專利名稱：高散熱的發(fā)光二極管模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型為一種高散熱的發(fā)光二極管模塊，特別是指一種結(jié)構(gòu)簡單、制造便利，可有效降低生產(chǎn)成本及提高產(chǎn)品可靠度的發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有一種發(fā)光二極管為Lumileds Lighting公司所申請的美國第6204523號專利，其是將一LED芯片置放于一具有凹槽的底座內(nèi)，再將一具有引腳的座體與底座結(jié)合，通過由導(dǎo)線將LED芯片電連接至座體的引腳，最后再將透鏡蓋合于座體上，而完成發(fā)光二極管的制作。其結(jié)構(gòu)復(fù)雜、制造成本相對地高昂，且無法有效地散熱或必須另加設(shè)散熱基板，使其制造更加不易。
再者，底座及座體均是為塑料材質(zhì)，無法有效地將LED芯片所產(chǎn)生的高熱散發(fā)出，因此，其可靠度低且容易損壞。因此，其在使用上是于該底座上另加設(shè)一散熱基板，如此，不但成本提高、制造不易，且熱經(jīng)由塑料底座再傳置散熱基板時，其散熱效果亦不甚理想。而且座體無法另行加設(shè)散熱基板，所以，該專利產(chǎn)品不但無法有效地散熱且制造成本較高。
有鑒于此，本實用新型發(fā)明人乃本于精益求精、創(chuàng)新突破的精神，努力于發(fā)光二極管的研發(fā)，而創(chuàng)作出本實用新型高散熱的發(fā)光二極管模塊，其不但結(jié)構(gòu)簡化、制造便利，可有效降低生產(chǎn)成本及提高散熱效果。
實用新型內(nèi)容本實用新型的主要目的，在于提供一種高散熱的發(fā)光二極管模塊，其具有簡化結(jié)構(gòu)、制造便利的功效，以達到降低生產(chǎn)成本的目的。
本實用新型的另一目的，在于提供一種用于高散熱的發(fā)光二極管模塊，其具有可快速地將熱散出的功效，以達到提高產(chǎn)品可靠度的目的。
為達上述的目的，本實用新型的特征在于包括一金屬基板、光反射層、LED芯片及透鏡。該金屬基板設(shè)有一上表面及一下表面，該上表面形成有一正電極及一負(fù)電極；該LED芯片是設(shè)置于該金屬基板的上表面上，通過由導(dǎo)線電連接至該正電極及該負(fù)電極；該光反射層是設(shè)置于該金屬基板的上表面，將該LED芯片環(huán)繞??；該透鏡是設(shè)置于該光反射層上方，用以將該LED芯片覆蓋住，該套體是環(huán)繞住該第一透鏡，其上方設(shè)有一第二透鏡。
一種高散熱的發(fā)光二極管模塊，其包括有一基板，其設(shè)有一上表面及一下表面，該上表面形成有一正電極及一負(fù)電極；一LED芯片，其是設(shè)置于該基板的上表面上，通過由導(dǎo)線電連接至該正電極及該負(fù)電極；一金屬光反射層，其是設(shè)置于該金屬基板的上表面，將LED芯片環(huán)繞?。灰籐ED芯片，其是設(shè)置于該基板的上表面上，并位于該凹槽內(nèi)，通過由導(dǎo)線電連接至該正電極及該負(fù)電極；一第一透鏡，其是設(shè)置于該金屬光反射層上，用以將該LED芯片覆蓋住；套體，其是設(shè)置于基板上，覆蓋住第一透鏡；及一第二透鏡，其是蓋設(shè)于套體上方。
所述的高散熱的發(fā)光二極管模塊，其中，該金屬光反射層為鋁或銅制材質(zhì)。
所述的高散熱的發(fā)光二極管模塊，其中，該基板的上表面形成有一凹槽，用以容置LED芯片。
所述的高散熱的發(fā)光二極管模塊，其中，該金屬光反射層形成有一缺口，用以使該透鏡設(shè)置于該缺口內(nèi)。
所述的高散熱的發(fā)光二極管模塊，其中，該基板為金屬基板。
所述的高散熱的發(fā)光二極管模塊，其中包括有一座體設(shè)有內(nèi)螺紋，該套體是固定于該座體內(nèi)，使該座體可螺鎖于一手電筒的套筒的外螺紋上。
如是，該LED芯片所產(chǎn)生的熱可通過由該金屬基板及光反射層直接散發(fā)出，而不必另行增設(shè)散熱片，制造上更為便利，可有效降低生產(chǎn)成本，及提高產(chǎn)品的可靠度。
本實用新型的上述及其它目的、優(yōu)點和特色由以下較佳實施例的詳細(xì)說明并參考圖式以便得以更深入了解。


圖1為本實用新型高散熱的發(fā)光二極管的第一實施例的剖示圖；圖2為本實用新型高散熱的發(fā)光二極管的第一實施例的剖示圖；圖3為本實用新型高散熱的發(fā)光二極管的第一實施例的剖示圖；圖4為本實用新型高散熱的發(fā)光二極管模塊的剖視圖；圖5為本實用新型高散熱的發(fā)光二極管模塊的第一實施圖；圖6為本實用新型高散熱的發(fā)光二極管模塊的第二實施圖。
圖號說明本實用新型圖號金屬基板 10 LED芯片12 光反射層 14透鏡 16 上表面 18 下表面20正電極22 負(fù)電極 24 導(dǎo)線 26缺口 28 凹槽30 凸面 32套體 17 第二透鏡19 內(nèi)螺紋21套筒 23 外螺紋 25 座體 2具體實施方式
請參閱圖1，為本實用新型高散熱的發(fā)光二極管的第一實施例的剖示圖，其包括有一金屬基板10、一LED芯片12、一光反射層14及一第一透鏡16金屬基板10為鋁或銅材質(zhì)，及其它合金材料表面鍍反射層，其設(shè)有一上表面18及一下表面20，上表面18形成有一正電極22及一負(fù)電極24。
LED芯片12是設(shè)置于金屬基板10的上表面18上，通過由導(dǎo)線26電連接至金屬基板10的正電極22及負(fù)電極24。
光反射層14為鋁或銅制材質(zhì)，其是設(shè)置于金屬基板10的上表面18上，將LED芯片12環(huán)繞住，其頂面形成有缺口28。
第一透鏡16為凸透鏡，其是設(shè)置于光反射層14上方的缺口28上，用以將LED芯片12覆蓋住。
請參閱圖2，為本實用新型高散熱的發(fā)光二極管的第二實施例的剖示圖，其包括有一金屬基板10、一LED芯片12、一光反射層14及一第一透鏡16金屬基板10為鋁或銅制材質(zhì)，其設(shè)有一上表面18及一下表面20，上表面18形成有一正電極22、一負(fù)電極24及一凹槽30。
LED芯片12是設(shè)置于金屬基板10的上表面18的凹槽30內(nèi)上，通過由導(dǎo)線26電連接至金屬基板10的正電極22及負(fù)電極24。如此，可降低發(fā)光二極管的高度，達到輕駁短小的目的。
光反射層14為鋁制材質(zhì)，其是設(shè)置于金屬基板10的上表面18上，將LED芯片12環(huán)繞住，其頂面形成有缺口28。
第一透鏡16為凸透鏡，其是設(shè)置于光傳遞層14上方的缺口28上，用以將LED芯片12覆蓋住。
在本實施例中，金屬基板10設(shè)有復(fù)數(shù)個LED芯片12，并將復(fù)數(shù)個光反射層14形成于相對應(yīng)的每一個LED芯片12上，再將第一透鏡16蓋設(shè)于每一光反射層14上，最后，再切割金屬基板10以完成每一單顆發(fā)光二極管的制作，因此，本實用新型利用金屬做為基板，在制造上更為便利，可有效降低生產(chǎn)成本。
請參閱圖3，為本實用新型高散熱發(fā)光二極管的第三實施例的剖示圖，其包括有一金屬基板10、一LED芯片12、一光反射層14及一第一透鏡16金屬基板10為鋁或銅制材質(zhì)，其設(shè)有一上表面18及一下表面20，上表面18形成有一正電極22、一負(fù)電極24及一凹槽30。
LED芯片12是設(shè)置于金屬基板10的上表面18的凹槽30內(nèi)上，通過由導(dǎo)線26電連接至金屬基板10的正電極22及負(fù)電極24。如此，可降低發(fā)光二極管的高度，達到輕駁短小的目的。
光反射層14及第一透鏡16是一體成型，其是設(shè)置于金屬基板10的上表面18上，將LED芯片12環(huán)繞包覆住，透鏡16的凸面32是朝向LED芯片12。
請參閱圖4，為本實用新型高散熱發(fā)光二極管模塊的剖視圖，其包括有一金屬基板10、一LED芯片12、一光反射層14、一第一透鏡16、一套體17及一第二透鏡19金屬基板10為鋁或銅制材質(zhì)，其設(shè)有一上表面18及一下表面20，上表面18形成有一正電極22、一負(fù)電極24及一凹槽30。
LED芯片12是設(shè)置于金屬基板10的上表面18的凹槽30內(nèi)上，通過由導(dǎo)線26電連接至金屬基板10的正電極22及負(fù)電極24。如此，可降低發(fā)光二極管的高度，達到輕駁短小的目的。
光反射層14為鋁制材質(zhì)，其是設(shè)置于金屬基板10的上表面18上，將LED芯片12環(huán)繞住，其頂面形成有缺口28。
第一透鏡16為凸透鏡，其是設(shè)置于光傳遞層14上方的缺口28上，用以將LED芯片12覆蓋住。
套體17是設(shè)置于基板10上，并環(huán)繞住LED芯片12，將其包覆住。
第二透鏡19是蓋設(shè)于套體17上方，使LED芯片12可透過第一透鏡16及第二透競鏡19折射光源，使光源的折射角度位于8-15度。
請參閱圖5及圖6，為本實用新型模塊的實施圖，其中套體17可容置于一座體27上，座體27形成有一內(nèi)螺21，可螺鎖于手電筒的套筒23的外螺紋25上，而輕易地組合成一手電筒。
在本實施例中，同樣地金屬基板10設(shè)有復(fù)數(shù)個LED芯片12，并將復(fù)數(shù)個光反射層14形成于相對應(yīng)的每一個LED芯片12上，再將透鏡16蓋設(shè)于每一光反射層14上，最后，再切割金屬基板10以完成每一單顆發(fā)光二極管的制作，因此，本實用新型利用金屬做為基板，在制造上更為便利，可有效降低生產(chǎn)成本。
如是，本實用新型具有如下的優(yōu)點1.本實用新型將LED芯片12直接置放于金屬基板10上，可有效地將LED芯片的熱快速散出及簡化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，可提高產(chǎn)品的可靠度及降低生產(chǎn)成本。
2.本實用新型的光反射層14為金屬材質(zhì)，亦可增加產(chǎn)品的散熱效果，亦可提高產(chǎn)品的可靠度。
3.金屬基板10形成有凹槽30，用以容置LED芯片12，可有效降低產(chǎn)品高度，使產(chǎn)品達到輕薄短小的需求。
4.LED芯片12的光源可透過第一透鏡16及第二透鏡19折射，而產(chǎn)生折射角度為8-15度的光源。
在較佳實施例的詳細(xì)說明中所提出的具體實施例僅為了易于說明本實用新型的技術(shù)內(nèi)容，并非將本實用新型狹義地限制于實施例，凡依本實用新型的精神及以下申請專利范圍的情況所作種種變化實施均屬本實用新型的范圍。
權(quán)利要求1.一種高散熱的發(fā)光二極管模塊，其特征在于，包括有一基板，其設(shè)有一上表面及一下表面，該上表面形成有一正電極及一負(fù)電極；一LED芯片，其是設(shè)置于該基板的上表面上，通過由導(dǎo)線電連接至該正電極及該負(fù)電極；一金屬光反射層，其是設(shè)置于該金屬基板的上表面，將LED芯片環(huán)繞?。灰籐ED芯片，其是設(shè)置于該基板的上表面上，并位于該凹槽內(nèi)，通過由導(dǎo)線電連接至該正電極及該負(fù)電極；一第一透鏡，其是設(shè)置于該金屬光反射層上，用以將該LED芯片覆蓋??；套體，其是設(shè)置于基板上，覆蓋住第一透鏡；及一第二透鏡，其是蓋設(shè)于套體上方。
2.如權(quán)利要求1所述的高散熱的發(fā)光二極管模塊，其特征在于，所述該金屬光反射層為鋁或銅制材質(zhì)。
3.如權(quán)利要求1所述的高散熱的發(fā)光二極管模塊，其特征在于，所述該基板的上表面形成有一凹槽，用以容置LED芯片。
4.如權(quán)利要求1所述的高散熱的發(fā)光二極管模塊，其特征在于，所述該金屬光反射層形成有一缺口，用以使該透鏡設(shè)置于該缺口內(nèi)。
5.如權(quán)利要求1所述的高散熱的發(fā)光二極管模塊，其特征在于，所述該基板為金屬基板。
6.如權(quán)利要求1所述的高散熱的發(fā)光二極管模塊，其特征在于，包括有一座體設(shè)有內(nèi)螺紋，該套體是固定于該座體內(nèi)，使該座體可螺鎖于一手電筒的套筒的外螺紋上。
專利摘要本實用新型是一種高散熱的發(fā)光二極管模塊，包括一金屬基板、金屬光反射層、LED芯片、第一透鏡、套體及第二透鏡。該金屬基板設(shè)有一上表面及一下表面，該上表面形成有一正電極及一負(fù)電極；該LED芯片是設(shè)置于該金屬基板的上表面上，通過由導(dǎo)線電連接至該正電極及該負(fù)電極；該金屬光反射層是設(shè)置于該金屬基板的上表面，將該LED芯片環(huán)繞??；該透鏡是設(shè)置于該金屬光反射層上方，用以將該LED芯片覆蓋住，該套體是環(huán)繞住該第一透鏡，其上方設(shè)有一第二透鏡。因此，該LED芯片所產(chǎn)生的熱可通過由該金屬基板及金屬光反射層直接散發(fā)出，而不必另行增設(shè)散熱片，制造上更為便利，可有效降低生產(chǎn)成本，及提高產(chǎn)品的可靠度。
文檔編號H01L23/36GK2849979SQ200520145408
公開日2006年12月20日 申請日期2005年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月29日
發(fā)明者陳興 申請人:詮興開發(fā)科技股份有限公司