專利名稱：硅片切片的新方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種降低硅材料損耗，提高產能，降低成本的硅片切片的新方法。
背景技術：
硅片是微電子產業(yè)最重要的基本材料之一，硅片通過擴散/外延工藝處理后即是半導體元器件及集成電路的基本材料。以擴散片為例，400um厚硅片經雙面拋光處理后即進入擴散爐進行雙面擴散處理，處理后進行任一單面減薄處理至180-200um即可進入下工序進行半導體元器件或集成電路制備了。這種工藝存在的最大缺點是浪費硅材料，成本高，產出率低。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種節(jié)約材料和能源，提高產出率，降低成本的硅片切片的新方法。
本發(fā)明是這樣來實現的，其操作方法步驟如下(1)將擴散完之后的460um厚硅片又疊在一起放在硅片舟上，兩側用硅錠固定頂緊硅片；(2)將上述硅片舟置入擴散爐，爐溫950℃，每分鐘通上5-15升氧氣，使硅片表面之SiO2跟硅熔在一起，形成硅棒；(3)將硅棒用線切割機切開，再用氟化氫浸泡脫開硅片，每片硅片形成兩片厚230um的硅片；(4)進行切斷面拋光處理。
本發(fā)明的優(yōu)點是1、工藝簡單易行可靠，大幅降低成本及降低消耗；2、生產效率大幅提升。


圖1為本發(fā)明的硅片疊加示意圖；在圖中，1、硅片 2、硅錠 3、硅片舟具體實施方式
本發(fā)明的操作方法步驟如下(1)硅片疊加，如圖1所示，將擴散完之后的460um厚硅片1疊在一起放在硅片舟3上，兩側用硅錠2固定頂緊硅片；(2)將上述硅片舟置入擴散爐，爐溫約950℃，每分鐘通上5-15升氧氣，使硅片表面之SiO2跟硅熔在一起，形成硅棒；(3)將硅棒用線切割機切開，再用氟化氫浸泡脫開硅片，每片硅片形成兩片厚230um的硅片；(4)進行切斷面拋光處理。
權利要求
1.一種硅片切片的新方法，其特征是操作方法步驟如下(1)將擴散完之后的460um厚硅片疊在一起放在硅片舟上，兩側用硅錠固定硅片；(2)將上述硅片舟置入擴散爐，爐溫950℃，每分鐘通上5-15升氧氣，使硅片表面之SiO2跟硅熔在一起，形成硅棒；(3)將硅棒用線切割機切開，再用氟化氫浸泡脫開硅片，每片硅片形成兩片厚230um的硅片；(4)進行切斷面拋光處理。
全文摘要
一種硅片切片的新方法，其特征是操作方法步驟如下(1)將擴散完之后的460um厚硅片疊在一起放在硅片舟上，兩側用硅錠固定頂緊硅片；(2)將上述硅片舟置入擴散爐，爐溫約950℃，每分鐘通上5－15升氧氣，使硅片形成硅棒；(3)將硅棒用線切割機切開，再用氟化氫浸泡脫開硅片；(4)進行切斷面拋光處理。本發(fā)明的優(yōu)點是1.工藝簡單易行可靠，大幅降低成本及降低消耗；2.生產效率大幅提升。
文檔編號H01L21/301GK101075558SQ20071005224
公開日2007年11月21日 申請日期2007年5月22日 優(yōu)先權日2007年5月22日
發(fā)明者郭力, 羅應明 申請人:晶湛(南昌)科技有限公司