專利名稱：用于清潔基片邊緣的裝置和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在基片的邊緣區(qū)域內(nèi)清除材料和/或介質(zhì)(以下稱為“邊緣清潔”)，并且尤其涉及在半導體工業(yè)中清潔基片的邊緣。
在半導體工業(yè)的領(lǐng)域中，生產(chǎn)工藝的質(zhì)量尤其也通過自動化過程及所采用部件的清潔度決定。在此特別重要的是，在可能包含許多不同單道工藝的生產(chǎn)工藝中不會出現(xiàn)材料和/或介質(zhì)在各單道工藝之間轉(zhuǎn)移。對于避免材料和/或介質(zhì)轉(zhuǎn)移起決定性作用的是，在設備部件例如搬運系統(tǒng)、盒子、卡盤或固定裝置和基片之間的接觸面盡可能在生產(chǎn)流程的任何時刻都免除材料和/或介質(zhì)例如溶解劑或油漆。否則材料/介質(zhì)可能通過與這些設備部件的接觸從一個基片移動到下一個基片上并將其污染。
為了避免這種材料和/或介質(zhì)移動，基片的邊緣此外在油漆過程之后被清潔，所述基片在此例如是光掩膜或其它半導體晶片。根據(jù)所采用的涂覆方法，基片的端面和/或底側(cè)面在用油漆涂覆之后被污染。根據(jù)基片的其它加工的不同情況為此可能有必要在基片的例如被油漆的頂側(cè)面上使一個確定寬度的邊緣在油漆之后重新消除油漆。在此可能有必要使相應區(qū)域完全去除油漆或也可部分去除油漆。在這種去除油漆或清潔中當然有必要使基片的不需要清潔的表面無論如何不受清潔的影響。為進行清潔而采用的清潔流體尤其要避免到達需要清潔的區(qū)域之外的區(qū)域。
例如由EP 1 067 591已知一種用于清潔半導體晶片邊緣的裝置，其中需要清潔的基片固定在一個旋轉(zhuǎn)裝置上，一個具有0°至45°之間的射入角的流體噴嘴對準基片的邊緣區(qū)域。為了清潔基片使之旋轉(zhuǎn)并且通過流體噴嘴將一種腐蝕流體施加到基片的邊緣區(qū)域上。通過離心力使涂布的腐蝕流體基本上沿徑向向外導引。
這種已知方法一方面僅適用于圓形基片并且還隱藏危險，即腐蝕流體在碰到基片時濺射且到達其它不需要清潔的區(qū)域。另外，這種方法雖然使得在基片頂側(cè)面上的邊緣區(qū)域的清潔成為可能，但是不能良好地清潔基片的端面，因為基片以很高的速度旋轉(zhuǎn)并且清潔流體沿徑向甩出。因此它僅與基片端面不充分接觸。這種方法尤其不能用于如下基片，例如具有一個削平部分(即所謂的平面部分)的半導體晶片，因為在平面部分的區(qū)域內(nèi)腐蝕流體不能在旋轉(zhuǎn)期間對準晶片的邊緣區(qū)域。
本發(fā)明的任務是，從現(xiàn)有技術(shù)出發(fā)，實現(xiàn)對基片的邊緣區(qū)域的成本經(jīng)濟的清潔，它尤其也適用于非圓形的基片。
按本發(fā)明，這個任務在一種用于清潔基片尤其是光掩膜和/或半導體晶片的邊緣的裝置中以如下方式解決，即該裝置具有至少一個帶有至少一個介質(zhì)供給噴嘴和至少一個介質(zhì)抽吸孔的清潔頭以及一個用于在清潔頭和基片之間產(chǎn)生相對運動的運動裝置，其中，清潔頭具有一個主體以及至少一個第一凸緣，在主體內(nèi)構(gòu)成介質(zhì)抽吸孔和一個連接于介質(zhì)抽吸孔上的介質(zhì)抽吸通道，第一凸緣具有一個指向介質(zhì)抽吸孔的并且基本上垂直于主體的一個具有介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面延伸的側(cè)平面，其中所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴與主體間隔距離地設置在第一凸緣上，至少一個指向介質(zhì)抽吸孔的凸緣側(cè)面具有打開的排出口并且基本上垂直于凸緣的指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面，其中介質(zhì)供給噴嘴的排出口相對于凸緣的側(cè)平面縮進或者處于該平面上，并且其中可以控制所述運動裝置，使得它在基片頂側(cè)面和凸緣的指向基片頂側(cè)面的側(cè)平面之間進行清潔時保留一個距離為0.05至0.5mm，尤其是0.05至0.3mm，并且優(yōu)選0.2mm。按本發(fā)明的清潔頭允許部分包圍一個需要清潔的基片，其中介質(zhì)抽吸孔在此可以設置成指向基片的一個端面，而介質(zhì)供給噴嘴基本上垂直于基片的一個需要清潔的頂側(cè)面或底側(cè)面。通過介質(zhì)抽吸孔和連接于其上的介質(zhì)抽吸通道可以直接抽吸一股通過介質(zhì)供給噴嘴涂布的清潔流體，因此可以避免清潔流體與需要清潔的區(qū)域之外的區(qū)域接觸的危險。通過介質(zhì)供給噴嘴相對于凸緣側(cè)平面縮進或在同一平面上的布置，可以在凸緣的側(cè)平面和基片之間調(diào)節(jié)出一個狹窄的縫隙，這保證了涂布介質(zhì)的良好抽吸。0.05至0.5mm、特別是0.05至0.3mm的狹窄縫隙另外允許產(chǎn)生毛細效應并且允許需要涂布的清潔介質(zhì)可以基本上無壓力地出現(xiàn)在介質(zhì)供給噴嘴的排出口處，因為在介質(zhì)抽吸孔上方的負壓足夠?qū)⒔橘|(zhì)從介質(zhì)供給噴嘴中抽出。狹窄縫隙還保證抽吸相對較少的環(huán)境空氣，因此需要一個相對較小的抽吸功率，以達到涂布介質(zhì)的合適性的流動。介質(zhì)可以僅通過在介質(zhì)抽吸孔上的抽吸從介質(zhì)供給噴嘴中抽出并且經(jīng)由基片朝介質(zhì)抽吸孔運動。另外通過直接抽吸清潔介質(zhì)的方案，不必使需要清潔的基片旋動，如在上述需要這種旋轉(zhuǎn)以甩出清潔流體的EP 1 067 591所述。因此也可能的是，清潔具有直棱邊的基片。另外也可以清潔基片圓周棱邊的部分區(qū)域。
本發(fā)明的任務也在一種可選擇的用于清潔基片尤其是光掩膜和/或半導體晶片的邊緣的裝置中如下解決，即該裝置具有至少一個帶有至少一個介質(zhì)供給噴嘴和至少一個介質(zhì)抽吸孔的清潔頭，其中該清潔頭另外還具有一個主體，其內(nèi)構(gòu)成介質(zhì)抽吸孔和一個連接于介質(zhì)抽吸孔上的介質(zhì)抽吸通道；第一和第二凸緣，它們分別具有一個指向介質(zhì)抽吸孔的并且基本上垂直于主體的一個包含介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面延伸的側(cè)平面，其中凸緣的所述側(cè)平面相互平行并且至少一個介質(zhì)供給噴嘴與主體間隔距離地設置在第一凸緣上，凸緣的所述至少一個指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面具有打開的排出口并且它基本上垂直于第一凸緣的指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)平面，其中介質(zhì)供給噴嘴的排出口相對于凸緣的側(cè)平面縮進或者位于一個平面上，其中凸緣的平行側(cè)面之間的距離比需要清潔的基片的厚度大0.1至1mm，特別是0.1至0.6mm，并且優(yōu)選0.4mm。
在這種可選擇的裝置中基本上得到上述優(yōu)點。尤其是在凸緣的平行的側(cè)平面和一個容納于側(cè)平面之間的基片之間的狹窄的縫隙結(jié)構(gòu)導致毛細效應，該毛細效應與抽吸相關(guān)引起清潔介質(zhì)在基片的邊緣區(qū)域上的確定的流動，這允許合適的清潔。通過所述兩個凸緣可以包圍基片，因此可以產(chǎn)生一個良好確定的抽吸區(qū)域。
按本發(fā)明一種特別優(yōu)選的實施方式，設有至少一個第二凸緣，它具有基本上與第一凸緣的指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)平面平行地延伸的側(cè)平面，其中在凸緣的平行側(cè)平面之間的距離大于需要清潔的基片的厚度。通過第二凸緣能夠包圍基片的一個部分邊緣區(qū)域，因此可以產(chǎn)生一個良好確定的抽吸區(qū)域。凸緣之間的距離優(yōu)選比需要清潔的基片的厚度大0.1至1mm，尤其是0.1至0.6mm，優(yōu)選0.4mm，因此可以此外由于上述毛細效應而良好地抽吸清潔流體。
在本發(fā)明的一種特別優(yōu)選的實施方式中，設有至少一個另外的介質(zhì)供給噴嘴，它與主體間隔距離地設置在第二凸緣上，并且朝第二凸緣的指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面打開并且基本上與之垂直。通過設置至少一個另外的介質(zhì)供給噴嘴可以同時清潔基片的頂側(cè)面和底側(cè)面。另外，兩個介質(zhì)流也促進了基片端面的清潔，因為它們至少部分地從上面和下面濕潤該端面。清潔頭的結(jié)構(gòu)優(yōu)選相對于一個在凸緣之間的平面對稱，以便在基片頂側(cè)面和底側(cè)面上達到基本均勻的清潔條件。
至少一個介質(zhì)供給噴嘴優(yōu)選在其相應的凸緣上可以擺動，以便通過擺動可以調(diào)節(jié)基片的需要清潔的邊緣區(qū)域的寬度。在此，至少一個介質(zhì)供給噴嘴在其相應的凸緣上可以相對于一個與凸緣的指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面垂直的垂直面在0°和40°之間、優(yōu)選在0°至20°之間擺動，其中擺動運動在基片邊緣的方向上進行。
所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴優(yōu)選具有多個排出口，以便可以在更大的寬度上施加流體，因此可以延長清潔流體在基片上的停留時間。在一種可選擇的實施方式中，所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴具有一個切口形的排出口，以便可以在一個寬的區(qū)域上將清潔流體涂布到基片上。在介質(zhì)供給噴嘴的所述至少一個排出口和清潔頭的主體的具有介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面之間的距離為2.5mm和6mm之間，尤其是3mm。
所述多個排出口或者切口形排出口優(yōu)選與清潔頭的主體的具有介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面平行延伸。
在本發(fā)明的一種實施方式中設有至少一個與至少一個介質(zhì)供給噴嘴連接的介質(zhì)供給裝置以及一個用于調(diào)節(jié)介質(zhì)供給裝置的控制裝置，使得介質(zhì)在清潔期間基本上無壓力地出現(xiàn)在所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴的至少一個排出口處。通過介質(zhì)基本上無壓力地出現(xiàn)，基本上僅通過在介質(zhì)抽吸孔上存在的將介質(zhì)從介質(zhì)供給噴嘴中抽出的負壓進行介質(zhì)的涂布。因此保證僅涂布與通過介質(zhì)抽吸孔抽吸的介質(zhì)一樣多的介質(zhì)。另外在介質(zhì)抽吸孔的方向上得到一個正的氣流，它保證介質(zhì)不到達基片的中心區(qū)域。另外介質(zhì)基本上無力地碰到基片的表面上，因此防止了介質(zhì)的濺射。
另外也可能的是，一種介質(zhì)例如受壓的清潔流體通過介質(zhì)供給噴嘴導引并且涂布到需要清潔的基片上。介質(zhì)在此以相對較小的壓力10至30KPa、優(yōu)選20KPa導引穿過介質(zhì)供給噴嘴，以防止在碰到基片時濺射。即使出現(xiàn)較小的濺射，然而由于在凸緣和基片之間的狹窄毛細縫隙以及在介質(zhì)抽吸孔的方向上的氣流，從而阻擋這些濺射到達基片的一個不需要清潔的介質(zhì)區(qū)域。
為了可以有選擇地清潔基片的頂側(cè)面和/或底側(cè)面，優(yōu)選設置一個用于獨立操縱介質(zhì)供給噴嘴的控制裝置。除了有選擇地清潔頂側(cè)面和/或底側(cè)面之外，通過這種單獨操縱還可以在頂側(cè)面和底側(cè)面上規(guī)定不同的過程。清潔頭的所述至少一個凸緣優(yōu)選具有一個凹口，介質(zhì)供給噴嘴至少部分地設置于其內(nèi)。通過將介質(zhì)供給噴嘴設置在凹口內(nèi)，使得介質(zhì)供給噴嘴至少部分被凸緣包圍，以便在一方面在基片和另一方面在凸緣及介質(zhì)供給噴嘴之間在一個較大的區(qū)域內(nèi)形成一個抽吸切口。
在本發(fā)明優(yōu)選的實施方式中，介質(zhì)抽吸孔是圓形的，其中直徑優(yōu)選比需要清潔的基片的厚度大約大0.2mm。因此可以保證良好地抽吸介質(zhì)。介質(zhì)抽吸通道優(yōu)選從介質(zhì)抽吸孔開始變細。
有利的是，設置一個與介質(zhì)抽吸通道連接的抽吸裝置和一個用于控制抽吸裝置的控制裝置。通過控制抽吸裝置可以一方面調(diào)節(jié)清潔介質(zhì)在基片上的停留時間以及另一方面調(diào)節(jié)抽吸的介質(zhì)量。
為了能夠沿著基片的一條棱邊清潔基片的邊緣，優(yōu)選設有一個用于基片的基片支架和一個用于在基片支架和清潔頭之間產(chǎn)生相對運動的裝置。在此優(yōu)選設置一個控制裝置用于調(diào)節(jié)所述至少一個凸緣與基片的一個側(cè)面的重疊度，以便因此調(diào)節(jié)需要清潔的邊緣的寬度。優(yōu)選也設有一個控制裝置用于控制清潔頭和基片之間的相對運動，使得清潔頭以保持不變的距離沿著基片的至少一條棱邊的至少一個分區(qū)域運動。因此可以清潔基片的邊緣的一個確定的分區(qū)域。
本發(fā)明的任務在一種用于清潔基片、尤其光掩膜和/或半導體晶片的邊緣的方法中以如下方式解決，即鄰近一個基片設置一個帶有至少一個介質(zhì)供給噴嘴和至少一個介質(zhì)抽吸孔的清潔頭，使得介質(zhì)供給噴嘴對準基片主側(cè)面的至少一個需要清潔的邊緣區(qū)域并且介質(zhì)抽吸孔在介質(zhì)供給噴嘴的區(qū)域內(nèi)鄰近基片的一個端面，其中在清潔頭的一個帶有介質(zhì)供給噴嘴的凸緣的側(cè)平面和基片的需要清潔的邊緣區(qū)域之間的距離調(diào)節(jié)到0.05至0.5mm，尤其是0.05至0.3mm，優(yōu)選0.2mm；通過所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴將清潔流體涂布到基片的邊緣區(qū)域上；通過介質(zhì)抽吸孔和一個連接于其上的介質(zhì)抽吸通道完全抽吸清潔流體。通過按本發(fā)明的方法達到上述優(yōu)點。調(diào)節(jié)凸緣和基片主側(cè)面之間的狹窄縫隙尤其促進了施加的介質(zhì)的合適的涂布和抽吸。
有利的是，清潔頭具有至少兩個相互指向的介質(zhì)供給噴嘴，基片的需要清潔的邊緣區(qū)域在設置步驟期間布置在至少兩個介質(zhì)供給噴嘴之間。因此實現(xiàn)了所述介質(zhì)供給噴嘴分別對準基片的頂側(cè)面或底側(cè)面并且介質(zhì)抽吸孔鄰近于基片端面。在這種結(jié)構(gòu)中，基片的頂側(cè)面和底側(cè)面都同時進行清潔。另外也可以達到基片端面更好的清潔，因為涂布的介質(zhì)在其沿介質(zhì)抽吸方向抽吸之前可以從基片的兩個主側(cè)面濕潤端面。這另外通過狹窄的縫隙結(jié)構(gòu)成為可能，該縫隙結(jié)構(gòu)允許相對較小的抽吸功率，因為幾乎不抽吸環(huán)境空氣。很小的抽吸功率又允許基片端面的良好濕潤。
在本發(fā)明的一種優(yōu)選的實施方式中，清潔流體這樣提供給所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴，使得介質(zhì)基本上無壓力地出現(xiàn)在介質(zhì)供給噴嘴的出口處并且基本上通過抽吸力經(jīng)由介質(zhì)抽吸孔和連接于介質(zhì)抽吸孔上的介質(zhì)抽吸通道從所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴中抽出并且涂布到基片的需要清潔的邊緣區(qū)域。因此保證相應僅有與通過介質(zhì)抽吸孔抽吸的清潔流體一樣多的清潔流體涂布到基片上。另外流體基本上無力地碰到基片上。
在本發(fā)明的一種可選擇的實施方式中，受壓的清潔流體通過介質(zhì)供給噴嘴涂布到需要清潔的基片邊緣區(qū)域。這一點是尤其有利的，如果在介質(zhì)供給噴嘴和基片之間的距離過大，在介質(zhì)供給噴嘴的出口處可能有足夠的負壓，以抽出清潔流體。在此壓力應該保持相對較小，以避免它在碰到基片時濺射。因此壓力優(yōu)選在10KPa和30KPa之間，優(yōu)選20KPa。
有利的是，清潔流體基本上垂直于基片的邊緣區(qū)域涂布。在本發(fā)明的一種實施方式中，清潔流體以一個與垂直于基片表面的垂直面偏差0°和40°之間、優(yōu)選0°和20°之間的角度涂布到基片的邊緣區(qū)域上，其中清潔流體朝基片邊緣的方向涂布。通過角度調(diào)整可以調(diào)節(jié)需要清潔的邊緣區(qū)域的深度。
優(yōu)選的是，介質(zhì)供給噴嘴獨立操縱，因此一方面可以保證在介質(zhì)供給噴嘴的相反指向的出口上出現(xiàn)均勻的壓力。另外可能的是，介質(zhì)供給噴嘴施加不同的壓力，以例如將不同的流體量導引到基片的頂側(cè)面或底側(cè)面上。另外介質(zhì)供給噴嘴也可以施加不同的流體。例如在基片頂側(cè)面上可以施加溶解劑，而在底側(cè)面上施加純凈水，因此產(chǎn)生和保證相應的流體流，溶解劑不到達基片的底側(cè)面上。
在本發(fā)明的一種特別優(yōu)選的實施方式中，介質(zhì)供給孔和介質(zhì)抽吸孔沿著基片的至少一條棱邊的至少一個分區(qū)域運動，以便在該分區(qū)域進行邊緣清潔。在此優(yōu)選使介質(zhì)抽吸孔相對于基片端面的距離在操作期間保持不變，以便清潔基片的均勻的邊緣區(qū)域。在基片和清潔頭之間的相對運動優(yōu)選通過基片和/或清潔頭的運動產(chǎn)生。
為了實現(xiàn)基片端面的良好濕潤以及基片的良好清潔，介質(zhì)抽吸孔相對于基片端面的距離優(yōu)選在邊緣清潔期間調(diào)節(jié)為0.5mm和2mm之間，特別是1mm。優(yōu)選基片的邊緣區(qū)域被清潔2mm和5mm之間，尤其是3mm。
需要清潔的邊緣區(qū)域的深度優(yōu)選通過調(diào)節(jié)所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴與基片側(cè)面的重疊度實現(xiàn)。附加地或者替代地，基片的需要清潔的邊緣區(qū)域的深度也可以通過介質(zhì)供給噴嘴的擺動實現(xiàn)。
為了保證清潔流體在清潔過程結(jié)束時完全抽吸，首先停止涂布清潔流體并且在結(jié)束清潔流體涂布之后的一段預定時間之后結(jié)束清潔流體的抽吸。
如果介質(zhì)供給噴嘴在沿著基片的棱邊運動到基片的角部區(qū)域內(nèi)時，那么在到達角部之前中斷介質(zhì)供給，而清潔流體的抽吸繼續(xù)進行。因此保證清潔流體完全抽吸，因為在角部區(qū)域內(nèi)的抽吸效應可能滯后。在此控制介質(zhì)供給噴嘴的加載，使得介質(zhì)剛好一直到達角部區(qū)域，因此可以清潔基片的整個棱邊。優(yōu)選的是，介質(zhì)供給和/或清潔流體的抽吸根據(jù)基片的輪廓進行控制，以便尤其在不同棱邊區(qū)域之間的過渡處規(guī)定基片的確定的清潔。
下面借助于一個優(yōu)選的實施例參考附圖詳細解釋本發(fā)明，其中
圖1是一個光掩膜和一個按本發(fā)明的清潔頭的透視圖；圖2是按圖1的清潔頭的示意剖視圖；圖3是清潔頭的正視圖，沒有設置于其上的噴嘴；圖4是按圖3的清潔頭的側(cè)剖視圖；圖5是按圖3的清潔頭的透視圖；圖6a和6b是按本發(fā)明第一實施例的噴嘴體的一個透視圖和一個剖視圖；圖7a和7b是按本發(fā)明第二實施例的噴嘴體的一個透視圖和一個剖視圖；圖8a和8b是按本發(fā)明第三實施例的噴嘴體的一個透視圖和一個剖視圖；圖9a和9b是按本發(fā)明第四實施例的噴嘴體的一個透視圖和一個剖視圖；圖10是按本發(fā)明的清潔裝置的示意圖；圖11是按本發(fā)明的一種可選擇的清潔頭的示意圖。
圖1示出一個光掩膜1和一個用于清潔光掩膜1的邊緣的清潔頭3的透視圖。圖2示出清潔頭3的一個放大的剖視圖，其中也可以看到光掩膜1的一部分。圖3、4和5又顯示清潔頭3的一個正視圖、一個剖視圖和一個透視圖，其中在圖3和5中去除了清潔頭的一部分，這在后面還要詳細說明。清潔頭3的結(jié)構(gòu)現(xiàn)在借助于圖1至5詳細解釋。在后續(xù)說明中，概念上、下、后、前等都是在考慮附圖中的視圖的情況下采用的，其中這些概念完全不是限制性的，因為它們?nèi)Q于清潔頭的相應定向。
清潔頭3具有一個主體部分5，它具有一個基本上平整的表面7。在平整的表面7中設有一個孔9，它與一個介質(zhì)抽吸通道11連接?？?具有一個圓形的直徑，它朝介質(zhì)抽吸通道11的方向減小。直徑的減小通過主體5的彎曲的壁部分13實現(xiàn)。
清潔頭3另外總共具有四個從主體5延伸的凸緣15至18。凸緣15至18從主體5上延伸，使得它們伸出平整的表面7。凸緣15和16在主體5的一個上端部上延伸，而凸緣17和18在主體5的一個下端部上延伸，這最好在圖3和5中可以看出。凸緣15和16在上端部上彼此間隔距離并且在其間構(gòu)成一個空腔或一個凹口20。按相同的方式在下面的凸緣17、18之間構(gòu)成一個空腔或一個凹口22。按圖3的正視圖，凸緣15至18設置在主體5的四個角部上。
凸緣15和16分別具有一個直的、垂直于平整表面7延伸的底側(cè)面24或25。按相應的方式，凸緣17和18分別具有一個朝上指向的、基本上垂直于平整表面7延伸的頂側(cè)面26、27。底側(cè)面24、25因此平行于頂側(cè)面26、27。底側(cè)面24、25和頂側(cè)面26、27之間的距離適配于一個需要清潔的基片的尺寸并且比需要清潔的基片的厚度大0.2mm至1mm，優(yōu)選0.4mm。因此在基片插入時，在基片的主側(cè)面和凸緣17和18的底側(cè)面或凸緣頂側(cè)面24和25之間形成一個在0.1和0.5mm之間、優(yōu)選0.2mm的毛細縫隙。根據(jù)應用的各種情況也可能的是，選擇凸緣之間的距離比基片的厚度大0.1mm，因此相應構(gòu)成一個0.05mm的毛細縫隙。
凸緣15和18分別具有一個向上或向下開口的圓形凹口30或31，其功能隨后詳細描述。凸緣16和17相反沒有向上或向下指向的凹口。但是凸緣16和17具有一個指向凸緣15、18的孔34.35。另外，凸緣16、17分別具有一個朝上或朝下指向的圓形臺階面38、39。臺階面38、39分別在凸緣16或17的朝向凸緣15或18的側(cè)面上構(gòu)成?？?4、35以及臺階面38、39的功能隨后詳細解釋。
主體在其位于凸緣15、16之間或17、18之間的區(qū)域內(nèi)分別具有一個呈錐形朝平整表面7收縮的斜面42或43，這最好在圖4和圖5中可以看出。在主體5的斜面42的前端部上設有一個向上開口的圓形部分46，而在斜面43的前端部上設有一個向下開口的圓形部分47。圓形部分46和47的功能隨后詳細解釋。
清潔頭3另外具有兩個可旋轉(zhuǎn)地支承在凸緣15、16或17、18上的噴嘴體50、51，這最好在圖2中可以看出。噴嘴體50、51具有相同的結(jié)構(gòu)并且因此僅詳細描述噴嘴體50。噴嘴體50的基本結(jié)構(gòu)借助于圖2、圖6a和6b詳細解釋，圖6a和6b顯示了按第一實施例的噴嘴體50的一個透視圖和一個剖視圖。噴嘴體50具有一個基本上圓柱形的主體54。但是主體54沒有完整的圓柱形狀，因為該圓形具有一個削平部分或側(cè)平面55，這最好在按圖6b的剖視圖中可以看出。在主體54上設有一個垂直于側(cè)平面55延伸的盲孔56，該盲孔從側(cè)平面55延伸到主體54內(nèi)。盲孔56在一個前面的區(qū)域內(nèi)即相鄰于側(cè)平面55的區(qū)域內(nèi)具有一個內(nèi)螺紋58。在內(nèi)螺紋58上朝內(nèi)即與盲孔的內(nèi)端部相鄰連接一個沒有螺紋的區(qū)域。
另外在主體54上設有一個細孔60，它以一個大約50°的角度α與盲孔的中心軸線相交。細孔60與盲孔56在沒有內(nèi)螺紋58的區(qū)域內(nèi)相交。細孔60將盲孔56的內(nèi)端部與主體54的圓形外圓周連通。細孔60構(gòu)成噴嘴體50的排出口61，這隨后還要詳細解釋。
噴嘴體50另外具有一個從圓柱形主體54的端面延伸的圓柱形支承銷63。圓柱形支承銷63的中心軸線與基本上圓形的主體54的圓形部分的中心軸線重疊。
如最好在圖2中可以看到的那樣，螺紋58用于安裝一個管或軟管連接部件65，它具有一個相應的外螺紋并且可以擰入到盲孔56內(nèi)。通過連接部件65可以將一根介質(zhì)供給管與噴嘴體50連接。
按相應的方式，按圖2的噴嘴體51通過一個相應的連接部件65同樣與一根未詳細示出的介質(zhì)供給管連接。
確定導引銷63的尺寸，使得它穿入凸緣16的孔34內(nèi)并且允許噴嘴體50在此可旋轉(zhuǎn)的支承。凸緣16上的臺階38、斜面42的前端部上的圓形部分46以及凸緣15上的圓形凹口30分別這樣確定尺寸，使得它們導引主體54的圓柱形部分的一部分。在此，噴嘴體50基本上這樣安裝，使得側(cè)平面55基本上與斜面42構(gòu)成直角并且細孔60基本上垂直于凸緣15或16的底側(cè)面24和25。另外安裝噴嘴體，使得它相對于凸緣16、17的直的底側(cè)面輕微縮進，但是噴嘴體50并且尤其是其排出口也可以與所述凸緣的直的底側(cè)面對準地安裝。優(yōu)選應該避免，噴嘴體伸出所述凸緣的底側(cè)面。
噴嘴體51按相應的方式設置在凸緣17、18上。清潔頭3因此具有一個關(guān)于水平中心軸線鏡面對稱的結(jié)構(gòu)。
圖7至9顯示噴嘴體50的可選擇的實施方式。在圖7至9中分別使用與在按圖6的噴嘴體中相同的附圖標記，只要是相似或相同的構(gòu)件。
按實施例7至9的噴嘴體50分別具有一個基本上圓柱形的主體54，它具有一個穿過圓柱形狀的側(cè)平面55。在側(cè)平面55上分別設有一個垂直延伸的盲孔56，其內(nèi)可以安裝一個連接部件，例如按圖2的連接部件65。盲孔56分別具有與在圖6b中所示相同的結(jié)構(gòu)。
按圖7至9的實施例的噴嘴體另外分別具有一個圓柱形的導引銷63，它們的中心軸線與主體54的圓柱形部分的中心軸線重疊。
按圖7至9的噴嘴體的相應實施例與按圖6的噴嘴體50的實施例的不同基本上僅在于盲孔56的內(nèi)部區(qū)域與主體54的圓柱形部分的外圓周之間的連接。在按圖6的實施例中設有一個唯一的具有一個排出口61的細孔60，而在按圖7的實施例中總共設有三個細孔70，它們分別確定一個排出口71。這三個細孔70相互平行地設置并且使盲孔與主體54的外圓周連通。排出口71分別用作導入到盲孔56內(nèi)的介質(zhì)的排出噴嘴。
在按圖8的實施例中，也設有三個細孔80，它們分別確定排出口81。然而在按圖8的實施例中，細孔80不平行地相應延伸，而是從盲孔向主體54的外圓周扇形延伸。比較圖7和8可以清楚地看出，排出口81之間的距離比排出口71之間的距離明顯更大。因此通過細管80排出的液體在一個更寬的區(qū)域上分布。
在按圖9的實施例中也設有一個單個的細孔90，但是它沒有將盲孔56與主體54的外圓周連通，而是設有一個凹形的切口91。凹形的切口91朝主體54的外圓周的方向開口并且用作切口形的排出口。
圖10顯示一個按本發(fā)明的清潔裝置的示意總結(jié)構(gòu)圖。在圖10中可以看見一個光掩膜1以及清潔頭3。光掩膜1位于一個支架95上，它可以在X、Y和Z向運動，如通過圖10中的坐標系表示的那樣。另外支架95可以繞著Z軸旋轉(zhuǎn)。支架95與一個控制裝置97連接，它控制支架95的運動。取而代之也可能的是，設有一個固定的支架95并且清潔頭3是可運動的。當然也可能的是，支架95和清潔頭3都是可運動的。
在主體部分5內(nèi)在清潔頭3上的介質(zhì)抽吸通道11通過一根相應的管道99與一個抽吸裝置例如一個泵100連接。泵100與控制裝置97連接并且通過控制裝置控制。
噴嘴體50、51或相應的軟管連接部件65分別通過相應的管道102、103與一個介質(zhì)供給裝置105連接。管道102、103通過介質(zhì)供給裝置彼此分開地操縱。介質(zhì)供給裝置105與控制裝置97連接并且通過控制裝置控制。當然也可能的是，管道102、103一起操縱。
下面借助于附圖，尤其是借助于圖10詳細解釋清潔裝置的工作。
首先將一個基片、例如光掩膜1放置在支架95上。接著使支架95運動，使得光掩膜1的一個邊緣區(qū)域置于上凸緣15、16和下凸緣17、18的中間，如圖10可見。通過上下凸緣之間的距離分別形成在基片主側(cè)面和凸緣15至18的直的底側(cè)面或頂側(cè)面之間的毛細縫隙。在光掩膜和凸緣之間的重疊這樣調(diào)整，使得噴嘴孔61與光掩膜1的端面間隔距離A地對準光掩膜的頂側(cè)面或底側(cè)面。距離A對應于光掩膜1的需要清潔的邊緣區(qū)域。與光掩膜1的需要清潔的邊緣區(qū)域相對應的距離A此外也可以通過噴嘴體50或51的旋轉(zhuǎn)而得以調(diào)整，其中尤其也可以在頂側(cè)面上與光掩膜1的底側(cè)面相比不同地調(diào)整距離A。
接著通過介質(zhì)供給裝置105在噴嘴體50或51的排出口處提供相應的清潔介質(zhì)，例如溶解劑。在此提供清潔流體，使得它基本上無壓力地出現(xiàn)在相應的排出口處。接著啟動泵100，以便產(chǎn)生沿介質(zhì)抽吸口9和介質(zhì)抽吸通道11的方向的流動。氣流最好通過圖2中的箭頭110可以看出。通過這種流動在噴嘴體50、51的排出口處產(chǎn)生負壓，它將清潔流體從相應的排出口吸出并且與光掩膜1的頂側(cè)面或底側(cè)面和清潔頭3的上凸緣15、16和下凸緣17、18接觸，介質(zhì)在那里可以通過毛細縫隙合適性地擴散。清潔流體通過毛細縫隙沿著光掩膜1的頂側(cè)面或底側(cè)面流動并且由于其濕潤能力使光掩膜1的端面濕潤并且因此接觸。通過調(diào)節(jié)相對較小的抽吸功率可以促進濕潤，這也由于在凸緣和介質(zhì)主側(cè)面之間狹窄的縫隙而成為可能。從光掩膜1上接著抽吸復合的空氣一流體混合物，如在圖2中符號112表示的那樣。該空氣一流體混合物按相應的方式去除。在清潔流體的相應流動開始之后，光掩膜1現(xiàn)在相對于清潔頭3運動，使得清潔頭以保持不變的距離沿著光掩膜1的棱邊運動。該運動一直進行到清潔好一個期望的棱邊區(qū)域。如果應該清潔整個棱邊，那么該運動一直進行到光掩膜1的角部或者此外繼續(xù)進行。為了在角部區(qū)域內(nèi)保證為清潔流體提供足夠的抽吸力并且不會太多的清潔流體導引到光掩膜上，可以在快要到達角部之前結(jié)束介質(zhì)供給。取而代之或者附加地，另外在角部區(qū)域內(nèi)可以提高泵100的抽吸功率。
如果應該清潔光掩膜1的其它棱邊，光掩膜可以在支架95上方旋轉(zhuǎn)并且可以進行另一棱邊的清潔。當然也可以設置多個清潔頭，以便在光掩膜1的同一運動時例如清潔對置的棱邊。
盡管在上述實施例中使光掩膜1運動以實現(xiàn)棱邊清潔，但是當然也可以使清潔頭3沿著光掩膜1的棱邊運動。在此當然也可以設有多個清潔頭。例如可以總體上設置四個清潔頭3，以同時清潔光掩膜1的所有棱邊。
在一次相應清潔過程結(jié)束時停止介質(zhì)供給并且接著也停止泵100，以結(jié)束抽吸過程。在此，通常首先停止介質(zhì)供給，然后維持抽吸過程很短的時間，以保證抽吸所有清潔流體。
上述過程當然可以按相應方式用于其它基片，例如半導體晶片，尤其是具有所謂平面部分的半導體晶片。清潔頭可以基本上沿著任意形狀運動。在主要為圓形的基片中，清潔頭3的平整表面7可以具有一個適配于基片圓周形狀的彎曲部分。另外介質(zhì)供給和/或清潔流體的抽吸可以根據(jù)基片的輪廓進行控制，以便也在不同輪廓區(qū)域例如平面部分/圓形部分的過渡區(qū)域內(nèi)進行確定的清潔。
圖11顯示清潔頭3的一種可選擇的實施方式，其中在圖3中與在此前附圖中使用相同的附圖標記，只要是表示相同或類似的部件。在按笫一實施例的清潔頭3和按圖11的清潔頭3之間的主要區(qū)別在于，僅在主體5的頂側(cè)面上設有凸緣15，16，其中在圖11中只是看到凸緣16。
在按照圖11的實施例中沒有設置下凸緣，取代該凸緣在主體5上在介質(zhì)抽吸孔9下邊設有一個凸起115。
在上凸緣15，16上又固定一個相應的噴嘴體50。
按照圖11的噴嘴體3的運行基本上對應于按照前述實施例中噴嘴體3的運行，然而其中只能對基片的頂側(cè)面進行單側(cè)的清潔，例如設有一個光掩膜1。在此重要的是，在上凸緣15，16和基片的頂側(cè)面之間也形成一個寬度在0.05和0.5mm之間，特別是在0.1mm和0.3mm之間的毛細縫隙，以確保在介質(zhì)抽吸孔的方向上介質(zhì)的合適流動。凸起115用于在工作期間使從下方進入到介質(zhì)抽吸孔和接著的介質(zhì)抽吸通道內(nèi)的氣流受到限制。
在描述按本發(fā)明的裝置的工作時，清潔流體在清潔期間提供給相應噴嘴體50、51，使得流體基本上無壓力地出現(xiàn)在噴嘴體50的相應排出口處。清潔流體因此被動地通過一個在抽吸空氣時在流體上產(chǎn)生的負壓進行涂布。當然清潔流體也可以主動地涂布到相應基片上，這通過控制介質(zhì)供給裝置105，使得流體通過受壓從噴嘴體50、51的排出口出來。在此應該使壓力保持較小，也就是在10KPa至30KPa之間，優(yōu)選20KPa，以避免在碰到基片時濺射并且由此到達基體的調(diào)整中心區(qū)域即不需要清潔的區(qū)域。即使當清潔流體通過受壓導引到基片上，泵100或一個相應其它的抽吸裝置的功率，使得液體直接完全按上述方式方法抽吸。流體通過受壓涂布尤其具有優(yōu)點，如果凸緣和基片之間的距離被提高的話，因為在距離提高時需要不成比例高的抽吸功率，以在相應噴嘴體50、51的排出口處達到足夠負壓。
盡管本發(fā)明借助于本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行說明，但是本發(fā)明不限制于具體描述的實施方式。本發(fā)明尤其可以在噴嘴體形狀方面與所述形狀不同并且噴嘴體在清潔頭上的安裝也可以與所述實施方式不同。
權(quán)利要求
1.一種用于清潔基片、尤其是光掩膜和/或半導體晶片的邊緣的裝置，該裝置具有至少一個帶有至少一個介質(zhì)供給噴嘴和至少一個介質(zhì)抽吸孔的清潔頭；一個用于在清潔頭和基片之間產(chǎn)生相對運動的運動裝置；其中，清潔頭具有一個主體以及至少一個第一凸緣，在主體內(nèi)構(gòu)成介質(zhì)抽吸孔和一個連接于介質(zhì)抽吸孔上的介質(zhì)抽吸通道，所述第一凸緣具有一個指向介質(zhì)抽吸孔的并且基本上垂直于主體的一個具有介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面延伸的側(cè)平面，其中，所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴與主體間隔距離地設置在第一凸緣上，至少一個指向介質(zhì)抽吸孔的凸緣側(cè)面具有打開的排出口并且基本上垂直于凸緣的指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面，其中，介質(zhì)供給噴嘴的排出口相對于凸緣的側(cè)平面縮進或者處于該平面上，并且其中可以控制所述運動裝置，使得它在基片頂側(cè)面和凸緣的指向基片頂側(cè)面的側(cè)平面之間進行清潔時保留一個0.05至0.5mm，尤其是0.05至0.3mm，并且優(yōu)選0.2mm的距離。
2.一種用于清潔基片、尤其是光掩膜和/或半導體晶片的邊緣的裝置，該裝置具有至少一個帶有至少一個介質(zhì)供給噴嘴和至少一個介質(zhì)抽吸孔的清潔頭，其中該清潔頭另外還具有一個主體，其內(nèi)構(gòu)成介質(zhì)抽吸孔和一個連接于介質(zhì)抽吸孔上的介質(zhì)抽吸通道；第一和第二凸緣，它們分別具有一個指向介質(zhì)抽吸孔的并且基本上垂直于主體的一個包含介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面延伸的側(cè)平面，其中凸緣的該側(cè)平面相互平行；其中至少一個介質(zhì)供給噴嘴與主體間隔距離地設置在第一凸緣上，所述凸緣的至少一個指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面具有打開的排出口并且它基本上垂直于第一凸緣的指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)平面，其中，介質(zhì)供給噴嘴的排出口相對于凸緣的側(cè)平面縮進或者位于同一平面上，其中，凸緣的平行側(cè)面之間的距離比需要清潔的基片的厚度大0.1至1mm，優(yōu)選0.1至0.6mm，并且優(yōu)選0.4mm。
3.按權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于設有至少一個第二凸緣，它具有基本上與第一凸緣的指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)平面平行地延伸的側(cè)面，其中在凸緣的平行側(cè)面之間的距離大于需要清潔的基片的厚度。
4.按權(quán)利要求3所述的裝置，其特征在于凸緣的相互平行的側(cè)面之間的距離比需要清潔的基片的厚度大0.1至1mm，尤其是0.1至0.6mm，優(yōu)選0.4mm。
5.按權(quán)利要求2至4之一所述的裝置，其特征在于設有至少一個另外的介質(zhì)供給噴嘴，它與主體間隔距離地設置在第二凸緣上并且朝該凸緣的指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面打開并且基本上與之垂直，其中介質(zhì)供給噴嘴的排出口相對于第二凸緣的側(cè)面縮進或者位于一個平面上。
6.按權(quán)利要求2至5之一所述的裝置，其特征在于清潔頭的結(jié)構(gòu)相對于一個在凸緣中間的平面對稱。
7.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于至少一個介質(zhì)供給噴嘴優(yōu)選在其相應的凸緣上可以擺動。
8.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴在其相應的凸緣上可以相對于一個與凸緣的指向介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面垂直的垂直面在0°和40°之間、優(yōu)選在0°和20°之間擺動。
9.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴具有多個排出口。
10.按權(quán)利要求1至9之一所述的裝置，其特征在于所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴具有一個切口形的排出口。
11.按權(quán)利要求9或10所述的裝置，其特征在于所述多個排出口或者切口形排出口沿著一條與清潔頭的主體的具有介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面平行的線延伸。
12.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于在介質(zhì)供給噴嘴的所述至少一個排出口和清潔頭的主體的具有介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面之間的距離在2.5mm和6mm之間，尤其是3mm。
13.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于至少一個與一個介質(zhì)供給噴嘴連接的介質(zhì)供給裝置以及一個用于調(diào)節(jié)介質(zhì)供給裝置的控制裝置，使得介質(zhì)在清潔期間基本上無壓力地出現(xiàn)在所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴的至少一個排出口處。
14.按權(quán)利要求1至12之一所述的裝置，其特征在于至少一個與至少一個介質(zhì)供給噴嘴連接的介質(zhì)供給裝置以及一個用于調(diào)節(jié)介質(zhì)供給裝置的裝置，使得介質(zhì)在清潔期間通過受壓導引通過介質(zhì)供給噴嘴并且對準需要清潔的基片上。
15.按權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于所述壓力在10KPa和30KPa之間，優(yōu)選20KPa。
16.按權(quán)利要求4至15之一所述的裝置，其特征在于一個用于獨立操縱介質(zhì)供給噴嘴的控制裝置。
17.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于所述凸緣具有一個凹口，介質(zhì)供給噴嘴至少部分地設置于其內(nèi)。
18.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于介質(zhì)抽吸孔是圓形的。
19.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于介質(zhì)抽吸孔的直徑比需要清潔的基片的厚度大約大0.2mm。
20.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于介質(zhì)供給通道從介質(zhì)抽吸孔開始變細。
21.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于一個與介質(zhì)抽吸通道連接的抽吸裝置和一個用于控制抽吸裝置的控制裝置。
22.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于一個基片支架和一個用于在基片支架和清潔頭之間產(chǎn)生相對運動的裝置。
23.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于一個控制裝置來調(diào)節(jié)所述至少一個凸緣與基片的一個側(cè)面的重疊度。
24.按上述權(quán)利要求之一所述的裝置，其特征在于一個控制裝置用于控制清潔頭和基片之間的相對運動，使得清潔頭以保持不變的距離沿著基片的至少一條棱邊的至少一個分區(qū)域運動。
25.一種用于清潔基片、尤其光掩膜和/或半導體晶片的邊緣的方法，其包括以下步驟-鄰近一個基片設置一個帶有至少一個介質(zhì)供給噴嘴和至少一個介質(zhì)抽吸孔的清潔頭，使得介質(zhì)供給噴嘴對準基片側(cè)面的至少一個需要清潔的邊緣區(qū)域并且介質(zhì)抽吸孔在介質(zhì)供給噴嘴的區(qū)域內(nèi)鄰近基片的一個端面，其中在清潔頭的一個帶有介質(zhì)供給噴嘴的凸緣的側(cè)平面和基片的需要清潔的邊緣區(qū)域之間的距離調(diào)節(jié)到0.05至0.5mm，尤其是0.05至0.6mm，優(yōu)選0.2mm；-通過所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴將清潔流體涂布到基片的邊緣區(qū)域上；-通過介質(zhì)抽吸孔和一個連接于其上的介質(zhì)抽吸通道完全抽吸清潔流體。
26.按權(quán)利要求25所述的方法，其特征在于清潔頭具有至少兩個相互指向的介質(zhì)供給噴嘴，基片的需要清潔的邊緣區(qū)域在設置步驟期間布置在至少兩個介質(zhì)供給噴嘴之間，其中在清潔頭的一個帶有第二介質(zhì)供給噴嘴的凸緣的側(cè)平面和基片的需要清潔的邊緣區(qū)域之間的距離調(diào)節(jié)到0.05至0.5mm，尤其是0.05至0.6mm，優(yōu)選0.2mm。
27.按權(quán)利要求25或26所述的方法，其特征在于清潔流體提供給所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴，使得介質(zhì)基本上無壓力地出現(xiàn)在介質(zhì)供給噴嘴的出口處并且基本上通過抽吸力經(jīng)由介質(zhì)抽吸孔和連接于介質(zhì)抽吸孔上的介質(zhì)抽吸通道從所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴中抽出并且涂布到基片的需要清潔的邊緣區(qū)域。
28.按權(quán)利要求25或26所述的方法，其特征在于受壓的清潔流體通過介質(zhì)供給噴嘴涂布到需要清潔的基片邊緣區(qū)域。
29.按權(quán)利要求28所述的方法，其特征在于壓力在10KPa和30KPa之間的范圍內(nèi)，優(yōu)選20KPa。
30.按權(quán)利要求25至29之一所述的方法，其特征在于清潔流體基本上垂直于基片的邊緣區(qū)域涂布。
31.按權(quán)利要求25至30之一所述的方法，其特征在于清潔流體以一個與垂直于基片表面的垂直面偏差0°和40°之間、優(yōu)選0°和20°之間的角度涂布到基片的邊緣區(qū)域上。
32.按權(quán)利要求26至31之一所述的方法，其特征在于介質(zhì)供給噴嘴獨立操縱。
33.按權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于介質(zhì)供給噴嘴施加不同的壓力。
34.按權(quán)利要求32或33所述的方法，其特征在于介質(zhì)供給噴嘴施加不同的流體。
35.按權(quán)利要求25至34之一所述的方法，其特征在于在帶有介質(zhì)供給孔和介質(zhì)抽吸孔的清潔頭和基片之間進行相對運動，因此清潔頭沿著基片的至少一條棱邊的至少一個分區(qū)域運動。
36.按權(quán)利要求35所述的方法，其特征在于介質(zhì)抽吸孔相對于基片端面的距離在運動期間保持不變。
37.按權(quán)利要求35或36所述的方法，其特征在于在基片和清潔頭之間的相對運動通過基片和/或清潔頭的運動產(chǎn)生。
38.按權(quán)利要求25至37之一所述的方法，其特征在于介質(zhì)抽吸孔相對于基片端面的距離在邊緣清潔期間調(diào)節(jié)到0.5mm和2mm之間，優(yōu)選1mm。
39.按權(quán)利要求25至38之一所述的方法，其特征在于基片的邊緣區(qū)域被清潔2mm和5mm之間，尤其是3mm。
40.按權(quán)利要求25至39之一所述的方法，其特征在于需要清潔的邊緣區(qū)域的寬度通過調(diào)節(jié)所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴與基片側(cè)面的重疊度實現(xiàn)。
41.按權(quán)利要求25至40之一所述的方法，其特征在于基片的需要清潔的邊緣區(qū)域的寬度至少部分通過介質(zhì)供給噴嘴的擺動實現(xiàn)。
42.按權(quán)利要求25至41之一所述的方法，其特征在于在清潔過程結(jié)束時，首先停止涂布清潔流體并且在結(jié)束清潔流體涂布之后的一段預定時間之后結(jié)束清潔流體的抽吸。
43.按權(quán)利要求25至42之一所述的方法，其特征在于介質(zhì)供給和/或清潔流體的抽吸根據(jù)基片的輪廓進行控制。
44.按權(quán)利要求25至43之一所述的方法，其特征在于如果介質(zhì)供給噴嘴到達基片的角部區(qū)域內(nèi)時，那么在到達角部之前中斷介質(zhì)供給，而清潔流體的抽吸繼續(xù)進行。
全文摘要
為了簡單而經(jīng)濟地清潔基片的邊緣區(qū)域、尤其適用于清潔非圓形的基片，提供清潔基片尤其是光掩膜和/或半導體晶片邊緣的裝置和方法。該裝置具有至少一個帶有至少一個介質(zhì)供給噴嘴和至少一個介質(zhì)抽吸孔的清潔頭，其中清潔頭具有一個主體以及至少一個第一凸緣，在主體內(nèi)構(gòu)成介質(zhì)抽吸孔和一個連接于介質(zhì)抽吸孔上的介質(zhì)抽吸通道，第一凸緣具有一個指向介質(zhì)抽吸孔的并且基本上垂直于主體的一個具有介質(zhì)抽吸孔的側(cè)面延伸的側(cè)平面，其中所述至少一個介質(zhì)供給噴嘴與主體間隔距離地設置在第一凸緣上，并且向著指向介質(zhì)抽吸孔的凸緣側(cè)面打開口并且基本上垂直于該側(cè)面定向，其中介質(zhì)供給噴嘴的排出口相對于凸緣的側(cè)平面縮進或者處于該平面上，其中可以控制一個運動裝置，使得它在基片頂側(cè)面和凸緣的指向基片頂側(cè)面的側(cè)平面之間進行清潔時保留一個0.05至0.5mm，尤其是0.05至0.3mm，并且優(yōu)選0.2mm的距離。
文檔編號H01L21/00GK1864243SQ200480029580
公開日2006年11月15日 申請日期2004年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月8日
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