專利名稱：灰化方法與灰化裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶片加工中將用作在晶片上形成電路的掩模的光致抗蝕劑予以剝離的灰化裝置，特別是有關(guān)防止灰化率低、謀求等離子體發(fā)生室部件長(zhǎng)壽命化的技術(shù)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)在半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域內(nèi)，元件數(shù)超過(guò)1000的LSI(大規(guī)模集成電路)之中，對(duì)于1個(gè)芯片上收容的元件數(shù)超過(guò)100萬(wàn)的ULSI(超大規(guī)模集成電路)等的情形，已發(fā)展到在1個(gè)芯片上形成1億個(gè)以上的元件了。
在這種ULSI中，由于不能對(duì)應(yīng)既有那種平面元件的微細(xì)化，將配線作多層堆疊的多層配線結(jié)構(gòu)已成為不可少的了。在此，多層配線結(jié)構(gòu)由于增大了層間容量而造成元件的信號(hào)延遲時(shí)間的增大，于是應(yīng)減少層間容量而將低介電常數(shù)絕緣膜(以下記為低K膜)用作層間絕緣膜。
但在圖案化后除去不再需要的抗蝕劑掩模的灰化處理中過(guò)去都是采用氧(O2)等離子體。然而在低K膜的情形，由氧等離子體進(jìn)行灰化時(shí)將會(huì)引起介電常數(shù)的顯著變大。特別是在采用比介電常數(shù)低的多孔材料的層間絕緣膜時(shí)，由于顯露出許多微細(xì)的空孔(比表面積增大)，對(duì)反應(yīng)性大的氧等離子體的穩(wěn)定性就極低，容易引起膜質(zhì)劣化等，由氧等離子體帶來(lái)的弊病是很顯著的。
為此，例如已開(kāi)發(fā)出利用不含氧氣而含氮與氫的混合氣體產(chǎn)生的等離子體進(jìn)行灰化處理以防止低K膜劣化的技術(shù)(參看特許文獻(xiàn)1)，以及利用含氫的氣體和含氟的氣體的無(wú)氧等離子體進(jìn)行灰化的技術(shù)(參看特許文獻(xiàn)2)。
特許文獻(xiàn)1特開(kāi)2002-261092號(hào)公報(bào)特許文獻(xiàn)2特開(kāi)2001-110775號(hào)公報(bào)如上所述，在把低K膜用作層間絕緣膜的晶片的灰化處理中，采用氧(O2)等離子體的以往的灰化除去抗蝕劑的方法是不適當(dāng)?shù)模虼诵枰c過(guò)去完全不同的灰化氣體條件，因而采用氫(H2)與氮(N2)、氨(NH3)等等離子體進(jìn)行處理。但是在這種灰化氣體條件下；作為等離子體處理裝置的處理能力則存在問(wèn)題。
具體地說(shuō)，用特許文獻(xiàn)1所示的氮與氫的混合氣體時(shí)，例如圖4中所示有很高的灰化率。但圖3表明介電常數(shù)有很大的增高。又例如特許文獻(xiàn)2中含有氫的氣體與含有氟的氣體的混合氣體的情形，引起了介電常數(shù)大幅度變大已導(dǎo)致膜質(zhì)劣化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了解決上述以往技術(shù)中的問(wèn)題而提出的，目的在于對(duì)晶片上露出的低K膜(特別是使用了多孔材料的低K膜)提供能防止膜質(zhì)劣化，可從晶片上可靠地除去抗蝕劑的灰化裝置與灰化方法。此外，在以下的描述中表示數(shù)量比的％，若無(wú)特別聲明則設(shè)定為質(zhì)量基準(zhǔn)。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的灰化方法是將氣體導(dǎo)入至少一部分為介電體形成的等離子體發(fā)生室中，激勵(lì)此氣體而生成等離子體，由此等離子體對(duì)采用低K膜的被處理對(duì)象物進(jìn)行等離子體處理，其特征在于對(duì)上述等離子體發(fā)生室引入添加了H2的惰性氣體，激勵(lì)此惰性氣體生成等離子體，由所發(fā)生的氫基除去上述被處理對(duì)象物上的抗蝕劑。
在上述形式下，把其中添加有H2的惰性氣體用作灰化氣體時(shí)，介電常數(shù)變化少且灰化率高。這樣，通過(guò)將添加了H2的惰性氣體用作灰化氣體，就能提高灰化率和抑制介電常數(shù)上升，從而可以防止多孔質(zhì)低K膜的膜質(zhì)劣化，能可靠地從晶片上除去抗蝕劑。
在最佳實(shí)施形式中，將H2以1-20％的比例添加到上述惰性氣體中。在上述形式下，對(duì)于添加到惰性氣體中H2的比例為1-20％的范圍，灰化率相對(duì)于H2變化的變化在處理能力上的容許范圍內(nèi)，可以進(jìn)行穩(wěn)定的灰化處理。
在最佳實(shí)施形式中，在上述添加有H2的惰性氣體中添加H2O，生成這種混合氣體的等離子體，而由產(chǎn)生的氫基除去上述被處理對(duì)象物上的抗蝕劑。再有，在最佳實(shí)施形式中的特征在于，在上述添加有H2的惰性氣體中再添加H2O。
在上述形式下，通過(guò)將H2O添加到惰性氣體中可顯著減弱氫基的去激勵(lì)性，結(jié)果可增多到達(dá)晶片上的氫基量。這樣就可不加長(zhǎng)處理時(shí)間而減少剝離抗蝕劑時(shí)的殘余量。此外還有這樣的副效應(yīng)，即等離子發(fā)生室內(nèi)表面等的介電體部分由于基的作用能防止或減輕其他構(gòu)件的還原作用，有助于等離子體發(fā)生室構(gòu)件的長(zhǎng)壽命化。
在最佳實(shí)施形式中將H2O以0.1％-5％的比例添加到上述惰性氣體中。在這種形式下，通過(guò)于惰性氣體中添加0.1-5％的H2O可顯著減弱H基的去激勵(lì)性，結(jié)果可增多到達(dá)晶片上的氫基量。這樣就可不加長(zhǎng)處理時(shí)間而減少剝離抗蝕劑時(shí)的殘余量。此外還有這樣的副效應(yīng)，即等離子發(fā)生室內(nèi)表面等的介電體部分，由于基的作用能防止或減輕其他構(gòu)件的還原作用，有助于等離子體發(fā)生室構(gòu)件的長(zhǎng)壽命化。
在最佳實(shí)施形式中，將O2加到上述添加有H2的惰性氣體中，生成這種惰性氣體的等離子體，由所產(chǎn)生的氫基除去上述被處理對(duì)象物上的抗蝕劑。在這種形式下，通過(guò)將O2添加到上述添加有H2的惰性氣體中，可以顯著減弱H基的去激勵(lì)性，結(jié)果可增多到達(dá)晶片上的氫基量。這樣就可不加長(zhǎng)處理時(shí)間而減少剝離抗蝕劑時(shí)的殘余量。此外還有這樣的副效應(yīng)，即等離子發(fā)生室內(nèi)表面等的介電體部分，由于基的作用能防止或減輕其他構(gòu)件的還原作用，有助于等離子體發(fā)生室構(gòu)件的長(zhǎng)壽命化。
在最佳實(shí)施形式中，將O2以0.01-0.1％的比例添加到上述惰性氣體中。在這種形式下，通過(guò)于惰性氣體中添加0.01％-0.1％的O2可顯著減弱H基的去激勵(lì)性，結(jié)果可增多到達(dá)晶片上的氫基量。這樣就可不加長(zhǎng)處理時(shí)間而減少剝離抗蝕劑時(shí)的殘余量。此外還有這樣的副效應(yīng)，即等離子發(fā)生室內(nèi)表面等的介電體部分由于基的作用能防止或減輕其他構(gòu)件的還原作用，有助于等離子體發(fā)生室構(gòu)件的長(zhǎng)壽命化。
在最佳實(shí)施形式中，特征在于上述惰性氣體由He組成。在這種實(shí)施形式下，He由于在亞穩(wěn)狀態(tài)下有很高的能量，因而例如即使添加微量的H2，也能快速地提高灰化率。此外由于He是具有與H2大致相同質(zhì)量的原子，能滿意地在氣體中擴(kuò)散，可以指望在晶片表面內(nèi)能均勻地分布灰化處理。從而能夠進(jìn)行穩(wěn)定的處理作業(yè)。
在最佳實(shí)施形式中，為使上述等離子體中包含的紫外光不從上述等離子體發(fā)生室直接照射到被處理物上，其特征在于將上述被處理物與上述等離子體發(fā)生室的位置關(guān)系設(shè)置成不受直線式地照射。在這樣的形式下，等離子體發(fā)生室內(nèi)部生成的等離子體中包含的紫外光在到達(dá)被處理物上之前即被除去，而只是氫基供給到被處理物的表面上。這樣，就可抑制由于紫外線照射被處理物而造成的被處理物的介質(zhì)常數(shù)增大。
發(fā)明效果在以上所述的本發(fā)明中，由于將H2與惰性氣體的混合氣體用作灰化氣體，就能提高灰化率和抑制介質(zhì)常數(shù)增大，于是可以防止低K膜(特別是采用多孔材料的低K膜)的膜質(zhì)劣化和可靠地除去晶片上的抗蝕劑。再有，在把He用作惰性氣體時(shí)，能取得使介質(zhì)常數(shù)不變化的良好結(jié)果。
此外，通過(guò)將H2O或O2添加到H2與惰性氣體的混合氣體中，可顯著減弱氫基的去激勵(lì)性，結(jié)果可增多到達(dá)晶片上的氫基量，可改進(jìn)在相同處理時(shí)間內(nèi)的剝離物殘余量。還可以有這樣的副效應(yīng)，即可以抑制等離子體發(fā)生室構(gòu)件內(nèi)表面的還原，有助于等離子體發(fā)生室部件的長(zhǎng)壽命化。


圖1是示明本發(fā)明第一實(shí)施形式的結(jié)構(gòu)圖。
圖2示明將H2添加到惰性氣體中時(shí)灰化率的變化。
圖3示明將H2添加到惰性氣體中時(shí)介電常數(shù)的變化。
圖4示明將H2添加到惰性氣體中時(shí)灰化率的變化。
圖5是示明本發(fā)明第一實(shí)施形式的結(jié)構(gòu)的局部放大圖。
圖6是示明本發(fā)明第一實(shí)施形式的變型例的局部放大圖。
圖7示明將H2O添加到H2與He的混合氣體中時(shí)的灰化率的變化。
圖8示明將H2O或O2添加到H2與He的混合氣體中的介質(zhì)常數(shù)的變化。
圖中各標(biāo)號(hào)的意義如下1 真空容器2 處理室3 載物臺(tái)4 底板5 排氣口6 排氣管7 上蓋8 氣體導(dǎo)入口9 氣體導(dǎo)入管10 等離子體發(fā)生室構(gòu)件11 密封件12 微波波導(dǎo)管13 等離子體發(fā)生裝置14 等離子體發(fā)生室15 微波發(fā)生器16 氣體貯留室17 噴淋噴嘴18 氣體輸送管19 氣體流道
20 氣體控制部具體實(shí)施形式下面參考附圖具體說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施形式(以下簡(jiǎn)作實(shí)施形式)。此外在以下的描述中，表示數(shù)量比的％除非作特別聲明則設(shè)定為質(zhì)量基準(zhǔn)。
(第一實(shí)施形式)本實(shí)施形式的灰化裝置如圖1所示，具有真空容器1及其內(nèi)的處理室2。處理室2中設(shè)有載物臺(tái)3，載物臺(tái)3上載有被處理物S。載物臺(tái)3中設(shè)有未圖示的調(diào)溫機(jī)構(gòu)，通過(guò)此調(diào)溫機(jī)構(gòu)可以控制被處理物S的溫度。此被處理物包括半導(dǎo)體裝置制造用的硅片，液晶顯示裝置用的玻璃基片等。
真空容器1的底板4中形成有排氣口5，此排氣口5的一端安裝有與真空泵(省略圖示)連接的排氣管6。此外，在構(gòu)成真空容器1的頂板的上蓋7的中央形成有氣體導(dǎo)入口8，氣體導(dǎo)入口8中安裝由氟樹(shù)脂形成的氣體導(dǎo)入管9。
氣體導(dǎo)入管9與等離子體發(fā)生室構(gòu)件10連接?？砂咽?SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、藍(lán)寶石、氮化鋁等用作形成此等離子體發(fā)生室構(gòu)件10的介電體。
等離子發(fā)生室構(gòu)件10的另一端安裝有密封件11，密封件11內(nèi)形成有氣體流道19。密封件11中連接著氣體輸送管18，氣體輸送管18的另一端設(shè)有將灰化氣體供給等離子體發(fā)生室部件10的氣體控制部20。
于等離子體發(fā)生室構(gòu)件10的中間設(shè)有具備微波波導(dǎo)管12的基生成裝置，具體地說(shuō)，等離子體發(fā)生裝置13設(shè)置成包圍等離子發(fā)生室構(gòu)件10，在由此等離子體發(fā)生裝置13所包圍的等離子體發(fā)生室部件10的內(nèi)部形成有等離子體發(fā)生室14。這樣，等離子體發(fā)生室14設(shè)置于真空容器1的外部。微波波導(dǎo)管12則與微波發(fā)生器15連接。
為了使通過(guò)設(shè)于真空容器1的上蓋(頂板)7中的氣體導(dǎo)入口8將導(dǎo)入處理室2內(nèi)部的基(蝕刻劑)均勻地供給于被處理物S的整個(gè)表面上，設(shè)有噴淋噴嘴17以在處理室2的上部中形成氣體貯留室16。在噴淋噴嘴17中形成有多個(gè)氣體噴出口。
本實(shí)施形式的特征在于，由氣體控制部20控制應(yīng)用上述灰化裝置進(jìn)行灰化時(shí)的導(dǎo)入等離子體發(fā)生室構(gòu)件10的灰化氣體的組分比。具體地說(shuō)，本實(shí)施形式中可用的灰化氣體是加H2的惰性氣體?？蓸?gòu)成為由這些混合氣體生成等離子體，而由發(fā)生的氫基除去抗蝕劑。作為所用的惰性氣體例如有氦(He)與氬(Ar)。
雖然在灰化氣體中H2的氣體比為總的質(zhì)量流量的1～20％的范圍，如圖2所示，最好是灰化率(A/R)為大致飽和5％以上的程度。
此外，與Ar相比，He在其亞穩(wěn)狀態(tài)有很高的能量，因而即使只作H2的微量添加，也能快速地提高灰化率。因此，于H2的比例±5％的范圍內(nèi)，在使灰化率飽和的He的這方面，最好相對(duì)于H2的比例變化要少變動(dòng)。還由于He是具有與H2大致相同質(zhì)量的原子，因而與采用Ar的情形相比能滿意地在氣體中擴(kuò)散，可以指望晶片表面內(nèi)的灰化處理分布能均勻地。因此，為了進(jìn)行穩(wěn)定的處理作業(yè)，最好是用He。
這樣，對(duì)于低K膜的損害(變質(zhì))，在把添加H2的氣體作為灰化氣體時(shí)，若采用He或Ar等，則如圖2所示，可獲得介質(zhì)常數(shù)不變化的良好結(jié)果。與此相反，例如在He中將O2添加5％用作灰化氣體時(shí)，則如圖4所示，雖可提高灰化率，但如圖3所示，會(huì)產(chǎn)生介電常數(shù)顯著增大的不合適情形。
此外，如圖3所示，在把N2按5％添加到He中作為灰化氣體時(shí)，介電常數(shù)的變化雖然少，但如圖4所示，灰化率與在He或Ar中添加5％的H2情形相比降到一半以下，這就是說(shuō)，添加N2的情形雖然不損傷低K膜，但卻會(huì)有影響到抗蝕劑除去用裝置的處理能力的問(wèn)題。此外，把在N2中添加5％的H2作為灰化氣體時(shí)，其灰化率雖與在He或Ar中添加5％的H2的情形相同，但介電常數(shù)顯著增大。
另一方面，如圖3所示，當(dāng)把在He或Ar等惰性氣體中添加5％H2的混合氣體用作灰化氣體時(shí)，介電常數(shù)變化少，且如圖4所示，灰化率也高。這樣，通過(guò)把H2和He或和Ar的混合氣體用作灰化氣體時(shí)，由于能提高灰化率且可抑制介電常數(shù)的增大，故得以可靠地防止多孔質(zhì)低K膜的膜質(zhì)劣化和從晶片上可靠地除去抗蝕劑。
灰化氣體的總流量可設(shè)定為1slm(標(biāo)準(zhǔn)升/分)以上，而由于流量愈大愈可提高灰化率，故最好采用約7slm的總流量。此外，處理壓力可取50Pa-200Pa范圍內(nèi)的。
當(dāng)紫外線照射低K膜時(shí)，介電常數(shù)增大，如上所述，與紫外線的影響相比雖然氣體組分比的影響更大，但特別是對(duì)于采用介電常數(shù)低的(K≤2)多孔材料的低K膜時(shí)，紫外線的影響也很顯著。因此在本實(shí)施形式中，將被處理物與等離子體生成部的位置關(guān)系布置成不取直線式照射的關(guān)系，用以遮擋紫外線而不使等離子體生成部的紫外線光不直接照射到被處理物上。
具體如圖5所示，使等離子體發(fā)生室14與氣體導(dǎo)入管9以及氣體導(dǎo)入口8之間呈彎曲形式，不讓紫外線直線式的照射被處理物S。還可以采用在噴淋噴嘴17上涂布紫外線吸收物質(zhì)等措施，以形成屏蔽紫外線的結(jié)構(gòu)。這樣，于等離子體發(fā)生室構(gòu)件10內(nèi)生成的等離子體中所含的紫外線在到達(dá)被處理物S之前即被除去，而只有氫基經(jīng)噴淋噴嘴17供給處理室2內(nèi)的被處理物S的表面上。
本實(shí)施形式雖然是以CDE(化學(xué)干蝕刻)裝置為例進(jìn)行說(shuō)明。但本發(fā)明的上述屏蔽結(jié)構(gòu)則不限于上述那種，例如在圖6所示的下流式干蝕裝置中，噴淋噴嘴(沖孔板)的孔穴位置取雙層結(jié)構(gòu)，由此可防止紫外線直接照射被處理物。此外，與上述相同于噴淋噴嘴上涂布紫外線吸收物質(zhì)以吸收紫外線。
(第二實(shí)施形式)第二實(shí)施形式的灰化裝置是對(duì)上述第一實(shí)施形式中的氣體控制部20導(dǎo)入的灰化氣體的組成加以變更的結(jié)果。具體地說(shuō)是在H2與He的混合氣體中添加0.01％-0.1％的O2或1-5％的H2O來(lái)組成灰化氣體。至于其他結(jié)構(gòu)則與第一實(shí)施形式的相同故略去其說(shuō)明。
在被處理物S(晶片)上對(duì)于低K膜暴露時(shí)進(jìn)行抗蝕劑灰化的工序中，當(dāng)把H2與He的混合氣體用作灰化氣體時(shí)，有時(shí)在灰化后會(huì)出現(xiàn)剝離殘留物的情形。當(dāng)如以上所述以SiO2構(gòu)成等離子體發(fā)生室構(gòu)件10時(shí)，從氣體控制部20供給含H2的氣體，于等離子體發(fā)生室14中激勵(lì)氫等離子體，若此放電時(shí)間達(dá)到數(shù)十小時(shí)，等離子體發(fā)生室構(gòu)件10的SiO2便會(huì)還原成Si。通過(guò)氫等離子體的還原使SiO2成為Si后，灰化中必須的H基其去激勵(lì)性顯著加大。因此，通常經(jīng)數(shù)十小時(shí)就會(huì)使灰化率降低，由此在灰化后便會(huì)產(chǎn)生剝離殘留物。這種剝離殘留物若是延長(zhǎng)處理時(shí)間雖可消除。但那樣使會(huì)降低處理作業(yè)的效率。
本實(shí)施形式中為了防止這種剝離殘留物，如上所述，在H2與He的混合氣體中添加了1-5％的H2O。在這樣地添加了H2O后，等離子體發(fā)生室14中便會(huì)發(fā)生氧等離子體。通過(guò)這種氧等離子體就能防止等離子體發(fā)生室構(gòu)件10的介電體(放電管與介電體窗口等)的還原，進(jìn)行再次氧化處理。由此可減弱氫基的去激勵(lì)性，結(jié)果便增多了到達(dá)晶片上的氫基量，能夠不延長(zhǎng)處理時(shí)間而減少剝離殘留物。與此相隨還可取得這樣的效果等離子體發(fā)生室構(gòu)件10內(nèi)表面等介電體部分由于基能防止或減輕其他構(gòu)件的還原作用的有助于等離子體發(fā)生室構(gòu)件10的長(zhǎng)壽命化。
圖7示明添加了H2O時(shí)灰化率的變化與相對(duì)于低K膜的介電常數(shù)的變化。此外作為相對(duì)于H2O的比較，圖8中也示明了添加O2時(shí)的介電常數(shù)的變化。
從圖7可知，通過(guò)于H2和He的混合氣體中添加H2O，灰化率提高到1000nm/min以上。這是由于前述的到達(dá)晶片上的氫基量增大同時(shí)還結(jié)合有所發(fā)生的氧基在起作用的結(jié)果。這樣就可不延長(zhǎng)處理時(shí)間而消除晶片上的剝離殘余物。此外，如圖8所示，添加0.1-5％的H2O能獲得低K膜的介質(zhì)常數(shù)基本上無(wú)變化的質(zhì)量良好的膜。
同樣，以添加可不延長(zhǎng)處理時(shí)間而消除剝離殘留物為目標(biāo)的O2時(shí)，則如圖8所示，當(dāng)添加約1％的微量O2時(shí)，雖會(huì)影響低K膜的質(zhì)量，但可知能使用約0.1％氧的添加量。
與H2O添加量相比，O2添加量的容許范圍狹窄，其原因雖未完全弄清，但看來(lái)是由于因添加H2O和添加O2時(shí)所產(chǎn)生的O2基有壽命差以及對(duì)于低K膜的活性度適應(yīng)性(反應(yīng)性)不同而影響到介電常數(shù)變化量有差異所致。在使用了多孔質(zhì)材料的比介電常數(shù)低的低K膜中，由于易引起介電常數(shù)的變化，最好使O2的添加量為0.01％以下。
這樣，在添加H2O的情形和添加O2的情形下，介電常數(shù)的變化雖然相同，但在灰化率方面則以添加O2時(shí)為優(yōu)。但在另一方面，O2的添加量雖控制為微小的量，不會(huì)引起介電常數(shù)增大的范圍為0.01-0.1％這樣一個(gè)窄的范圍。因此，在實(shí)際處理作業(yè)中只要流量稍有變化就會(huì)顯著地影響到介電常數(shù)增大。與此相反，H2O添加量有0.1-5％的很廣范圍，在實(shí)際處理作業(yè)中即使有某種程度的流量變化，也很少會(huì)影響到介質(zhì)常數(shù)的增大而能使處理作業(yè)穩(wěn)定。
如上所示，根據(jù)本實(shí)施形式的灰化裝置，在由氣體控制部20導(dǎo)入的H2與He的混合氣體中添加0.01％-0.1％的O2或0.1-5％的H2O時(shí)，可顯著減弱氫基的去激勵(lì)性，結(jié)果可增多到達(dá)晶片上的氫基量。這樣就可不延長(zhǎng)處理時(shí)間而消除剝離殘余物。與此相隨還可取得這樣的效果，等離子體發(fā)生室構(gòu)件10內(nèi)表面等介電體部分與由于基的作用能防止或減輕其他構(gòu)件的還原作用而有助于等離子體發(fā)生室構(gòu)件10的長(zhǎng)壽命化。
(其他實(shí)施形式)上述實(shí)施形式的灰化裝置或灰化方法不僅可用于晶片上抗蝕劑的灰化目的，還能用于例如對(duì)低K膜進(jìn)行直接蝕刻的情形與除去自生氧化物的情形的蝕刻裝置或是蝕刻方法。
在上述實(shí)施形式中，作為本發(fā)明的惰性氣體的例子說(shuō)明的是采用Ar或He而特別最好是采用He，此外，若是采用質(zhì)量大的Kr(氪)、Xe(氙)或Rn(氡)雖可能有損于處理分布的均勻性，但可以期待獲得同樣的效果。
在上述實(shí)施形式中，作為本發(fā)明適用的裝置是用化學(xué)干蝕刻裝置、下流型干蝕刻裝置進(jìn)行了說(shuō)明，但只要是能進(jìn)行以基為主體的灰化的裝置都可，且最好是還能遮斷紫外線的裝置。
權(quán)利要求
1.一種灰化方法，此方法是將氣體導(dǎo)入至少一部分為介電體形成的等離子體發(fā)生室中，激勵(lì)此氣體而生成等離子體，由此等離子體對(duì)采用低K膜的被處理對(duì)象物進(jìn)行等離子體處理，此方法的特征在于對(duì)上述等離子體發(fā)生室引入添加了H2的惰性氣體；激勵(lì)此惰性氣體生成等離子體，由所發(fā)生氫基除去上述被處理物上的抗蝕劑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰化方法，其特征在于于上述惰性氣體中按1-20％的比例添加H2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的灰化方法，其特征在于在上述添加有H2的惰性氣體中添加H2O，生成這種混合氣體的等離子體而由所產(chǎn)生的氫基除去上述處理對(duì)象物上的抗蝕劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的灰化方法，其特征在于于上述惰性氣體中按0.1％-5％的比例添加H2O。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的灰化方法，其特征在于在上述添加有H2的惰性氣體中添加O2，生成這種惰性氣體的等離子體而由所產(chǎn)生的氫基除去在上述處理對(duì)象物上的抗蝕劑。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的灰化方法，其特征在于于上述惰性氣體中按0.01％-0.1％的比例添加O2。
7.一種灰化裝置，此裝置是將氣體導(dǎo)入至少一部分為介電體形成的等離子體發(fā)生室中，激勵(lì)此氣體而生成等離子體，由此等離子體對(duì)采用低K膜的被處理對(duì)象物進(jìn)行等離子體處理，此裝置的特征在于對(duì)上述等離子體發(fā)生室導(dǎo)入的氣體是添加了H2的惰性氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的灰化裝置，其特征在于于上述惰性氣體中按1-20％的比例添加H2。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的灰化裝置，其特征在于在上述添加有H2的惰性氣體中再添加H2O。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的灰化裝置，其特征在于上述添加的H2O是按0.1％-5％的比例。
11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的灰化裝置，其特征在于在上述添加了H2的惰性氣體中再添加O2。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的灰化裝置，其特征在于上述添加的O2是按0.01％-0.1％的比例。
13.根據(jù)權(quán)利要求7-12中任一項(xiàng)所述的灰化裝置，其特征在于上述惰性氣體由He組成。
14.根據(jù)權(quán)利要求7-12中任一項(xiàng)所述的灰化裝置，其特征在于上述被處理物與上述等離子體發(fā)生室的位置關(guān)系配置成不能作直線式照射的位置關(guān)系，以使上述等離子體中所含紫外線不從上述等離子體發(fā)生室直接照射到被處理物之上。
15.根據(jù)權(quán)利要求7-12中任一項(xiàng)所述的灰化裝置，其特征在于上述惰性氣體由He構(gòu)成；上述被處理物與上述等離子體發(fā)生室的位置關(guān)系配置成不能作直線式照射的位置關(guān)系，以使上述等離子體中所含紫外線不從上述等離子體發(fā)生室直接照射到被處理物之上。
全文摘要
提供了對(duì)晶片上露出的多孔質(zhì)低K膜能防止膜質(zhì)劣化，可從晶片上可靠地除去抗蝕劑的灰化方法與灰化裝置。本發(fā)明的灰化裝置是將氣體導(dǎo)入介電體等離子體發(fā)生室(14)內(nèi)，激勵(lì)該氣體以生成等離子體，而由此氣體的等離子體對(duì)采用低K膜的被處理對(duì)象物S進(jìn)行等離子體處理的灰化裝置，它構(gòu)成為從氣體控制部(20)導(dǎo)入的灰化氣體是加有H
文檔編號(hào)H01L21/3065GK101065833SQ20048004422
公開(kāi)日2007年10月31日 申請(qǐng)日期2004年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月1日
發(fā)明者山崎克弘 申請(qǐng)人:芝浦機(jī)械電子裝置股份有限公司