(zhì)為非晶硅(a-Si)，且歐姆接觸層的材質(zhì)為摻雜非晶硅(n+-Si)。然后，以濺鍍工藝在歐姆接觸層上形成一接觸金屬層(contact metal layer)。再來，對(duì)于上述工藝所形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二道光掩膜工藝，以依序形成一圖案化介電層142、一圖案化半導(dǎo)體層144、一圖案化歐姆接觸層146與一圖案化接觸金屬層148。值得注意的是，為了增加制造工藝的成品率，圖案化介電層142、圖案化半導(dǎo)體層144、圖案化歐姆接觸層146與圖案化接觸金屬層148只覆蓋共享配線132與部分掃描配線122。換言之，對(duì)于上述結(jié)構(gòu)進(jìn)行完全刻蝕或過度刻蝕，以移除其它區(qū)域上的圖案化介電層142、圖案化半導(dǎo)體層144、圖案化歐姆接觸層與圖案化接觸金屬層148，因此裸露出的共享接墊134、掃描接墊124與部分掃描配線122便可能受到輕微損傷，如區(qū)域A1與區(qū)域B1，其中區(qū)域A1為裸露的拉線區(qū)，區(qū)域B1為裸露的部分掃描配線。
請(qǐng)參考圖3A與圖3B，在基板110上依序沉積一透明導(dǎo)電層與一第二金屬層，然后進(jìn)行第三道光掩膜工藝，以形成一圖案化透明導(dǎo)電層152與一圖案化第二金屬層154。此外，圖案化透明導(dǎo)電層152與圖案化第二金屬層154定義出多條數(shù)據(jù)配線(data lines)162、多個(gè)數(shù)據(jù)接墊164、多個(gè)源極/漏極172與多個(gè)像素電極174。其中，數(shù)據(jù)配線162的一端分別連接至數(shù)據(jù)接墊164。值得注意的是，在進(jìn)行溝道刻蝕(channel etching)的過程中，由于部分掃描配線122裸露于外(如區(qū)域A1與B1)，因此此部分的掃描配線122的厚度將會(huì)縮減而提高電阻值或是產(chǎn)生斷線而影響產(chǎn)品成品率。
請(qǐng)參考圖4A與圖4B，在基板110上形成一保護(hù)層(passivation layer)182，而保護(hù)層182的材質(zhì)為氮化硅。然后，進(jìn)行第四道光掩膜工藝，以形成第一開口124a、第二開口164a與第三開口134a，其中第一開口124a曝露出掃描接墊124上方的圖案化透明導(dǎo)電層152，而第二開口164a曝露出數(shù)據(jù)接墊164上方的圖案化透明導(dǎo)電層152。同樣地，第三開口134a曝露出共享接墊134上方的圖案化透明導(dǎo)電層152。此時(shí)，像素電極174的圖案化第二金屬層154也完全移除，以曝露出像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層152。至此，大致完成現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板的制作。
由于此四道光掩膜制造工藝上的需要，以及為提高工藝成品率，除了特定區(qū)域以外的圖案化介電層142、圖案化半導(dǎo)體層144、圖案化歐姆接觸層146與圖案化接觸金屬層148均需完全移除，因此裸露出的共享接墊134與部分掃描配線122便可能受到輕微損傷(如圖2A與圖2B的區(qū)域A1與B1)。再者，在進(jìn)行第三道光掩膜工藝時(shí)，裸露出的掃描配線122將再次受到損傷而產(chǎn)生厚度縮減或是斷線的現(xiàn)象(如圖3A與圖3B的區(qū)域A1與B1)。
此外，為了避免像素電極174與數(shù)據(jù)配線162產(chǎn)生短路，因此像素電極174與數(shù)據(jù)配線162需保持一定距離，而這將造成開口率(aperture ratio)下降。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，以改善掃描配線受到損傷的現(xiàn)象。
此外，本發(fā)明的再一目的是提供一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，以提高開口率。
基于上述目的或其它目的，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其包括下列步驟首先，在一基板上形成多條掃描配線。然后，在基板上依序形成一圖案化介電層與一圖案化半導(dǎo)體層，以覆蓋部分掃描配線。在基板上依序形成一圖案化透明導(dǎo)電層與一圖案化金屬層，而圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層區(qū)定義出多條數(shù)據(jù)配線、多個(gè)源極/漏極、多個(gè)像素電極與多個(gè)刻蝕保護(hù)層，其中刻蝕保護(hù)層分別包覆未被圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層覆蓋而曝露的掃描配線，且刻蝕保護(hù)層分別與掃描配線電性并聯(lián)。在基板上形成一保護(hù)層，然后移除像素電極上方的保護(hù)層與像素電極的圖案化金屬層，以曝露出像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層，并且同時(shí)移除刻蝕保護(hù)層與數(shù)據(jù)配線之間的掃描配線上方的圖案化半導(dǎo)體層，以曝露出掃描配線上方的圖案化介電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成掃描配線的步驟中還包括形成多個(gè)掃描接墊，其中掃描配線的一端分別連接至掃描接墊。在形成圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層后，圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層曝露出部分掃描接墊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層還包覆未被圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層覆蓋而曝露出的掃描接墊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在移除像素電極上方的保護(hù)層從步驟中，還同時(shí)移除掃描接墊上方的圖案化金屬層，以曝露出掃描接墊上方的圖案化透明導(dǎo)電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成數(shù)據(jù)配線的步驟中，圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層還定義出多個(gè)數(shù)據(jù)接墊，且數(shù)據(jù)配線的一端分別連接至數(shù)據(jù)接墊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成保護(hù)層的步驟中，保護(hù)層覆蓋數(shù)據(jù)接墊。然后，在移除像素電極上方的保護(hù)層的步驟中，還同時(shí)移除數(shù)據(jù)接墊掃描上方的圖案化金屬層，以曝露出數(shù)據(jù)接墊上方的圖案化透明導(dǎo)電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成掃描配線的步驟中，還包括形成多個(gè)共享接墊與分別連接至共享接墊的多條共享配線，而共享配線與掃描配線大致平行，且共享配線與掃描配線交替配置于基板上。
依照本發(fā)明實(shí)施例，各共享配線具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多條分支，且像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層與分支有部分重疊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層的步驟中，在像素電極內(nèi)形成多個(gè)狹縫(slit)。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，還包括同時(shí)在圖案化半導(dǎo)體層上形成一圖案化歐姆接觸層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，還包括同時(shí)在圖案化歐姆接觸層上形成一圖案化接觸金屬層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，各掃描配線具有多個(gè)柵極區(qū)。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成掃描配線的步驟中，還包括同時(shí)形成多個(gè)柵極，且這些柵極分別與這些掃描配線連接。
基于上述目的或其它目的，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其包括下列步驟。首先，在一基板上形成多條掃描配線。然后，在基板上依序形成一圖案化介電層與一圖案化半導(dǎo)體層，以覆蓋部分掃描配線。在基板上依序形成一圖案化透明導(dǎo)電層與一圖案化金屬層，而圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層定義出多條數(shù)據(jù)配線、多個(gè)源極/漏極與多個(gè)像素電極，且圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層曝露出掃描配線上方的部分圖案化半導(dǎo)體層。然后，在基板上形成一保護(hù)層。移除像素電極上方的保護(hù)層與像素電極的圖案化金屬層，以曝露出像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層，并且同時(shí)移除圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層所曝露出的位于掃描配線上方的圖案化半導(dǎo)體層，以曝露出掃描配線上方的圖案化介電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成掃描配線的步驟中還包括形成多個(gè)掃描接墊，其中掃描配線的一端分別連接至掃描接墊。在形成圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層后，圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層曝露出部分掃描接墊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層還包覆未被圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層覆蓋而曝露出的掃描接墊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在移除像素電極上方的保護(hù)層的步驟中，同時(shí)還移除掃描接墊上方的圖案化金屬層，以曝露出掃描接墊上方的圖案化透明導(dǎo)電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成數(shù)據(jù)配線的步驟中，圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層還定義出多個(gè)數(shù)據(jù)接墊，且數(shù)據(jù)配線的一端分別連接至數(shù)據(jù)接墊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成保護(hù)層的步驟中，保護(hù)層覆蓋數(shù)據(jù)接墊。在移除像素電極上方的保護(hù)層的步驟中，同時(shí)還移除數(shù)據(jù)接墊上方的圖案化金屬層，以曝露出數(shù)據(jù)接墊上方的圖案化透明導(dǎo)電層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成掃描配線的步驟中，還包括形成多個(gè)共享接墊與分別連接至共享接墊的多條共享配線，而共享配線與掃描配線大致平行，且共享配線與掃描配線交替配置于基板上。
依照本發(fā)明實(shí)施例，各共享配線具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多條分支，且像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層與分支有部分重疊。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層的步驟中，像素電極還覆蓋部分掃描配線。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，還包括同時(shí)在圖案化半導(dǎo)體層上形成一圖案化歐姆接觸層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，還包括同時(shí)在圖案化歐姆接觸層上形成一圖案化接觸金屬層。
依照本發(fā)明實(shí)施例，各掃描配線具有多個(gè)柵極區(qū)。
依照本發(fā)明實(shí)施例，在形成掃描配線的步驟中，還包括同時(shí)形成多個(gè)柵極，且這些柵極分別與這些掃描配線連接。
基于上述，本發(fā)明采用單獨(dú)利用半導(dǎo)體層(例如是半導(dǎo)體層與歐姆接觸層)或者同時(shí)使用半導(dǎo)體層與使用形成數(shù)據(jù)配線的金屬層來保護(hù)裸露的掃描配線，以改善掃描配線受到損傷的情況。此外，本發(fā)明采用具有分支的共享配線，而此種具有分支的共享配線便可作為薄膜晶體管陣列基板側(cè)的遮光層，以提高開口率。


圖1A、圖2A、圖3A及圖4A分別繪示現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖；圖1B、圖2B、圖3B及圖4B分別繪示沿圖1A、圖2A、圖3A及圖4A的I-I’線的剖面圖；圖5A、圖6A、圖7A及圖8A繪示本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖；圖5B、圖6B、圖7B及圖8B分別繪示沿圖5A、圖6A、圖7A及圖8A的II-II’線的剖面圖；圖5C、圖6C、圖7C及圖8C分別繪示沿圖5A、圖6A、圖7A及圖8A的III-III’線的剖面圖；圖9A、圖10A、圖11A及圖12A繪示本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖；圖9B、圖10B、圖11B及圖12B分別繪示沿圖9A、圖10A、圖11A及圖12A的II-II’線的剖面圖；圖13A、圖14A、圖15A及圖16A繪示本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖；圖13B、圖14B、圖15B及圖16B分別繪示沿圖13A、圖14A、圖15A及圖16A的II-II’線的剖面圖；圖13C、圖14C、圖15C及圖16C分別繪示沿圖13A、圖14A、圖15A及圖16A的III-III’線的剖面圖；圖17A、圖18A、圖19A及圖20A繪示本發(fā)明第四實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖；圖17B、圖18B、圖19B及圖20B分別繪示沿圖17A、圖18A、圖19A及圖20A的II-II’線的剖面圖；圖17C、圖18C、圖19C及圖20C分別繪示沿圖17A、圖18A、圖19A及圖20A的III-III’線的剖面圖；圖21A、圖22A、圖23A及圖24A繪示本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖；圖21B、圖22B、圖23B及圖24B分別繪示沿圖21A、圖22A、圖23A及圖24A的II-II’線的剖面圖。
主要元件符號(hào)說明
110、210基板 122、222掃描配線124、224掃描接墊 124a、224a第一開口132、232共享配線 134、234共享接墊134a、234a第三開口 142、242圖案化介電層144、244圖案化半導(dǎo)體層 146、246圖案化歐姆接觸層148、248圖案化接觸金屬層 152、252圖案化透明導(dǎo)電層154、254圖案化第二金屬層 162、262數(shù)據(jù)配線164、264數(shù)據(jù)接墊 164a、264a第二開口172、272源極/漏極 174、274像素電極182、282保護(hù)層 232a分支274a狹縫 276刻蝕保護(hù)層具體實(shí)施方式
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。
由于現(xiàn)有的薄膜晶體管陣列基板的制造方法中，在第二道光掩膜工藝之后，部分掃描配線便裸露出來，因此裸露的掃描配線在后續(xù)的工藝將持續(xù)受到損傷而導(dǎo)致厚度縮減或是產(chǎn)生斷線的現(xiàn)象。因此，本發(fā)明單獨(dú)使用半導(dǎo)體層與歐姆接觸層或同時(shí)使用半導(dǎo)體層與形成數(shù)據(jù)配線的金屬層來保護(hù)裸露的掃描配線，以改善掃描配線受到損傷的現(xiàn)象。此外，本發(fā)明將現(xiàn)有的直線型共享配線變更成H型共享配線，以增加開口率。以下將以數(shù)個(gè)實(shí)施例說明本發(fā)明，但其并非用以限定本發(fā)明，熟習(xí)此技藝者可依照本發(fā)明的精神對(duì)下述實(shí)施例做適當(dāng)?shù)男揎?，但其仍屬于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
第一實(shí)施例本實(shí)施例同時(shí)使用半導(dǎo)體層與歐姆接觸層與形成數(shù)據(jù)配線的金屬層來保護(hù)裸露的掃描配線，而本實(shí)施例所制造出的薄膜晶體管陣列基板可以是用于扭曲向列式液晶顯示器(Twisted Nematic Liquid Crystal Display，TN-LCD)中。此外，儲(chǔ)存電容為架構(gòu)于共享配線上(Cst on common)，然而本實(shí)施例并不限定儲(chǔ)存電容的型態(tài)，而儲(chǔ)存電容也可以是架構(gòu)于柵極上(Cst on gate)。再者，本實(shí)施例的薄膜晶體管的柵極為架構(gòu)于掃描配線上(gate on scan line)，然而本實(shí)施例并不限定薄膜晶體管的型態(tài)。舉例而言，本實(shí)施例的柵極與掃描配線也可以同時(shí)形成，且彼此相連接。
圖5A、圖6A、圖7A及圖8A繪示本發(fā)明第一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖，而圖5B、圖6B、圖7B及圖8B分別繪示沿圖5A、圖6A、圖7A及圖8A的II-II’線的剖面圖。圖5C、圖6C、圖7C及圖8C分別繪示沿圖5A、圖6A、圖7A及圖8A的III-III’線的剖面圖。
請(qǐng)先參考圖5A、圖5B與圖5C，本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造方法包括下列步驟。首先，提供一基板210，而基板210可以是玻璃基板、石英基板或是其它由透明材質(zhì)所構(gòu)成的基板。
然后，在基板210上以濺鍍(sputtering)工藝形成一厚度約為數(shù)千埃(angstrom)的第一金屬層。此外，第一金屬層可以是單層的鋁、鈦、鉬、鉻、銅、鋁合金、銅合金及其氮化物(如氮化鉬、氮化鈦等)?；蛘?，上述單層金屬層所組合的多層金屬層。然后，對(duì)于此第一金屬層進(jìn)行第一道光掩膜工藝，以形成多條掃描配線222、多個(gè)掃描接墊224、多條共享配線232與多個(gè)共享接墊234。其中，這些掃描配線222的一端均連接至掃描接墊224，而這些共享配線232的一端也同樣連接至共享接墊234。此外，共享配線232與掃描配線222交替配置于基板210上，且共享配線232與掃描配線222大致平行。另外，各共享配線232具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多條分支232a，因此共享配線232的分支232a便可作為薄膜晶體管陣列基板側(cè)的遮光層，以提高開口率。然而，本實(shí)施例并不限定共享配線232需具有分支232a，而第二實(shí)施例的共享配線232也可以應(yīng)用于本實(shí)施例中。
請(qǐng)參考圖6A、圖6B與圖6C，在基板210上以化學(xué)氣相沉積工藝(CVDprocess)依序形成一介電層與一半導(dǎo)體層(semiconductor layer)，其中介電層的材質(zhì)例如是氮化硅，而半導(dǎo)體層的材質(zhì)例如是非晶硅。為了提高半導(dǎo)體層與后續(xù)膜層(例如是像素電極)的歐姆式接觸，在半導(dǎo)體層上也可以依序形成一歐姆接觸層與一接觸金屬層。或者，在半導(dǎo)體層上也可以形成一歐姆接觸層，然而本發(fā)明不并限定需形成歐姆接觸層與接觸金屬層。此外，歐姆接觸層的材質(zhì)例如是摻雜非晶硅，而形成歐姆接觸層的方式可以是化學(xué)氣相沉積工藝。另外，形成接觸金屬層的方式可以是濺鍍工藝，而接觸金屬層可以是單層的鈦、鉬、鉻、鋁合金、銅合金，或者以上述單層金屬層為基層再搭配鋁、銅或其它金屬所形成的多層金屬層。
再來，對(duì)于上述工藝所形成的結(jié)構(gòu)進(jìn)行第二道光掩膜工藝，以依序形成一圖案化介電層242、一圖案化半導(dǎo)體層244、一圖案化歐姆接觸層246與一圖案化接觸金屬層248。值得注意的是，上述的多層結(jié)構(gòu)覆蓋共享配線232與部分掃描配線222(例如是區(qū)域A2與區(qū)域B2，其中區(qū)域A2為拉線區(qū))，且上述的多層結(jié)構(gòu)具有多個(gè)第一開口224a與第三開口234a，分別曝露出部分掃描接墊224與部分共享接墊234。此外，其它區(qū)域上的圖案化介電層242、圖案化半導(dǎo)體層244、圖案化歐姆接觸層246與圖案化接觸金屬層248必須完全移除，以使得部分的掃描配線222能夠曝露出來(例如是兩個(gè)區(qū)域B2之間的掃描配線222)。為了減輕對(duì)于掃描配線222造成的損傷，此工藝需選擇對(duì)于掃描配線222具有高選擇比的刻蝕方式來進(jìn)行。
在本實(shí)施例中，圖案化介電層242、圖案化半導(dǎo)體層244、圖案化歐姆接觸層246與圖案化接觸金屬層248覆蓋部分掃描接墊224與部分共享接墊234，然而上述的多層結(jié)構(gòu)也可以完全曝露掃描接墊224與共享接墊234。
請(qǐng)參考圖7A、圖7B與圖7C，在基板210上依序沉積一透明導(dǎo)電層與一第二金屬層，然后進(jìn)行第三道光掩膜工藝，以形成一圖案化透明導(dǎo)電層252與一圖案化第二金屬層254。此外，圖案化透明導(dǎo)電層252的材質(zhì)例如是銦錫氧化物(indium tin oxide，ITO)、銦鋅氧化物(indium zinc oxide，IZO)、鋅鋁氧化物(aluminum zinc oxide，AZO)、銦錫鋅氧化物(indium tin zincoxide，ITZO)或是其它透明金屬氧化物。另外，圖案化第二金屬層254可以是單層的鋁、鈦、鉬、鉻、銅、鋁合金、銅合金或者上述單層金屬層所組合的多層金屬層。
更詳細(xì)而言，圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254定義出多條數(shù)據(jù)配線262、多個(gè)數(shù)據(jù)接墊264、多個(gè)源極/漏極272、多個(gè)像素電極274與多個(gè)刻蝕保護(hù)層276。其中，數(shù)據(jù)配線262的一端分別連接至數(shù)據(jù)接墊264。此外，這些刻蝕保護(hù)層276分別包覆未被圖案化介電層252與圖案化半導(dǎo)體層254覆蓋而曝露的掃描配線222，且刻蝕保護(hù)層276分別與掃描配線222電性并聯(lián)。另外，像素電極274與共享配線232的分支232a有部分重疊。在本實(shí)施例中，圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254還包覆未被圖案化介電層242、圖案化半導(dǎo)體層244、圖案化歐姆接觸層246與圖案化接觸金屬層248覆蓋而曝露出的掃描接墊224。然而，圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254也可以不覆蓋掃描接墊224。
由于圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254所構(gòu)成的刻蝕保護(hù)層276包覆于未被圖案化介電層252與圖案化半導(dǎo)體層254覆蓋而曝露的掃描配線222上，因此在后續(xù)的刻蝕工藝中，刻蝕保護(hù)層276能夠保護(hù)掃描配線222。此外，由于圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254均為導(dǎo)電材質(zhì)，而刻蝕保護(hù)層276與掃描配線222接觸，因此刻蝕保護(hù)層276與掃描配線222之間可以視為電性并聯(lián)。換言之，由于刻蝕保護(hù)層276與掃描配線222電性并聯(lián)，因此掃描配線222的電阻值便能降下，以改善RC延遲(RC delay)現(xiàn)象。
請(qǐng)參考圖8A、圖8B與圖8C，在基板210上形成一保護(hù)層282，而保護(hù)層282的材質(zhì)例如是氮化硅。然后，進(jìn)行第四道光掩膜工藝，以移除像素電極274上方的保護(hù)層282與像素電極274的圖案化第二金屬層254而曝露出像素電極274的圖案化透明導(dǎo)電層252。同時(shí)，移除刻蝕保護(hù)層276與數(shù)據(jù)配線262之間的掃描配線222上方的圖案化半導(dǎo)體層244，以曝露出掃描配線222上方的圖案化介電層242(區(qū)域A2與B2)，因此各數(shù)據(jù)配線262之間便可電性絕緣。至此，大致完成本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制作。
在本實(shí)施例中，在保護(hù)層282與圖案化第二金屬層254內(nèi)形成有第二開口264a，其曝露出部分?jǐn)?shù)據(jù)接墊264。此外，掃描接墊224與共享接墊234上方的保護(hù)層276與圖案化第二金屬層254亦完全移除。
第二實(shí)施例本實(shí)施例與上述的第一實(shí)施例均同時(shí)使用半導(dǎo)體層與歐姆接觸層與形成數(shù)據(jù)配線的金屬層來保護(hù)裸露的掃描配線。然而，本實(shí)施例所制造出的薄膜晶體管陣列基板可以是用于垂直排列式液晶顯示器(Vertically AlignmentLCD，VA-LCD)中。此外，儲(chǔ)存電容為架構(gòu)于共享配線上(Cst on common)，然而本實(shí)施例并不限定儲(chǔ)存電容的型態(tài)，而儲(chǔ)存電容也可以是架構(gòu)于柵極上(Cst on gate)。再者，本實(shí)施例的薄膜晶體管的柵極為架構(gòu)于掃描配線上(gate on scan line)，然而本實(shí)施例并不限定薄膜晶體管的型態(tài)。舉例而言，本實(shí)施例的柵極與掃描配線也可以同時(shí)形成，且彼此相連接。
圖9A、圖10A、圖11A及圖12A繪示本發(fā)明第二實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖，而圖9B圖10B、圖11B及圖12B分別繪示沿圖9A、圖10A、圖11A及圖12A的II-II’線的剖面圖。
請(qǐng)先參考圖9A與圖9B，本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造方法包括下列步驟。首先，提供一基板210，然后在基板210上形成多條掃描配線222、多個(gè)掃描接墊224、多條共享配線232與多個(gè)共享接墊234。然而，本實(shí)施例與上述實(shí)施例不同之處在于本實(shí)施例的共享配線232并無分支。然而，第一實(shí)施例的具有分支232a的共享配線232也可以應(yīng)用于本實(shí)施例中。
請(qǐng)參考圖10A與圖10B，本實(shí)施例的第二道光掩膜工藝與第一實(shí)施例的第二道光掩膜工藝相似，也是在基板210上依序形成圖案化介電層242、圖案化半導(dǎo)體層244、圖案化歐姆接觸層246與圖案化接觸金屬層248。此外，上述的多層結(jié)構(gòu)覆蓋共享配線232與部分掃描配線222(例如是區(qū)域A2與區(qū)域B2，其中區(qū)域A2為拉線區(qū))。
請(qǐng)參考圖11A與圖11B，本實(shí)施例的第三道光掩膜工藝與第一實(shí)施例的第三道光掩膜工藝相似，也是同樣形成圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254，而圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254定義出數(shù)據(jù)配線262、數(shù)據(jù)接墊264、源極/漏極272、像素電極274與刻蝕保護(hù)層276。然而，不同之處在于在像素電極274內(nèi)形成多個(gè)狹縫274a，且這些狹縫274a曝露出基板210的部分表面。
請(qǐng)參考圖12A與圖12B，本實(shí)施例的第四道光掩膜工藝與第一實(shí)施例的第四道光掩膜工藝相似，也是移除部分區(qū)域上的保護(hù)層282與圖案化第二金屬層254，以使像素電極274的圖案化透明導(dǎo)電層252曝露于外。同時(shí)，移除部分掃描配線222上方的圖案化半導(dǎo)體層244，以使圖案化介電層242曝露于外，如區(qū)域A2及B2所示。至此，大致完成本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制作。
第三實(shí)施例本實(shí)施例單獨(dú)使用半導(dǎo)體層與歐姆接觸層來保護(hù)裸露的掃描配線，而本實(shí)施例所制造出的薄膜晶體管陣列基板可以是用于扭曲向列式液晶顯示器(TN-LCD)中。此外，儲(chǔ)存電容為架構(gòu)于共享配線上(Cst on common)，然而本實(shí)施例并不限定儲(chǔ)存電容的型態(tài)，而儲(chǔ)存電容也可以是架構(gòu)于柵極上(Cst on gate)。再者，本實(shí)施例的薄膜晶體管的柵極為架構(gòu)于掃描配線上(gate on scan line)，然而本實(shí)施例并不限定薄膜晶體管的型態(tài)。舉例而言，本實(shí)施例的柵極與掃描配線也可以同時(shí)形成，且彼此相連接。
圖13A、圖14A、圖15A及圖16A繪示本發(fā)明第三實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖，而圖13B、圖14B、圖15B及圖16B分別繪示沿圖13A、圖14A、圖15A及圖16A的II-II’線的剖面圖。圖13C、圖14C、圖15C及圖16C分別繪示沿圖13A、圖14A、圖15A及圖16A的III-III’線的剖面圖。
請(qǐng)先參考圖13A、圖13B與圖13C，本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造方法包括下列步驟。本實(shí)施例的第一道光掩膜工藝與第一實(shí)施例的第一道光掩膜工藝相似，也是在基板210上形成掃描配線222、掃描接墊224、共享配線232與共享接墊234。然而，第二實(shí)施例的直線型共享配線232也可以應(yīng)用至本實(shí)施例中。
請(qǐng)參考圖14A、圖14B與圖14C，本實(shí)施例的第二道光掩膜工藝與第一實(shí)施例的第二道光掩膜工藝相似，也是在基板210上依序形成圖案化介電層242、圖案化半導(dǎo)體層244、圖案化歐姆接觸層246與圖案化接觸金屬層248。然而，不同之處在于在本實(shí)施例中，上述的多層結(jié)構(gòu)完全覆蓋共享配線232與掃描配線222。同樣地，本發(fā)明并不限定需形成圖案化歐姆接觸層246或圖案化接觸金屬層248。
請(qǐng)參考圖15A、圖15B與圖15C，本實(shí)施例的第三道光掩膜工藝與第一實(shí)施例的第三道光掩膜工藝相似，也是同樣形成圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254，而圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254定義出數(shù)據(jù)配線262、數(shù)據(jù)接墊264、源極/漏極272與像素電極274。然而，本實(shí)施例與第一實(shí)施例不同之處在于本實(shí)施例并不形成第一實(shí)施例的刻蝕保護(hù)層276。此外，圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化金屬層254曝露出掃描配線上方的部分圖案化半導(dǎo)體層244，如區(qū)域A2與B2。
請(qǐng)參考圖16A、圖16B與圖16C，本實(shí)施例的第四道光掩膜工藝與第一實(shí)施例的第四道光掩膜工藝相似，也是移除部分區(qū)域上的保護(hù)層282與圖案化第二金屬層254，以使像素電極274的圖案化透明導(dǎo)電層252曝露于外。同時(shí)，移除部分掃描配線222上方的圖案化半導(dǎo)體層244，以使圖案化介電層242曝露于外，如區(qū)域A2及B2所示。至此，大致完成本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制作。
第四實(shí)施例本實(shí)施例單獨(dú)使用半導(dǎo)體層與歐姆接觸層來保護(hù)裸露的掃描配線，且像素電極覆蓋掃描配線上方的半導(dǎo)體層上，以增加開口率。此外，本實(shí)施例所制造出的薄膜晶體管陣列基板可以是用于扭曲向列式液晶顯示器中。另外，儲(chǔ)存電容為架構(gòu)于共享配線上(Cst on common)。再者，本實(shí)施例的薄膜晶體管的柵極為架構(gòu)于掃描配線上(gate on scan line)，然而本實(shí)施例并不限定薄膜晶體管的型態(tài)。舉例而言，本實(shí)施例的柵極與掃描配線也可以同時(shí)形成，且彼此相連接。
圖17A、圖18A、圖19A及圖20A繪示本發(fā)明第四實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖，而圖17B、圖18B、圖19B及圖20B分別繪示沿圖17A、圖18A、圖19A及圖20A的II-II’線的剖面圖。圖17C、圖18C、圖19C及圖20C分別繪示沿圖17A、圖18A、圖19A及圖20A的III-III’線的剖面圖。
請(qǐng)先參考圖17A、圖17B與圖17C，本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造方法包括下列步驟。本實(shí)施例的第一道光掩膜工藝與第三實(shí)施例的第一道光掩膜工藝相似，也是在基板210上形成掃描配線222、掃描接墊224、共享配線232與共享接墊234。然而，第二實(shí)施例的直線型共享配線232也可以應(yīng)用至本實(shí)施例中。
請(qǐng)參考圖18A、圖18B與圖18C，本實(shí)施例的第二道光掩膜工藝與第三實(shí)施例的第二道光掩膜工藝相似，也是在基板210上依序形成圖案化介電層242、圖案化半導(dǎo)體層244、圖案化歐姆接觸層246與圖案化接觸金屬層248，且上述的多層結(jié)構(gòu)完全覆蓋共享配線232與掃描配線222。
請(qǐng)參考圖19A、圖19B與圖19C，本實(shí)施例的第三道光掩膜工藝與第三實(shí)施例的第三道光掩膜工藝相似，也是同樣形成圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254，而圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254定義出數(shù)據(jù)配線262、數(shù)據(jù)接墊264、源極/漏極272與像素電極274。然而，本實(shí)施例與第三實(shí)施例不同之處在于本實(shí)施例的像素電極274覆蓋部分掃描配線222(如區(qū)域C1所示)，且像素電極274堆棧于掃描配線222上方的多層結(jié)構(gòu)上(例如是圖案化介電層242、圖案化半導(dǎo)體層244、圖案化歐姆接觸層246與圖案化接觸金屬層248)。值得一提的是，由于像素電極274覆蓋部分掃描配線222，因此開口率也就能進(jìn)一步提升。
請(qǐng)參考圖20A、圖20B與圖20C，本實(shí)施例的第四道光掩膜工藝與第三實(shí)施例的第四道光掩膜工藝相似，也是移除部分區(qū)域上的保護(hù)層282與圖案化第二金屬層254，以使像素電極274的圖案化透明導(dǎo)電層252曝露于外。同時(shí)，移除部分掃描配線222上方的圖案化半導(dǎo)體層244，以使圖案化介電層242曝露于外，如區(qū)域A2及B2所示。至此，大致完成本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制作。
第五實(shí)施例本實(shí)施例單獨(dú)使用半導(dǎo)體層與歐姆接觸層來保護(hù)裸露的掃描配線，且像素電極覆蓋掃描配線上方的半導(dǎo)體層上，以增加開口率。此外，本實(shí)施例所制造出的薄膜晶體管陣列基板可以是用于扭曲向列式液晶顯示器中。另外，儲(chǔ)存電容為架構(gòu)于柵極上(Cst on gate)。再者，本實(shí)施例的薄膜晶體管的柵極為架構(gòu)于掃描配線上(gate on scan line)，然而本實(shí)施例并不限定薄膜晶體管的型態(tài)。舉例而言，本實(shí)施例的柵極與掃描配線也可以同時(shí)形成，且彼此相連接。
圖21A、圖22A、圖23A及圖24A繪示本發(fā)明第五實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的俯視圖，而圖21B、圖22B、圖23B及圖24B分別繪示沿圖21A、圖22A、圖23A及圖24A的II-II’線的剖面圖。
請(qǐng)先參考圖21A與圖21B，本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制造方法包括下列步驟。本實(shí)施例的第一道光掩膜工藝與第四實(shí)施例的第一道光掩膜工藝相似，也是在基板210上形成掃描配線222與掃描接墊224。然而，本實(shí)施例并未形成第四實(shí)施例的共享配線232與共享接墊234。
請(qǐng)參考圖22A與圖22B，本實(shí)施例的第二道光掩膜工藝與第四實(shí)施例的第二道光掩膜工藝相似，也是在基板210上依序形成圖案化介電層242、圖案化半導(dǎo)體層244、圖案化歐姆接觸層246與圖案化接觸金屬層248，且上述的多層結(jié)構(gòu)完全覆蓋掃描配線222。
請(qǐng)參考圖23A與圖23B，本實(shí)施例的第三道光掩膜工藝與第四實(shí)施例的第三道光掩膜工藝相似，也是同樣形成圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254，而圖案化透明導(dǎo)電層252與圖案化第二金屬層254定義出數(shù)據(jù)配線262、數(shù)據(jù)接墊264、源極/漏極272與像素電極274。如同第四實(shí)施例，本實(shí)施例的像素電極274覆蓋部分掃描配線222(如區(qū)域C1所示)，且像素電極274堆棧于掃描配線222上方的多層結(jié)構(gòu)上(例如是圖案化介電層242、圖案化半導(dǎo)體層244、圖案化歐姆接觸層246與圖案化接觸金屬層248)。此外，由于像素電極274覆蓋部分掃描配線222，因此區(qū)域C1也就是架構(gòu)于柵極上的儲(chǔ)存電容(Cst on gate)。
請(qǐng)參考圖24A與圖24B，本實(shí)施例的第四道光掩膜工藝與第四實(shí)施例的第四道光掩膜工藝相似，也是移除部分區(qū)域上的保護(hù)層282與圖案化第二金屬層254，以使像素電極274的圖案化透明導(dǎo)電層252曝露于外。同時(shí)，移除部分掃描配線222上方的圖案化半導(dǎo)體層244，以使圖案化介電層242曝露于外，如區(qū)域A2及B2所示。至此，大致完成本實(shí)施例的薄膜晶體管陣列基板的制作。
綜上所述，本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制造方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)一、本發(fā)明單獨(dú)利用半導(dǎo)體層與歐姆接觸層或合并使用形成數(shù)據(jù)配線的金屬層來保護(hù)裸露的掃描配線。當(dāng)同時(shí)使用形成數(shù)據(jù)配線的金屬層與半導(dǎo)體層來保護(hù)裸露的掃描配線時(shí)，由形成數(shù)據(jù)配線的金屬層所構(gòu)成的刻蝕保護(hù)層將與掃描配線電性并聯(lián)，因此掃描配線受到損傷的情況不僅能夠改善，且掃描配線的電阻值也因?yàn)榭涛g保護(hù)層而降低，以改善RC延遲效應(yīng)。
二、本發(fā)明采用具有分支的共享配線，而此種具有分支的共享配線便可作為薄膜晶體管陣列基板側(cè)的遮光層，以提高開口率。
三、本發(fā)明與現(xiàn)有的制造工藝兼容，無須增加額外的工藝設(shè)備。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，但并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于包括在一基板上形成多條掃描配線；在所述基板上依序形成一圖案化介電層與一圖案化半導(dǎo)體層，以覆蓋部分這些掃描配線；在所述基板上依序形成一圖案化透明導(dǎo)電層與一圖案化金屬層，而所述圖案化透明導(dǎo)電層與所述圖案化金屬層區(qū)定義出多條數(shù)據(jù)配線、多個(gè)源極/漏極、多個(gè)像素電極與多個(gè)刻蝕保護(hù)層，其中所述刻蝕保護(hù)層分別包覆未被所述圖案化介電層與所述圖案化半導(dǎo)體層覆蓋而曝露的所述掃描配線，且所述刻蝕保護(hù)層分別與所述掃描配線電性并聯(lián)；在所述基板上形成一保護(hù)層；以及移除所述像素電極上方的保護(hù)層與所述像素電極的圖案化金屬層，以曝露出所述像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層，并且同時(shí)移除所述刻蝕保護(hù)層與所述數(shù)據(jù)配線之間的所述掃描配線上方的圖案化半導(dǎo)體層，以曝露出所述掃描配線上方的圖案化介電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述掃描配線的步驟中還包括形成多個(gè)掃描接墊，其中所述掃描配線的一端分別連接至所述掃描接墊；以及在形成所述圖案化介電層與所述圖案化半導(dǎo)體層后，該圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層曝露出部分所述掃描接墊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于所述圖案化透明導(dǎo)電層與所述圖案化金屬層還包覆未被所述圖案化介電層與所述圖案化半導(dǎo)體層覆蓋而曝露出的掃描接墊。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在移除所述像素電極上方的所述保護(hù)層的步驟中，還同時(shí)移除所述掃描接墊上方的所述圖案化金屬層，以曝露出所述掃描接墊上方的所述圖案化透明導(dǎo)電層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述數(shù)據(jù)配線的步驟中，所述圖案化透明導(dǎo)電層與所述圖案化金屬層還定義出多個(gè)數(shù)據(jù)接墊，且所述數(shù)據(jù)配線的一端分別連接至所述數(shù)據(jù)接墊。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述保護(hù)層的步驟中，所述保護(hù)層覆蓋所述數(shù)據(jù)接墊；以及在移除所述像素電極上方的保護(hù)層的步驟中，還同時(shí)移除所述數(shù)據(jù)接墊上方的所述圖案化金屬層，以曝露出所述數(shù)據(jù)接墊上方的所述圖案化透明導(dǎo)電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述掃描配線的步驟中，還包括形成多個(gè)共享接墊與分別連接至所述共享接墊的多條共享配線，而所述共享配線與所述掃描配線大致平行，且所述共享配線與所述掃描配線交替配置于所述基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于各共享配線具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多數(shù)條分支，且所述像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層與所述分支有部分重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述圖案化透明導(dǎo)電層與所述圖案化金屬層的步驟中，在所述像素電極內(nèi)形成多個(gè)狹縫。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述圖案化介電層與所述圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，還包括同時(shí)在所述圖案化半導(dǎo)體層上形成一圖案化歐姆接觸層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述圖案化介電層與所述圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，還包括同時(shí)在所述圖案化歐姆接觸層上形成一圖案化接觸金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于各掃描配線具有多個(gè)柵極區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述掃描配線的步驟中，還包括同時(shí)形成多個(gè)柵極，且所述柵極分別與所述掃描配線連接。
14.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于包括在一基板上形成多條掃描配線；在所述基板上依序形成一圖案化介電層與一圖案化半導(dǎo)體層，以覆蓋所述掃描配線；在所述基板上依序形成一圖案化透明導(dǎo)電層與一圖案化金屬層，而所述圖案化透明導(dǎo)電層與所述圖案化金屬層定義出多數(shù)條數(shù)據(jù)配線、多個(gè)源極/漏極與多個(gè)像素電極，且所述圖案化透明導(dǎo)電層與所述圖案化金屬層曝露出所述掃描配線上方的部分圖案化半導(dǎo)體層；在所述基板上形成一保護(hù)層；以及移除所述像素電極上方的保護(hù)層與所述像素電極的圖案化金屬層，以曝露出所述像素電極的圖案化透明導(dǎo)電層，并且同時(shí)移除所述圖案化透明導(dǎo)電層與所述圖案化金屬層所曝露出的位于所述掃描配線上方的所述圖案化半導(dǎo)體層，以曝露出所述掃描配線上方的所述圖案化介電層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述掃描配線的步驟中還包括形成多個(gè)掃描接墊，其中所述掃描配線的一端分別連接至所述掃描接墊之間；以及在形成所述圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層后，所述圖案化介電層與所述圖案化半導(dǎo)體層曝露出部分所述掃描接墊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于所述圖案化透明導(dǎo)電層與所述圖案化金屬層還包覆未被所述圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層覆蓋而曝露出的所述掃描接墊。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在移除所述像素電極上方的所述保護(hù)層的步驟中，還同時(shí)移除所述掃描接墊上方的所述圖案化金屬層，以曝露出所述掃描接墊上方的所述圖案化透明導(dǎo)電層。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述數(shù)據(jù)配線的步驟中，所述圖案化透明導(dǎo)電層與所述圖案化金屬層還定義出多個(gè)數(shù)據(jù)接墊，且所述數(shù)據(jù)配線的一端分別連接至所述數(shù)據(jù)接墊。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述保護(hù)層的步驟中，所述保護(hù)層覆蓋所述數(shù)據(jù)接墊；以及在移除所述像素電極上方的所述保護(hù)層的步驟中，還同時(shí)移除所述數(shù)據(jù)接墊上方的所述圖案化金屬層，以曝露出所述數(shù)據(jù)接墊上方的所述圖案化透明導(dǎo)電層。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成所述掃描配線的步驟中，還包括形成多個(gè)共享接墊與分別連接至所述共享接墊的多條共享配線，而所述共享配線與所述掃描配線大致平行，且所述共享配線與所述掃描配線交替配置于所述基板上。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于各共享配線具有自兩側(cè)邊緣向外延伸的多數(shù)條分支，且所述像素電極的所述圖案化透明導(dǎo)電層與所述分支有部分重疊。
22.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述圖案化透明導(dǎo)電層與所述圖案化金屬層的步驟中，所述像素電極還覆蓋部分所述掃描配線。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述圖案化介電層與所述圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，還包括同時(shí)在所述圖案化半導(dǎo)體層上形成一圖案化歐姆接觸層。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述圖案化介電層與所述圖案化半導(dǎo)體層時(shí)，還包括同時(shí)在所述圖案化歐姆接觸層上形成一圖案化接觸金屬層。
25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于各掃描配線具有多個(gè)柵極區(qū)。
26.根據(jù)權(quán)利要求14所述的薄膜晶體管陣列基板的制造方法，其特征在于在形成所述掃描配線的步驟中，還包括同時(shí)形成多個(gè)柵極，且所述柵極分別與所述掃描配線連接。
全文摘要
一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法。在基板上形成多條掃描配線。在基板上依序形成圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層，以覆蓋部分掃描配線。在基板上依序形成圖案化透明導(dǎo)電層與圖案化金屬層，以定義出多條數(shù)據(jù)配線、多個(gè)源極/漏極、多個(gè)像素電極與多個(gè)刻蝕保護(hù)層。刻蝕保護(hù)層分別包覆未被圖案化介電層與圖案化半導(dǎo)體層覆蓋而曝露的掃描配線，并與掃描配線電性并聯(lián)。在基板上形成保護(hù)層。移除像素電極上方的保護(hù)層與像素電極的圖案化金屬層，以曝露出圖案化透明導(dǎo)電層，并且同時(shí)移除刻蝕保護(hù)層與數(shù)據(jù)配線之間的掃描配線上方的圖案化半導(dǎo)體層，以暴露出圖案化介電層。
文檔編號(hào)H01L21/768GK1828873SQ20061000737
公開日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2006年2月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月13日
發(fā)明者李佳宗 申請(qǐng)人:廣輝電子股份有限公司