專利名稱：干刻蝕底部電極及干刻蝕裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
干刻蝕底部電極及干刻蝕裝置技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種干刻蝕技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種改進(jìn)的干刻蝕底部電極及干刻蝕裝置。
背景技術(shù)：
[0002]干法刻蝕工藝，是在掩膜曝光后，對(duì)基板非金屬進(jìn)行膜刻蝕的過(guò)程。若在制造過(guò)程中采用了半曝光技術(shù)，在干刻過(guò)程中就需要增加對(duì)膠的灰化過(guò)程。如圖1和2所示，現(xiàn)有技術(shù)中，干刻蝕底部電極的電極底板1上陣列設(shè)置的支撐凸起2 (Embossing)為立方體結(jié)構(gòu)。 如圖3所示，一待灰化的玻璃基板3放置在干刻蝕底部電極上，等待灰化過(guò)程。在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)干刻蝕底部電極的電極底板1上的立方體支撐凸起2在其發(fā)揮支撐和吸附玻璃基板的同時(shí)，由于應(yīng)力和溫度作用的存在，使得干刻蝕底部電極與玻璃基板接觸的區(qū)域和非接觸區(qū)有很大差異，該較大差異會(huì)造成不同區(qū)域間的灰化效果不同， 進(jìn)而影響后續(xù)的工藝質(zhì)量。特別是現(xiàn)有的制造TFT-LCD所采用的4Mask工藝中，會(huì)出現(xiàn)與干刻蝕底部電極相關(guān)的制造不良，這種不良是陣列工藝的一大頑疾，不僅造成廢品率高且過(guò)程中難以監(jiān)控。實(shí)用新型內(nèi)容[0003]針對(duì)上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種能夠有效改善制造不良，提高制造質(zhì)量的干刻蝕底部電極及干刻蝕裝置。[0004]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所述干刻蝕底部電極，包括電極底板，以及陣列設(shè)置在所述電極底板上的支撐凸起，該支撐凸起為半球形結(jié)構(gòu)。[0005]進(jìn)一步地，本實(shí)用新型所述干刻蝕底部電極，還包括設(shè)置在所述電極底板和所述半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起上的絕緣層。[0006]優(yōu)選地，所述絕緣層的材質(zhì)為陶瓷。[0007]特別地，所述半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起在所述電極底板上的投影圓直徑為1. 24mm。[0008]特別地，所述的半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起的高度為0. 62mm。[0009]進(jìn)一步地，所述的半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起上還設(shè)有真空吸附孔。[0010]特別地，所述的真空吸附孔的孔徑為0. 05mm。[0011]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所述干刻蝕裝置，至少包括頂部電極，以及與所述頂部電極平行相對(duì)配置的底部電極，所述底部電極為上述的干刻蝕底部電極。[0012]本實(shí)用新型的有益效果[0013]本實(shí)用新型所述干刻蝕底部電極通過(guò)將現(xiàn)有的立方體結(jié)構(gòu)的支撐凸起改為半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起，將干刻蝕底部電極與玻璃基板之間的面接觸改為點(diǎn)接觸，大大減小了干刻蝕底部電極與玻璃基板的接觸面積，減小了接觸區(qū)域和非接觸區(qū)域的溫度差異，提高了灰化效果，進(jìn)而避免了對(duì)后續(xù)制造工藝的不良影響。[0014]另外，本實(shí)用新型采用半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起的干刻蝕底部電極，能避免劃傷放置在該干刻蝕底部電極上的玻璃基板。

[0015]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中干刻蝕底部電極的結(jié)構(gòu)示意圖；[0016]圖2是圖1的A-A向視圖；[0017]圖3是現(xiàn)有技術(shù)中的干刻蝕底部電極上放置有玻璃基板的示意圖；[0018]圖4是本實(shí)用新型所述的干刻蝕底部電極的結(jié)構(gòu)示意圖；[0019]圖5是圖4的B-B向視圖；[0020]圖6是本實(shí)用新型所述的干刻蝕底部電極上放置有玻璃基板的示意圖。[0021]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例中所述的干刻蝕底部電極的尺寸圖具體實(shí)施方式
[0022]下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的描述。[0023]如圖4至圖6所示，本實(shí)用新型所述干刻蝕底部電極，包括電極底板1，以及陣列設(shè)置在所述電極底板1上的支撐凸起2，該支撐凸起2為半球形結(jié)構(gòu)。[0024]作為本實(shí)用新型進(jìn)一步地實(shí)施例，所述的干刻蝕底部電極，還包括設(shè)置在所述電極底板1和所述半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起2上的絕緣層4。優(yōu)選地，該絕緣層的材質(zhì)可選為陶ο[0025]實(shí)施例1[0026]本實(shí)施例所述的的干刻蝕底部電極，包括電極底板1，以及陣列設(shè)置在所述電極底板1上的支撐凸起2，該支撐凸起2為半球形結(jié)構(gòu)。該電極底板1及支撐凸起2上設(shè)有陶瓷絕緣層。如圖7所示，該半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起2在所述電極底板1上的投影圓直徑為 1. 24mm。所述的半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起2的最高點(diǎn)距電極底板1的上表面的距離為0. 62mm。 各半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起2之間的間距可依據(jù)實(shí)際的尺寸和需求進(jìn)行設(shè)定。該半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起2上還設(shè)有孔徑為0. 05mm的真空吸附孔。該支撐凸起2不僅能起到支撐和吸附放置在其上的玻璃基板，減小干刻蝕底部電極與玻璃基板的接觸面積，減小接觸區(qū)域和非接觸區(qū)域的溫度差異，提高灰化效果，進(jìn)而避免對(duì)后續(xù)制造工藝的不良影響；還能有效避免劃傷玻璃基板。[0027]實(shí)施例2[0028]本實(shí)用新型所述的干刻蝕裝置，至少包括頂部電極，以及與所述頂部電極平行相對(duì)配置的底部電極，所述底部電極為上述的干刻蝕底部電極。具體地，可以采用實(shí)施1所述的干刻蝕底部電極。[0029]本實(shí)用新型在不影響支撐和吸附玻璃基板的功能下，減少了底部電極與玻璃基板的接觸面積，從而有效的提高灰化效果，進(jìn)而改善后續(xù)的工藝質(zhì)量。[0030]以上，僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求所界定的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求1.一種干刻蝕底部電極，其特征在于，包括電極底板，以及陣列設(shè)置在所述電極底板上的支撐凸起，該支撐凸起為半球形結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，還包括設(shè)置在所述電極底板和所述半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起上的絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，所述絕緣層的材質(zhì)為陶瓷。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，所述半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起在所述電極底板上的投影圓直徑為1. 24mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，所述的半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起的高度為0. 62mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，所述的半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起上還設(shè)有真空吸附孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的干刻蝕底部電極，其特征在于，所述的真空吸附孔的孔徑為 0. 05mmo
8.一種干刻蝕裝置，至少包括頂部電極，以及與所述頂部電極平行相對(duì)配置的底部電極，其特征在于，所述底部電極為權(quán)利要求1至7中任意一所述的干刻蝕底部電極。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種干刻蝕底部電極及干刻蝕裝置，主要是為了改善干刻蝕工藝質(zhì)量而設(shè)計(jì)。本實(shí)用新型所述干刻蝕底部電極，包括電極底板，以及陣列設(shè)置在所述電極底板上的支撐凸起，該支撐凸起為半球形結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型通過(guò)將現(xiàn)有的立方體結(jié)構(gòu)的支撐凸起改為半球形結(jié)構(gòu)支撐凸起，將干刻蝕底部電極與置于其上的玻璃基板之間的面接觸改為點(diǎn)接觸，大大減小了干刻蝕底部電極與玻璃基板的接觸面積，減小了接觸區(qū)域和非接觸區(qū)域的溫度差異，提高了灰化效果，進(jìn)而避免了對(duì)后續(xù)制造工藝的不良影響。
文檔編號(hào)H01J37/32GK202307791SQ201120453529
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者彭志龍, 董云 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司