專利名稱：薄化晶片的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄化晶片的方法，特別是涉及一種先利用一可移除的接合媒介將一晶片接合于一承載晶片上，再進行一晶片薄化工藝薄化晶片厚度的方法，藉此晶片厚度可達到100微米之下。
背景技術(shù)：
許多半導(dǎo)體元件與微機電元件，基于功能考量或是尺寸需求，必須進行晶片薄化工藝，以將晶片縮減至適當(dāng)厚度?，F(xiàn)行晶片薄化工藝以研磨(polish)與蝕刻工藝為主，而對于上述任一種方法而言，晶片厚度的極限僅能達到約100微米。一般而言，晶片薄化工藝可于制作元件之前進行，或是待元件制作完成后再由晶片的背面進行。對于前者的作法而言，當(dāng)晶片厚度低于100微米以下時(一般稱之為超薄晶片)，過薄的厚度使晶片在固定于傳送上產(chǎn)生問題，因而易造成晶片破裂。對于后者的作法而言，不僅同樣具有晶片不易固定于傳送的問題，同時在元件已制作于晶片的正面的情況下，使用研磨方式易造成元件應(yīng)力改變問題，而使用蝕刻方式則易于蝕刻工藝本身以及后續(xù)清洗工藝時造成元件受損等問題。
由上述可知，現(xiàn)有薄化晶片的方法在應(yīng)用上有其極限，已無法滿足現(xiàn)今對晶片厚度的要求，而猶待進一步的改善。鑒于此，申請人根據(jù)此缺點及依據(jù)多年相關(guān)經(jīng)驗，悉心觀察且研究而提出改良的本發(fā)明，以提高晶片薄化工藝的極限。

發(fā)明內(nèi)容
據(jù)此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種薄化晶片的方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)無法克服的難題，進而提高晶片薄化工藝的極限。
根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求，提供一種薄化晶片的方法。首先，提供一晶片，且該晶片包括一正面與一背面。接著提供一承載晶片，并利用一接合媒介將該晶片的該背面與該承載晶片接合。隨后進行一晶片薄化工藝，自該晶片的該正面薄化該晶片。最后去除該接合媒介以分離該晶片與該承載晶片。
由于本發(fā)明薄化晶片的方法先利用一接合媒介將晶片固定于一承載晶片上，接著再利用一晶片薄化工藝薄化晶片的厚度，因此相較于現(xiàn)有技術(shù)直接進行晶片薄化工藝的方法，可大幅提升晶片薄化工藝的極限，并有效避免應(yīng)力集中與晶片翹曲(warp)等問題。
為了進一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖。然而附圖僅供參考與輔助說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖1至圖5為本發(fā)明的一優(yōu)選實施例薄化晶片的方法示意圖。
簡單符號說明10 晶片 12 正面14 背面 16 元件20 承載晶片 22 接合媒介具體實施方式
請參考圖1至圖5。圖1至第圖5為本發(fā)明的一優(yōu)選實施例薄化晶片的方法示意圖。如圖1所示，首先，提供一晶片10，其包括一正面12與一背面14。接著進行一初步晶片薄化工藝，由晶片10的正面12薄化晶片10。于圖1中，虛線所示為晶片10的初始厚度，通過初步晶片薄化工藝，晶片10的厚度可被縮減至一般工藝機器可固定傳送的厚度，例如約100至150微米。另外，初步晶片薄化工藝可為一般現(xiàn)有研磨、化學(xué)機械研磨或化學(xué)蝕刻等工藝。
如圖2所示，接著提供一承載晶片20，并利用一接合媒介22將晶片10的下表面14固定于承載晶片20上。其中承載晶片20的尺寸與晶片10相近，藉此可適用于標(biāo)準(zhǔn)工藝機器固定傳送，而承載晶片20的材料則可視需要采用半導(dǎo)體材料、玻璃、石英與陶瓷等。另外，接合媒介22用以接合晶片10與承載晶片20，且將于后續(xù)元件制作完成后去除，因此于材料的選用上需具有易去除的特性。于本實施例中，接合媒介22選用一熱分離膠帶，熱分離膠帶在溫度高于其分離溫度時會喪失其黏性，因此可輕易加以去除而不致導(dǎo)致晶片10受損。然而接合媒介22的材料并不限于熱分離膠帶，而可視需要選用紫外線膠帶、光致抗蝕劑、臘與藍膜等。
如圖3所示，接著進行一晶片薄化工藝，由晶片10的正面12縮減晶片10至所需的厚度，其中虛線所示為晶片10于晶片薄化工藝之前的厚度。晶片薄化工藝可為研磨工藝、化學(xué)機械研磨工藝、濕式蝕刻工藝或干式蝕刻工藝，且以干式蝕刻工藝優(yōu)選。于本實施例中，晶片薄化工藝選用一等離子體蝕刻工藝，其理由在于等離子體蝕刻工藝為一干式工藝，因此不需于工藝完畢后另外進行清洗與干燥等工藝，減少了微粒污染與晶片10受損的風(fēng)險。于晶片薄化工藝中，晶片10的厚度可進一步被縮減至100微米之下，甚至達到10微米左右，而由于晶片10通過接合媒介22固定于承載晶片20上，因此晶片10不致破裂，同時晶片10可利用承載晶片20進行固定與傳送。
如圖4所示，由晶片10的正面12形成多個元件16，其中元件16可為半導(dǎo)體元件與微機電元件等，而制作元件16的方法并非本發(fā)明的重點，因此在此不另外贅述。如圖5所示，接著去除接合媒介22，以分離晶片10與承載晶片20。如前所述，由本實施例中選用熱分離膠帶作為接合媒介22，因此僅需利用加熱方式即可輕易分離晶片10與承載晶片20。若接合媒介22使用其它材料，例如紫外線膠帶，則亦可利用照射紫外線方式加以去除。
另外值得注意的是于上述實施例中，于晶片的正面形成元件后晶片即與承載晶片分離，然而本發(fā)明的應(yīng)用并不局限于此。舉例來說，于分離晶片與承載晶片之前可進一步整合后續(xù)切割工藝，若接合媒介選用可擴張的材料，例如藍膜，則還可進一步整合擴片工藝。
由上述可知，本發(fā)明薄化晶片的方法的主要特征在于先利用一接合媒介將晶片固定于一承載晶片上，接著再利用一晶片薄化工藝薄化晶片的厚度，在此狀況下，晶片于進行晶片薄化工藝時具有良好的固定與支撐，可確保晶片不致破裂。相較于現(xiàn)有技術(shù)直接進行晶片薄化工藝的方法，本發(fā)明薄化晶片的方法可大幅提升晶片薄化工藝的極限，并有效避免應(yīng)力集中與晶片翹曲(warp)等問題。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡依本發(fā)明權(quán)利要求所做的均等變化與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄化晶片的方法，包括提供一晶片，且該晶片包括一正面與一背面；提供一承載晶片；利用一接合媒介將該晶片的該背面與該承載晶片接合；進行一晶片薄化工藝，自該晶片的該正面薄化該晶片；以及去除該接合媒介以分離該晶片與該承載晶片。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該接合媒介選自熱分離膠帶、紫外線膠帶、光致抗蝕劑、臘與藍膜中的任一種。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該晶片薄化工藝為一干式蝕刻工藝。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中該干式蝕刻為一等離子體蝕刻工藝。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該晶片薄化工藝為一濕式蝕刻工藝。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括于該晶片薄化工藝之后于該晶片的該正面形成多個元件。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括于接合該晶片的該背面與該承載晶片之前先進行一初步晶片薄化工藝。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中于該初步晶片薄化工藝之后，該晶片的厚度大于100微米。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中于該晶片薄化工藝之后，該晶片的厚度小于100微米。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中該承載晶片具有作為固定及傳送該晶片的作用。
11.一種薄化晶片的方法，包括提供一晶片，且該晶片包括一正面與一背面；進行一初步晶片薄化工藝；提供一承載晶片；利用一接合媒介將該晶片的該背面與該承載晶片接合；進行一晶片薄化工藝，自該晶片的該正面薄化該晶片；以及去除該接合媒介以分離該晶片與該承載晶片。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該接合媒介選自熱分離膠帶、紫外線膠帶、光致抗蝕劑、臘與藍膜中的任一種。
13.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該晶片薄化工藝為一干式蝕刻工藝。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中該干式蝕刻為一等離子體蝕刻工藝。
15.如權(quán)利要求11所述的方法，其中該晶片薄化工藝為一濕式蝕刻工藝。
16.如權(quán)利要求11所述的方法，還包括于該晶片薄化工藝之后于該晶片的該正面形成多個元件。
17.如權(quán)利要求11所述的方法，其中于該初步晶片薄化工藝之后，該晶片的厚度大于100微米。
18.如權(quán)利要求11所述的方法，其中于該晶片薄化工藝之后，該晶片的厚度小于100微米。
全文摘要
首先，提供一晶片，且該晶片包括一正面與一背面。接著提供一承載晶片，并利用一接合媒介將該晶片的該背面與該承載晶片接合。隨后進行一晶片薄化工藝，自該晶片的該正面薄化該晶片。最后去除該接合媒介以分離該晶片與該承載晶片。
文檔編號H01L21/302GK1897225SQ20051008334
公開日2007年1月17日 申請日期2005年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月12日
發(fā)明者楊辰雄 申請人:探微科技股份有限公司