專利名稱：有機發(fā)光組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型是與有機發(fā)光組件有關(guān)，更詳而言之是指一種具有復(fù)合陽極結(jié)構(gòu)的有機發(fā)光組件。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光組件依其驅(qū)動方式不同可分為主動式與被動式兩種，且有機發(fā)光組件以其光射出方向不同而可區(qū)分為底部發(fā)光組件(bottom emission device)、頂部發(fā)光組件(top emission device)及雙面發(fā)光組件(dual display device)。各組件的制作方式有正向制程與反向制程的分，主要區(qū)分處是因涂布陰極、有機層及陽極的順序不同所導(dǎo)致。
以圖1、圖2為例，所揭示的皆為一種主動式驅(qū)動的有機發(fā)光組件，其中圖1的有機發(fā)光組件1是經(jīng)正向制程而制得，亦即其結(jié)構(gòu)自下而上依序包含一薄膜晶體管數(shù)組基板1a、一透明陽極1b、一有機層1c與一陰極1d，該有機發(fā)光組件1的光射出方向是自基板端放射出光(如箭號所表示)的底部發(fā)光組件，但，該以正向制程制得的有機發(fā)光組件1，因其薄膜晶體管數(shù)組基板1a在光射出方向上分布有多數(shù)個會遮光的薄膜晶體管，不僅使得開口率減少，相對造成放射光線的效率降低；而圖2的有機發(fā)光組件2則是經(jīng)由反向制程制得，其結(jié)構(gòu)自下而上依序包含一薄膜晶體管數(shù)組基板2a、一保護層2b、一陰極2c、一有機層2d與一透明陽極2e，該有機發(fā)光組件2是為頂部發(fā)光組件，以該反向制程制得的有機發(fā)光組件2雖無薄膜晶體管的遮光影響而提高開口率，但因其陽極2e的制作是在有機層2d的后，倘采用高溫、高功率制程以制作該陽極2e時，雖可獲得結(jié)構(gòu)致密及具低面電阻值特性的透明陽極，以降低有機發(fā)光組件2的驅(qū)動電壓，但，高溫、高功率制程容易對耐熱性低的有機層2d造成不良影響，因此，在反向制程當中的陽極2e制作，宜選擇以低溫、低功率方式制作陽極，目前適宜于以低溫、低功率制程中使用的材料如銦鋅氧化物(IZO)，然而，以銦鋅氧化物材料作成陽極2e時，因其材料特性上的限制，使得陽極2e的面電阻值無法獲得有效控制降低，勢必造成有機發(fā)光組件2的驅(qū)動電壓上升。
另請參閱圖3所示的一種以反向制程制得的被動式驅(qū)動有機發(fā)光組件3，其結(jié)構(gòu)自下而上依序包含一基板3a、一陰極3b、一電子傳輸層3c、一光發(fā)射層3d、一電洞傳輸層3e與一透明陽極3f，前述電子傳輸層3c、光發(fā)射層3d及電洞傳輸層3e即共同構(gòu)成有機發(fā)光組件3的有機層，該有機發(fā)光組件3同樣為顧及避免對有機層造成不良影響，選擇以低溫、低功率成膜方式制作陽極3f時，陽極3f受制于其構(gòu)成材料的限制，同樣造成面電阻值無法控制降低，相對造成有機發(fā)光組件3的驅(qū)動電壓上升。
有鑒于上述情形，本實用新型發(fā)明人基于精益求精的精神，并積多年從事光電產(chǎn)業(yè)的研究開發(fā)經(jīng)驗，終而有本實用新型的產(chǎn)生。
實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的在于提供一種有機發(fā)光組件，其陽極是為一復(fù)合結(jié)構(gòu)，得以低溫、低功率的成膜方式制作，以降低有機發(fā)光組件的驅(qū)動電壓。
為達成上述的目的，本實用新型所提供的一種有機發(fā)光組件，該有機發(fā)光組件結(jié)構(gòu)自下而上依序包含一基板、一陰極、一有機層與一復(fù)合陽極，其中該陰極是形成于該基板的表面，該有機層設(shè)置于該陰極與該復(fù)合陽極之間，而該復(fù)合陽極包括有一第一透明金屬層與一第二透明金屬層，該第一透明金屬層具有一第一表面與一面朝該有機層的第一底面，該第二透明金屬層設(shè)于該第一透明金屬層的第一表面。
本實用新型的有機發(fā)光組件，以低溫、低功率的成膜方式制作，克服了現(xiàn)有技術(shù)的面電阻值無法控制降低，相對造成有機發(fā)光組件的驅(qū)動電壓上升的缺陷，而有效地降低了有機發(fā)光組件的驅(qū)動電壓。
以下茲列舉本實用新型的較佳實施例配合圖式詳細說明于后。


圖1為現(xiàn)有經(jīng)正向制程制作的主動式驅(qū)動有機發(fā)光組件示意圖；圖2為現(xiàn)有經(jīng)反向制程制作的主動式驅(qū)動有機發(fā)光組件示意圖；圖3為現(xiàn)有經(jīng)反向制程制作的被動式驅(qū)動有機發(fā)光組件示意圖；圖4為本實用新型一較佳實施例的主動式驅(qū)動有機發(fā)光組件的示意圖；圖5為本實用新型上述實施例的電流密度與電壓關(guān)是圖；圖6為本實用新型上述實施例的輝度與電壓關(guān)是圖；圖7為本實用新型另一較佳實施例的主動式驅(qū)動有機發(fā)光組件的示意圖；圖8為本實用新型一較佳實施例的被動式驅(qū)動有機發(fā)光組件的示意圖；圖9為本實用新型另一被動式驅(qū)動有機發(fā)光組件的示意圖。
主要組件符號說明

1有機發(fā)光組件1a薄膜晶體管數(shù)組基板 1b陽極1c有機層 1d陰極2有機發(fā)光組件2a薄膜晶體管數(shù)組基板 2b保護層2c陰極 2d有機層 2e陽極3有機發(fā)光組件3a基板 3b陰極3c電子傳輸層3d光發(fā)射層 3e電洞傳輸層 3f陽極10有機發(fā)光組件12薄膜晶體管數(shù)組基板 121透明本體122薄膜晶體管 123保護層14陰極 16有機層 161電子傳輸層162光發(fā)射層 163電洞傳輸層 164電洞注入層18復(fù)合陽極181第一透明金屬層181a第一表面 181b第一底面182第二透明金屬層182a第二表面 182b第二底面183第三透明金屬層10’有機發(fā)光組件18’復(fù)合陽極181’第一透明金屬層 182’第二透明金屬層20有機發(fā)光組件22基板 24陰極 26有機層261電子傳輸層262光發(fā)射層 263電洞傳輸層
264電洞注入層28復(fù)合陽極281第一透明金屬層282第二透明金屬層283第三透明金屬層20’有機發(fā)光組件28’復(fù)合陽極281’第一透明金屬層 282’第二透明金屬層具體實施方式
請參閱圖4所示，是本實用新型一較佳實施例的主動式驅(qū)動有機發(fā)光組件10，該有機發(fā)光組件10經(jīng)反向制程而制得，其結(jié)構(gòu)自下而上依序包含一薄膜晶體管數(shù)組基板12，該基板12包括一透明本體121、復(fù)數(shù)個薄膜晶體管122與一保護層123，其中該透明本體121可為玻璃基板或是塑料基板，其表面上具有該些呈數(shù)組排列的島狀薄膜晶體管122，而該保護層123覆蓋該透明本體121與該些薄膜晶體管122。
一陰極14是成膜于該保護層123表面，該陰極14在本實施例中是以鎂銀材料(MgAg)制成厚度為1500埃()的薄膜。
一有機層16包括自該陰極14表面依序往上迭設(shè)的一電子傳輸層161、一光發(fā)射層162、一電洞傳輸層163與一電洞注入層164，其中該電子傳輸層161是以Alq3為材料成膜于陰極14表面，其厚度為200埃()；該光發(fā)射層162在本實施例中是以可發(fā)出綠光的C545T材料為Alq3材料的摻雜物與的相混制而成為例，其中C545T材料的摻雜濃度為Alq3材料的0.8％，光發(fā)射層162成膜于電子傳輸層161表面，其厚度為400埃()；
該電洞傳輸層163是以NPB為材料成膜于該光發(fā)射層162表面，其厚度為300埃()；該電洞注入層164是以PTCDA為材料成膜于該電洞傳輸層163表面，其厚度為700埃()。
一復(fù)合陽極18是由一第一透明金屬層181、一第二透明金屬層182與一第三透明金屬層183所構(gòu)成，其中構(gòu)成該第一透明金屬層181的材料是從銦錫氧化物(Indium TinOxide，ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、鋁鋅氧化物(Aluminum Zinc Oxide，AZO)、鍺錫氧化物(Germanium Tin Oxide，GTO)及氧化鋅(Zinc Oxide，ZnO)、氧化錫(Tin Oxide，SnO2)所構(gòu)成的族群中所選出的一者，其厚度介于100埃()至2000埃()之間，本實施例中的第一透明金屬層181是以低溫環(huán)境下成膜的銦鋅氧化物形成于該電洞注入層164表面而制得，該第一透明金屬層181厚度為500埃()，且其具有一第一表面181a與一第一底面181b，該第一底面181b是與該電洞注入層164表面接觸；構(gòu)成該第二透明金屬層182的材料是選自功函數(shù)(Work Function)大于4電子伏特(eV)的金屬材料，如金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、錫(Sn)及鍺(Ge)等材料的功函數(shù)皆是大于4電子伏特(eV)，在本實施例中，該第二透明金屬層182是以功函數(shù)約為5.1電子伏特(eV)、導(dǎo)電率約為0.452(106/cm*Ω)的金(Au)為材料制成，該第二透明金屬層182具有一第二表面182a與一第二底面182b，該第二底面182b與第一透明金屬層181的第一表面181a接觸，其厚度介于5埃()至150埃()之間；構(gòu)成該第三透明金屬層183的材料亦從銦錫氧化物(Indium TinOxide，ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide，IZO)、鋁鋅氧化物(Aluminum Zinc Oxide，AZO)、鍺錫氧化物(Germanium Tin Oxide，GTO)及氧化鋅(Zinc Oxide，ZnO)、氧化錫(Tin Oxide，SnO2)所構(gòu)成的族群中所選出的一者，其厚度介于100埃()至2000埃()之間，于本實施例中，該第三透明金屬層183形成于第二透明金屬層182的第二表面182a，其以銦鋅氧化物為材料制成厚度為500埃()的薄膜。
以上即為本實用新型有機發(fā)光組件10各構(gòu)件及其相關(guān)位置的說明，其光發(fā)射層162所產(chǎn)生的光是穿過該復(fù)合陽極18(如箭號所表示)。在上述實施例中，是采適宜于低溫、低功率中制作而不至于影響透光率的銦鋅氧化物(IZO)材料，作成與有機層16的電洞注入層164表面直接接觸的第一透明金屬層181，如此可避免因高溫、高功率制程而破壞有機層16，接著，以電阻率極低的金(Au)材料作成該第二透明金屬層182，藉以有效控制降低整體復(fù)合陽極18的面電阻值，且由于第二透明金屬層182的厚度極薄，因此不會影響到光的穿透，最后，復(fù)以銦鋅氧化物(IZO)材料作為第三透明金屬層183覆蓋該第二透明金屬層182以提供保護效果。
所以，從上述可知，本實用新型的有機發(fā)光組件10的復(fù)合陽極18在反向制程中，不僅避免了高溫、高功率成膜制程所衍生易于破壞有機層16的缺失，更因加入了電阻率極低的金屬薄膜，如金(Au)材料，使得整體復(fù)合陽極18的面電阻值降低而提高電流密度，進而降低有機發(fā)光組件10的驅(qū)動電壓，以及可提高輝度。
以下茲再就本實用新型的復(fù)合陽極18因具有該第二透明金屬層182的設(shè)置而確實可達成提高電流密度、降低驅(qū)動電壓及提高輝度說明，合先敘明，以下所述的受測有機發(fā)光組件(以下簡稱受測組件)結(jié)構(gòu)大致相同，僅于陽極結(jié)構(gòu)設(shè)計不同，即受測組件一的陽極是以銦鋅氧化物(IZO)制成單一層膜，其厚度為1000埃()；
受測組件二的陽極即為本實用新型的復(fù)合陽極，其第二透明金屬層的厚度為30埃()；受測組件三的陽極為本實用新型的復(fù)合陽極，其中第二透明金屬層的厚度為60埃()；受測組件四的陽極為本實用新型的復(fù)合陽極，其中第二透明金屬層的厚度為90埃()；續(xù)請配合圖5、圖6所示，是上述各受測組件于低溫制程中，且制程功率設(shè)定在100W情形下的電流密度與電壓關(guān)是圖以及輝度與電壓關(guān)是圖，從圖5所示可知，受測組件一的電流密度偏低，即表示驅(qū)動電壓高，而具有復(fù)合陽極的受測組件二至四，因具有電阻率極低的第二透明金屬層，且隨著厚度略增，使得測得的電流密度相對提升，換言的，有機發(fā)光組件的驅(qū)動電壓降低以收省電的效，而圖6則揭示受測組件二至四的輝度獲得提升，俾有助益于提高整個發(fā)光組件的顯示屏幕的亮度。
另一提的是，在圖4中的復(fù)合陽極18結(jié)構(gòu)是以第一、第二及第三透明金屬層181、182及183所構(gòu)成，惟須說明的是，本實用新型的復(fù)合陽極是可依照實際應(yīng)用需求而適時省略該第三透明金屬層183的制作，亦即如圖7所示，該有機發(fā)光組件10’的復(fù)合陽極18’僅由第一透明金屬層181’及第二透明金屬層182’所構(gòu)成，其同樣具有降低整體復(fù)合陽極18’的面電阻值及避免破壞有機層的優(yōu)點。
復(fù)請參閱圖8所示的本實用新型技術(shù)應(yīng)用于被動式驅(qū)動有機發(fā)光組件20，該有機發(fā)光組件20的結(jié)構(gòu)與前述實施例的有機發(fā)光組件10結(jié)構(gòu)大致相同，亦即具有基板22、陰極24、包含電子傳輸層261、光發(fā)射層262、電洞傳輸層263、電洞注入層264的有機層26、包含第一、第二、第三透明金屬層281、282、283的復(fù)合陽極28，上述各構(gòu)件的組成與厚度同有機發(fā)光組件10，于此不予贅述，惟不同處在于有機發(fā)光組件20的基板22是為不包含薄膜晶體管的玻璃基板，或是塑料基板，同理，有機發(fā)光組件20經(jīng)反向制程制作時，其復(fù)合陽極28于低溫中制作可避免對有機層26造成破壞，且整體復(fù)合陽極28的面電阻值獲得降低。而圖9則進一步揭示有機發(fā)光組件20’的復(fù)合陽極28’僅包含第一透明金屬層281’與第二透明金屬層282’。
以上所述，僅為本實用新型的較佳可行實施例而已，舉凡應(yīng)用本實用新型說明書及申請專利范圍所為的等效結(jié)構(gòu)變化，理應(yīng)包含在本實用新型的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種有機發(fā)光組件，其特征在于該有機發(fā)光組件結(jié)構(gòu)自下而上依序包含一基板、一陰極、一有機層與一復(fù)合陽極，該陰極是形成于該基板表面，該有機層設(shè)置于該陰極與該復(fù)合陽極之間，其中該復(fù)合陽極包括有一第一透明金屬層與一第二透明金屬層，該第一透明金屬層具有一第一表面與一面朝該有機層的第一底面，該第二透明金屬層設(shè)于該第一透明金屬層的第一表面。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光組件，其特征在于構(gòu)成該復(fù)合陽極的第一透明金屬層材料是從銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鍺錫氧化物及氧化鋅、氧化錫所構(gòu)成的族群中所選出之一。
3.如權(quán)利要求1或2所述的有機發(fā)光組件，其特征在于所述該復(fù)合陽極的第一透明金屬層的厚度介于100埃至2000埃之間。
4.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光組件，其特征在于所述該復(fù)合陽極的第二透明金屬層的功函數(shù)是大于4電子伏特。
5.如權(quán)利要求4所述的有機發(fā)光組件，其特征在于所述構(gòu)成該復(fù)合陽極的第二透明金屬層材料是從金、鉑、鎳、鉻、錫及鍺所構(gòu)成的族群中所選出之一。
6.如權(quán)利要求1或5所述的有機發(fā)光組件，其特征在于所述該復(fù)合陽極的第二透明金屬層的厚度介于5埃至150埃之間。
7.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光組件，其特征在于所述該第二透明金屬層具有一第二表面與一第二底面，該第二底面與該第一透明金屬層的第一表面接觸，該復(fù)合陽極更包括有一第三透明金屬層，該第三透明金屬層設(shè)于該第二透明金屬層的第二表面。
8.如權(quán)利要求7所述的有機發(fā)光組件，其特征在于構(gòu)成該復(fù)合陽極的第三透明金屬層材料是從銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁鋅氧化物、鍺錫氧化物及氧化鋅、氧化錫所構(gòu)成的族群中所選出之一。
9.如權(quán)利要求7或8所述的有機發(fā)光組件，其特征在于所述該復(fù)合陽極的第三透明金屬層的厚度介于100埃至2000埃之間。
10.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光組件，其特征在于所述該有機層包括一電子傳輸層、一光發(fā)射層、一電洞傳輸層與一電洞注入層，該電子傳輸層位于該陰極與該光發(fā)射層之間，該電洞傳輸層位于該光發(fā)射層與該復(fù)合陽極之間，該電洞注入層位于該電洞傳輸層與該復(fù)合陽極的第一透明金屬層間。
11.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光組件，其特征在于所述該基板為玻璃基板或塑料基板。
12.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光組件，其特征在于所述該基板為薄膜晶體管數(shù)組基板，包括一透明本體；復(fù)數(shù)個薄膜晶體管，是呈數(shù)組排列于該透明本體表面；以及一保護層，是覆蓋該透明本體與該些薄膜晶體管。
專利摘要本實用新型是一種有機發(fā)光組件，其結(jié)構(gòu)自下而上依序包含一基板、一陰極、一有機層與一復(fù)合陽極，該復(fù)合陽極包括有一第一透明金屬層與一第二透明金屬層，該第二透明金屬層設(shè)置在該第一透明金屬層背對該有機層的另一側(cè)面，且第二透明金屬層是以電阻率極低的金屬材料制成，其厚度介于5埃()至150埃()之間。
文檔編號H01L51/52GK2867601SQ20052014541
公開日2007年2月7日 申請日期2005年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月29日
發(fā)明者朱健慈, 林國森 申請人:勝華科技股份有限公司