專利名稱：薄化硅片方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄化硅片方法，特別涉及一種可節(jié)省成本的薄化硅片方法。
背景技術(shù)：
請參閱圖1，自晶柱切削為多個的片狀硅片薄片后，需要進(jìn)行研磨拋光處理，現(xiàn)分述如下步驟S11對硅片進(jìn)行研磨，此步驟的目的在于對硅片表面進(jìn)行拋光。
步驟S12清洗研磨過的硅片表面，以去除殘余硅片表面的雜質(zhì)。
步驟S13對硅片施以熱處理，以使硅片表面排除殘余應(yīng)力，改善表面結(jié)構(gòu)。
步驟S14出貨前對拋光、清洗、熱處理的硅片作最終檢查，以確定產(chǎn)品品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種薄化硅片方法，它可節(jié)省用料成本硅片。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明的薄化硅片方法首先在硅片一表面形成一表面結(jié)合膠的薄層，再研磨薄化硅片另一表面，同時在該另一表面形成表面保護(hù)膠的薄層，接著進(jìn)行硅片的裁切，后將表面保護(hù)膠予以溶解，使得殘存表面結(jié)合膠的薄層。
本發(fā)明提供一種薄化硅片方法可節(jié)省用料成本硅片。
以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例詳加說明本發(fā)明的目的、技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)及其有益效果。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)薄化硅片方法流程示意圖。
圖2為本發(fā)明薄化硅片方法流程示意圖。
圖3為本發(fā)明薄化硅片方法實(shí)施示意圖。
標(biāo)號說明12硅片14表面結(jié)合膠16表面保護(hù)膠
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明提供一種薄化硅片方法，它可節(jié)省用料成本硅片。
本發(fā)明提供的薄化硅片方法如圖2所示，該薄化硅片方法包括以下步驟，現(xiàn)分別敘述如下步驟S21請同時參閱圖3，該圖為本發(fā)明薄化硅片方法實(shí)施示意圖，實(shí)施時先在一硅片12的一表面形成一層表面結(jié)合膠14，目的在于防止因稍后研磨薄化而誤傷硅片12表面的情形；其中欲設(shè)置半導(dǎo)體組件的一面，通常也是形成表面結(jié)合膠14的一面。
步驟S22研磨薄化硅片12未形成表面結(jié)合膠14的另一表面，再在該研磨的一面形成一層表面保護(hù)膠16。此步驟的目的在于使稍后裁切處理時，得以保持硅片12最穩(wěn)固的狀態(tài)，而減少硅片12表面特性或材料性質(zhì)遭受破壞。經(jīng)過研磨薄化硅片12的處理后的厚度介于50μm至150μm的間，另外可在研磨后對硅片12施以清洗，以使后來形成的表面保護(hù)膠16可更緊密附著硅片12?？刂票砻姹Ｗo(hù)膠16小于表面結(jié)合膠14的溶解度，使得不斷增強(qiáng)蝕刻液的同時，表面保護(hù)膠16完全溶解而表面結(jié)合膠14仍不會溶解。如圖3所示，通過表面結(jié)合膠14的薄層可以將硅片12形成半導(dǎo)體組件的一面包覆進(jìn)去，且本步驟的研磨薄化處理還可更薄化硅片12，使得先前裁切的硅片12可以更淺薄，故本發(fā)明提供的薄化硅片12工藝與現(xiàn)有技術(shù)相比，更節(jié)省用料成本。
步驟S23烘烤硅片12，使分別在硅片12二表面形成的表面結(jié)合膠14及表面保護(hù)膠16的薄層凝固定型，并可使硅片12表面原子適當(dāng)擴(kuò)散，以使硅片12表面形成一無缺陷層。此步驟的目的在于強(qiáng)化硅片12與表面結(jié)合膠14或表面保護(hù)膠16的薄層間的附著，也使得稍后進(jìn)行的裁切得以于穩(wěn)固附著狀態(tài)下進(jìn)行，減少因各層間相互滑移造成硅片12的受損，同時改善硅片12表面性質(zhì)。
步驟S24將烘烤過的硅片12裁切為多個芯片。如同前述，因?yàn)楸砻娼Y(jié)合膠14及表面保護(hù)膠16的薄層在硅片12的二表面緊密附著，故本步驟裁切的處理，可以使得損壞硅片12程度更小，從而進(jìn)一步達(dá)到節(jié)省生產(chǎn)成本的目的。
步驟S25將裁切形成的多個芯片的表面保護(hù)膠16溶解。正如前述的選材，本步驟將使表面保護(hù)膠16溶解而仍保存表面結(jié)合膠14，同時在溶解芯片的過程中，尚可采用機(jī)械式手臂或夾具等夾持芯片，以利于將芯片置入蝕刻液或自蝕刻液中取出。
步驟S26挑選成品的品質(zhì)，以確保成品系為無損且可使用，同時以前述步驟S21至步驟S26的方法處理下一片硅片。
以上所述的實(shí)施例僅為了說明本發(fā)明的技術(shù)思想及特點(diǎn)，其目的在使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，本專利的范圍并不僅局限于上述具體實(shí)施例，即凡依本發(fā)明所揭示的精神所作的同等變化或修飾，仍涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種薄化硅片方法，它是用以薄化切削成型的片狀硅片的工藝，包括以下步驟在一硅片的一表面形成一層表面結(jié)合膠；研磨薄化該硅片的另一表面，再在該另一表面形成一層表面保護(hù)膠；烘烤該硅片；將該硅片裁切為多個芯片；溶解該表面結(jié)合膠；以及挑選成品并處理另一片硅片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄化硅片方法，其特征在于所述表面保護(hù)膠溶解度小于該硅片及該表面結(jié)合膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄化硅片方法，其特征在于所述研磨薄化的硅片厚度為50μm至150μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄化硅片方法，其特征在于所述溶解該表面結(jié)合膠的步驟，是通過一機(jī)械式夾具夾持該芯片。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄化硅片方法，它是在硅片的二表面分別形成表面結(jié)合膠及表面保護(hù)膠，其中形成表面保護(hù)膠之前施以薄化處理，待表面結(jié)合膠及表面保護(hù)膠經(jīng)過烘烤干燥則切割硅片，最后將溶解度較低的表面保護(hù)膠溶解而得成品，必要時進(jìn)行挑選以維護(hù)品質(zhì)。本發(fā)明的薄化硅片方法可適用于極淺薄的硅片，進(jìn)而達(dá)到節(jié)省生產(chǎn)成本的目的。
文檔編號H01L21/70GK1866473SQ200510025999
公開日2006年11月22日 申請日期2005年5月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月19日
發(fā)明者蔡南雄 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司