專利名稱：薄膜晶體管陣列面板、液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管陣列面板，使用所述面板的液晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示(“LCD”)是一種最流行的平板顯示器，其包括兩個(gè)具有場產(chǎn)生電極的面板和插入其之間的液晶層，并且通過調(diào)整施加在所述電極上的電壓以重新排列液晶層內(nèi)的液晶分子來控制通過液晶層的光的透射。
在各個(gè)面板上包括場產(chǎn)生電極的LCD之中，一種LCD提供了在一個(gè)面板上按矩陣排列的多個(gè)像素電極和覆蓋另一個(gè)面板的整個(gè)表面的公共電極。所述LCD的圖像顯示是通過對各個(gè)像素電極施加單獨(dú)的電壓實(shí)現(xiàn)的。對于施加單獨(dú)的電壓，將多個(gè)三極薄膜晶體管(TFT)連接到各自的像素電極，并且在該面板上提供了多條傳輸用于控制TFT的信號的柵極線和多條傳輸將被施加到像素電極的電壓的數(shù)據(jù)線。
所述TFT包括非晶硅或多晶硅的半導(dǎo)體層，并且根據(jù)柵電極和半導(dǎo)體層的相對位置被分為頂部柵極型和底部柵極型。在包括多晶硅作為半導(dǎo)體層的TFT的情形，通常采用頂部柵極型的TFT。在頂部柵極型的TFT中，多晶硅的半導(dǎo)體層形成于絕緣層上，并且柵極線和存儲電極線形成于覆蓋半導(dǎo)體層的柵極絕緣層上。
所述多晶硅TFT相對于非晶硅TFT具有相對較高的電子遷移率，并且多晶硅TFT能夠?qū)嵤〤OG(玻璃上的芯片)技術(shù)，其提供具有高分辨率和高質(zhì)量的顯示面板。
在采用多晶硅的薄膜晶體管陣列面板中，由具有低介電率的有機(jī)材料制成的鈍化層被用作層間絕緣體。但是，由于所述有機(jī)絕緣層，產(chǎn)生了比如液晶注入孔附近的余像和斑點(diǎn)之類的許多問題。
更具體地，因?yàn)樵谒霰∧ぞw管陣列邊緣附近的有機(jī)絕緣層從所述像素電極暴露，所以在組裝所述兩個(gè)面板并且注入液晶材料之后，暴露的液晶絕緣層直接與液晶材料接觸。具體地，因?yàn)樽⑷肟赘浇挠袡C(jī)絕緣層從兩個(gè)面板之間包圍液晶的密封劑暴露，所以當(dāng)密封劑采用紫外線硬化時(shí)，所述有機(jī)絕緣層被紫外線損傷。這導(dǎo)致在注入孔附近產(chǎn)生的斑點(diǎn)。此外，被紫外線損傷的有機(jī)材料溶入液晶層內(nèi)，溶入的有機(jī)材料產(chǎn)生液晶響應(yīng)時(shí)間的延遲，導(dǎo)致余像。這樣的問題發(fā)生在采用高溫的制造工藝中。

發(fā)明內(nèi)容
提供了一種薄膜晶體管陣列面板，其包括基板，具有包括多個(gè)像素區(qū)的顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的周邊區(qū)；多個(gè)薄膜晶體管，分別形成于所述像素區(qū)中；鈍化層，由有機(jī)材料制成并且覆蓋所述薄膜晶體管；多個(gè)像素電極，分別連接到所述薄膜晶體管并且形成于所述像素區(qū)的鈍化層上；有機(jī)阻擋構(gòu)件，用與所述像素電極相同的層形成并且設(shè)置在周邊區(qū)中；以及密封劑，包圍所述顯示區(qū)并且形成于所述周邊區(qū)的鈍化層上，其中所述有機(jī)阻擋構(gòu)件與所述密封劑重疊。
所述有機(jī)阻擋構(gòu)件可以由與所述像素電極相同的材料制成。
所述密封劑可以具有有注入孔的一側(cè)。
所述有機(jī)阻擋構(gòu)件可以與所述有注入孔的一側(cè)重疊。
提供了一種液晶顯示器，包括第一基板，具有包括多個(gè)像素區(qū)的顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的周邊區(qū)；多個(gè)薄膜晶體管，分別形成于所述第一基板上的像素區(qū)內(nèi)；鈍化層，由有機(jī)材料制成并且覆蓋所述薄膜晶體管；多個(gè)像素電極，分別連接到所述薄膜晶體管并且形成于所述像素區(qū)的鈍化層上；有機(jī)阻擋構(gòu)件，用與所述像素電極相同的層形成并且設(shè)置在所述周邊區(qū)中；密封劑，包圍所述顯示區(qū)并且形成于所述周邊區(qū)的鈍化層上；第二基板，面對第一基板；以及液晶層，形成于所述第一和第二基板之間并且被所述密封劑密封，其中所述有機(jī)阻擋構(gòu)件與所述密封劑重疊。
所述密封劑可以具有有注入孔的一側(cè)。
所述有機(jī)阻擋構(gòu)件以與具有所述注入孔的所述側(cè)的密封劑重疊。
由紫外線硬化材料制成的最終密封劑可以形成于注入孔內(nèi)。
提供了一種制造液晶顯示器的方法，其包括在第一基板上的顯示區(qū)中形成多個(gè)薄膜晶體管，所述第一基板具有顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的周邊區(qū)；形成鈍化層，其由有機(jī)材料制成并且覆蓋所述薄膜晶體管；在所述顯示區(qū)的鈍化層上形成多個(gè)像素電極，和在所述周邊區(qū)中形成有機(jī)阻擋構(gòu)件；并且形成密封劑，其在所述周邊區(qū)的鈍化層上包圍所述顯示區(qū)，其中所述密封劑的一側(cè)與所述有機(jī)阻擋構(gòu)件重疊。
所述方法還可以包括使用所述密封劑組裝所述第一基板和面向所述第一基板的第二基板；通過密封劑的注入孔在所述第一和第二基板之間注入液晶材料；在所述注入孔形成最終密封劑；并且采用紫外線硬化所述最終密封劑。
所述有機(jī)阻擋構(gòu)件可以被設(shè)置在所述注入孔上。


根據(jù)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明將變得更加顯見，在附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的布局圖；圖2是包括圖1所示的薄膜晶體管陣列面板的LCD的截面圖，沿II-II線截取；圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖；圖4是沿4-4線截取的圖3所示顯示區(qū)的截面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖3和圖4中所示的TFT陣列面板的制造方法的第一步驟的截面圖；圖6是是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖3和圖4中所示的TFT陣列面板的制造方法的第一步驟的布局圖，并且圖示了圖5中所示步驟后面的步驟；圖7是沿VII-VII線截取的圖6中所示的TFT陣列面板的截面圖；圖8是沿VII-VII線截取的圖6中所示的TFT陣列面板的截面圖，并且圖示了圖6和圖7中所示步驟之后的步驟；圖9是沿VII-VII線截取的圖6中所示的TFT陣列面板的截面圖，并且圖示了圖8中所示步驟之后的步驟；圖10是圖9中所示的步驟之后的步驟的TFT陣列面板的布局圖；圖11是沿XI-XI線截取的圖10中所示的TFT陣列面板的截面圖；圖12是圖10和圖11中所示步驟之后的步驟的TFT陣列面板的布局圖；圖13是沿XIII-XIII線截取的圖12中所示的TFT陣列面板的截面圖，圖14是圖12和圖13中所示步驟之后的步驟的TFT陣列面板的布局圖；圖15是沿XV-XV線截取的圖14中所示的TFT陣列面板的截面圖；
圖16是圖14和圖15中所示步驟之后的步驟的TFT陣列面板的布局圖；以及圖17是沿XVII-XVII線截取的圖14中所示的TFT陣列面板的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照附圖更完整地描述本發(fā)明，其中顯示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。但是，本發(fā)明能夠以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)被解釋為限于這里提出的實(shí)施例。通篇相同的數(shù)字指示相同的元件。
在附圖中，為清楚起見，夸大了層和區(qū)的厚度。通篇相同的數(shù)字指示相同的元件?？梢岳斫猱?dāng)比如層、區(qū)域或基板的元件稱為在另一元件“上”時(shí)，其可以直接在另一元件上，或者也可以存在中間元件。
下面，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板、包括其的液晶顯示器及其制造方法。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的薄膜晶體管陣列面板的布局圖，圖2是包括圖1所示的薄膜晶體管陣列面板的LCD的截面圖，沿II-II線截取。圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的TFT陣列面板的布局圖，且圖4是沿4-4線截取的圖3所示顯示區(qū)的截面圖。
如圖1和2所示，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LCD包括彼此相對的上面板200和下面板100，和插入其之間的液晶層3。所述LCD還包括密封劑310，密封劑310形成圍繞面板100和200周邊以及面板100和200之間。密封劑310在兩個(gè)面板100和200之間密封液晶層3，并且將面板100和200彼此密封。
下面板100包括顯示圖像的顯示區(qū)A，和位于顯示區(qū)A周圍的周邊區(qū)B。比如多條柵極線121和多條數(shù)據(jù)線171的多條信號線彼此交叉以界定設(shè)置為矩陣的多個(gè)像素區(qū)，且形成于下面板100中。在每個(gè)像素區(qū)中，設(shè)置了連接到柵極線和數(shù)據(jù)線121和171的TFT和電連接到TFT的像素電極190。多個(gè)像素區(qū)形成顯示區(qū)A。由具有低介電率的有機(jī)材料制成的鈍化層180形成于信號線和像素電極190之間以形成其之間的層間絕緣體，并且鈍化層180覆蓋下面板100的整個(gè)區(qū)域。
有機(jī)阻擋構(gòu)件由與所述像素電極190相同材料層形成。有機(jī)阻擋構(gòu)件199從像素電極190分開了預(yù)定的距離，并且位于周邊區(qū)B。
密封劑310在周邊區(qū)B中形成于鈍化層180上，并且圍繞顯示區(qū)A。如圖1和2中所示，有機(jī)阻擋構(gòu)件199與密封劑310沿面板100頂側(cè)的部分重疊。
更具體地，所述密封劑310包括根據(jù)下面板的四邊形成的四邊，并且有機(jī)阻擋構(gòu)件199與密封劑310包括注入孔311的一側(cè)重疊，注入孔311用來注入液晶材料。在兩個(gè)面板100和200之間注入液晶材料之后，注入孔311用最終密封劑320填充。最終密封劑320由紫外線硬化材料制成。
如上所述，有機(jī)光阻擋構(gòu)件199位于有機(jī)層180上，在有機(jī)層180上形成密封劑310的注入孔311和最終密封劑320。因此，有機(jī)阻擋構(gòu)件199防止注入孔311附近的有機(jī)層180被用于硬化最終密封劑320的紫外線輻射損傷。此外，有機(jī)光阻擋構(gòu)件199防止了由熱產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷，所述點(diǎn)缺陷影響可注入孔311周圍。
此外，通過防止注入孔311附近的有機(jī)層180被紫外線輻射損傷，有機(jī)阻擋構(gòu)件199可以去除鈍化層180的有機(jī)材料，所述有機(jī)材料被紫外線輻射污染并且溶入液晶層3，因而提高了液晶的響應(yīng)時(shí)間并且使余像最小化。
接下來，參考圖3和4，在以下詳細(xì)描述了根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的TFT陣列面板的像素區(qū)。
參照圖4，優(yōu)選地由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNX)制成的阻擋膜111形成于絕緣基板110上，所述絕緣基板110可以是透明玻璃、石英或藍(lán)寶石。
多個(gè)優(yōu)選由多晶硅制成的半導(dǎo)體島150形成于阻擋膜111上。每個(gè)半導(dǎo)體島150包括多個(gè)含N型或P型導(dǎo)電雜質(zhì)的非本征區(qū)和至少一個(gè)幾乎不含導(dǎo)電雜質(zhì)的本征區(qū)。
阻擋膜111增加了半導(dǎo)體150和絕緣基板110之間的接觸特性，并且防止在制造工藝中絕緣基板110的雜質(zhì)擴(kuò)散入半導(dǎo)體150。
對于半導(dǎo)體島150，本征區(qū)包括溝道區(qū)154和存儲區(qū)157，非本征區(qū)用比如磷(P)和砷(As)的N型雜質(zhì)和比如硼(B)和鎵(Ga)的P型雜質(zhì)摻雜，并且包括多個(gè)重?fù)诫s區(qū)，比如源極區(qū)和漏極區(qū)153和155，所述源極區(qū)和漏極區(qū)153和155相對于溝道區(qū)154和偽區(qū)159從彼此分開；多個(gè)輕摻雜區(qū)152，設(shè)置于本征區(qū)154和157與重?fù)诫s區(qū)153、155和159之間。
與重?fù)诫s區(qū)153、155和159相比，輕摻雜區(qū)152具有相對小的厚度和長度，并且輕摻雜區(qū)152設(shè)置接近半導(dǎo)體島150的表面。輕摻雜區(qū)152設(shè)置在源極區(qū)153和溝道區(qū)154之間以及漏極區(qū)155和溝道區(qū)154之間，被稱為“低摻雜漏極區(qū)(LDD)”，且它們防止TFT的漏電流。
具有大于2000的厚度的柵極絕緣層140形成于半導(dǎo)體島150上，。
包括多個(gè)柵極線121和多個(gè)存儲電極線131的多個(gè)柵極導(dǎo)體分別形成于柵極絕緣層140上，。
用來傳輸柵極信號的柵極線121基本在橫向延伸并且包括多個(gè)向下突出的柵極電極124以與半導(dǎo)體島150的溝道區(qū)154重疊。每條柵極線121可以包括擴(kuò)展端部，其具有用來與另一層或外部驅(qū)動電路接觸的大的面積?？梢詫艠O線121直接連接到用來產(chǎn)生柵極信號的柵極驅(qū)動電路，其可以被集成在基板110上。
對存儲電極131提供了預(yù)定的電壓，比如公共電壓，并且存儲電極131包括多個(gè)向上和向下突出并與半導(dǎo)體島150的存儲區(qū)157重疊的存儲電極137。
柵極線121和存儲電極線131優(yōu)選由比如鋁和鋁合金的含鋁金屬、比如銀和銀合金的含銀金屬制成，柵極線121和存儲電極線131可以具有包括具有不同物理特性的兩層膜的多層結(jié)構(gòu)。兩層膜之一優(yōu)選由包括上述導(dǎo)電材料的低電阻金屬制成，用于減小柵極線121和存儲電極線131中的信號延遲和電壓降。另一膜優(yōu)選由比如Cr、Mo和Mo合金、Ta或Ti制成，其與比如氧化銦錫(ITO)或氧化鋅(IZO)的其它材料具有良好的物理、化學(xué)和電接觸特性。兩層膜組合的好例是下Cr膜和上Al(Al-Nd合金)膜。
層間絕緣層160形成于柵極導(dǎo)體121和131上。層間絕緣層160優(yōu)選由無機(jī)材料，比如氮化硅和氧化硅制成。層間絕緣層160可以具有SiO2/SiNX的雙層結(jié)構(gòu)，與單層SiO2結(jié)構(gòu)比較，其提高了薄膜晶體管的可靠性。
層間絕緣層160具有多個(gè)它們暴露了源極區(qū)153和漏極區(qū)155的接觸孔163和165。
包括多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175的多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成于層間絕緣層160上。
用來傳輸數(shù)據(jù)電壓的的數(shù)據(jù)線121基本在縱向延伸，并且與柵極線121交叉以界定像素區(qū)。每條數(shù)據(jù)線171包括多個(gè)通過接觸孔163連接到源極區(qū)的源電極173。每條數(shù)據(jù)線171可以包括一擴(kuò)展的端部，所述擴(kuò)展的端部具有用來與另一層或外部驅(qū)動電路接觸的大的區(qū)域?？梢詫?shù)據(jù)線171直接連接到用來產(chǎn)生柵極信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路，其可以被集成在基板110上。
漏電極175與源電極173分開，并且通過接觸孔165連接到漏極區(qū)155。
數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175優(yōu)選由比如Cr、Mo和Mo合金、Ta或Ti制成，其與比如氧化銦錫(ITO)或氧化鋅(IZO)的其他材料具有良好的物理、化學(xué)和電接觸特性。數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175可以包括比如鋁和鋁合金的含鋁金屬、比如銀和銀合金的含銀金屬，并且具有兩層膜的多層結(jié)構(gòu)，其包括一優(yōu)選由上述導(dǎo)電材料制成的膜，和優(yōu)選由Cr、Mo和Mo合金、Ta或Ti制成的另一膜。
鈍化層180形成于數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175以及層間絕緣層160上。鈍化層180也優(yōu)選由具有良好平面度特性和低介電率的光敏有機(jī)材料制成。
鈍化層180具有多個(gè)暴露漏電極175的接觸孔180。鈍化層180還具有多個(gè)暴露數(shù)據(jù)線171的端部的接觸孔(未圖示)并且鈍化層180和層間絕緣層160可以具有多個(gè)暴露柵極線121的端部的接觸孔(未圖示)。
優(yōu)選由比如ITO或IZO的至少一種透明導(dǎo)體和比如鋁或銀的不透明反射導(dǎo)體制成的多個(gè)像素電極190形成于鈍化層180上。
像素電極190通過接觸孔185物理和電連接導(dǎo)漏電極175，從而像素電極190經(jīng)由漏電極175從漏極區(qū)155接收數(shù)據(jù)電壓。
多個(gè)接觸輔助或連接構(gòu)件(未圖示)也可以形成于鈍化層180上，從而將它們連接到柵極線121或數(shù)據(jù)線171的暴露的端部。
在該情況，鈍化層180覆蓋絕緣基板110的整個(gè)表面，且像素電極190僅設(shè)置在顯示區(qū)A內(nèi)。
使用與用于形成像素電極190相同材料層形成有機(jī)阻擋構(gòu)件199。有機(jī)阻擋構(gòu)件199從像素電極190分開了預(yù)定的距離，且有機(jī)阻擋構(gòu)件199位于周邊區(qū)B。有機(jī)阻擋構(gòu)件199與密封劑310的一側(cè)重疊，用來注入液晶材料的注入孔311位于該側(cè)。
現(xiàn)在將參照圖5至17和圖1至4，詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的在圖1至4中所示的TFT陣列面板的制造方法。
圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖3和圖4中所示的TFT陣列面板的制造方法的第一步驟的截面圖，圖6是是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的圖3和圖4中所示的TFT陣列面板的制造方法的第一步驟的布局圖，并且圖示了圖5中所示步驟后面的步驟，圖7是沿VII-VII線截取的圖6中所示的TFT陣列面板的截面圖，圖8是沿VII-VII線截取的圖6中所示的TFT陣列面板的截面圖，并且圖示了圖6和圖7中所示步驟之后的步驟，圖9是沿VII-VII線截取的圖6中所示的TFT陣列面板的截面圖，并且圖示了圖8中所示步驟之后的步驟，圖10是圖9中所示的步驟之后的步驟的TFT陣列面板的布局圖，圖11是沿XI-XI線截取的圖10中所示的TFT陣列面板的截面圖，圖12是圖10和圖11中所示步驟之后的步驟的TFT陣列面板的布局圖，圖13是沿XIII-XIII線截取的圖12中所示的TFT陣列面板的截面圖，圖14是圖12和圖13中所示步驟之后的步驟的TFT陣列面板的布局圖，圖15是沿XV-XV線截取的圖14中所示的TFT陣列面板的截面圖，圖16是圖14和圖15中所示步驟之后的步驟的TFT陣列面板的布局圖，并且圖17是沿XVII-XVII線截取的圖14中所示的TFT陣列面板的截面圖。
參照圖5，在比如透明玻璃、石英或藍(lán)寶石的絕緣基板110上形成優(yōu)選由氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNX)制成的阻擋膜111。通過LPCVD(低壓化學(xué)氣相沉積)或PECVD(等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)來沉積阻擋膜11。在高于550℃的沉積溫度中進(jìn)行LPCVD，在低于400℃的沉積溫度，采用SiH4、SiF4和H2氣體進(jìn)行PECVD。
接下來，采用CVD在阻擋膜111上形成非晶硅層150A。
然后，通過SLS(順序橫向固化)模式的激光退火來結(jié)晶非晶硅層150A以形成多晶硅層150。
阻擋膜111提高了半導(dǎo)體150和絕緣基板110之間的接觸特性，并且防止絕緣基板110的雜質(zhì)在制造過程中擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體150。
參照圖6和7，通過光刻和蝕刻來構(gòu)圖多晶硅層150以形成多個(gè)半導(dǎo)體島150，并且通過PECVD或LPCVD沉積約600-1800厚度的柵極絕緣層140，厚度的柵極絕緣層140優(yōu)選由氧化硅或氮化硅制成。
參照圖8，在柵極絕緣層140上沉積柵極導(dǎo)電膜120，柵極導(dǎo)電膜120優(yōu)選由包括比如鋁和鋁合金(例如Al-Nd)的含鋁金屬的低電阻率材料制成；并且在柵極導(dǎo)電膜120上沉積由Cr制成的導(dǎo)電層。接下來，在導(dǎo)電層上形成光致抗蝕劑圖案，并且使用該光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩膜來蝕刻導(dǎo)電層以在柵極導(dǎo)電膜120上形成多個(gè)摻雜掩膜58。摻雜掩膜58設(shè)置在半導(dǎo)體島150上。摻雜掩膜58的寬度寬于柵電極124的寬度(參照圖3和4)以界定LDD的寬度。
參照圖9，通過使用摻雜掩膜58作為蝕刻掩膜的各向同性蝕刻來構(gòu)圖柵極導(dǎo)電膜120以形成多個(gè)柵極導(dǎo)體，所述柵極導(dǎo)體包括半導(dǎo)體島150上的包含柵電極124的多條柵極線121和包含存儲電極137的多條存儲線131。各向同性蝕刻使柵極導(dǎo)體121和131的邊緣以預(yù)定寬度的差異位于摻雜掩膜58的邊緣內(nèi)，因而成為底切結(jié)構(gòu)。將N型或P型的高濃度雜質(zhì)引入半導(dǎo)體島150，從而設(shè)置在摻雜掩膜58下的半導(dǎo)體島150的區(qū)域未被摻雜，并且半導(dǎo)體島150的剩余區(qū)域被重?fù)诫s，因而形成了源極區(qū)和漏極區(qū)153和155和偽區(qū)159以及溝道區(qū)154和存儲區(qū)157。
參照圖10和11，在去除摻雜掩膜58之后，通過使用掃描設(shè)備或離子束設(shè)備，將低濃度的N型或P型雜質(zhì)用高能注入半導(dǎo)體島150，從而設(shè)置在柵極導(dǎo)線121和131下的半導(dǎo)體島150的區(qū)域未被摻雜，并且半導(dǎo)體島150的剩余區(qū)域被重?fù)诫s，以在溝道區(qū)154部和存儲區(qū)157上側(cè)部分形成輕摻雜區(qū)152。
接下來，將詳細(xì)描述用來形成柵極導(dǎo)體121和131以及用來摻雜N型或P型的低或高濃度雜質(zhì)的步驟。
通過光致抗蝕劑的光刻和蝕刻來構(gòu)圖P型薄膜晶體管區(qū)的柵極導(dǎo)電膜120來形成多個(gè)P型的薄膜晶體管柵極線(未圖示)，且將P型雜質(zhì)注入半導(dǎo)體以形成源極區(qū)和漏極區(qū)，以及P型薄膜晶體管的溝道區(qū)。在該情形，將在其中形成N型薄膜晶體管的區(qū)被光致抗蝕劑覆蓋和保護(hù)。然后去除光致抗蝕劑。
然后，如上所述，在柵極導(dǎo)電膜120上形成用于摻雜掩膜的導(dǎo)電層。摻雜掩膜58被用作柵極導(dǎo)體121和131的蝕刻掩膜，并且作為摻雜掩膜來形成源極區(qū)和漏極區(qū)153和155?？梢允褂靡环N蝕刻劑來蝕刻用于摻雜掩膜58的導(dǎo)電層與柵極導(dǎo)電膜120，并且可以由相對于一種蝕刻劑具有不同蝕刻速率的金屬形成。在該實(shí)施例中，使用了Cr制成的用于摻雜掩膜58的導(dǎo)電層。
接下來，形成了柵極導(dǎo)體121和131，并且形成了源極區(qū)和漏極區(qū)153和155，以及形成輕摻雜區(qū)152并界定溝道區(qū)154。在該情形，P型薄膜晶體管區(qū)被用于摻雜掩膜58的導(dǎo)電層覆蓋和保護(hù)。用來完成P型和N型薄膜晶體管的工藝順序可以被互換，并且形成漏極區(qū)153和155以及輕摻雜區(qū)152的方法可以是多樣的。
參照圖12和13，沉積和構(gòu)圖層間絕緣層160以形成多個(gè)接觸孔163和165，所述接觸孔163和165暴露源極區(qū)153和漏極區(qū)155和柵極絕緣層140。層間絕緣層160可以具有依次沉積的SiO2和SiNx的雙層結(jié)構(gòu)。
參照圖14和15，在層間絕緣層160上形成多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體，所述數(shù)據(jù)導(dǎo)體包括多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175，數(shù)據(jù)線171包括源電極173。源電極和漏電極173和175分別通過接觸孔163和165連接到源極區(qū)和漏極區(qū)153和155。柵極線121和數(shù)據(jù)線171相互交叉以界定多個(gè)像素區(qū)，在像素區(qū)中有多個(gè)像素電極190。接下來，沉積由有機(jī)材料制成的鈍化層180。鈍化層180覆蓋絕緣基板110的整個(gè)表面。
參照圖16和17，構(gòu)圖鈍化層180以形成多個(gè)暴露漏電極175的接觸孔185。
參照圖3和4，在連接到接觸孔175的鈍化層180上形成多個(gè)像素電極190。在該情形，在周邊區(qū)B中形成有機(jī)阻擋構(gòu)件199。有機(jī)阻擋構(gòu)件199從像素電極190分開預(yù)定的距離，并且位于周邊區(qū)B。有機(jī)阻擋構(gòu)件199由與像素電極199相同的材料制成。
接下來，在鈍化層180上在下面板100周邊區(qū)中形成圍繞顯示區(qū)A的密封劑310。密封劑310的一側(cè)與有機(jī)阻擋構(gòu)件199重疊。
詳細(xì)地，密封劑310包括根據(jù)下面板100的四邊形成的四邊，并且有機(jī)阻擋構(gòu)件199與密封劑310的一側(cè)重疊，在該側(cè)設(shè)置了注入孔311。
接下來，將上面板200和下面板100組裝并將其彼此組合，并將液晶材料注入兩個(gè)面板100和200之間。接下來，將最終密封劑320填滿注入孔311，最終密封劑320由基于接收紫外線而硬化的材料制成，并且輻射紫外線以硬化最終密封劑320。
如上所述，有機(jī)阻擋構(gòu)件199位于有機(jī)層180上，在其上形成了密封劑310的注入孔311和最終密封劑320。因此，有機(jī)阻擋構(gòu)件199防止注入孔311附近的有機(jī)層180被暴露且被用來硬化最終密封劑320的紫外線輻射損傷。此外，有機(jī)阻擋構(gòu)件199防止由在注入孔311的熱沖擊產(chǎn)生的點(diǎn)缺陷。
另外，通過防止注入孔311附近的有機(jī)層180被紫外線輻射損傷，有機(jī)阻擋構(gòu)件199可以去除鈍化層180的有機(jī)材料，所述有機(jī)材料被紫外線輻射污染并且被溶入液晶層3，因而提高了液晶的響應(yīng)時(shí)間并且使余像最小化。
雖然在以上描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，然而應(yīng)當(dāng)清楚地理解對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員明顯的這里所教授的基本發(fā)明構(gòu)思的許多變化和/或改進(jìn)仍將落在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，如權(quán)利要求所界定。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列面板，包括基板，具有包括多個(gè)像素區(qū)的顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的周邊區(qū)；多個(gè)薄膜晶體管，分別形成于所述像素區(qū)中；材料的鈍化層，覆蓋所述薄膜晶體管；多個(gè)像素電極，由所述像素區(qū)中所述鈍化層上的材料層形成且分別連接到所述薄膜晶體管；有機(jī)阻擋構(gòu)件，用與用于形成所述像素電極相同的材料層同時(shí)形成，所述有機(jī)阻擋構(gòu)件設(shè)置在所述周邊區(qū)中；以及密封劑，圍繞所述顯示區(qū)的周邊延伸，所述密封劑設(shè)置于所述周邊區(qū)中的鈍化層上，其中，所述有機(jī)阻擋構(gòu)件與所述密封劑重疊。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述有機(jī)阻擋構(gòu)件由與所述像素電極相同的材料制成。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述密封劑包括注入孔。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述有機(jī)阻擋構(gòu)件與包括所述注入孔的所述密封劑的一區(qū)域重疊。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列面板，其中，所述材料的鈍化層包括有機(jī)材料。
6.一種液晶顯示器，包括第一基板，具有包括多個(gè)像素區(qū)的顯示區(qū)和圍繞所述顯示區(qū)的周邊區(qū)；多個(gè)薄膜晶體管，分別形成于所述多個(gè)像素區(qū)中；材料的鈍化層，覆蓋所述薄膜晶體管；多個(gè)像素電極，由所述像素區(qū)中所述鈍化層上的材料層形成且分別連接到所述薄膜晶體管；有機(jī)阻擋構(gòu)件，用與用于形成所述像素電極相同的材料層同時(shí)形成，所述有機(jī)阻擋構(gòu)件設(shè)置在所述周邊區(qū)中；以及密封劑，圍繞所述顯示區(qū)的周邊延伸，所述密封劑設(shè)置于所述周邊區(qū)中的所述鈍化層上；材料的液晶層，設(shè)置于所述第一和第二基板之間且通過所述密封劑密封；其中，所述有機(jī)阻擋構(gòu)件與所述密封劑重疊。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其中，所述密封劑包括注入孔。
8.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其中，所述有機(jī)阻擋構(gòu)件與包括所述注入孔的所述密封劑的一區(qū)域重疊。
9.如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，還包括第二密封劑，所述第二密封劑由使用紫外線可硬化的材料制成，所述第二密封劑設(shè)置于所述注入孔中。
10.一種制造液晶顯示器的方法，包括在第一基板上的顯示區(qū)中形成多個(gè)薄膜晶體管，所述第一基板具有顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的周邊區(qū)；形成鈍化層，所述鈍化層由所述薄膜晶體管上的有機(jī)材料制成；在所述顯示區(qū)的鈍化層上形成多個(gè)像素電極，和在所述周邊區(qū)中形成有機(jī)阻擋構(gòu)件；以及形成密封劑，所述密封劑在所述周邊區(qū)的鈍化層上包圍所述顯示區(qū)，其中，所述密封劑的一側(cè)與所述有機(jī)阻擋構(gòu)件重疊。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括使用所述密封劑組裝所述第一基板和面向所述第一基板的第二基板；通過密封劑的注入孔在所述第一和第二基板之間注入液晶材料；在所述注入孔形成最終密封劑；以及使用紫外線硬化所述最終密封劑。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，在所述注入孔上設(shè)置所述有機(jī)阻擋構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管陣列面板，使用所述薄膜晶體管陣列面板的液晶顯示器及其制造方法。所述薄膜晶體管陣列面板包括基板，具有包括多個(gè)像素區(qū)的顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的周邊區(qū)；多個(gè)薄膜晶體管，分別形成于所述像素區(qū)中；鈍化層，由有機(jī)材料制成并且覆蓋所述薄膜晶體管；多個(gè)像素電極，分別連接到所述薄膜晶體管并且形成于所述像素區(qū)的鈍化層上；有機(jī)阻擋構(gòu)件，用與所述像素電極相同的層形成并且設(shè)置在周邊區(qū)中；以及密封劑，包圍所述顯示區(qū)并且形成于所述周邊區(qū)的鈍化層上，其中所述有機(jī)阻擋構(gòu)件與所述密封劑重疊。
文檔編號H01L29/786GK1811570SQ200510129759
公開日2006年8月2日 申請日期2005年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月26日
發(fā)明者金性澔, 樸京淳, 樸慶珉, 姜承坤, 柳春基 申請人:三星電子株式會社