專利名稱：形成氮化鈦層的方法及形成電容器的下電極的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種形成氮化鈦層的方法，特別是，使用氮化鈦層形成金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器的方法。
背景技術(shù)：
通常，電容器是由兩個導(dǎo)電的電極和插在其間的絕緣體構(gòu)成。電容器是一種可以通過給電極施與偏壓以電荷的形式存儲能量的無源元件。通常，使用單晶硅或多-晶體硅(以下簡稱為多晶硅)作為電容器的電極。然而，由于自身的材料特性，單晶硅或多晶硅在減少電容器電極的阻抗上存在局限性。當(dāng)偏壓施與由單晶硅或多晶硅制造的電容器的電極時，由于耗盡層的產(chǎn)生和在電容器中的不穩(wěn)定電壓導(dǎo)致缺乏恒定電容量，這表現(xiàn)出了材料特性的局限性。為了克服這種局限性，一種金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器被用于替代單晶硅或多晶硅作為電容器電極。
MIM電容器通常用于制造精確的模擬產(chǎn)品和存儲器件。MIM電容器的優(yōu)點(diǎn)包括其偏壓獨(dú)立性與其在不同溫度或電壓范圍內(nèi)的良好的電容變化率。
目前已知的形成MIM電容器的方法是使用氮化鈦層作為其中的一個下電極。一種方法是化學(xué)氣相沉積(CVD)法，其通常采用四氯化鈦(TiCl4)作為鈦源和氨氣(NH3)作為氮源形成氮化鈦層，用于MIM電容器的下電極。另一種方法是依靠有機(jī)金屬CVD(MODCD，metallo-organic CVD)法，使用四(二甲基氨化)鈦(TDMAT，Ti[N(CH3)2]4，tetrakis-dimethylamino titanium)形成。
在采用CVD方法中，氮化鈦層的沉積需要大約500℃至大約700℃的高溫。這個過程的副產(chǎn)品是氯氣，可能擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體基底的一個雜質(zhì)區(qū)域內(nèi)構(gòu)成n型/或p型雜質(zhì)。同時，這些雜質(zhì)可以散播到基底的雜質(zhì)區(qū)域外，并且最終使構(gòu)成器件的一個邏輯區(qū)單元的晶體管特性惡化。
而其它沉積方法，使用TDMAT的MOCVD，也具有固有的工藝雜質(zhì)，包括碳、氫和氯等。由于增加了它的電阻系數(shù)，這些雜質(zhì)可以損壞氮化鈦層的特性。另外，所說的雜質(zhì)可以與隨之形成的產(chǎn)品電容器的介電層發(fā)生反應(yīng)導(dǎo)致漏電流的增加。因此，開發(fā)一種使用增強(qiáng)的氮化鈦層形成下電極的方法十分必要。
類似地，使用單晶硅或多晶硅形成的多晶硅-絕緣體-多晶硅(PIP)電容器電極的流行做法是用來通過形成半圓形硅顆粒以增加硅下電極的表面積。這種技術(shù)被用于獲得高電容。然而，這種通過增加金屬下電極表面積來獲得高電容的方法還有待于試驗的檢驗。因此，所說的這種方法需要開發(fā)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供了通過增加表面積來形成增強(qiáng)的氮化鈦層的方法。形成氮化鈦層的方法包括氮化鈦層沉積工藝和退火工藝。
氮化鈦層的沉積工藝采用TDMAT(Ti[N(CH3)2]4)進(jìn)行金屬-有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)。退火工藝是通過在預(yù)定的溫度下在沉積的氮化鈦層中引起凝聚現(xiàn)象來增加沉積的氮化鈦層的表面積來完成。此外，在退火工藝中，通過金屬-有機(jī)化學(xué)氣相沉積產(chǎn)生的氮化鈦層除去了雜質(zhì)。
例如，退火工藝通過快速熱工藝(RTP)完成，這將導(dǎo)致除去雜質(zhì)和在沉積的氮化鈦層中引起凝聚現(xiàn)象。由此，可以增加氮化鈦層的表面積。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施例中，MOCVD在大約300℃至大約400℃的溫度下進(jìn)行。
在本發(fā)明的一個優(yōu)選的實施例中，RTP是在氨氣濃度為約20sccm至約100sccm的氣氛中進(jìn)行的，沉積溫度在大約600℃至大約700℃，沉積壓力大約為0.2torr至大約2torr(乇)。因此，在氮化鈦層中的碳和氫雜質(zhì)分別以CXHY氣體或HNR氣體的形式除去，在這里R可以是碳和氫的有機(jī)物質(zhì)。此外，在RTP過程中產(chǎn)生氮化鈦層的凝聚現(xiàn)象，由此增加了氮化鈦層的表面積。從而，凝聚現(xiàn)象導(dǎo)致除去在沉積的氮化鈦層中的雜質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，按照上述方法生產(chǎn)出來的氮化鈦層具有好的質(zhì)量，并且增加了表面積，這有利于形成MIM電容器的下電極。
在本發(fā)明的另一個實施例中，在大約600℃至大約700℃的高溫下，RTP過程最好在短時間內(nèi)完成以免雜質(zhì)彌漫出晶體管的雜質(zhì)區(qū)域。例如，RTP過程可以在任何短周期內(nèi)進(jìn)行，但是優(yōu)選的周期是大約10秒至大約60秒。
在本發(fā)明的另一個實施例中，使用具有增大表面積的氮化鈦層的下電極形成MIM電容器的方法，包括在形成所述氮化鈦層之后在下電極上順序地堆疊介電層和上電極。介電層可以由包括氧化鉿(HfO2)層的層形成，但優(yōu)選用順序地堆疊氧化鋁(Al2O3)和氧化鉿層形成的多層制作，或相類似的將其組合或結(jié)合。
在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例中，作為例子，上電極可以由氮化鈦層制成。氮化鈦層的上電極可以按照本發(fā)明實施例與為下電極形成氮化鈦層同樣的方法形成。然而，不同于下電極的是，上電極可以不需要RTP過程以增加它的表面積。代之的是，進(jìn)行一個退火工藝，以在低溫中除去上電極氮化鈦層中的雜質(zhì)，例如，采用等離子退火工藝。等離子退火工藝包括在大約300℃至大約400℃的溫度下，在由氮等離子和氫等離子組成的環(huán)境等離子中執(zhí)行退火工藝。氮化鈦層的沉積操作和等離子退火工藝可以重復(fù)進(jìn)行以形成氮化鈦層達(dá)到上電極要求的厚度。
在本發(fā)明的另一個優(yōu)選實施例中，在形成上電極后，一種物理氣相沉積(PVD)方法可以用來在上述上電極上形成另一個氮化鈦層。上述另一個氮化鈦層在后制造工藝中保護(hù)電容器。
參照附圖和其上的實施例容易理解本發(fā)明。然而，本發(fā)明的實施例可以以不同的形式體現(xiàn)，不局限于在此闡述的實施例；提供這些實施例以便揭示得徹底和完整，對本領(lǐng)域的技術(shù)人員將全面地交流本發(fā)明的概念。
雖然“第一”、“第二”、“第三”等術(shù)語用來圖解本發(fā)明的優(yōu)選實施例的各種層或區(qū)域，但是層或區(qū)域?qū)⒉痪窒抻谶@些術(shù)語。另外，這些術(shù)語僅用來在本發(fā)明的相同的實施例中區(qū)別預(yù)定的層或區(qū)域與其它預(yù)定的層和區(qū)域。更進(jìn)一步地講，本發(fā)明的一個具體實施例中的第一層在另一個實施例中可以稱為第二層。
此外，這里規(guī)定當(dāng)一個層設(shè)置到另一個層或基底上時，該層可以直接形成在另一層或所說的基底上；或者該層可以間接地形成在所說的另一層或所說的基底上，這里第三層可以插入到所說的層和所說的另一個層或所說的基底之間。此外，為了清楚起見，在附圖中層和區(qū)域的厚度有所夸大。


附圖，其包括提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，與在此的描述相結(jié)合，并且構(gòu)成本申請的一部分，圖解了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，與本描述一起用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中
圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明的一個實施例形成氮化鈦層的方法的流程圖；圖2和3是圖解根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例形成氮化鈦層的方法的截面圖；和圖4到7是圖解根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例形成具有氮化鈦層下電極的金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器的方法的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將闡述本發(fā)明的優(yōu)選實施例的細(xì)節(jié)；在附圖中圖解了其中的范例。然而，本發(fā)明不局限于此后圖解的實施例，在這里介紹實施例是為了理解本發(fā)明所涉及的范圍及精神。
圖1是圖解根據(jù)本發(fā)明的一個實施例形成氮化鈦層的方法的制造工藝流程圖；上述方法包括利用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)方法形成氮化鈦層；然后在沉積的氮化鈦層上進(jìn)行快速熱工藝(RTP)；在RTP期間，除去在沉積氮化鈦層中殘留的雜質(zhì)，并產(chǎn)生柔和的粗糙度以此增加沉積氮化鈦層的表面積。
圖2和圖3示出根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例形成氮化鈦層的具體方法。
在圖2中，氮化鈦層103設(shè)置在基底101上?；卓梢允侨我獾木哂泄璞砻娴陌雽?dǎo)體基結(jié)構(gòu)。例如，半導(dǎo)體基結(jié)構(gòu)包括硅、絕緣體上外延硅(SOI)、摻雜或未摻雜硅，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)支持的硅外延層、硅鍺(SiGe)、鍺或砷化鎵、或者其它的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)或他們的組合。本發(fā)明的實施例中使用的基底可以是在引入這里之前通過任何工藝預(yù)先加工過的基底，預(yù)先加工工藝包括離子注入工藝、器件隔離工藝、雜質(zhì)擴(kuò)散工藝、形成金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的工藝、或者沉積例如絕緣層或?qū)щ妼拥缺∧さ墓に嚮蛘哳愃频姆椒ɑ蛘咚鼈兊慕M合。
由此，氮化鈦層103可以由化學(xué)氣相沉積法(CVD)或金屬-有機(jī)法(MOCVD)成形。四(二甲基氨化)鈦(TDMAT)和四(二乙基氨化)鈦(TEMAT，Ti[NCH2(CH3)2]4)用作金屬-有機(jī)物的前體。采用MOCVD方法，使用金屬-有機(jī)物的前體形成氮化鈦層的沉積溫度比使用四氯化鈦和氨氣的化學(xué)氣相沉積方法的溫度低。使用MOCVD方法進(jìn)行沉積，沉積溫度大約300℃至大約400℃，沉積壓力大約0.2torr至大約2torr。
參照圖3，執(zhí)行快速熱工藝(RPT)以除去在氮化鈦層103中的雜質(zhì)并增加層的表面積。RTP在環(huán)境氣體中進(jìn)行，最好是氨氣或氮?dú)夂蜌錃獾幕旌蜌夥?。RTP最好在環(huán)境氨氣中，在大約600℃至大約700℃的溫度下進(jìn)行大約10至大約60秒的時間。氨氣的濃度最好保持在大約20sccm至大約100sccm。
用MOCVD方法沉積的氮化鈦層可以有一個化學(xué)表達(dá)式，這可以由TiCXNYH2表示，它可以具有包含碳和氫的雜質(zhì)。
在氨氣氣氛中通過RTP過程，可能的化學(xué)反應(yīng)表示如下，其中，在氮化鈦層103中的雜質(zhì)可以除去以獲得具有較大表面積的氮化鈦層105。
在這里R可以代表含碳-氫的材料。
在氮化鈦層中的可能包含碳和氫的雜質(zhì)在RTP過程中與環(huán)境氨氣反應(yīng)，可以轉(zhuǎn)化為氣體化合物，其可以分別相應(yīng)地表示為CxHY和HNR，這些雜質(zhì)可以從氮化鈦層中除去。
圖4至圖7圖解了使用由上述方法制造的氮化鈦層形成金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器的方法。為了解釋之目的，在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中的MIM電容器的下電極表示成圓柱型；然而，下電極可以制造成多種已知的形狀。
圖4所示的基底可以采用包括離子注入工藝、器件隔離工藝和形成MOSFET的工藝等的任何工藝已經(jīng)經(jīng)過加工。例如在圖4中，設(shè)有柵203和源/漏205S和205D的MOSFET形成在半導(dǎo)體基底201上。柵203與半導(dǎo)體基底201通過如熱氧化層的絕緣層電絕緣。源/漏205S和205D可以通過注入雜質(zhì)如n-型摻雜劑或p-型摻雜劑及隨后施行退火工藝形成。在形成MOSFET之后，第一層間介電層207形成，并且通過光刻工藝被構(gòu)成預(yù)定結(jié)構(gòu)的圖案，其露出了源205S，從而允許形成接觸孔209。然后，導(dǎo)電材料被注入到接觸孔209以形成接觸插塞211。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，該第一層間介電層207可以包括上述的圖示結(jié)構(gòu)，并且可以由下述材料制作，包括摻雜了硼及磷的硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、摻雜了硼的硼硅酸鹽玻璃(BSG)、摻雜了磷的磷硅酸鹽玻璃(PSG)以及類似的成分或它們的組合。
在圖5中，形成第二層間介電層213，其中槽215限定了一個區(qū)域，其中下電極通過后處理工藝形成在所得到的結(jié)構(gòu)之上。下電極的高度取決于第二層間介電層213的厚度。傳統(tǒng)的光刻法工藝可以是用來在第二層間介電層上形成槽215的一種方法。
同樣地，上面描述和顯示的第二層間介電層213可以由下列材料制成，包括摻雜了硼和磷的BPSG，摻雜了硼的BSG，摻雜了磷的PSG，正硅酸乙酯(TEOS)玻璃以及類似的成分或它們的組合。
最好是，槽215可以形成盡可能地寬，只要不與它鄰近的槽相通，以便獲取高的電容。最好是，槽215可以形成在與其相鄰的槽盡可能短的基本距離上。
在圖6中，示出采用圖1到圖3圖解的方法增加了表面積的無雜質(zhì)(impurity-free)氮化鈦層217的形成?？v橫比，即槽215的高度和寬度的比率，決定了氮化鈦層217的厚度。例如，氮化鈦層217可以是任意厚度，但優(yōu)選是大約200至大約400。
在圖7中，示出在氮化鈦層217上介電層219和上電極221的形成。此處，介電層219可以由選自下述一組具有高介電常數(shù)的絕緣材料制成，其包括氧化鉿(HfO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鋯(ZrO2)、鉿-鋁-氧合金(Hf-Al-O)、或鑭-鋁-氧合金(La-Al-O)或是類似的成分和它們的組合。
如圖解，在此討論由氧化鋁層和氧化鉿層提供的雙層介電層219。
首先，氧化鋁層形成在氮化鈦層217上，其中氧化鋁層可以由包括CVD、MOCVD、濺射法或原子層沉積(ALD)法或類似的方法或它們的組合的任何一種方法形成。例如，在采用ALD法形成氧化鋁層中，三甲基鋁(TMA)被用作鋁的前體，臭氧(O3)被用作氧的前體。將TMA氣體注入反應(yīng)室后，氮?dú)饧尤氲椒磻?yīng)室中來凈化反應(yīng)室。接著，臭氧加入到反應(yīng)室來形成氧化鋁。然后，再次加入氮?dú)獾椒磻?yīng)室。重復(fù)上述的操作過程，形成氧化鋁層達(dá)到要求的厚度，優(yōu)選厚度大約為10至大約30。在ALD期間，沉積溫度保持在大約300℃至大約500℃。
其次，氧化鉿層以要求的厚度，優(yōu)選厚度為大約30至大約60，形成在氧化鋁層上。同樣地，氧化鉿層可以由包括CVD、MOCVD、濺射法或原子層沉積(ALD)法或類似的方法或它們的組合的任何一種方法形成。例如，采用ALD法形成氧化鉿層，四(甲基乙基氨化)鉿(TEMAH，tetraethylmethylaminehafnium)被用作鉿的前體，臭氧(O3)被用作氧的前體。將TEMAH氣體注入反應(yīng)室后，氮?dú)庾⑷敕磻?yīng)室以凈化反應(yīng)室。接著，臭氧注入反應(yīng)室以便形成氧化鉿層。然后氮?dú)庥忠淮巫⑷敕磻?yīng)室，重復(fù)上述的操作，形成達(dá)到要求的厚度，優(yōu)選厚度為大約30至大約60的氧化鉿層形成。在ALD期間，沉積溫度保持在大約250℃至大約350℃。
同樣地，通過重復(fù)操作氮化鈦層的沉積工藝和等離子退火工藝，可以形成要求厚度的上電極221。氮化鈦層的厚度可以是任何厚度，但是優(yōu)選厚度大約為200至大約400。氮化鈦層的沉積可以利用TDMAT作為前體，在大約300℃至大約400℃的沉積溫度下和大約0.2torr至大約2torr的沉積壓力下，借助MOCVD法工藝完成。在沉積以后，等離子退火工藝在環(huán)境氮和氫混和等離子中，在低于RTP溫度的溫度下進(jìn)行。這里，等離子可以用熟知的方法產(chǎn)生，其可以包括，如給反應(yīng)室注入氮?dú)夂蜌錃夂?，給其施與大約50瓦特至大約400瓦特的高頻功率，來產(chǎn)生等離子。氮化鈦層沉積后的等離子退火工藝導(dǎo)致在沉積的氮化鈦層中的雜質(zhì)的去除。相應(yīng)地，介電層219的品質(zhì)得到提高。
雖然上電極221通過重復(fù)操作沉積工藝和等離子退火工藝形成，但是上電極可以用沉積工藝和沉積后的RTP過程的一種方法形成。氮化鈦層223可以通過物理氣相沉積(PVD)方法形成在上電極221上。氮化鈦層223可以保護(hù)MIM電容器免于后制造過程損壞。這個步驟是選擇性的制造工藝，并且可以根據(jù)需要執(zhí)行。
由此，在形成MIM電容器的氮化鈦層的本發(fā)明優(yōu)選實施例中的上述方法，這里所說的氮化鈦層具有增加的表面積導(dǎo)致提高邏輯區(qū)域的MOSFET的特性。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明可以進(jìn)行各種修改和變化。本發(fā)明旨在覆蓋包括在所附權(quán)利要求及其等同物的精神和范圍之內(nèi)的各種修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種形成氮化鈦層的方法，包括在基底上形成氮化鈦層；和實施退火工藝，以除去氮化鈦層的雜質(zhì)和增加氮化鈦層的表面積。
2.如權(quán)利要求1中所述的方法，其中，該氮化鈦層用四(二甲基氨化)鈦(TDMAT，Ti[N(CH3)2]4)作為前體，在大約300℃至400℃的溫度和大約0.2torr至大約2torr的壓力下，通過金屬-有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)法沉積。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該退火工藝是在環(huán)境氨氣中，在大約600℃至大約700℃的溫度下，大約10秒至大約60秒的時間內(nèi)進(jìn)行的快速熱工藝。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該氮化鈦層用MOCVD法沉積，并且該退火工藝是快速熱工藝。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其中，該MOCVD法使用TDMAT作為前體，在大約300℃至大約400℃的溫度下，大約0.2torr至大約2torr的壓力下進(jìn)行，并且該快速熱工藝在環(huán)境氨氣中，在大約600℃至大約700℃溫度下，持續(xù)大約10至大約60秒時間完成。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括在進(jìn)行該退火工藝后形成介電層和導(dǎo)電層。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，該介電層選自于由氧化鉿(HfO2)層、氧化鋁(Al2O3)層、氧化鋯(ZrO2)、鉿-鋁-氧合金(Hf-Al-O)、或鑭-鋁-氧合金(La-Al-O)或是類似的成分和它們的組合組成的組。
8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，該導(dǎo)體層是采用MOCVD法重復(fù)該氮化鈦層的沉積工藝和等離子退火工藝形成的。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，該MOCVD法使用TDMAT作為前體，在大約300℃至大約400℃的溫度下，大約0.2torr至大約2torr的壓力下進(jìn)行，并且該快速熱工藝在環(huán)境氮和氫等離子中完成。
10.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，該導(dǎo)體層借助物理氣相沉積(PVD)法形成。
11.一種形成金屬-絕緣體-金屬(MIM)電容器的方法，包括在基底上形成作為下電極的氮化鈦層；進(jìn)行快速熱工藝以除去在該作為下電極的氮化鈦層中的雜質(zhì)，并且增加其上的表面積。形成介電層；和形成作為上電極的氮化鈦層。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，該下電極的該氮化鈦層用TDMAT(Ti[N(CH3)2]4)作為前體，通過MOCVD法沉積形成，該快速熱工藝在環(huán)境氨氣中完成。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，該MOCVD法在大約300℃至大約400℃的溫度下，大約0.2torr至大約2torr的壓力下進(jìn)行，并且該快速熱工藝在大約600℃至大約700℃的溫度下，持續(xù)大約10至大約60秒的時間，在濃度為大約20sccm至大約100sccm的環(huán)境氨氣中完成。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其中，該上電極的該氮化鈦層通過重復(fù)使用TDMAT的該氮化鈦層沉積的過程和等離子退火的過程形成。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，該MOCVD在大約300℃至大約400℃的溫度范圍內(nèi)，大約0.2torr至大約2torr的壓力范圍內(nèi)進(jìn)行，并且該等離子退火工藝在環(huán)境氮和氫等離子中進(jìn)行。
16.一種MIM電容器，包括其上具有粗糙表面的氮化鈦層的下電極；設(shè)置在該氮化鈦層的下電極上的介電層；和設(shè)置在該介電層上的氮化鈦層的上電極。
17.如權(quán)利要求16所述的MIM電容器，其中，該氮化鈦層的下電極在使用TDMAT，借助MOCVD法，形成該氮化鈦層后，通過在環(huán)境氨氣中進(jìn)行快速熱工藝形成。
18.如權(quán)利要求16所述的MIM電容器，其中，該氮化鈦層的上電極通過重復(fù)該MOCVD法和退火工藝形成，其中該MOCVD法采用TDMAT進(jìn)行，并且該退火工藝在環(huán)境氮和氫等離子中完成。
19.如權(quán)利要求18所述的MIM電容器，其中，該氮化鈦層的上電極具有大約200至大約400的厚度。
20.如權(quán)利要求16所述的MIM電容器，其中，該介電層還包括具有縱橫比的槽。
全文摘要
提供一種在金屬－絕緣體－金屬(MIM)電容器中形成氮化鈦層的方法。氮化鈦層的沉積使用金屬－有機(jī)材料作為源氣體，通過MOCVD法實現(xiàn)，伴隨著在高溫下的快速熱工藝(RTP)。通過RTP，除去在氮化鈦層中的雜質(zhì)，氮化鈦層的表面積與RTP之前相比增大了。具有增大表面積的氮化鈦層有益于MIM電容器的下電極。
文檔編號H01L21/82GK1808699SQ20051012975
公開日2006年7月26日 申請日期2005年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月9日
發(fā)明者金京民, 金東俊, 金秉東 申請人:三星電子株式會社