專利名稱：白光發(fā)光元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體光電元件，特別有關(guān)于一種白光發(fā)光二極管(white light emitting diode，LED)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light emitting diode，LED)是1960年代所發(fā)展的一種特殊的半導(dǎo)體二極管形式。最簡單的發(fā)光二極管(LED)型態(tài)包括由p-型半導(dǎo)體與n-型半導(dǎo)體與之間所形成的pn結(jié)(pn junction)。當(dāng)電流通過上述pn結(jié)時(shí)，便產(chǎn)生電荷載流子(charge-carrier)，即電子與空穴。于此過程中，電子與空穴結(jié)合而以光子(photon)形式釋放出能量。現(xiàn)今的高效能發(fā)光二極管包括一或多層的發(fā)光層，夾置于p-型與n-型半導(dǎo)體區(qū)域之間，以改善發(fā)光效能。上述一或多層的發(fā)光層已可獲致所欲的發(fā)光波長。發(fā)光二極管元件的基本結(jié)構(gòu)包括小塊的上述材料疊層，通稱做芯片(die)。芯片可置于框架或基板(baseboard)上，供電接觸或機(jī)械性承載，并且膠封以保護(hù)。
就發(fā)光二極管而言，其發(fā)光波長取決于發(fā)光材料層的能隙(band-gap)的能量差。化合物半導(dǎo)體是一種適合作為發(fā)光層的材料，其具有相對應(yīng)于近紅外線(near infrared(IR))、可見光、或近紫外光(UV)的能隙。銦磷化鋁鎵(aluminum gallium indium phosphide，AlGaInP)是典型用于發(fā)光二極管的材料之一，因其具有高量子發(fā)光效能(即高亮度)與可調(diào)變顏色的特性。(AlxGa1-x)1-yInyP合金系統(tǒng)的能隙變化會隨著化合物中x與y值而定。AlGaInP發(fā)光二極管的顏色范圍介于綠光至紅光之間。AlGaInP發(fā)光二極管必須制作于晶格匹配的砷化鎵(gallium arsenide，GaAs)基板上，利用磊晶成長工藝，例如有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)形成。
于1990年代，氮化鎵(gallium nitride，GaN)系的紫光、藍(lán)光及綠光LED相繼被研發(fā)出。氮化鎵(GaN)是直接能隙半導(dǎo)體，其能隙的能階差值大抵為3.4電子伏特(eV)。于氮化鎵(GaN)中電子-空穴復(fù)合所發(fā)出光子的波長約為360nm，亦即于紫外光(UV)的范圍?？梢姽獠ㄩL(綠光、藍(lán)光、與紫光)的LED可使用由InzGa1-zN作為發(fā)光層，且夾置于P-型GaN層與N-型GaN層之間。InzGa1-zN LED系統(tǒng)的發(fā)光波長λ變化，隨著化合物中z值而定。例如，對純藍(lán)光(波長λ＝470nm)而言，z值等于0.2。同樣地，氮化鎵(GaN)發(fā)光二極管必須制作于晶格匹配的藍(lán)寶石(sapphire)或碳化硅(SiC)基板上，利用磊晶成長工藝，例如有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積法(MOCVD)形成。
許多現(xiàn)有技藝的研發(fā)致力于以白光LED取代傳統(tǒng)的光源。目前白光LED可由以下各種方式達(dá)成(1)設(shè)置分離獨(dú)立的紅光、綠光及藍(lán)光LED于一燈中，并且藉由各種光學(xué)元件混合上述分離獨(dú)立LED所發(fā)出的紅光、綠光及藍(lán)光。然而，由于不同顏色的LED所需的操作電壓不同，因而需要多重控制電路。更有甚者，不同顏色的LED的壽命亦彼此不同，長時(shí)間使用后，當(dāng)有某一個(gè)或數(shù)個(gè)LED退化或失效，其混合的光也會明顯的改變。
(2)藉由磷光材料將部分短波長的光轉(zhuǎn)換成長波長的光。最常使用的方法之一即將黃色磷光粉設(shè)置于藍(lán)光InGaN LED芯片的周圍。黃色磷光粉的材質(zhì)是銫(Ce)摻雜于釔鋁石榴石(yttrium aluminum garnet)晶體中，即(YAG:Ce)。部分的InGaN LED芯片所發(fā)出的藍(lán)光被YAG:Ce轉(zhuǎn)換成黃光。然而，上述方法所產(chǎn)生的白光僅包含兩種顏色藍(lán)光與黃光。此種光源適用于指示燈。
(3)產(chǎn)生具三原色的白光利用極短波長LED所產(chǎn)生的UV光以激發(fā)多磷光材料產(chǎn)生不同顏色的光混合。此方法的缺點(diǎn)是UV LED的壽命相對其他LED短。尤有甚者，LED所發(fā)出UV光對人體有害，目前大部分的封裝材料仍無法完全有效的阻隔UV輻射。
現(xiàn)有技術(shù)已發(fā)展出許多具高效能及色度佳的白光LED光源。例如Guo等人于“Photon-Recycling for High Brightness LEDs”，compound semiconductor6(4)May/June，2000中揭露光子回收的概念以產(chǎn)生高亮度的白光LED。光子回收是一種短波長的光子被一種發(fā)射材料吸收的過程，上述發(fā)射材料能再釋放出長波長的光子?；旧?，光子回收半導(dǎo)體(photo recycling semiconductor，PRS)發(fā)光二極管可有效地發(fā)出白光亮度至330lumen/watt。然而，PRS-LED的缺點(diǎn)在于極低的色彩轉(zhuǎn)換指數(shù)(color-rendering index)。
Guo等人所提供的雙色PRS-LED包括一第一色光源及一第二色光源。該第二色光源具有一第二發(fā)光層。該第一色光源用以產(chǎn)生藍(lán)光。產(chǎn)生的藍(lán)光指向該第二發(fā)光層，致使部分的藍(lán)光被吸收且在再發(fā)光(re-emitting)的過程中產(chǎn)生黃光?；旧?，PRS-LED所產(chǎn)生的雙色光子類似于磷光材料涂布的LED。然而，不同于磷光材料涂布的LED的是該第二發(fā)光源包括直接鍵結(jié)于第一發(fā)光源晶片上的磷光半導(dǎo)體材料(AlGaInP)。因此，于晶片上直接制作雙色PRS-LED得以實(shí)現(xiàn)。
圖1是顯示現(xiàn)有技術(shù)的白光發(fā)光元件100的剖面示意圖。于圖1中，白光發(fā)光元件100包括至少一藍(lán)-紅光LED 100a及一綠-紅光LED 100a’。LED100a及100a’二者皆鑲于基板180上不同的導(dǎo)電部172、174及176。藍(lán)-紅光LED 100a各包括發(fā)出藍(lán)色光成分的第一光源101B，以及發(fā)出該紅色光成分的第二光源122a，其中紅色光成分轉(zhuǎn)換自藍(lán)色光成分。
第一光源101B包括第一有源層114、提供空穴至第一有源層114的空穴源層112，以及電子源層116，其提供電子至第一有源層114，致使電子與空穴于第一有源層114結(jié)合產(chǎn)生藍(lán)光。第二光源122a包括AlGaInP層122R吸收部分的第一光源101B發(fā)出的藍(lán)光，再發(fā)射出紅光。
藍(lán)-紅光LED 100a的p-型接觸132經(jīng)由電接觸部142與基板180上的導(dǎo)電部172電接觸。藍(lán)-紅光LED 100a的n-型接觸136經(jīng)由電接觸部146與基板180上的導(dǎo)電部174電接觸。綠-紅光LED 100a’的結(jié)構(gòu)幾近于藍(lán)-紅光LED100a，且綠-紅光LED 100a’與藍(lán)-紅光LED 100a并聯(lián)。電接觸部152、156與焊線(Wire Bond)構(gòu)裝162、166更進(jìn)一步形成于基板180上，以提供一電流通過串聯(lián)的LED。
現(xiàn)有技術(shù)的白光發(fā)光元件100以晶片接合方式制作。然而，晶片接合需將藍(lán)寶石基板薄化且研磨拋光，致使制造成本提高。另一方面，晶片接合因其工藝復(fù)雜，故存在工藝良率方面的問題。更有甚者，若將紅光磊晶膜貼于GaN LED上，則又會面臨電極連線取出連結(jié)的問題。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種白光發(fā)光元件，整合光子回收半導(dǎo)體型發(fā)光二極管(PRS-LED)以發(fā)出三色波長混合的白光。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種白光發(fā)光元件的制造方法封裝藍(lán)光LED及綠光LED后，再將貼有紅光磊晶膜的玻璃片置于其上，整合光子回收半導(dǎo)體型發(fā)光二極管(PRS-LED)提高白光光源的發(fā)光效率。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明提供一種白光發(fā)光元件，其發(fā)出的白光具有至少一第一波長的第一色光成分、一第二波長的第二色光成分，以及一第三波長的第三色光成分，且該第一波長較該第二波長短，該第二波長較該第三波長短，該發(fā)光元件包括一封裝板；一第一發(fā)光元件設(shè)置于該封裝板上，該第一發(fā)光元件包括一第一光源以發(fā)出該第一色光成分，及一第二光源以發(fā)出該第二色光成分；一透明保護(hù)層，具有一實(shí)質(zhì)的平坦表面，覆蓋該第一發(fā)光元件；以及一第二發(fā)光元件設(shè)置于該透明保護(hù)層的平坦表面上，該第二發(fā)光元件發(fā)出該第三色光成分，該第三色光成分分別轉(zhuǎn)換自該第一色光成分及該第二色光成分。
根據(jù)上述目的，本發(fā)明另提供一種白光發(fā)光元件的制造方法，包括提供一第一發(fā)光元件設(shè)置于一封裝板上，該第一發(fā)光元件包括一第一光源以發(fā)出該第一色光成分，及一第二光源以發(fā)出該第二色光成分；形成一透明保護(hù)層，覆蓋該第一發(fā)光元件，該透明保護(hù)層具有一實(shí)質(zhì)的平坦表面；形成一第二發(fā)光元件于該透明保護(hù)層的平坦表面上，該第二發(fā)光元件發(fā)出該第三色光成分，該第三色光成分分別轉(zhuǎn)換自該第一色光成分及該第二色光成分。
以下配合附圖以及優(yōu)選實(shí)施例，以更詳細(xì)地說明本發(fā)明。


圖1是顯示現(xiàn)有技術(shù)的白光發(fā)光元件的剖面示意圖；圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例制作白光發(fā)光元件的制造流程圖；圖3A至圖3F是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一色光源的工藝剖面示意圖；圖4A與圖4B是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二色光源的工藝剖面示意圖；圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例將一藍(lán)光LED芯片與一綠光LED芯片鑲于基板的剖面示意圖；以及圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的白光發(fā)光元件的剖面示意圖。
附圖標(biāo)記說明現(xiàn)有部分(圖1)100～白光發(fā)光元件；100a～藍(lán)-紅光LED；100a’～綠-紅光LED；101B、100G～第一光源；180～基板；172、174、176～導(dǎo)電部；122a～第二光源；112～空穴源層；114、114’～有源層；116～電子源層；122R～AlGaInP層；132～p-型接觸；142、146～電接觸部；136～n-型接觸；152、156～電接觸部；162、166～焊線構(gòu)裝。
本案部分(圖2～6)210a-280～工藝步驟；310～藍(lán)寶石基板；320～n-型GaN層；330～藍(lán)光發(fā)光層；330’～綠光發(fā)光層；340～p-型GaN層；350～圖案化掩模；360～非等向性蝕刻；370～歐姆接觸金屬層；380、385～電接觸部；410～GaAs晶片基板；430～AlGaInP層；440～粘結(jié)層；450～玻璃層；600～白光發(fā)光元件；300B～藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)；300G～綠光LED結(jié)構(gòu)；580～基板；572、574、576～導(dǎo)電部；542、546～電接觸部；552、556～電接觸部；562、566～焊線構(gòu)裝。
具體實(shí)施例方式
為達(dá)成于白光光源中包含紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)三色光，本發(fā)明實(shí)施例利用低溫工藝，先封裝藍(lán)光LED與綠光LED。接著，形成一透明保護(hù)層，覆蓋藍(lán)光LED與綠光LED，該透明保護(hù)層具有一實(shí)質(zhì)的平坦表面。再將貼有紅光磊晶膜的玻璃片置于其上。就其本身而論，混合的后的白光包括紅光、綠光及藍(lán)光。
圖2是顯示根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例制作白光發(fā)光元件的制造流程圖。請參閱圖2，于步驟210a中，形成一藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)層于一藍(lán)寶石基板上。接著，于步驟220a中，圖案化該藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)層，以形成所欲的結(jié)構(gòu)。于步驟230a中，形成p極與n極電接觸于該藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)上。于步驟240a中，將該藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)切割成多個(gè)小芯片。
另一方面，于步驟210b中，形成一綠光LED結(jié)構(gòu)層于另一藍(lán)寶石基板上。接著，于步驟220b中，圖案化該綠光LED結(jié)構(gòu)層，以形成所欲的結(jié)構(gòu)。于步驟230b中，形成p極與n極電接觸于該綠光LED結(jié)構(gòu)上。于步驟240a中，將該綠光LED結(jié)構(gòu)切割成多個(gè)小芯片。
接著，于步驟260中，將一藍(lán)光LED芯片及一綠光LED芯片封裝于一封裝板上。接著，于步驟270中，形成一保護(hù)層于封裝板上覆蓋該藍(lán)光及綠光LED芯片。
另一方面，于步驟252中，形成一紅光LED結(jié)構(gòu)于GaAs基板上。接著，于步驟254中，形成一粘結(jié)層于紅光LED結(jié)構(gòu)上。于步驟256中，形成一玻璃層于粘結(jié)層上之后，再移除GaAs基板，留下紅光LED結(jié)構(gòu)于玻璃層上，如步驟258所示。接著，于步驟280中，將一紅光發(fā)光元件的玻璃層粘貼于保護(hù)層上，以及提供電接觸部電連接各個(gè)芯片。
圖3A至圖3F是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第一色光源的工藝剖面示意圖。請參閱圖3A，多層材料層沉積于一透明基板上，以形成一第一光源結(jié)構(gòu)。例如，一n-型GaN層320磊晶成長形成于一藍(lán)寶石基板310上。一藍(lán)光發(fā)光層330，例如InGaN層，磊晶成長形成于n-型GaN層320上。一p-型GaN層340磊晶成長形成于InGaN層330上。
接著，請參閱圖3B，形成一圖案化掩模350于p-型GaN層340上。圖案化掩模350由例如二氧化硅(SiO2)或氮化硅所構(gòu)成。
接著，請參閱圖3C，針對上述p-型GaN層340及InGaN層330進(jìn)行非等向性蝕刻360，以形成多個(gè)分離的藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)。例如，利用以非等向性蝕刻或感應(yīng)式耦合等離子體(inductively coupled plasma，簡稱ICP)蝕刻部分的p-型GaN層340及InGaN層330。接著，請參考圖3D，移除掩模350露出p-型GaN層340。
請參閱圖3E，在移除掩模350之后，形成Ni/Al歐姆接觸金屬層370于p-型GaN層340上。接著，請參閱圖3F，形成多個(gè)電接觸部385于n-型GaN層320上，以及提供多個(gè)電接觸部380于p-型GaN層340上。接著，將該藍(lán)光LED結(jié)構(gòu)切割成多個(gè)小芯片300。
另一方面，形成綠光LED結(jié)構(gòu)于另一藍(lán)寶石基板上。應(yīng)注意的是，綠光LED芯片的形成步驟幾近與綠光LED芯片的形成步驟相同。不同之處在于有源層的材質(zhì)不同，亦即以InGaN層作為綠色發(fā)光層330’，在此略去相同的工藝步驟。
圖4A至圖4B是顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的第二色光源的工藝剖面示意圖。請參閱圖4A，一磊晶層例如AlGaInP層430成長于GaAs晶片基板410上。接著，形成一粘結(jié)層440于AlGaInP層430上。接著，形成一玻璃層450于粘結(jié)層440上，例如使用旋布玻璃(spin-on-glass)法。接著，如圖4B所示，以濕蝕刻法(例如利用1NH4OH∶1H2O2∶10H2O溶液)移除GaAs基板410，顯露出AlGaInP層430。
請參閱圖5，將一藍(lán)光LED芯片300B與一綠光LED芯片300G鑲于基板180上的不同的導(dǎo)電部172、174及176。電接觸部152、156與焊線(WireBond)構(gòu)裝162、166更進(jìn)一步形成于基板180上，以提供一電流通過串聯(lián)的LED。接著，形成一保護(hù)層590于封裝板上覆蓋該藍(lán)光及綠光LED芯片。
請參閱圖6，將移除GaAs基板410后的紅光LED結(jié)構(gòu)(如圖4B所示)，以AlGaInP層430粘著于保護(hù)層590上，以形成紅光LED結(jié)構(gòu)于保護(hù)層590上，最上層為玻璃層450。于此實(shí)施范例中，第一發(fā)光元件的第一光源300B結(jié)構(gòu)320、330與340選定為發(fā)藍(lán)光。AlGaInP層430吸收第一光源300B發(fā)出穿透藍(lán)寶石基板310的藍(lán)光，待光子回收后，再發(fā)射出紅光，由此AlGaInP層430則被選定為發(fā)紅光作為第二發(fā)光元件。
另一方面，第一發(fā)光元件的第二光源300G結(jié)構(gòu)320、330’與340選定為發(fā)綠光。AlGaInP層430吸收第一光源300G發(fā)出穿透藍(lán)寶石基板310的綠光，再發(fā)射出紅光，由此AlGaInP層430則被選定為發(fā)紅光作為第二發(fā)光元件。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于提供利用低溫工藝，先封裝藍(lán)光LED與綠光LED。接著，形成一透明保護(hù)層，覆蓋藍(lán)光LED與綠光LED，該透明保護(hù)層具有一實(shí)質(zhì)的平坦表面。再將貼有紅光磊晶膜的玻璃片置于其上。就其本身而論，混合之后的白光包括紅光、綠光及藍(lán)光。于白光元件中的雙色LED數(shù)目，部分視所欲的白光強(qiáng)度而定，且部分視各RGB光構(gòu)件中的相對強(qiáng)度而定。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種白光發(fā)光元件，其發(fā)出的白光具有至少一第一波長的第一色光成分、一第二波長的第二色光成分以及一第三波長的第三色光成分，且該第一波長較該第二波長短，該第二波長較該第三波長短，該白光發(fā)光元件包括一封裝板；一第一發(fā)光元件，設(shè)置于該封裝板上，該第一發(fā)光元件包括一發(fā)出該第一色光成分的第一光源，以及發(fā)出該第二色光成分的第二光源；一透明保護(hù)層，具有一實(shí)質(zhì)的平坦表面，覆蓋該第一發(fā)光元件；以及一第二發(fā)光元件，設(shè)置于該透明保護(hù)層的平坦表面上，該第二發(fā)光元件發(fā)出該第三色光成分，該第三色光成分分別轉(zhuǎn)換自該第一色光成分及該第二色光成分。
2.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光元件，其中該第一發(fā)光元件的第一光源包括一第一有源層；一空穴源層，提供多個(gè)空穴至該第一有源層；以及一電子源層，提供多個(gè)電子至該第一有源層，致使至少部分的多個(gè)電子與至少部分的多個(gè)空穴于該第一有源層結(jié)合而產(chǎn)生具第一波長的光；其中該第一發(fā)光元件的第二光源包括一第二有源層；一空穴源層，提供多個(gè)空穴至該第二有源層；以及一電子源層，提供多個(gè)電子至該第二有源層，致使至少部分的多個(gè)電子與至少部分的多個(gè)空穴于該第二有源層結(jié)合而產(chǎn)生具第二波長的光。
3.如權(quán)利要求2所述的白光發(fā)光元件，其中該第一與該第二有源層實(shí)質(zhì)上由InGaN組成；該空穴源層實(shí)質(zhì)上由p-型GaN組成；以及該電子源層實(shí)質(zhì)上由n-型GaN組成。
4.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光元件，其中該第二發(fā)光元件的第三光源實(shí)質(zhì)上由AlGaInP組成。
5.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光元件，其中該第二發(fā)光元件的第三光源實(shí)質(zhì)上由GaxIn1-xP組成，其中0＜x＜1。
6.如權(quán)利要求1所述的白光發(fā)光元件，其中該第一色光成分是一藍(lán)色光，該第二色光成分是一綠色光，該第三色成分是一紅色光。
7.一種白光發(fā)光元件的制造方法，包括形成一第一發(fā)光元件于一封裝板上，該第一發(fā)光元件包括一發(fā)出該第一色光成分的第一光源，以及一發(fā)出該第二色光成分的第二光源；形成一透明保護(hù)層，覆蓋該第一發(fā)光元件，該透明保護(hù)層具有一實(shí)質(zhì)的平坦表面；形成一第二發(fā)光元件于該透明保護(hù)層的平坦表面上，該第二發(fā)光元件發(fā)出該第三色光成分，該第三色光成分分別轉(zhuǎn)換自該第一色光成分及該第二色光成分。
8.如權(quán)利要求7所述的白光發(fā)光元件的制造方法，其中該第一發(fā)光元件的第一光源的形成步驟包括形成一空穴源層于該封裝板上；形成一第一有源層于該空穴源層上，其中該空穴源層提供多個(gè)空穴至該第一有源層；及形成一電子源層于該第一有源層上，該電子源層提供多個(gè)電子至該第一有源層，致使至少部分的多個(gè)電子與至少部分的多個(gè)空穴于該第一有源層結(jié)合產(chǎn)生該第一色光成分；以及其中該第一發(fā)光元件的第二光源的形成步驟包括形成一空穴源層于該封裝板上；形成一第二有源層于該空穴源層上，其中該空穴源層提供多個(gè)空穴至該第二有源層；以及形成一電子源層于該第二有源層上，該電子源層提供多個(gè)電子至該第二有源層，致使至少部分的多個(gè)電子與至少部分的多個(gè)空穴于該第二有源層結(jié)合產(chǎn)生該第二色光成分。
9.如權(quán)利要求8所述的白光發(fā)光元件的制造方法，其中該第一與該第二有源層實(shí)質(zhì)上由InGaN組成；該空穴源層實(shí)質(zhì)上由p-型GaN組成；以及該電子源層實(shí)質(zhì)上由n-型GaN組成。
10.如權(quán)利要求7所述的白光發(fā)光元件的制造方法，其中該第二發(fā)光元件實(shí)質(zhì)上由AlGaInP組成。
11.如權(quán)利要求7所述的白光發(fā)光元件的制造方法，其中該第二發(fā)光元件實(shí)質(zhì)上由GaxIn1-xP組成，其中0＜x＜1。
全文摘要
本發(fā)明提供一種白光發(fā)光元件，其發(fā)出的白光具有至少一第一波長的第一色光成分、一第二波長的第二色光成分，以及一第三波長的第三色光成分，且該第一波長較該第二波長短，該第二波長較該第三波長短。該白光發(fā)光元件包括一封裝板、一第一發(fā)光元件設(shè)置于封裝板上，該第一發(fā)光元件包括一第一光源以發(fā)出該第一色光成分，及一第二光源以發(fā)出該第二色光成分。一透明保護(hù)層，具有一實(shí)質(zhì)的平坦表面，覆蓋該第一發(fā)光元件。一第二發(fā)光元件設(shè)置于該透明保護(hù)層的平坦表面上，該第二發(fā)光元件發(fā)出該第三色光成分，該第三色光成分分別轉(zhuǎn)換自該第一色光成分及該第二色光成分。
文檔編號H01L21/02GK1773703SQ20051012011
公開日2006年5月17日 申請日期2005年11月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月4日
發(fā)明者武東星, 洪瑞華, 吳孟齋 申請人:友達(dá)光電股份有限公司