專利名稱：半導(dǎo)體芯片、電路基板及其制造方法和電子機(jī)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片、電路基板及其制造方法和電子儀器。
背景技術(shù)：
在手表等可佩帶的儀器中，根據(jù)進(jìn)一步小型化的要求而需要使基板容納空間高效化(例如參照非專利文獻(xiàn)1)。針對這種要求，研究了使用帶有曲面的基板。例如，通過將筐體和電路基板彎曲成相同曲率能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化的儀器。
非專利文獻(xiàn)1井上著，“Chrono-Bit的開發(fā)與安裝技術(shù)”《電子安裝技術(shù)》(技術(shù)調(diào)查會，2000年、2000年12月號)(16卷12期)40～45頁。
將半導(dǎo)體芯片在具有曲面的電路基板上安裝的情況下，一直使用以聚酰亞胺等作原料的柔性基板。然而，柔性基板難于實(shí)現(xiàn)多層配線，在高密度和高性能上具有限制。而且安裝半導(dǎo)體芯片后一旦電路基板產(chǎn)生彎曲，在接合部就會產(chǎn)生應(yīng)力，往往引起連接不良。為補(bǔ)強(qiáng)用樹脂覆蓋時(shí)，彎曲性能就會顯著降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是鑒于上述情況而提出的，目的在于提供一種能搭載在具有曲面的電路基板上等、安裝性能高的半導(dǎo)體芯片。
而且本發(fā)明目的還在于提供一種可靠性高的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。
本發(fā)明的其他目的在于提供一種可以實(shí)現(xiàn)小型薄型化和提高設(shè)計(jì)自由度的電子儀器。
為達(dá)成上述目的，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，其中具有控制基體彎曲的彎曲控制膜。
這種半導(dǎo)體芯片，借助于彎曲控制膜能使基體形成所需的彎曲。其結(jié)果，這種半導(dǎo)體芯片將形成可以很好地被搭載在具有曲面等各種表面的電路基板上等，安裝性能提高。
上述的半導(dǎo)體芯片中，所述彎曲控制膜也可以被圖案化。
通過將彎曲控制膜圖案化，能使其在所需方向上彎曲，或者產(chǎn)生部分彎曲，彎曲的控制性和控制的多樣性提高。
而且上述半導(dǎo)體芯片中，也可以對基體作薄型加工。
通過基體的薄型加工，基體的彎曲容易產(chǎn)生，同時(shí)彎曲的控制將變得容易。
這種情況下，也可以在基體的厚度上設(shè)有部分差別。
這樣，使彎曲曲率發(fā)生變化，或者形成部分彎曲等，容易將基體的彎曲控制在所需狀態(tài)下。
其次，本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中具備上述的半導(dǎo)體芯片，和在搭載了該半導(dǎo)體芯片的電路基板。
根據(jù)這種半導(dǎo)體裝置，由于可以在半導(dǎo)體芯片上形成彎曲(凹凸度)，所以可以以高可靠性將半導(dǎo)體芯片與具有曲面的電極基板連接。也就是說，通過曲面之間的連接，能夠使在電路基板與半導(dǎo)體芯片間產(chǎn)生的應(yīng)力減少，提高連接可靠性。
上述的半導(dǎo)體裝置中，具有控制所述電路基板彎曲的彎曲控制膜。
借助于彎曲控制膜可以在電路基板上形成所需的彎曲。
這種情況下，也可以將所述彎曲控制膜圖案化。
通過將彎曲控制膜圖案化，在所需方向上產(chǎn)生彎曲、或者部分彎曲等，彎曲的控制性和控制的多樣性將會提高。
而且上述的半導(dǎo)體裝置中，也可以對所述電路基板進(jìn)行薄型加工。
通過對電路基板的薄型加工，使電路基板的彎曲容易產(chǎn)生，同時(shí)彎曲的控制也變得容易。
這種情況下，還可以在電路基板的厚度上設(shè)有部分差別。
這樣通過使彎曲曲率產(chǎn)生變化或者形成部分彎曲等，能將電路基板的彎曲控制在所需的狀態(tài)下。
而且在上述半導(dǎo)體裝置中，由于所述電路基板例如由硅基板構(gòu)成，與被搭載的半導(dǎo)體芯片材料相同，所以針對熱應(yīng)力的可靠性提高。
其次，本發(fā)明涉及的電子儀器，其特征在于，其中具備上述的半導(dǎo)體裝置。作為本發(fā)明的電子儀器，除移動電話機(jī)、電子記事本等便攜式儀器、手表、筆記本電腦、可佩帶的儀器以外，還可以舉出文字處理器等。這些電子儀器，通過具備本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體裝置，可以小型薄型化和提高設(shè)計(jì)的自由度。
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，是具備半導(dǎo)體芯片和搭載了該半導(dǎo)體芯片的電路基板的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有形成彎曲控制膜的工序，該彎曲控制膜控制所述半導(dǎo)體芯片的基體和所述電路基板至少其中之一方彎曲。
根據(jù)這種半導(dǎo)體裝置的制造方法，通過彎曲控制膜能夠在半導(dǎo)體芯片或電路基板上形成所需的彎曲。由于在半導(dǎo)體芯片上形成彎曲，所以可以以高可靠性將半導(dǎo)體芯片與具有曲面的電路基板連接。也就是說，通過曲面之間的連接，能夠使電路基板與半導(dǎo)體芯片間連接部分產(chǎn)生的應(yīng)力減小，提高連接可靠性。
在上述制造方法中，也可以具有將所述彎曲控制膜圖案化的工序。
通過將彎曲控制膜圖案化，使其在所需方向上產(chǎn)生彎曲，或者產(chǎn)生部分彎曲等，彎曲的控制性和控制的多樣性將會提高。
而且在上述的半導(dǎo)體裝置中，通過對所述半導(dǎo)體芯片的基體和所述電路基板至少其中之一方進(jìn)行薄型加工，容易使半導(dǎo)體芯片和電路基板產(chǎn)生彎曲，彎曲的控制將變得容易。


圖1是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片實(shí)例的示意圖，(A)是剖面圖，(B)是沿著(A)所示箭頭A-A的視圖。
圖2是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置實(shí)例的剖面圖。
圖3是表示半導(dǎo)體芯片的變形例的俯視圖。
圖4是表示半導(dǎo)體芯片的變形例的俯視圖。
圖5是表示半導(dǎo)體芯片的變形例的俯視圖。
圖6是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的其他實(shí)例的示意圖，(A)是俯視圖(上面圖)，(B)是仰視圖(下面圖)，(C)是剖面圖。
圖7是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的另一實(shí)例的示意圖，(A)是俯視圖(上面圖)，(B)是剖面圖。
圖8是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的又一實(shí)例的示意圖，(A)是俯視圖(上面圖)，(B)是剖面圖。
圖9是表示本發(fā)明的電子儀器的實(shí)施方式的立體圖。圖中10、50、60、70…半導(dǎo)體芯片，11、51、61、71…基體，12、17、52、62、72…絕緣膜(彎曲控制膜)，15…半導(dǎo)體裝置，16…電路基板，16a…曲面。
具體實(shí)施例方式
以下說明本發(fā)明涉及的半導(dǎo)體芯片。
圖1(A)是示意表示本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片一例的剖面圖。圖1(B)是圖1(A)中沿著箭頭A-A所示方向的視圖。
圖1中，在半導(dǎo)體芯片10(IC芯片)上例如形成集成電路。半導(dǎo)體芯片10的基體11例如由硅材料構(gòu)成。半導(dǎo)體芯片10由具有作電絕緣膜用的絕緣膜12的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，這種絕緣膜12具有在半導(dǎo)體芯片10的基體11上形成彎曲用的彎曲控制膜的作用。本例中，在基體11的上面11a的全體上形成絕緣膜12。絕緣膜12(彎曲控制膜)，在基板11的最表面上形成能提高彎曲控制性而優(yōu)選，但是也可以不在基體11的最表面上形成。其中在以下的說明中，為簡化說明起見，圖中沿用“上面”和“下面”的詞匯，但是這些詞匯并不限制物體的配置狀態(tài)。例如，在半導(dǎo)體芯片10中，基體11的上面11a例如是能動面，下面11b是背面。
絕緣膜12的形成材料，例如可以舉出SiO2、SiN、聚酰亞胺等，但是也可以是其他材料。絕緣膜12例如能夠采用CVD法等蒸鍍法，或者旋涂法等涂布方法形成。而且當(dāng)基體11主要由硅材料構(gòu)成的情況下，也可以利用熱氧化爐等使基體11的表面熱氧化，形成絕緣膜12(SiO2)。
可以在基體11的全體表面上形成彎曲。這種彎曲，是絕緣膜12形成時(shí)的基體11從高溫狀態(tài)向常溫狀態(tài)冷卻的過程中，根據(jù)基體11和絕緣膜2間的線膨脹系數(shù)差等原因而形成的。例如在上述冷卻過程中基體11側(cè)的熱收縮比絕緣膜12大的情況下，即基體11的線膨脹系數(shù)比絕緣膜12大的情況下，如圖1所示，基體11將會產(chǎn)生彎曲，使基體11的絕緣膜12側(cè)面(上面11a)凸出，其反側(cè)的面(下面11b)凹陷。絕緣膜12引起基體11的彎曲方向及其形狀，除上述線膨脹系數(shù)之外，還取決于剛性等基體11及絕緣膜12的材料特性，和膜形成時(shí)的處理?xiàng)l件(膜厚、成膜溫度)等。
硅的線膨脹系數(shù)為2～4ppm/℃(2.8ppm/℃左右)，SiO2、SiN的線膨脹系數(shù)比其小，例如SiO20.5～1ppm/℃，SiN2.8～3.2ppm/℃。因此，當(dāng)基體11主要由硅基板構(gòu)成時(shí)，通過在基體11的一面(上面11a)上形成SiO2膜或SiN膜，能夠使基體11形成圖1所示的那種彎曲。
與此相比，聚酰亞胺的線膨脹系數(shù)為40～70ppm/℃(55ppm/℃左右)，比硅大。因此，通過在基體11的一面(上面11a)上形成聚酰亞胺膜，能夠使基體11形成基體11的這樣一種彎曲，與圖1所示的彎曲方向相反，即使基體11的絕緣膜12的側(cè)面(上面11a)凹陷，其反側(cè)的面(下面11b)凸出。
因此，這種半導(dǎo)體芯片10，由于通過絕緣膜12使基體11形成彎曲，所以可以將其很好地搭載在具有曲面等各種表面的電路基板上，成為安裝性高的。
其中在半導(dǎo)體芯片10的制造過程中，也可以對基體11進(jìn)行薄型加工。薄型化是指例如通過用研磨機(jī)等的機(jī)械研磨加工，將基體11減薄至100微米左右或其以下的。而且薄型化在這種機(jī)械研磨加工工序的同時(shí)，還包括除去因研磨加工而在基體11上產(chǎn)生的粗造層(應(yīng)力層，也叫加工變質(zhì)層)的應(yīng)力消除工序。應(yīng)力消除，例如可以采用旋轉(zhuǎn)蝕刻法、拋光法、CMP法、干式蝕刻法等公知方法進(jìn)行。其中在薄型加工之際，可以用玻璃、金屬板、PET等支持基體11。作為將基體11粘貼在支持體上用的材料，可以使用粘接劑、兩面膠帶等。這些應(yīng)當(dāng)能夠耐受應(yīng)力消除等工序。
通過基體11的薄型化，基體11的彎曲容易產(chǎn)生，同時(shí)彎曲的控制也變得容易。此外，通過薄型化時(shí)進(jìn)行應(yīng)力消除處理，可以抑制基體11產(chǎn)生裂紋等，提高基體11的抗彎強(qiáng)度。
圖2是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置一例的剖面示意圖。
圖2中，半導(dǎo)體裝置15由在電路基板16上搭載了上述半導(dǎo)體芯片10構(gòu)成。電路基板16例如由硅材料制成，可以形成具有曲面16a(搭載面)的。而且使半導(dǎo)體芯片10仿照曲面16a形成了彎曲本例中，由絕緣膜17以在與半導(dǎo)體芯片10的搭載面的反面(背面16b)上形成的彎曲控制膜形式形成電路基板16的彎曲。絕緣膜17的形成材料，例如可以舉出SiO2、SiN、聚酰亞胺等，本例中使用聚酰亞胺。絕緣膜17形成時(shí)電路基板16在從高溫狀態(tài)向常溫狀態(tài)冷卻的過程中，因電路基板16與絕緣膜17之間的線膨脹系數(shù)差等原因而形成上述彎曲。而且，如上所述，當(dāng)絕緣膜17的形成材料采用SiO2和SiN或聚酰亞胺時(shí)，形成的彎曲方向不同。
絕緣膜17，例如可以用CVD法等蒸鍍法，或者旋涂法等涂布方法形成。而且當(dāng)電路基板16主要由硅材料構(gòu)成的情況下，也可以利用熱氧化爐等使電路基板16的一面熱氧化，形成作彎曲控制膜的絕緣膜(SiO2)。絕緣膜17引起的電路基板16的彎曲方向或其形狀，除上述線膨脹系數(shù)以外，還取決于剛性等電路基板16及絕緣膜17的材料特性、形成膜時(shí)的處理?xiàng)l件(膜厚、成膜溫度)等而且在半導(dǎo)體裝置15的制造過程中，也可以對電路基板16進(jìn)行薄型加工。電路基板16的薄型化，例如采用研磨機(jī)等的機(jī)械研磨加工方式進(jìn)行。通過電路基板16的薄型化，電路基板16容易產(chǎn)生彎曲，同時(shí)彎曲的控制也變得容易。
半導(dǎo)體芯片10在電路基板16上的搭載，可以采用加熱、加壓等方法。例如采用焊料接合、超聲波焊接等合金接合、或者NCF、ACF、ACA等樹脂接合、用Ag糊料等材料的接合等。接合時(shí)，由于仿照電路基板16的曲面16a在半導(dǎo)體芯片10上形成彎曲，所以在電路基板16與半導(dǎo)體芯片10之間連接部上產(chǎn)生的應(yīng)力減小。
本例的半導(dǎo)體裝置15中，由于半導(dǎo)體芯片10與電路基板16以曲面之間這樣連接，所以在電路基板16與半導(dǎo)體芯片10之間連接部產(chǎn)生的應(yīng)力減小，連接不良產(chǎn)生得少。也就是說，可以提高連接的可靠性。
圖3～圖5是表示圖1(A)、(B)所示的半導(dǎo)體芯片10的變形例的俯視圖。
在圖3的實(shí)例中，在半導(dǎo)體芯片10的基體11的上面11a形成條紋狀絕緣膜12。更具體講，基體11由平面矩形的板狀形成，在基體11的上面11a以互相具有間隔地形成與邊緣的長邊平行延伸的多個(gè)薄膜。在圖3的實(shí)例中，與圖1相比由于形成絕緣膜12的區(qū)域面積小，所以當(dāng)其他條件相同時(shí)，與圖1相比雖然在長邊方向上產(chǎn)生彎曲，但是在短邊方向上的彎曲小。
在圖4的實(shí)例中，在半導(dǎo)體芯片10的基體11的上面11a形成的絕緣膜12，由互相交叉的兩個(gè)線狀薄膜構(gòu)成。這兩個(gè)線狀薄膜分別相對于矩形基體的邊緣以傾斜方式延伸。在圖4的實(shí)例中，由于基體11與絕緣膜12間的作用力沿著線狀薄膜互相交叉，所以半導(dǎo)體芯片10部分彎曲形成復(fù)合方式。
在圖5的實(shí)例中，與圖3同樣，在半導(dǎo)體芯片10的基體11的上面11a形成條紋狀絕緣膜12。而且與圖3不同，作為絕緣膜12的多個(gè)線狀薄膜相對于矩形基體11的邊緣傾斜延伸。在圖5的實(shí)例中，由于基體11與絕緣膜12間的線膨脹系數(shù)差等原因而產(chǎn)生的力，對基體11的邊緣傾斜的方向，即對絕緣膜12的延伸方向起作用，基體11的彎曲沿著其延伸方向形成。
其中上述圖3～圖5所示的絕緣膜12，是經(jīng)圖案化形成的。絕緣膜12的圖案化，例如采用活性離子蝕刻(RIEReactive Ion Etching)法，通過用掩模將需要的部分覆蓋后，蝕刻除去不需要的部分的方式進(jìn)行?；蛘咭部梢圆捎每刮g劑掩模的濕法蝕刻法進(jìn)行圖案化。通過對作為彎曲控制膜的絕緣膜12進(jìn)行圖案化，使所需方向上產(chǎn)生彎曲或者產(chǎn)生部分彎曲，或提高彎曲的控制性和控制的多樣性。
圖6是示意表示本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的其他實(shí)例的圖，圖6(A)是俯視圖(上面圖)，圖6(B)是仰視圖(下面圖)，圖6(C)是剖面圖。
圖6中，在半導(dǎo)體芯片50的基體51的上面51a和下面51b分別形成有作為彎曲控制膜的絕緣膜52、53。在基體51的上面51a形成的絕緣膜52，在矩形基體51的中央?yún)^(qū)域部分形成。而且這種絕緣膜52由沿著基體51邊緣的長邊方向延伸并在短邊方向上互相分離地配置的多個(gè)線狀薄膜構(gòu)成。另一方面，在基體51的下面51b形成的絕緣膜53，形成在矩形基體51的兩端部分。而且沿著基體51的長邊方向延伸并在短邊方向上互相分離地配置的多個(gè)線狀薄膜構(gòu)成。其中，基體51的上面51a例如是能動面，而下面51b是背面。本例的半導(dǎo)體芯片50，將形成具有由上面51a的絕緣膜52和下面51b的絕緣膜53，如圖6(C)所示，將多個(gè)曲面復(fù)合而成的彎曲的形狀。
其中對半導(dǎo)體芯片50進(jìn)行上述的薄型加工的情況下，在絕緣膜52、53形成之前，應(yīng)當(dāng)終止旋轉(zhuǎn)蝕刻、拋光、CMP、干式蝕刻等應(yīng)力消除工序。而且為了提高薄的基體51的處理性能并防止基體51的龜裂，也可以在基體51的一面(例如能動面)上粘貼支持體后使其流動。這種情況下，應(yīng)當(dāng)在對基體51進(jìn)行薄型加工之前事先粘貼支持體。粘貼支持體用的粘接劑或粘著膠帶，應(yīng)當(dāng)對研磨、干式蝕刻、濕法蝕刻等具有耐性。而且也可以在薄型加工后粘貼在支持體上。
另外，并不限于半導(dǎo)體芯片上，也可以在前面圖2所示的電路基板的上面及下面分別形成作彎曲控制膜用的絕緣膜。通過在電路基板的上下面形成絕緣膜(彎曲控制膜)，可以形成多個(gè)曲面復(fù)合狀態(tài)下的彎曲。
圖7、圖8是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的其他實(shí)例的示意圖。其中(A)和(B)分別是俯視圖和剖面圖。
在圖7的實(shí)例中，在半導(dǎo)體芯片60的基體61的上面61a的全體表面上形成有作彎曲控制膜用的絕緣膜62。而且在基體61的厚度上設(shè)有部分差別。具體講，在基體61的下面61b上設(shè)有階差，使矩形基體61的邊緣中在長邊方向上中央部增厚而兩端部減薄。這種階差，例如可以通過采用掩模的干式蝕刻法或者濕式蝕刻法形成。本例的半導(dǎo)體芯片60中，通過在基體61的厚度上設(shè)置部分差別，使基體61的彎曲曲率發(fā)生部分變化。也就是說，在厚度薄的基體61的兩端部中彎曲的曲率增大(彎曲的曲率半徑減小)。
在圖8的實(shí)例中，也在半導(dǎo)體芯片70的基體71的上面71a的全體表面上形成作彎曲控制膜用的絕緣膜72。而且在基體71的厚度上設(shè)有部分差別。但是在本例中，在基體71的下面71b上設(shè)有沿著矩形基體71邊緣的長邊方向上中央部減薄而兩端部加厚的階差。本例的半導(dǎo)體芯片70中，厚度小的基體71的中央部彎曲的曲率增大(彎曲的曲率半徑減小)。
另外，并不限于半導(dǎo)體芯片上，也可以在如圖2所示的電路基板的厚度上設(shè)有部分差別。這樣，通過使彎曲曲率發(fā)生變化或者形成部分彎曲等，容易將電路基板的彎曲控制在所需的狀態(tài)下。
而且在電路基板上設(shè)置多層配線的情況下，例如也可以利用彩色環(huán)氧(ガラエポ)基板等。彩色環(huán)氧基板的彎曲控制，例如可以用基板形成后的加壓來調(diào)整表里Cu泊的比例。
圖9是表示本發(fā)明的電子儀器中一種實(shí)施方式。
本實(shí)施方式的電子儀器，備有前面圖2所示的電路基板。圖9是表示手表實(shí)例的立體圖，符號800表示手表主體，符號801表示顯示裝置，符號802表示上述的電路基板。在電路基板802上形成曲面能夠減小筐體內(nèi)的占有空間。這種手表由于在電路基板802上形成了曲面，所以能夠?qū)崿F(xiàn)小型薄型化和提高設(shè)計(jì)的自由度。
以上雖然參照

了本發(fā)明涉及的優(yōu)選實(shí)施方式，但是不用說本發(fā)明并不限于所涉及的實(shí)例上。顯然，只要是本領(lǐng)域中普通技術(shù)人員，就能夠在本發(fā)明的技術(shù)要點(diǎn)范圍內(nèi)，想到各種變形例或修改例，可以理解到這些當(dāng)然屬于本發(fā)明的技術(shù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體芯片，其特征在于，其中具有控制基體彎曲的彎曲控制膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述彎曲控制膜被圖案化的。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，其中所述基體是經(jīng)薄型加工的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體芯片，其特征在于，其中在所述基板的厚度上設(shè)有部分差別。
5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中具備根據(jù)權(quán)利要求1～4中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體芯片，和在搭載了該半導(dǎo)體芯片的電路基板。
6.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中具有控制所述電路基板彎曲的彎曲控制膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中所述彎曲控制膜是被圖案化的。
8.根據(jù)權(quán)利要求5～7中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中所述電路基板是經(jīng)薄型加工的。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中在所述電路基板的厚度上設(shè)有部分差別。
10.根據(jù)權(quán)利要求5～9中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，其中所述電路基板由硅基板構(gòu)成。
11.一種電子儀器，其特征在于，其中具備權(quán)利要求5～10中任何一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置。
12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，是具備半導(dǎo)體芯片和搭載了該半導(dǎo)體芯片電路基板的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其中具有形成彎曲控制膜的工序，該彎曲控制膜控制所述半導(dǎo)體芯片的基體和所述電路基板的至少其中之一方的彎曲。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其中具有將所述彎曲控制膜圖案化的工序。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，其中具有對所述半導(dǎo)體芯片的基體和所述電路基板至少其中之一方進(jìn)行薄型加工的工序。
全文摘要
提供一種能在具有曲面的電路基板上搭載等安裝性能好的半導(dǎo)體芯片。本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片(10)具有控制基體(11)彎曲的彎曲控制膜(12)。
文檔編號H01L23/31GK1697161SQ20051006732
公開日2005年11月16日 申請日期2005年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月11日
發(fā)明者原一巳 申請人:精工愛普生株式會社