專利名稱：冷陰極管點(diǎn)亮裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種冷陰極管點(diǎn)亮裝置，特別是一種點(diǎn)亮多個(gè)冷陰極管的裝置。
背景技術(shù)：
熒光管根據(jù)其電極結(jié)構(gòu)，大體分為熱陰極管與冷陰極管。冷陰極管(也稱作CCFL)中，電極由通過加載高電壓可發(fā)射許多電子的物質(zhì)構(gòu)成。也即，與熱陰極管不同，電極不包含熱電子發(fā)射用燈絲。通過這樣，冷陰極管與熱陰極管相比，特別是在管徑非常小、長壽、以及消耗功率較小這些方面很有利。根據(jù)這些優(yōu)點(diǎn)，冷陰極管主要在液晶顯示器的背光以及FAX/掃描儀的光源等、特別強(qiáng)烈要求薄型化(或小型化)以及省電化的產(chǎn)品中較多使用。
冷陰極管與熱陰極管相比，具有放電開始電壓較高、放電電流(以下稱作管電流)較小、且阻抗較高的電氣特性。冷陰極管，特別是還具有隨著管電流的增大其電阻值急速下降這一負(fù)電阻特性。結(jié)合這樣的冷陰極管的電氣特性，對(duì)冷陰極管點(diǎn)亮裝置的結(jié)構(gòu)下功夫。特別是由于冷陰極管的用途中，重視裝置的薄型化(小型化)以及省電化，因此強(qiáng)烈要求冷陰極管點(diǎn)亮裝置也小型化(特別是薄型化)以及省電化。
作為以往的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，例如公知有以下的裝置(參照例如專利文獻(xiàn)1)。圖20為表示該以往的冷陰極管點(diǎn)亮裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。該以往的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，具有高頻振蕩電路100、升壓變壓器T、以及阻抗匹配部200。
高頻振蕩電路100，將來自直流電源DC的直流電壓變換成高頻的交流電壓，加載給升壓變壓器T的一次繞組L1。升壓變壓器T在二次繞組L2的兩端產(chǎn)生比一次電壓高很多的高電壓。該高二次電壓V，被通過阻抗匹配部200加載給冷陰極管FL的兩端。阻抗匹配部200，例如包括扼流線圈L與電容器C的串聯(lián)電路。這里，電容器C包括冷陰極管FL周邊的寄生電容。通過調(diào)節(jié)扼流線圈L的電感與電容器C的電容，來在升壓變壓器T與冷陰極管FL之間匹配阻抗。
冷陰極管FL熄滅時(shí)，如果給變壓器T的一次繞組L1加載電壓，則因阻抗匹配部200的扼流線圈L與電容器C的共振，冷陰極管FL的兩端電壓VR急劇上升，超過放電開始電壓。通過這樣，冷陰極管FL開始放電，開始發(fā)光。之后，伴隨著管電流IR的增大，冷陰極管FL的電阻值急劇下降(負(fù)電阻特性)。冷陰極管FL的兩端電壓VR也隨之下降。此時(shí)，通過阻抗匹配部200的作用，不管冷陰極管FL的兩端電壓VR的變動(dòng)如何，均穩(wěn)定維持管電流IR。也即，穩(wěn)定維持冷陰極管FL的亮度。
圖20中，升壓變壓器T的二次繞組L2與扼流線圈L表示為不同的電路元件。但是，實(shí)際的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，1個(gè)漏磁通型變壓器的二次繞組，兼用作升壓、扼流、以及阻抗匹配三者。通過這樣，來將部件數(shù)目與尺寸均控制得較小。也即，以往的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，漏磁通型變壓器特別被小型化，并將此看作優(yōu)點(diǎn)而廣泛運(yùn)用。
液晶顯示器的背光中，特別要求高亮度。因此，在使用冷陰極管作為該背光的情況下，最好設(shè)置多個(gè)冷陰極管。此時(shí)，必需在這些多個(gè)冷陰極管之間使得亮度統(tǒng)一。另外，冷陰極管點(diǎn)亮裝置必需小型化。為了適于這些要求，最好將這多個(gè)冷陰極管由公共的電源并行驅(qū)動(dòng)。
但是，通過公共的電源進(jìn)行的多個(gè)冷陰極管的并行驅(qū)動(dòng)，因以下原因而非常困難。
冷陰極管如上所述，具有負(fù)電阻特性。因此，若只將多個(gè)冷陰極管簡單地并聯(lián)連接起來，電流會(huì)只集中在任意1個(gè)冷陰極管中，結(jié)果只有這1個(gè)冷陰極管能夠點(diǎn)亮。再有，在將多個(gè)冷陰極管與公共的電源相連接時(shí)，各自之間的布線、特別是其長度不同。因此，寄生電容因每個(gè)冷陰極管而異。所以，多個(gè)冷陰極管的并行驅(qū)動(dòng)中，必需對(duì)每個(gè)冷陰極管控制管電流，并抑制管電流的偏差。
將1個(gè)漏磁通型變壓器在多個(gè)冷陰極管中用作公共的扼流線圈、實(shí)現(xiàn)該漏磁通型變壓器與各個(gè)冷陰極管之間的阻抗匹配、以及高精度控制各個(gè)管電流，這三項(xiàng)均很難實(shí)現(xiàn)。這里，該困難在使用壓電變壓器來代替漏磁通型變壓器的情況下也一樣。因此，以往的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，將電源(特別是漏磁通型變壓器)對(duì)每個(gè)冷陰極管逐一設(shè)置，用各個(gè)電源控制為各自的管電流一致。也即，以往的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，需要與冷陰極管相同數(shù)目的電源。其結(jié)果是，很難減少部件數(shù)目，導(dǎo)致裝置全體的進(jìn)一步小型化很困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種冷陰極管點(diǎn)亮裝置，通過由公共的電源將多個(gè)冷陰極管一致點(diǎn)亮，來實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的小型化。
本發(fā)明中的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，具有基板，其包含至少兩個(gè)導(dǎo)體層，且安裝有多個(gè)冷陰極管各自的一端；多個(gè)鎮(zhèn)流電容器，其為上述兩個(gè)導(dǎo)體層之間的電容，至少被逐一與各個(gè)冷陰極管的一端的電極連接；以及，低阻抗電源，其通過鎮(zhèn)流電容器向冷陰極管供電，具有比多個(gè)冷陰極管的合成阻抗低的輸出阻抗。
該冷陰極管點(diǎn)亮裝置，優(yōu)選安裝在如下的液晶顯示器中。該液晶顯示器，具有多個(gè)冷陰極管；液晶面板，其設(shè)置在那些冷陰極管的前側(cè)，且以給定的圖形遮擋冷陰極管所發(fā)出的光。本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置，驅(qū)動(dòng)作為該液晶顯示器的背光的上述多個(gè)冷陰極管。
多個(gè)冷陰極管間，一般來說，因設(shè)置條件(例如布線的長度/圖形、管壁與外部(例如液晶顯示器的外殼)之間的距離等)的不同，其周邊的寄生電容產(chǎn)生偏差，特別是管壁與外部之間流通的漏電流會(huì)產(chǎn)生偏差。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置與以往的裝置的前提相反，抑制了電源的輸出阻抗。但是，各個(gè)冷陰極管上逐一連接鎮(zhèn)流電容器。
鎮(zhèn)流電容器的電容，優(yōu)選對(duì)每個(gè)冷陰極管調(diào)節(jié)。通過這樣，使得鎮(zhèn)流電容器間的電容的偏差，與多個(gè)冷陰極管間的寄生電容的偏差高精度一致。也即，各個(gè)鎮(zhèn)流電容器的阻抗，與各個(gè)冷陰極管的周邊的寄生電容的合成阻抗相匹配。其結(jié)果是，多個(gè)冷陰極管之間，不管是否有因設(shè)置條件的不同所引起的漏電流的偏差，管電流均被保持一致。也即，即使低阻抗電源與各個(gè)鎮(zhèn)流電容器之間的布線較長，甚至對(duì)每個(gè)鎮(zhèn)流電容器大為不同，多個(gè)冷陰極管間管電流也不會(huì)產(chǎn)生偏差。因此，多個(gè)冷陰極管間，與設(shè)置條件的不同無關(guān)，亮度均被維持一致。
這樣，本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置，能夠用公共的低阻抗電源將多個(gè)冷陰極管一致點(diǎn)亮。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置如上所述，布線布局的靈活性較高，特別是布線可以較長。此時(shí)優(yōu)選，低阻抗電源被安裝在與上述基板不同的基板上。這樣的基板分離很容易實(shí)現(xiàn)，且不會(huì)損害多個(gè)冷陰極管間的亮度的一致性。
鎮(zhèn)流電容器等其他電路元件，一般來說比低阻抗電源小。再有，鎮(zhèn)流電容器伴的與電能消耗相伴的發(fā)熱很低。因此，在安裝鎮(zhèn)流電容器的基板與安裝低阻抗電源的基板分離，且設(shè)置得離冷陰極管極近時(shí)，安裝鎮(zhèn)流電容器的基板與冷陰極管構(gòu)成的部分能夠容易地薄型化。
例如，在冷陰極管用作液晶顯示器的背光時(shí)，很容易實(shí)現(xiàn)該顯示器的薄型化。也即，本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置，用作液晶顯示器的背光驅(qū)動(dòng)裝置特別有利。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置中如上所述，采用低阻抗電源，且鎮(zhèn)流電容器的阻抗被設(shè)置為與冷陰極管的阻抗大小程度相同。因此，鎮(zhèn)流電容器電容較小。因此鎮(zhèn)流電容器如上所述，能夠作為基板的導(dǎo)體層間的電容來實(shí)現(xiàn)。此時(shí)，由于鎮(zhèn)流電容器全體被嵌入在基板內(nèi)部，因此其尺寸特別是厚度與以往相比大幅減小。其結(jié)果是，即使在并聯(lián)驅(qū)動(dòng)多個(gè)冷陰極管的情況下，冷陰極管點(diǎn)亮裝置與冷陰極管的連接部也較小，特別是較薄。該連接部的薄型化的提高，在用作液晶顯示器的背光驅(qū)動(dòng)裝置時(shí)尤其有利。
這樣，本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，鎮(zhèn)流電容器的應(yīng)用對(duì)裝置全體的小型化極為有效。
安裝上述鎮(zhèn)流電容器的基板，優(yōu)選為疊層基板或撓性印刷布線板。此時(shí)，導(dǎo)體層優(yōu)選為銅箔。
由于上述鎮(zhèn)流電容器由基板的材料本身構(gòu)成，因此耐熱性、耐電壓性、以及阻燃性均較高。
另外，由于基板內(nèi)部各個(gè)層的厚度高精度均勻，因此上述鎮(zhèn)流電容器的電容偏差較小。
此外，即使導(dǎo)體層的形狀比較復(fù)雜，也能夠容易地形成，并且能夠較為容易地調(diào)整基板的層數(shù)。所以很容易將多個(gè)鎮(zhèn)流電容器串聯(lián)或并聯(lián)連接起來。這樣，上述鎮(zhèn)流電容器的耐壓與電容的設(shè)定的自由度較高。
上述基板中，導(dǎo)體層優(yōu)選為蒸鍍的導(dǎo)體的膜。這樣的導(dǎo)體層具有所謂的自恢復(fù)作用，也即通過在產(chǎn)生過電流時(shí)熔斷，來抑制過電流。因此，能夠避免冷陰極管與冷陰極管點(diǎn)亮裝置因過電流而損壞。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，優(yōu)選鎮(zhèn)流電容器的阻抗、冷陰極管周邊的寄生電容的合成阻抗、以及冷陰極管的點(diǎn)亮?xí)r的阻抗相匹配。特別是，由于鎮(zhèn)流電容器作為基板的導(dǎo)體層間的電容形成，因此如上所述，其電容的設(shè)定很容易，且電容的偏差較小。因此，上述阻抗匹配，能夠?qū)︽?zhèn)流電容器與冷陰極管的各個(gè)組合的每一個(gè)高精度實(shí)現(xiàn)。通過這樣，由于多個(gè)冷陰極管間不管周邊的寄生電容的偏差如何，管電流均被維持一致，因此亮度維持一致。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，優(yōu)選鎮(zhèn)流電容器至少被兩個(gè)兩個(gè)串聯(lián)連接，且該串聯(lián)連接被逐組連接在各個(gè)冷陰極管的一端的電極上。由于上述鎮(zhèn)流電容器作為基板的導(dǎo)體層間的電容形成，因此其一個(gè)個(gè)的耐壓較低。因此，通過如上所述將多個(gè)鎮(zhèn)流電容器串聯(lián)連接起來，使得全體的耐壓足夠高。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置，優(yōu)選安裝鎮(zhèn)流電容器的基板的表面與冷陰極管的表面，離開由兩者的溫度差以及電位差所決定的給定的距離來設(shè)置。
冷陰極管點(diǎn)亮?xí)r，其表面溫度較高。并且冷陰極管的電極電位的振幅較大。因此，冷陰極管點(diǎn)亮裝置與冷陰極管的連接部，必需構(gòu)成為能夠避免高溫所引起的誤動(dòng)作以及絕緣破壞所引起的故障。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，由于鎮(zhèn)流電容器全體嵌入在基板內(nèi)部，因此與以往的裝置不同，通過調(diào)節(jié)該基板自身的表面與冷陰極管表面之間的間隔，就能夠避免因高溫引起的誤動(dòng)作以及因絕緣破壞引起的故障。此時(shí)，基板由于耐熱性與耐電壓性均較高，因此基板的表面與冷陰極管的表面之間的間隔可以較小。所以，本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，與冷陰極管的連接部的薄型化很容易。該連接部的薄型化的提高，在用作液晶顯示器的背光驅(qū)動(dòng)裝置時(shí)特別有用。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，優(yōu)選安裝鎮(zhèn)流電容器的基板的表面相對(duì)冷陰極管的長度方向垂直設(shè)置。通過這樣，能夠?qū)⒒宓谋砻媾c冷陰極管的表面之間的距離保持在安全的范圍內(nèi)，同時(shí)將與冷陰極管的連接部小型化。并且，很容易將冷陰極管的端部安裝在上述基板上，且穩(wěn)定保持。
在安裝鎮(zhèn)流電容器的基板的表面相對(duì)冷陰極管的長度方向垂直設(shè)置時(shí)，還優(yōu)選，讓形成鎮(zhèn)流電容器的導(dǎo)體層中，最接近冷陰極管者與冷陰極管的電極相連接，最遠(yuǎn)離冷陰極管者與低阻抗電源相連接。此外，在上述基板至少具有3個(gè)導(dǎo)體層時(shí)，可以讓該導(dǎo)體層中，最靠近與最遠(yuǎn)離冷陰極管者與低阻抗電源相連接。此時(shí)，冷陰極管的電極與遠(yuǎn)離基板表面的導(dǎo)體層相連接。
例如，越遠(yuǎn)離基板的外部(例如液晶顯示器的外殼)的導(dǎo)體層，與外部之間的寄生電容就越小。因此，基板的導(dǎo)體層與冷陰極管的電極的上述連接中，冷陰極管的電極電位不易受到導(dǎo)體層與外部之間的寄生電容的影響。另外，低阻抗電源的輸出，與負(fù)載、特別是導(dǎo)體層與外部之間的寄生電容的大小無關(guān)，非常穩(wěn)定。
這樣，多個(gè)冷陰極管之間，由于進(jìn)一步抑制了電極電位的變化的偏差，因此進(jìn)一步提高了管電流的一致性，也即亮度的一致性。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，優(yōu)選令低阻抗電源，具有與鎮(zhèn)流電容器相連接，且具有比多個(gè)冷陰極管的合成阻抗低的輸出阻抗的變壓器。這樣，由于與以往的裝置的前提相反，抑制了變壓器的輸出阻抗，因此實(shí)現(xiàn)了低輸出阻抗的電源。
作為有效降低該變壓器的輸出阻抗的手段，例如該變壓器，可以具有鐵心、纏繞在該鐵心上的一次繞組、以及纏繞在該一次繞組的內(nèi)側(cè)或外側(cè)或者其雙方上的二次繞組。通過這樣，由于降低了漏磁通，因此抑制了輸出阻抗。再有，抑制了漏磁通對(duì)周邊機(jī)器的不良影響(例如噪聲的產(chǎn)生)。
這里，該變壓器的二次繞組，可以具有分割纏繞或蜂窩式纏繞的結(jié)構(gòu)。通過這樣，由于降低了線間電容，因此能夠?qū)⒍卫@組的自共振頻率設(shè)定得足夠高。因此，本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置，能夠在穩(wěn)定維持多個(gè)冷陰極管的發(fā)光的同時(shí)，將動(dòng)作頻率設(shè)定得足夠高。所以容易實(shí)現(xiàn)變壓器的小型化、并通過它來實(shí)現(xiàn)裝置全體的小型化。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，可以讓低阻抗電源具有與鎮(zhèn)流電容器相連接的功率晶體管，來代替上述變壓器。功率晶體管的應(yīng)用，能夠容易且有效地降低輸出阻抗。因此，本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置，能夠?qū)⒏嗟睦潢帢O管一致點(diǎn)亮。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置，通過被與多個(gè)冷陰極管的每一個(gè)至少逐一連接的多個(gè)鎮(zhèn)流電容器與公共的低阻抗電源，與以往的裝置不同，由公共的電源將多個(gè)冷陰極管一致點(diǎn)亮。另外，電源與鎮(zhèn)流電容器之間的布線可以較長，且可以對(duì)每個(gè)鎮(zhèn)流電容器大為不同，因此布線布局的靈活性較高。從而，裝置全體的小型化比以往的裝置更容易實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，鎮(zhèn)流電容器被作為基板的導(dǎo)體層間的電容來形成。通過這樣，由于鎮(zhèn)流電容器全體嵌入在基板內(nèi)部，因此與冷陰極管的連接部十分薄。特別是本發(fā)明的上述冷陰極管點(diǎn)亮裝置，在用作液晶顯示器的背光驅(qū)動(dòng)裝置時(shí)，上述鎮(zhèn)流電容器的應(yīng)用，對(duì)液晶顯示器的薄型化極為有效。


圖1為表示安裝本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置的液晶顯示器的背光的結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖2為沿著圖1中所示的直線II-II得到的液晶顯示器的剖面圖。
圖3為表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖4為示意表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中所包含的升壓變壓器5的結(jié)構(gòu)的分解組成圖。
圖5為沿著圖4中所示的直線V-V得到的升壓變壓器5的剖面圖。
圖6為表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，第2基板50與冷陰極管20的連接部附近的放大圖。
圖7為表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，構(gòu)成第2模塊2的第2基板50內(nèi)的導(dǎo)體層之一的圖形的平面圖。
圖8為沿著圖7中所示的直線VIII-VIII得到的第2基板50的剖面圖。
圖9為沿著圖7中所示的直線IX-IX得到的第2基板50的剖面圖。
圖10為沿著圖7中所示的直線X-X得到的第2基板50的剖面圖。
圖11為沿著圖7中所示的直線XI-XI得到的第2基板50的剖面圖。
圖12為表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，構(gòu)成第2模塊2的第2基板50內(nèi)的導(dǎo)體層之另一圖形的平面圖。
圖13為沿著圖12中所示的直線XIII-XIII得到的第2基板50的剖面圖。
圖14為沿著圖12中所示的直線XIV-XIV得到的第2基板50的剖面圖。
圖15為沿著圖12中所示的直線XV-XV得到的第2基板50的剖面圖。
圖16為沿著圖12中所示的直線XVI-XVI得到的第2基板50的剖面圖。
圖17為表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的冷陰極管點(diǎn)亮裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖18為表示本發(fā)明的實(shí)施方式3的冷陰極管點(diǎn)亮裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖19為表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的冷陰極管點(diǎn)亮裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖20為表示以往的冷陰極管點(diǎn)亮裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。
圖中20-冷陰極管，20A-冷陰極管20的第1電極，50-第2基板，2-第2模塊，2U1-第1上側(cè)箔，2U2-第2上側(cè)箔，2D1-第1下側(cè)箔，2D2-第2下側(cè)箔，E1-第1過孔，E2-第2過孔，W1-第1引線，W2-第2引線。
具體實(shí)施例方式
下面對(duì)照附圖對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施方式進(jìn)行說明。
《實(shí)施方式1》圖1為表示安裝本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置的液晶顯示器的背光的結(jié)構(gòu)的立體圖。圖1中，外殼10被繪制在其背板之上。再有，為了顯示出外殼10的內(nèi)部，去掉了外殼10的背板與側(cè)板的一部分。圖2為沿著圖1中所示的直線II-II的剖面圖(圖1中所示的箭頭表示視線方向)。
圖1與圖2中所示的液晶顯示器，具有外殼10、多個(gè)冷陰極管20、反射板30、第1基板40、第2基板50、第3基板60、以及液晶面板70。本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，主要分為3個(gè)模塊(block)1、2、及3，分別安裝在第1基板40、第2基板50、以及第3基板60上。
外殼10例如是金屬制的箱體，并被接地。通過這樣，冷陰極管20所發(fā)射的電磁噪聲以及從外部入射的電磁噪聲均被屏蔽。
外殼10的前側(cè)(圖1與圖2中為下側(cè))開放，其內(nèi)側(cè)從里往外，依次收置反射板30、冷陰極管20、以及液晶面板70(圖1中未圖示)。
冷陰極管20具有多根(例如16根)。冷陰極管20，各自的兩端上被例如橡膠制管子(未圖示)所覆蓋。這些管子由托架(未圖示)支撐。這樣，冷陰極管20分別被水平保持，在液晶顯示器的縱向上等間隔排列。
冷陰極管20的兩側(cè)上，第2基板50與第3基板60，例如被垂直于冷陰極管20的長度方向設(shè)置。通過這樣，將第2基板50與第3基板60各自的表面與冷陰極管20的表面之間的距離，維持在安全的范圍內(nèi)，并實(shí)現(xiàn)與冷陰極管20的連接部的小型化。再有，可使冷陰極管20的端部容易往第2基板50與第3基板60上安裝，且穩(wěn)定地保持。
第2基板50與第3基板60，優(yōu)選為疊層基板。此外，還可以是撓性印刷布線板。通過這樣，第2基板50與第3基板60，其耐熱性、耐電壓性以及阻燃性較高。
第2基板50與第3基板60，其內(nèi)部分別含有導(dǎo)體層，優(yōu)選為銅箔。冷陰極管點(diǎn)亮裝置的第2模塊2與第3模塊3，是主要由第2基板50與第3基板60的各自的導(dǎo)體層的圖形所構(gòu)成的電路，并對(duì)每個(gè)冷陰極管20逐一設(shè)置。第2模塊2與第3模塊3，分別與各個(gè)冷陰極管20兩端的電極20A、20B(以下稱作第1電極與第2電極)相連接。
第2模塊2與第3模塊3的全體，被嵌入在基板內(nèi)部(參照圖2。將在后面詳細(xì)說明)。因此，通過調(diào)節(jié)第2基板50與第3基板60的各自的表面與各個(gè)冷陰極管20的表面之間的間隔，第2模塊2與第3模塊3，能夠避免因高溫引起的誤動(dòng)作以及因絕緣破壞引起的故障。此時(shí)，由于基板的耐熱性與耐電壓性均較高，因此上述間隔可以較小。最為優(yōu)選的是，第2基板50與第3基板60，被設(shè)置在外殼10的內(nèi)部、且位于冷陰極管20的附近。此時(shí)，基板表面與冷陰極管20的表面之間的間隔，由兩者的溫度差與電位差決定，例如為0.1～10[mm]。這樣，本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，與冷陰極管20的連接部很小，且特別薄。
第2模塊2與第3模塊3，與第1基板40上的第1模塊1相連接(其布線未圖示)。第1基板40被設(shè)置在外殼10的外測、例如外殼10的背板上。第1模塊1，被與直流電源(未圖示)相連接。
冷陰極管點(diǎn)亮裝置，將從直流電源獲取的電，通過3個(gè)模塊1、2、3分別分配給各個(gè)冷陰極管20。通過這樣，冷陰極管20分別發(fā)光。冷陰極管20所發(fā)出的光，直接入射或由反射板30反射后入射到液晶面板70中(參照圖2中所示的箭頭)。液晶面板70，通過給定的圖形來遮擋來自冷陰極管20的入射光。通過這樣，在液晶面板70的前面映出該圖形。
圖3為表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置之結(jié)構(gòu)的電路圖。該冷陰極管點(diǎn)亮裝置，主要由上述3個(gè)模塊1、2、3構(gòu)成。
第1模塊1，具有高頻振蕩電路4與升壓變壓器5，構(gòu)成為并聯(lián)共振型推挽式變換器(inverter)。高頻振蕩電路4，具有振蕩器Os、第1電容器C1、第2電容器C2、電感器L、第1晶體管Q1、第2晶體管Q2、以及變換器In。升壓變壓器5，具有由中性點(diǎn)M1分開的兩個(gè)一次繞組51A與51B、以及二次繞組52。
直流電源DC的正極，與電感器L的一端相連接，負(fù)極被接地。第1電容器C1連接在直流電源DC的兩極間。電感器L的另一端，被與升壓變壓器5的一次繞組51A、51B之間的中性點(diǎn)M1相連接。第1一次繞組51A的另一個(gè)端子53A與第2一次繞組51B的另一個(gè)端子53B之間，連接有第2電容器C2。第1一次繞組51A的端子53A，還與第1晶體管Q1的一端相連接。第2一次繞組51B的端子53B，還與第2晶體管Q2的一端相連接。第1晶體管Q1與第2晶體管Q2各自的另一端均被接地。這里，兩個(gè)晶體管Q1與Q2，優(yōu)選為MOSFET。此外，也可以是IGBT或雙極性晶體管。振蕩器Os，與第1晶體管Q1的控制端子直接連接，并通過變換器In與第2晶體管Q2的控制端子相連接。
直流電源DC，將輸出電壓Vi保持為固定值(例如16[V])。第1電容器C1，穩(wěn)定地維持來自直流電源DC的輸入電壓Vi。振蕩器Os將一定頻率(例如45[kHz])的脈沖波，發(fā)送給兩個(gè)晶體管Q1、Q2的控制端子。變換器In，使輸入給第2晶體管Q2的控制端子的脈沖波的極性、與輸入給第1晶體管Q1的控制端子的脈沖波的極性相反。從而，兩個(gè)晶體管Q1、Q2，以與振蕩器Os的頻率相同的頻率交替導(dǎo)通截止。通過這樣，輸入電壓Vi被交替加載給升壓變壓器5的一次繞組51A與51B。每次加載該電壓時(shí)，電感器L與第2電容器C2共振，升壓變壓器5的二次電壓V的極性，由與振蕩器Os的頻率相同的頻率反轉(zhuǎn)。這里，二次電壓V的有效值，與對(duì)一次繞組51A、51B的加載電壓Vi、和升壓變壓器5的升壓比(也即一次繞組51A與二次繞組52的圈數(shù)比)之積實(shí)質(zhì)上相等。二次電壓V的有效值，優(yōu)選設(shè)為冷陰極管20的燈電壓的1.5倍左右(例如1800[V])。
這樣，第1模塊1將直流電源DC的輸出電壓Vi變換成高頻(例如45[kHz])的交流電壓V。這里，第1模塊1，并不僅限于上述并聯(lián)共振型推挽式變換器，還可以是其他類型(包括變壓器)的變換器。
本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，與以往的裝置中的前提相反，如下所述，將上述升壓變壓器5的漏磁通控制得較小。通過這樣，第1模塊1，作為輸出阻抗較低的電源、也即低阻抗電源發(fā)揮功能。
圖4為示意表示升壓變壓器5的結(jié)構(gòu)的分解結(jié)構(gòu)圖。圖5為沿著圖4中所示的直線V-V得到的升壓變壓器5的剖面圖(圖4中所示的箭頭表示視線方向)。
升壓變壓器5，具有一次繞組51(將上述兩個(gè)一次繞組51A與51B合并起來)、二次繞組52、兩個(gè)E型鐵心54與55、線軸56、以及絕緣帶58。線軸56例如由合成樹脂制成，為中空圓筒狀。在其中空部56A中，從兩方的開口部，插入E型鐵心54與55的各自中央的凸起54A與55A。線軸56的外周面上，在軸方向上等間隔設(shè)置有多個(gè)隔斷57。首先，在這些隔斷57之間，纏繞二次繞組52。接下來，在二次繞組52的外側(cè)纏繞絕緣帶58。最后，在絕緣帶58的外側(cè)纏繞一次繞組51。這里，二次繞組52也可以纏繞在一次繞組51的外側(cè)、或內(nèi)側(cè)與外側(cè)雙方。這樣，通過將一次繞組51與二次繞組52重疊著纏繞，漏磁通顯著降低。因此升壓變壓器5的輸出阻抗較低。特別是該輸出阻抗，被設(shè)定得比并聯(lián)連接的多個(gè)冷陰極管20(參照圖3)全部的合成阻抗低。
上述升壓變壓器5中，二次繞組52如上所述，用分割纏繞方式來纏繞。此外，也可以用蜂窩纏繞方式來纏繞。通過這樣，在防止繞組間的放電的同時(shí)，線間電容被抑制得較小。因此，二次繞組52的自共振頻率能夠被設(shè)定得足夠高。
第2模塊2，分別包括例如3個(gè)鎮(zhèn)流電容器(ballast condenser)CB1、CB2以及CB3的串聯(lián)連接(參照圖3)。鎮(zhèn)流電容器CB1、CB2以及CB3，分別由第2基板50內(nèi)部的導(dǎo)體層間的電容合成(后面詳細(xì)說明)。這里，由于串聯(lián)連接的電容器的數(shù)目，由導(dǎo)體層間的耐壓、與電容器全體所要求的耐壓之間的關(guān)系決定，因此一般來說，也可以是3個(gè)以外的數(shù)目。其數(shù)目的變更如后所述，非常容易。
圖6為表示第2基板50與冷陰極管20之間的連接部附近的放大圖。第2基板50，被沿著長度方向分割成與冷陰極管20相同數(shù)目的小區(qū)域，各個(gè)小區(qū)域構(gòu)成第2模塊2。第2模塊2，分別包括至少兩個(gè)導(dǎo)體層。本發(fā)明的實(shí)施方式1中，包括4個(gè)導(dǎo)體層，也即第2基板50是四層基板(后面詳細(xì)說明)。各個(gè)導(dǎo)體層的圖形，在第2模塊2之間為共通的。再有，本發(fā)明的實(shí)施方式1中，第1導(dǎo)體層與第3導(dǎo)體層具有相同的圖形，第2導(dǎo)體層與第4導(dǎo)體層具有相同的圖形(詳細(xì)的后面說明)。圖6中表示接近第2基板50表面的、第1與第4導(dǎo)體層。
第1導(dǎo)體層，例如包括兩個(gè)箔21A與21B。第2模塊2，彼此例如通過第1箔21A連接，再有，與設(shè)置在第2基板50的端部的第1過孔E1相連接。第1過孔E1，是對(duì)全部第2模塊2公共的輸入端子，例如通過第1引線W1與第1模塊1(參照圖1)相連接。這里，第1引線W1，被焊接在第1過孔E1上。
第4導(dǎo)體層例如包括兩個(gè)箔24A與24B。各個(gè)冷陰極管20的第1電極20A，例如通過第2引線W2，與第2模塊2的第2箔24B相連接。這里，各個(gè)第2箔24B中，設(shè)有第2過孔E2。第2引線W2被焊接在第2過孔E2上。這樣，將第2過孔E2用作各個(gè)第2模塊2的輸出端子。
圖7為表示對(duì)于構(gòu)成第2模塊2的第2基板50內(nèi)的導(dǎo)體層來說，優(yōu)選的一個(gè)圖形的平面圖。圖7中，第1導(dǎo)體層的兩個(gè)箔21A與21B用實(shí)線來表示，第2與第4導(dǎo)體層各自的兩個(gè)箔22A與24A、22B與24B，分別用相同的虛線表示。再有，第3導(dǎo)體層的第1箔23A，用單點(diǎn)虛線表示。另外，第3導(dǎo)體層的第2箔23B，用與第1導(dǎo)體層的第2箔21B相同的實(shí)線來表示。
圖8～11，分別為沿著圖7中所示的直線VIII-VIII、直線IX-IX、直線X-X、以及直線XI-XI得到的第2基板50的剖面圖(圖7中所示的箭頭表示視線方向)。圖8～11中，縱向(基板的厚度方向)相比橫向被放大了。
第2基板50，從外殼10(參照圖1、圖2)側(cè)的表面起，依次包括第1導(dǎo)體層21A與21B、第2導(dǎo)體層22A與22B、第3導(dǎo)體層23A與23B、以及第4導(dǎo)體層24A與24B(參照圖8～11)。圖8～11中，第2基板50的剖面，被以外殼10側(cè)的表面為上側(cè)來繪制。
第1與第3導(dǎo)體層為相同的圖形，相同形狀的第1箔21A與23A，以及相同形狀的第2箔21B與23B，從表面的法線方向看位于相同的位置上(參照圖7)。第3導(dǎo)體層的第1箔23A與第1導(dǎo)體層的第1箔21A不同，被與相鄰的第2模塊2的第1箔23A分離。第1箔21A與23A，通過第4過孔E4相連接(參照圖7、圖8)，第2箔21B與23B通過第5過孔E5相連接(參照圖7、圖11)。
第2與第4導(dǎo)體層為相同圖形，相同形狀的第1箔22A與24A、及相同形狀的第2箔22B與24B，從表面的法線方向看位于相同的位置上(參照圖7)。第1箔22A與24A通過第3過孔E3相連接(參照圖7、圖9)，第2箔22B與24B通過第2過孔E2相連接(參照圖7、圖10)。
第2基板50，例如通過將三片鐵心部件B1～B3如下重疊起來形成。這里，3片鐵心部件B1～B3，例如是含有玻璃纖維作為強(qiáng)化材料的環(huán)氧樹脂制成的板，厚為0.1～1.2[mm]。
第1導(dǎo)體層形成在第1鐵心部件B1的上面，第2導(dǎo)體層形成在第2鐵心部件B2上。第3與第4導(dǎo)體層分別形成在第3鐵心部件B3的上面與下面。導(dǎo)體層分別是例如厚12～70[μm]，優(yōu)選是35[μm]的銅箔，通過蒸鍍形成。再有，導(dǎo)體層各自的圖形，優(yōu)選通過蝕刻形成。
鐵心部件B1～B3之間，分別通過預(yù)浸料坯(prepreg，在碳纖維等強(qiáng)化材料中含浸環(huán)氧樹脂等合成樹脂形成的成形用中間部件)P1與P2相連接。預(yù)浸料坯P1與P2的厚度例如為20～200[μm]。
在第1～第4導(dǎo)體層的第1箔21A、22A、23A、及24A重疊的區(qū)域中，由這些箔間電容合成第1鎮(zhèn)流電容器CB1(參照圖7中所示的斜線部CB1以及圖8、圖9)。第1鎮(zhèn)流電容器CB1，主要與3個(gè)箔間電容、也即第1與第2導(dǎo)體層(21A、22A)間的電容、第2與第3導(dǎo)體層(22A、23A)間的電容、以及第3與第4導(dǎo)體層(23A、24A)間的電容的并聯(lián)連接實(shí)質(zhì)上等價(jià)。
同樣，在第1箔21B與23B、以及第2箔22A與24A重疊的區(qū)域中，合成第2鎮(zhèn)流電容器CB2(參照圖7中所示的斜線部CB2以及圖9、圖10)，在第2箔21B、22B、23B、以及24B重疊的區(qū)域中，合成第3鎮(zhèn)流電容器CB3(參照圖7中所示的斜線部CB3以及圖11)。這樣，3個(gè)鎮(zhèn)流電容器CB1、CB2以及CB3，構(gòu)成所謂的梳狀電容器。
鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3各自的電容值為幾[pF]左右，例如能夠通過箔的重疊的面積、鐵心部件B1～B3的厚度、以及預(yù)浸料坯P1與P2的厚度來進(jìn)行調(diào)節(jié)。另外，例如通過增減圖8～11中所示的疊層構(gòu)造的層數(shù)，能夠大幅改變鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3各自的電容值。例如，第1鎮(zhèn)流電容器CB1的電容，為第3與第4導(dǎo)體層(23A、24A)間的電容的約3倍。
上述圖形中，第1與第3導(dǎo)體層各自的第1箔21A與23A，被與第1模塊1相連接。另外，第2與第4導(dǎo)體層各自的第2箔22B與24B，被與冷陰極管20的第1電極20A相連接。
例如，越遠(yuǎn)離第2基板50的外部、特別是外殼10的導(dǎo)體層，與外部之間的寄生電容就越小。因此，第2基板50的導(dǎo)體層與冷陰極管20的第1電極20A之間的上述連接中，第1電極20A的電位不易受到導(dǎo)體層與外部之間的寄生電容的影響。另外，第1模塊1的輸出，與負(fù)載特別是導(dǎo)體層與外部之間的寄生電容的大小無關(guān)，非常穩(wěn)定。
這樣，多個(gè)冷陰極管20之間，由于第1電極20A的電位變化不易發(fā)生偏差，因此進(jìn)一步提高了管電流的一致性，也即亮度的一致性。
第2基板50內(nèi)的導(dǎo)體層，除了圖7～11中所示的圖形之外，還可以采用如下的圖形。
圖12為表示對(duì)于第2基板50內(nèi)的導(dǎo)體層而言，優(yōu)選的另一圖形的平面圖。圖12中，第1導(dǎo)體層的兩個(gè)箔21A與21B用實(shí)線來表示，第4導(dǎo)體層的第1箔24A用單點(diǎn)虛線表示。另外，第4導(dǎo)體層的第2箔24B，用與第1導(dǎo)體層的第2箔21B相同的實(shí)線來表示。再有，第2與第3導(dǎo)體層各自的兩個(gè)箔22A與23A、22B與23B，分別用相同的虛線表示。
圖13～16，分別為沿著圖12中所示的直線XIII-XIII、直線XIV-XIV、直線XV-XV、以及直線XVI-XVI得到的第2基板50的剖面圖(圖12中所示的箭頭表示視線方向)。圖13～16中，縱向(基板的厚度方向)相比橫向被放大了。
第2基板50，從外殼10(參照圖1、圖2)側(cè)的表面起，依次包括第1導(dǎo)體層21A與21B、第2導(dǎo)體層22A與22B、第3導(dǎo)體層23A與23B、以及第4導(dǎo)體層24A與24B(參照圖13～16)。圖13～16中，第2基板50的剖面，被以外殼10側(cè)的表面為上側(cè)來繪制。
第1與第4導(dǎo)體層為相同的圖形，相同形狀的第1箔21A與24A，以及相同形狀的第2箔21B與24B，從表面的法線方向看位于相同的位置上(參照圖12)。第4導(dǎo)體層的第1箔24A，與第1導(dǎo)體層的第1箔21A不同，被與相鄰的第2模塊2的第1箔24A分離。第1箔21A與24A，通過第4過孔E4相連接(參照圖12、圖13)，第2箔21B與24B通過第5過孔E5相連接(參照圖12、圖16)。
第2與第3導(dǎo)體層為相同的圖形，相同形狀的第1箔22A與23A、以及相同形狀的第2箔22B與23B，從表面的法線方向看位于相同的位置上(參照圖12)。第1箔22A與23A通過第3過孔E3相連接(參照圖12、圖14)，第2箔22B與23B通過第2過孔E2相連接(參照圖12、圖15)。
在第1～第4導(dǎo)體層的第1箔21A、22A、23A、以及24A重疊的區(qū)域中，由這些箔間電容合成第1鎮(zhèn)流電容器CB1(參照圖12中所示的斜線部CB1以及圖13、圖14)。但是，第1鎮(zhèn)流電容器CB1與上述(參照圖8、9)不同，主要與2個(gè)箔間電容、也即第1與第2導(dǎo)體層(21A、22A)間的電容、以及第3與第4導(dǎo)體層(23A、24A)間的電容的并聯(lián)連接實(shí)質(zhì)上等價(jià)。
同樣，在第1箔22A與23A、以及第2箔21B與24B重疊的區(qū)域中，合成第2鎮(zhèn)流電容器CB2(參照圖12中所示的斜線部CB2以及圖14、圖15)，在第2箔21B、22B、23B、以及24B重疊的區(qū)域中，合成第3鎮(zhèn)流電容器CB3(參照圖12中所示的斜線部CB3以及圖16)。
該圖形中，與上述圖形不同，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3各自的電容稍小。例如，第1鎮(zhèn)流電容器CB1的電容，為第3與第4導(dǎo)體層(23A、24A)之間的電容的約2倍。
該圖形中，第1與第4導(dǎo)體層各自的第1箔21A與24A，被與第1模塊1相連接。另外，第2與第3導(dǎo)體層各自的第2箔22B與23B，被與冷陰極管20的第1電極20A相連接。
由于第2與第3導(dǎo)體層相比第1與第4導(dǎo)體層，距離第2基板50的表面更遠(yuǎn)，因此與和外殼10之間的寄生電容一樣，與冷陰極管20之間的寄生電容較小。因此，第2基板50的導(dǎo)體層與冷陰極管20的第1電極20A的上述連接中，第1電極20A的電位更不易受到導(dǎo)體層與外部之間的寄生電容的影響。
這樣，多個(gè)冷陰極管20之間，由于第1電極20A的電位變化不易發(fā)生偏差，因此進(jìn)一步提高了管電流的一致性，也即亮度的一致性。
3個(gè)鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3，還串聯(lián)連接在第2模塊2的輸入端子E1與輸出端子E2之間(參照圖6、7)。通過這樣，對(duì)于鎮(zhèn)流電容器的串聯(lián)連接整體而言，耐壓比各個(gè)鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3要高。
這里，串聯(lián)連接的鎮(zhèn)流電容器的數(shù)目，通過將導(dǎo)體層的圖形從上述的圖形起變更，還能夠容易地變更為3個(gè)以外。也即，其數(shù)目能夠根據(jù)鎮(zhèn)流電容器全體所需要的耐壓，容易地最優(yōu)化。
第3模塊3，包括與冷陰極管20的第2電極20B的連接部(參照圖3)。例如，第3基板60內(nèi)部的相同導(dǎo)體層，被與冷陰極管20各自的第2電極20B相連接，并且該導(dǎo)體層被與外部的接地導(dǎo)體相連接。
升壓變壓器5的二次繞組52的一端，通過各個(gè)第2模塊2與各個(gè)冷陰極管20的第1電極20A相連接。二次繞組52的另一端被接地。冷陰極管20各自的第2電極20B，被通過第3模塊3接地。
冷陰極管20的周邊存在各種各樣的寄生電容(未圖示)。該寄生電容中，包括例如冷陰極管20與外殼10之間的寄生電容SC(參照圖2)，以及連接第1模塊1、第2模塊2、冷陰極管20、第3模塊3、及接地導(dǎo)體的布線的寄生電容。因此，冷陰極管20周邊的寄生電容，因冷陰極管20而異。例如，這些寄生電容合計(jì)起來為幾[pF]左右。
鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的電容，被對(duì)每個(gè)第2模塊2、即每個(gè)冷陰極管20調(diào)節(jié)。特別是該調(diào)節(jié)中，考慮到多個(gè)冷陰極管20間的設(shè)置條件(例如布線的長度/圖形、管壁與外殼10之間的距離等)的不同。
例如，多個(gè)冷陰極管20中，與外殼10的側(cè)面最接近的那個(gè)，其管壁與外殼10的側(cè)面之間的寄生電容SC較大。因此，與該冷陰極管20相連接的鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的電容被設(shè)定得較大。
這樣，冷陰極管20與第2模塊2的各個(gè)組合中，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的電容與冷陰極管20周邊的寄生電容實(shí)質(zhì)上一致。也即，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的阻抗，與冷陰極管20的周邊的寄生電容的合成阻抗相匹配。
這里，由于第1模塊1的輸出阻抗較低，因此容易實(shí)現(xiàn)上述阻抗匹配。
更為優(yōu)選的是，將鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的阻抗，設(shè)定得與各個(gè)冷陰極管20的點(diǎn)亮?xí)r的阻抗相匹配。
本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，如上所述與以往的裝置中的前提相反，升壓變壓器5的輸出阻抗被抑制。但是，各個(gè)冷陰極管20中，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3的串聯(lián)連接被逐組連接。特別是它們的阻抗，分別被設(shè)定為將多個(gè)冷陰極管20間的周邊的寄生電容的差抵消。因此，由于多個(gè)冷陰極管20之間，管電流不易產(chǎn)生偏差，因此保持了亮度一致。
這樣，本發(fā)明的實(shí)施方式1的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，通過公共的低阻抗電源(第1模塊1)將多個(gè)冷陰極管20一致點(diǎn)亮。另外，第1模塊1、第2模塊2、以及第3模塊3之間的布線可以較長，且可對(duì)每個(gè)冷陰極管20大為不同，因此布線的布局靈活性較高。從而，能夠容易地實(shí)現(xiàn)裝置全體的小型化。
本發(fā)明的實(shí)施方式1中的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，還如上所述，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3分別由第2基板50內(nèi)的導(dǎo)體層間電容合成。通過這樣，由于鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體被嵌入在第2基板50的內(nèi)部，因此與冷陰極管20的連接部十分薄(參照圖2)。這樣，本發(fā)明的實(shí)施方式1中的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3的運(yùn)用對(duì)液晶顯示器的薄型化非常有效。
《實(shí)施方式2》本發(fā)明的實(shí)施方式2的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，與上述實(shí)施方式1的裝置相同，安裝在液晶顯示器中。由于該液晶顯示器的構(gòu)成與上述實(shí)施方式1中的相同，因此關(guān)于該構(gòu)成援用圖1與圖2以及上述實(shí)施方式1中的說明。
圖17為表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的冷陰極管點(diǎn)亮裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。該冷陰極管點(diǎn)亮裝置，除了第1模塊1的構(gòu)成之外，具有與實(shí)施方式1中的裝置的構(gòu)成要素(參照圖3)相同的構(gòu)成要素。因此，給這些相同的構(gòu)成要素標(biāo)注與圖3中所示的符號(hào)相同的符號(hào)，且它們的說明援用實(shí)施方式1中的說明。
第1模塊1，具有振蕩器Os、高壓側(cè)功率晶體管Q3、低壓側(cè)功率晶體管Q4、以及變換器In。
直流電源DC的正極與高壓側(cè)功率晶體管Q3的一端相連接，負(fù)極被接地。高壓側(cè)功率晶體管Q3的另一端，與低壓側(cè)功率晶體管Q4的一端相連接，低壓側(cè)功率晶體管Q4的另一端接地。這里，高壓側(cè)功率晶體管Q3與低壓側(cè)功率晶體管Q4優(yōu)選為MOSFET。此外，也可以是IGBT或雙極性晶體管。
振蕩器Os，與高壓側(cè)功率晶體管Q3的控制端子直接連接，并通過變換器In與低壓側(cè)功率晶體管Q4的控制端子相連接。
兩個(gè)功率晶體管Q3與Q4的接點(diǎn)J，通過各個(gè)第2模塊2，與各個(gè)冷陰極管20的一端電極相連接。
直流電源DC，將輸出電壓Vi保持為固定值(例如1400[V])。振蕩器Os將一定頻率(例如45[kHz])的脈沖波發(fā)送給兩個(gè)功率晶體管Q3、Q4的控制端子。變換器In，使輸入給低壓側(cè)功率晶體管Q4的控制端子的脈沖波的極性，與輸入給高壓側(cè)功率晶體管Q3的控制端子的脈沖波的極性相反。因此，兩個(gè)功率晶體管Q3、Q4，以與振蕩器Os的頻率相同的頻率交替導(dǎo)通截止。通過這樣，接點(diǎn)J的電位交替取Vi與接地電位(≈0)中的任意一個(gè)值。
這樣，第1模塊1，將直流電源DC的輸出電壓Vi變換成高頻(例如45[kHz])的交流電壓。
如上所述，由于第1模塊1的輸出段由功率晶體管Q3與Q4構(gòu)成，因此輸出阻抗較低。也即，本發(fā)明的實(shí)施方式2中的冷陰極管點(diǎn)亮裝置與上述實(shí)施方式1中的裝置一樣，第1模塊1作為低阻抗電源發(fā)揮功能。因此，與實(shí)施方式1中的設(shè)定一樣，通過對(duì)每個(gè)冷陰極管20設(shè)定鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的阻抗，能夠在多個(gè)冷陰極管20間保持亮度一致。
這樣，本發(fā)明的實(shí)施方式2的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，通過公共的低阻抗電源(第1模塊)1將多個(gè)冷陰極管20一致點(diǎn)亮。另外，第1模塊1、第2模塊2、以及第3模塊3之間的布線可以較長，且可對(duì)每個(gè)冷陰極管20大為不同，因此布線的布局靈活性較高。從而能夠容易地實(shí)現(xiàn)裝置全體的小型化。
本發(fā)明的實(shí)施方式2中的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，還如上所述，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3分別由第2基板50內(nèi)的導(dǎo)體層間電容合成。通過這樣，由于鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體被嵌入在第2基板50的內(nèi)部，因此與冷陰極管20的連接部十分薄(參照圖2)。這樣，本發(fā)明的實(shí)施方式2中的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3的運(yùn)用對(duì)液晶顯示器的薄型化非常有效。
《實(shí)施方式3》本發(fā)明的實(shí)施方式3的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，與上述實(shí)施方式1的裝置相同，安裝在液晶顯示器中。由于該液晶顯示器的構(gòu)成與上述實(shí)施方式1中的相同，因此關(guān)于該構(gòu)成援用圖1與圖2以及上述實(shí)施方式1中的說明。
圖18為表示本發(fā)明的實(shí)施方式3中的冷陰極管點(diǎn)亮裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。該冷陰極管點(diǎn)亮裝置，除了第1模塊1與第3模塊3的構(gòu)成之外，具有與實(shí)施方式1中的裝置的構(gòu)成要素(參照圖3)相同的構(gòu)成要素。因此，給這些相同的構(gòu)成要素標(biāo)注與圖3中所示的符號(hào)相同的符號(hào)，且它們的說明援用實(shí)施方式1中的說明。
本發(fā)明的實(shí)施方式3的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，與上述實(shí)施方式1中的裝置不同，第1模塊1具有兩個(gè)升壓變壓器5A與5B，第3模塊3與第2模塊2一樣，具有3個(gè)鎮(zhèn)流電容器CB1、CB2及CB3的串聯(lián)連接。
各個(gè)冷陰極管20中，一般來說，在被接地的外殼10(或反射板30)與管壁之間產(chǎn)生寄生電容SC(參照圖2)。在像上述實(shí)施方式1中的冷陰極管點(diǎn)亮裝置那樣，冷陰極管20的一方電極被接地的結(jié)構(gòu)中，只有另一方電極的電位相對(duì)外殼10的電位(＝接地電位)大幅變動(dòng)。因此在外殼10與管壁之間的寄生電容SC過大時(shí)，特別是上述另一方電極附近，管壁與外殼10之間流通的漏電流過度增大。特別是作為液晶顯示器的背光安裝的冷陰極管20較長。因此，漏電流的過度增大，有可能導(dǎo)致管電流的長度方向的一致性崩潰。其結(jié)果是，各個(gè)冷陰極管20中有可能產(chǎn)生長度方向上的亮度偏移。
為了進(jìn)一步提高長度方向上的亮度的一致性，可將冷陰極管20兩端的電極電位的中間點(diǎn)保持為接地電位。此時(shí)，兩端的電極電位，相對(duì)接地電位(＝外殼10的電位)保持為反對(duì)稱，也即，兩端的電極電位相對(duì)接地電位(＝外殼10的電位)均等變動(dòng)。因此，對(duì)于各個(gè)冷陰極管20而言，管壁各部與外殼10之間流通的漏電流的分布，相對(duì)冷陰極管20的中央部對(duì)稱。因此，各個(gè)冷陰極管20的長度方向上的亮度偏移降低，也即提高了其一致性。
再有，在冷陰極管20兩端的電極電位的中間點(diǎn)保持為接地電位的情況，與冷陰極管20的一端電極被接地的情況不同，在冷陰極管20的兩端電壓的振幅被維持的狀態(tài)下，電極電位相對(duì)接地電位的振幅減半。通過這樣，由于漏電流自身降低，因此其分布的偏移降低。所以，進(jìn)一步降低了各個(gè)冷陰極管20的長度方向上的亮度偏移，也即進(jìn)一步提高了其一致性。
兩個(gè)升壓變壓器5A與5B，均具有與上述實(shí)施方式1的升壓變壓器5(參照圖4、圖5)相同的構(gòu)成，特別是漏磁通較小。
第1升壓變壓器5A的二次繞組52的一端，分別通過各個(gè)第2模塊2與各個(gè)冷陰極管20的一端電極相連接。該二次繞組52的另一端接地。
第2升壓變壓器5B的二次繞組52C的一端，分別通過各個(gè)第3模塊3與各個(gè)冷陰極管20的另一端電極相連接。該二次繞組52C的另一端接地。
這里，兩個(gè)升壓變壓器5A與5B各自的二次繞組52與52C，彼此被極性顛倒后連接起來。通過這樣，各個(gè)冷陰極管20的兩端的電極電位彼此以反相位進(jìn)行變化。
再有，各個(gè)升壓變壓器5A與5B的升壓比，優(yōu)選被設(shè)定為，使得各個(gè)升壓變壓器5A與5B的二次電壓的有效值為冷陰極管20的燈電壓的一半左右。例如，在冷陰極管20的燈電壓為1000[V]的情況下，二次電壓的有效值，優(yōu)選設(shè)為700[V]左右。
第3基板60，具有與上述實(shí)施方式1的第2基板50相同的疊層構(gòu)造(參照圖8～11，以及圖13～16)。另外，第3模塊3與第2模塊2一樣，包括例如3個(gè)鎮(zhèn)流電容器CB1、CB2以及CB3的串聯(lián)連接(參照圖18)。鎮(zhèn)流電容器CB1、CB2以及CB3，分別與上述實(shí)施方式1的鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3一樣，由第3基板60內(nèi)部的導(dǎo)體層間的電容合成(參照圖6～11以及圖13～16)。這里，由于串聯(lián)連接的電容器的數(shù)目，由導(dǎo)體層間的耐壓與電容器全體所要求的耐壓之間的關(guān)系決定，因此也可以是3個(gè)以外的數(shù)目。其數(shù)目的變更如后所述，非常容易。
鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的電容，被對(duì)每個(gè)第3模塊3調(diào)節(jié)。特別是該調(diào)節(jié)中，考慮到多個(gè)冷陰極管20間的設(shè)置條件(例如布線的長度/圖形、管壁與外殼10之間的距離等)的不同。
例如，多個(gè)冷陰極管20中、與外殼10的側(cè)面最接近的那個(gè)，其管壁與外殼10的側(cè)面之間的寄生電容SC較大。因此，與該冷陰極管20相連接的鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的電容被設(shè)定得較大。
這樣，對(duì)每個(gè)冷陰極管20與第3模塊3的組合，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的電容與冷陰極管20周邊的寄生電容實(shí)質(zhì)上一致。也即，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的阻抗，與冷陰極管20的周邊的寄生電容的合成阻抗相匹配。
這里，由于第1模塊1的輸出阻抗較低，因此容易實(shí)現(xiàn)上述阻抗匹配。
更為優(yōu)選的是，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的阻抗，被設(shè)定為與各個(gè)冷陰極管20的點(diǎn)亮?xí)r的阻抗相匹配。
本發(fā)明的實(shí)施方式3的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，與上述實(shí)施方式1的裝置同樣，第1模塊1作為低阻抗電源發(fā)揮功能。此時(shí)，還能夠?qū)γ總€(gè)冷陰極管20，在第2模塊2、冷陰極管20(及其周邊的寄生電容)、以及第3模塊3之間，實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。其結(jié)果是，與上述實(shí)施方式1同樣，在多個(gè)冷陰極管20之間保持亮度一致。
這樣，本發(fā)明的實(shí)施方式3的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，通過公共的低阻抗電源(第1模塊1)將多個(gè)冷陰極管20一致點(diǎn)亮。另外，第1模塊1、第2模塊2、以及第3模塊3之間的布線可以較長，且可對(duì)每個(gè)冷陰極管20大為不同，因此布線的布局靈活性較高。從而，能夠容易地實(shí)現(xiàn)裝置全體的小型化。
本發(fā)明的實(shí)施方式3的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，升壓變壓器分為兩個(gè)變壓器5A與5B設(shè)置。特別是，兩個(gè)升壓變壓器5A與5B的各個(gè)二次繞組52與52C，彼此被極性顛倒地連接。通過這樣，各個(gè)冷陰極管20兩端的電極電位，彼此以反相位進(jìn)行變化，特別是兩端的電極電位的中間點(diǎn)被保持為接地電位。因此，對(duì)于各個(gè)冷陰極管20而言，進(jìn)一步提高了長度方向上的亮度的一致性。
另外，升壓變壓器5A、5B各自的耐壓，相比上述實(shí)施方式1的升壓變壓器5(參照圖3)的耐壓減半。因此，升壓變壓器5A與5B，均比上述實(shí)施方式1的升壓變壓器5更容易小型化。特別是，升壓變壓器5A與5B的高度，相比上述實(shí)施方式1的升壓變壓器5的高度能夠降低。因此對(duì)液晶顯示器的薄型化特別有利。
本發(fā)明的實(shí)施方式3的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，還如上所述，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3，分別在第2基板50與第3基板60中，由其內(nèi)部的導(dǎo)體層間的電容合成。通過這樣，由于鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體被嵌入在第2基板50與第3基板60各自的內(nèi)部，因此與冷陰極管20的連接部十分薄(參照圖2)。這樣，本發(fā)明的實(shí)施方式3的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3的運(yùn)用對(duì)液晶顯示器的薄型化非常有效。
《實(shí)施方式4》本發(fā)明的實(shí)施方式4的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，與上述實(shí)施方式1的裝置同樣，安裝在液晶顯示器中。由于該液晶顯示器的構(gòu)成與上述實(shí)施方式1中的相同，因此關(guān)于該構(gòu)成援用圖1與圖2以及上述實(shí)施方式1中的說明。
圖19為表示本發(fā)明的實(shí)施方式4的冷陰極管點(diǎn)亮裝置的結(jié)構(gòu)的電路圖。該冷陰極管點(diǎn)亮裝置除了第1模塊1的構(gòu)成之外，具有與實(shí)施方式3的裝置的構(gòu)成要素(參照圖18)相同的構(gòu)成要素。因此給這些相同的構(gòu)成要素標(biāo)注與圖18中所示的符號(hào)相同的符號(hào)，并且它們的說明援用實(shí)施方式3中的說明。
本發(fā)明的實(shí)施方式4的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，與上述實(shí)施方式3的裝置不同，第1模塊1具有兩對(duì)與上述實(shí)施方式2的第1模塊1(參照圖17)相同的兩個(gè)功率晶體管的串聯(lián)連接。第1模塊1，還具有振蕩器Os以及兩個(gè)變換器In1與In2。
直流電源DC的正極，與兩個(gè)高壓側(cè)功率晶體管Q3和Q5的各自的一端相連接，且負(fù)極接地。第1高壓側(cè)功率晶體管Q3的另一端，與第1低壓側(cè)功率晶體管Q4的一端相連接，第1低壓側(cè)功率晶體管Q4的另一端接地。第2高壓側(cè)功率晶體管Q5的另一端，與第2低壓側(cè)功率晶體管Q6的一端相連接，第2低壓側(cè)功率晶體管Q6的另一端接地。這里，4個(gè)功率晶體管Q3、Q4、Q5、Q6優(yōu)選為MOSFET。此外，也可以是IGBT或雙極性晶體管。
振蕩器Os，與第1高壓側(cè)功率晶體管Q3的控制端子以及第2低壓側(cè)功率晶體管Q6的控制端子直接連接。另一方面，被通過第1變換器In1，與第1低壓側(cè)功率晶體管Q4的控制端子相連接，并被通過第2變換器In2，與第2高壓側(cè)功率晶體管Q5的控制端子相連接。
第1高壓側(cè)功率晶體管Q3與第1低壓側(cè)功率晶體管Q4的第1接點(diǎn)J1，被通過各個(gè)第2模塊2，與各個(gè)冷陰極管20的一端電極相連接。第2高壓側(cè)功率晶體管Q5與第2低壓側(cè)功率晶體管Q6的第2接點(diǎn)J2，被通過各個(gè)第3模塊3，與各個(gè)冷陰極管20的另一端電極相連接。
直流電源DC，將輸出電壓Vi保持為固定值(例如700[V])。振蕩器Os，將一定頻率(例如45[kHz])的脈沖波發(fā)送給4個(gè)功率晶體管Q3、Q4、Q5、Q6的控制端子。第1變換器In1，使輸入給第1低壓側(cè)功率晶體管Q4的控制端子的脈沖波的極性，與輸入給第1高壓側(cè)功率晶體管Q3的控制端子的脈沖波的極性相反。同樣，第2變換器In2，使輸入給第2高壓側(cè)功率晶體管Q5的控制端子的脈沖波的極性，與輸入給第2低壓側(cè)功率晶體管Q6的控制端子的脈沖波的極性相反。因此，第1高壓側(cè)功率晶體管Q3、與第2低壓側(cè)功率晶體管Q6一起導(dǎo)通截止，第1低壓側(cè)功率晶體管Q4、與第2高壓側(cè)功率晶體管Q5一起導(dǎo)通截止。另外，高壓側(cè)功率晶體管Q3、Q5、與低壓側(cè)功率晶體管Q4、Q6，以與振蕩器Os的頻率相同的頻率交替導(dǎo)通截止。通過這樣，第1接點(diǎn)J1的電位與第2接點(diǎn)J2的電位，彼此以相反的相位變化。
這樣，第1模塊1將直流電源DC的輸出電壓Vi變換成高頻(例如45[kHz])的交流電壓。
如上所述，由于第1模塊1的輸出段由4個(gè)功率晶體管Q3、Q4、Q5、Q6構(gòu)成，因此輸出阻抗較低。也即，本發(fā)明的實(shí)施方式4的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，與上述實(shí)施方式3的裝置一樣，第1模塊1作為低阻抗電源發(fā)揮功能。因此，與實(shí)施方式3中的設(shè)定同樣，通過對(duì)每個(gè)冷陰極管20設(shè)定鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體的電容，能夠在多個(gè)冷陰極管20間保持亮度一致。
這樣，本發(fā)明的實(shí)施方式4的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，通過公共的低阻抗電源(第1模塊1)將多個(gè)冷陰極管20一致點(diǎn)亮。另外，第1模塊1、第2模塊2、以及第3模塊3之間的布線可以較長，且可對(duì)每個(gè)冷陰極管20大為不同，因此布線的布局靈活性較高。從而，能夠容易地實(shí)現(xiàn)裝置全體的小型化。
本發(fā)明的實(shí)施方式4的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，與上述實(shí)施方式2的裝置不同，功率晶體管對(duì)被分為兩個(gè)設(shè)置。再有，各個(gè)功率晶體管對(duì)的輸出電壓被保持為反相位。通過這樣，各個(gè)冷陰極管20兩端的電極電位，彼此以反相位變化，特別是兩端的電極電位的中間點(diǎn)被保持為接地電位。因此，對(duì)于各個(gè)冷陰極管20而言，能夠進(jìn)一步提高長度方向上的亮度的一致性。
另外，功率晶體管Q3、Q4、Q5、Q6各自的耐壓，比上述實(shí)施方式2的功率晶體管的耐壓減半。因此，功率晶體管的構(gòu)成較容易。
本發(fā)明的實(shí)施方式4的冷陰極管點(diǎn)亮裝置還如上所述，各個(gè)鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3，在第2基板50與第3基板60中，由其內(nèi)部的導(dǎo)體層間的電容合成。通過這樣，由于鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3全體被嵌入在第2基板50與第3基板60各自的內(nèi)部，因此與冷陰極管20的連接部十分薄(參照圖2)。這樣，本發(fā)明的實(shí)施方式4的冷陰極管點(diǎn)亮裝置中，鎮(zhèn)流電容器CB1～CB3的運(yùn)用對(duì)液晶顯示器的薄型化非常有效。
本發(fā)明的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，例如安裝在液晶顯示器中作為背光驅(qū)動(dòng)裝置，并且如上所述，采用低阻抗電源，且將鎮(zhèn)流電容器作為基板的導(dǎo)體層間的電容形成。這樣，本發(fā)明顯然能夠應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)。
權(quán)利要求
1.一種冷陰極管點(diǎn)亮裝置，具有基板，其包含至少兩個(gè)導(dǎo)體層，且安裝有多個(gè)冷陰極管各自的一端；多個(gè)鎮(zhèn)流電容器，其為上述兩個(gè)導(dǎo)體層之間的電容，至少被逐一與上述各個(gè)冷陰極管的一端的電極連接；以及，低阻抗電源，其通過上述鎮(zhèn)流電容器向上述冷陰極管供電，具有比上述多個(gè)冷陰極管的合成阻抗低的輸出阻抗。
2.如權(quán)利要求1所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述低阻抗電源，被安裝在與上述基板不同的基板上。
3.如權(quán)利要求1所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述基板是疊層基板。
4.如權(quán)利要求1所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述基板是撓性印刷布線板。
5.如權(quán)利要求1所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述導(dǎo)體層是被蒸鍍的導(dǎo)體的膜。
6.如權(quán)利要求1所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述鎮(zhèn)流電容器的阻抗、上述冷陰極管周邊的寄生電容的合成阻抗、以及上述冷陰極管的點(diǎn)亮?xí)r的阻抗相匹配。
7.如權(quán)利要求1所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述鎮(zhèn)流電容器至少被兩個(gè)兩個(gè)地串聯(lián)連接，該串聯(lián)連接被逐組與上述各個(gè)冷陰極管的一端的電極相連接。
8.如權(quán)利要求1所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述基板的表面與上述冷陰極管的表面被分離給定的距離設(shè)置，該給定的距離由兩者的溫度差和電位差決定。
9.如權(quán)利要求1所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述基板的表面，被垂直于上述冷陰極管的長度方向設(shè)置。
10.如權(quán)利要求9所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于在上述導(dǎo)體層中，與上述冷陰極管最接近的上述導(dǎo)體層被與上述冷陰極管的電極相連接，與上述冷陰極管最遠(yuǎn)離的上述導(dǎo)體層被與上述低阻抗電源相連接。
11.如權(quán)利要求9所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于在上述基板至少包含3個(gè)上述導(dǎo)體層時(shí)，最靠近與最遠(yuǎn)離上述冷陰極管的上述導(dǎo)體層，與上述低阻抗電源相連接。
12.如權(quán)利要求1所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述低阻抗電源，具有與上述鎮(zhèn)流電容器相連接，且具有比上述多個(gè)冷陰極管的合成阻抗低的輸出阻抗的變壓器。
13.如權(quán)利要求12所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述變壓器，具有鐵心、纏繞在該鐵心上的一次繞組、以及纏繞在該一次繞組的內(nèi)側(cè)或外側(cè)或者其雙方上的二次繞組。
14.如權(quán)利要求13所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述二次繞組，具有分割纏繞或蜂窩式纏繞的結(jié)構(gòu)。
15.如權(quán)利要求1所述的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，其特征在于上述低阻抗電源，具有與上述鎮(zhèn)流電容器相連接的功率晶體管。
16.一種液晶顯示器，其中，具有多個(gè)冷陰極管；液晶面板，其設(shè)置在上述冷陰極管的前側(cè)，且以給定的圖形遮擋上述冷陰極管所發(fā)出的光；以及，冷陰極管點(diǎn)亮裝置，所述冷陰極管點(diǎn)亮裝置，具有基板，其包含至少兩個(gè)導(dǎo)體層，且被安裝上述冷陰極管各自的一端；多個(gè)鎮(zhèn)流電容器，其為上述兩個(gè)導(dǎo)體層之間的電容，至少被逐一與上述各個(gè)冷陰極管的一端的電極連接；以及，低阻抗電源，其通過上述鎮(zhèn)流電容器向上述冷陰極管供電，具有比上述多個(gè)冷陰極管的合成阻抗低的輸出阻抗。
全文摘要
本發(fā)明的冷陰極管點(diǎn)亮裝置，用公共的電源將多個(gè)冷陰極管一致點(diǎn)亮，并利用鎮(zhèn)流電容器從而有效地小型化?；?50)被分成與冷陰極管(20)相同數(shù)目的模塊(2)。各個(gè)模塊(2)的兩個(gè)導(dǎo)體層，分別包含兩個(gè)箔(21A與21B、24A與24B)。第1導(dǎo)體層的第1箔(21A)，與公共的低阻抗電源相連接。兩個(gè)導(dǎo)體層之間，第1箔(21A與24A)重疊的區(qū)域形成第1鎮(zhèn)流電容器(CB1)，第1箔(24A)與第2箔(21B)重疊的區(qū)域形成第2鎮(zhèn)流電容器(CB2)，第2箔(21B與24B)重疊的區(qū)域形成第3鎮(zhèn)流電容器(CB3)。第2箔(21B與24B)，被與冷陰極管(20)的第1電極(21)相連接。
文檔編號(hào)H01F38/10GK1898998SQ20058000130
公開日2007年1月17日 申請日期2005年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月7日
發(fā)明者小松明幸, 三宅永至, 川高謙治, 真鍋俊夫 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社