專利名稱：具有銅觸點的集成電路管芯片及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及集成電路，更具體地，涉及具有銅觸點的集成電路管芯。
背景技術(shù)：
在集成電路制造中，引線接合是一種得到良好證實的用于將具有電路的半導體管芯連接到元件封裝上的引腳的方法。而且，日益普遍的是，使用銅金屬互連。然而，由于自然氧化銅在引線接合溫度(通常大于130攝氏度～170攝氏度)下的不穩(wěn)定性，使用現(xiàn)有的生產(chǎn)組裝設(shè)備，將引線直接接合到銅是不可行的。
現(xiàn)今可利用的一種解決方案是使用鋁帽層，其在銅接合焊盤上使用，由此接合線接合到鋁而非銅。然而，加入鋁帽層增加了工藝成本。而且，使用鋁帽層還需要在鋁帽層和銅接合焊盤之間使用阻擋層和/或粘合層，其進一步增加了工藝成本。而且，相比于銅到金的接合，鋁到金的引線接合通常具有減少的機械強度。
現(xiàn)今可利用的另一種解決方案是使用陶瓷帽層，其在銅接合焊盤上使用。因此，引線接合必須經(jīng)由引線接合機提供的熱聲能量，穿透陶瓷帽層，以實現(xiàn)同銅接合焊盤的連接。在該解決方案中，陶瓷帽層是淀積在整個晶片上的覆蓋層。然而，為了使引線接合能夠穿透陶瓷帽層，帽層必須非常薄。但是，當覆蓋層淀積在薄的層上時，難于維持可接受的均勻性，因此導致了減少的組裝產(chǎn)率。而且，對覆蓋層淀積物的需要也增加了工藝成本。
因此，存在對一種具有銅觸點的改進的集成電路管芯的需要，其具有改善的可靠性和熱阻，同時減少了工藝成本并增加了組裝產(chǎn)率。
附圖簡介本發(fā)明借助于示例說明，并且其不受附圖的限制，在附圖中相同的參考數(shù)字表示相似的元件，并且其中

圖1說明了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有涂覆銅觸點的集成電路管芯的剖面圖；圖2說明了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的具有附連到銅觸點的引線接合的集成電路管芯的剖面圖；圖3以流程圖的形式說明了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于形成具有涂覆銅觸點的集成電路管芯的方法；技術(shù)人員應(yīng)認識到，圖中的元件是出于簡要和清楚的目的而被說明的，并且不必按照比例繪制。例如，圖中某些元件的尺寸相對于其他的元件可能被放大，以協(xié)助增進對本發(fā)明的實施例的理解。
具體實施例方式
通常，本發(fā)明的實施例提供了一種集成電路管芯，其具有涂覆有有機材料的銅觸點。該有機涂層協(xié)助防止或限制暴露的銅觸點的銅氧化，這在高于室溫的溫度下是特別成問題的，并且在高于100攝氏度的溫度下是更加成問題的。例如，在引線接合工藝中，有機涂層可被用于防止過度的銅氧化，由此可以形成針對銅觸點的改善的引線接合。有機涂層還可用于多種其他應(yīng)用，用于防止或限制銅氧化，以實現(xiàn)改善的可靠性和熱阻。
圖1說明了一部分集成電路管芯10，其具有有源電路24、覆蓋有源電路24的金屬互連層22、覆蓋金屬互連層22的最終金屬互連層23、和覆蓋最終金屬互連層23的鈍化層26。有源電路24可以包括多種用于實現(xiàn)不同功能的電路元件。例如，有源電路24可以包括模擬和數(shù)字電路的組合，存儲器(其可以包含存儲在其中的軟件)等，其可用于實現(xiàn)集成電路管芯10的所需功能。金屬互連層22包括金屬連線和過孔，用于提供有源電路24和最終金屬互連層23之間的電氣連接。最終金屬互連層23包括最終金屬層，其包括金屬線20以及觸點16和18。最終金屬互連層23還包括過孔，諸如過孔32，其提供了針對下面的金屬互連層22的電氣連接。例如，過孔32提供了針對金屬線34的電氣連接。在一個實施例中，金屬互連層22和23的金屬線和過孔可由銅形成?？商鎿Q地，互連層22的金屬線和過孔可由鋁形成，或者由任何其他的適當?shù)慕饘傩纬伞６?，?yīng)當注意，如同所需要的，金屬互連層22和23的金屬線和過孔是通過介電材料電氣絕緣的，如本領(lǐng)域中所知的。
應(yīng)當注意，在一個實施例中，集成電路管芯10可以是位于半導體晶片上的多個集成電路管芯中的一個。應(yīng)當注意，銅觸點16和18還可以被稱為銅接合焊盤，引線接合焊盤，或者銅接合焊柱。還應(yīng)當注意，此處提供的描述將使用銅觸點16和18作為示例；然而，應(yīng)當注意，銅觸點可以意指在集成電路管芯10的工藝過程中的任何點處的暴露銅觸點，或者其中防止了暴露銅的氧化的封裝基板。例如，在金屬互連層22的形成過程中還可以使用此處描述的有機涂層，或者將其用于涂覆銅接合焊柱。
仍參考圖1，覆蓋最終金屬互連層23的鈍化層26包括開口28和30，其使銅觸點16和18暴露出來。(應(yīng)當注意，可以使用如本領(lǐng)域所知的任何適當?shù)拟g化材料和任何適當?shù)姆椒ㄐ纬赦g化層26。還應(yīng)當注意，鈍化層26還可被稱為絕緣層26。)在形成用于暴露銅觸點16和18的開口28和30之后，在銅觸點16和18上分別形成有機涂層12和14。有機涂層12和14用于防止銅觸點16和18的銅金屬的進一步的氧化。即，一旦銅觸點暴露于周圍空氣中的氧，銅即開始氧化。然而，在增加的溫度下(高于室溫的溫度，特別是高于100攝氏度的溫度)，銅氧化率顯著增加。在較高的溫度下產(chǎn)生的該過大的氧化銅厚度在未來的工藝中造成了問題。
例如，引線接合工藝需要高溫(通常高于100攝氏度)。盡管在室溫下在銅觸點16和18的暴露區(qū)域處形成了一些氧化銅(還被稱為自然氧化銅)，但是當暴露于引線接合工藝過程中使用的升高的溫度下時，在銅觸點16和18上形成了過多的氧化銅。該過多的氧化銅阻礙了形成可靠的引線接合的能力。因此，使用了有機涂層12和14，以防止該過度氧化。在一個實施例中，使用苯并三唑(BTA)作為用于形成有機涂層12和14的有機材料。BTA與氧化銅發(fā)生化學反應(yīng)，以便于形成保護涂層。即，BTA與自然氧化銅發(fā)生反應(yīng)，以防止銅的進一步氧化。(在某些情況中，BTA還可以與下面的銅發(fā)生反應(yīng)。)因此，BTA與氧化銅的反應(yīng)產(chǎn)生了熱穩(wěn)定的保護膜(例如，有機涂層12和14)，其允許隨后的可靠的引線接合。
因此，盡管上文提供了關(guān)于引線接合的描述，但是有機材料，諸如BTA，可用于其他的其中需要防止銅氧化(或限制銅氧化)的應(yīng)用中。而且，應(yīng)當注意，在替換的實施例中，其他材料可用于形成有機涂層。例如，BTA是有機材料，其包括具有氮-氫(N-H)鍵的分子，其可能鍵合到氧化銅以形成有機保護膜。因此，也可以使用其他的具有相似結(jié)構(gòu)的有機材料。例如，可用于形成有機涂層的其他的具有同BTA相似的N-H鍵的有機材料包括，但不限于，甲苯并三氮唑(tolyltriazole)、咪唑(imidazole)、苯并咪唑(benzoimidazole)、苯基偶氮-吡唑啉酮(phenylazo-pyrazolone)、苯甲基羧基三唑(benzylcarboxy triazole)、聚苯胺(polyaniline)、聚咪唑(polyimidazole)、聚氨基三唑(poly aminotriazole)、氨基苯酚(aminophenol)、酞菁衍生物(phthalocyanine derivative)、氨基羧酸(amino carboxylic acid)、氨基聚羧酸(amino polycarboxylic acid)、間苯二酚肼(hytroxyphenolhydrazine)衍生物、苯亞甲基草酰二肼(benzaloxalydihydrazine)衍生物、萘甲?；?naphthoylhydrazine)化合物和二?；?diacylhydrazine)。而且，在替換的實施例中，所使用的有機材料可以是上面的有機材料的任何組合。
在一個實施例中，有機涂層(諸如有機涂層12和14)具有大于或等于100攝氏度的熱阻。在引線接合的情況中，該熱阻允許可靠地形成針對銅觸點的引線接合。而且，有機涂層通常是薄的，例如，150?；蚋?。優(yōu)選地，涂層厚度小于或者等于100埃，并且更優(yōu)選地，小于或者等于50埃。因此，在引線接合的情況中，引線接合能夠穿透有機涂層和氧化銅，以形成針對銅觸點的可靠的電氣連接。
為了更好地描述有機涂層12和14的形成，下面將參考圖3描述工藝。圖3說明了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的用于在集成電路管芯10上形成有機涂層的工藝，并且其將參考圖1和2進行描述。在形成開口28和30之后(圖1)，包括集成電路管芯10的半導體晶片進行除油(圖3的框42)。晶片除油包括，使用稀釋的堿性溶液沖洗晶片，以除去有機雜質(zhì)(諸如手指油脂、空氣污染等)。然后，工藝繼續(xù)進行到圖3的框44，其中對晶片進行預處理。預處理包括，清潔晶片，以使預先存在的氧化銅穩(wěn)定。在一個實施例中，使用稀釋的酸性溶液(例如，0.5摩爾)清潔晶片以除去雜質(zhì)?？商鎿Q地，可以使用具有小于2摩爾的濃度的稀釋酸性溶液。在一個實施例中，稀釋酸性溶液是稀釋的硫酸溶液。在替換的實施例中，稀釋的過硫酸溶液可用于替換稀釋的酸性溶液。然后，工藝繼續(xù)進行至框46，其中通過施加有機材料形成有機涂層。該有機涂層可以通過多種方法形成，諸如例如，將晶片浸入有機材料的溶液，使用旋涂工藝；噴涂晶片；物理氣相淀積(PVD)或化學氣相淀積(CVD)。在一個實施例中，通過使銅觸點暴露在具有大于7，或優(yōu)選地大于7.5，或者更優(yōu)選地，在7.5和8之間的pH級的有機材料溶液中，在銅觸點上形成了有機涂層。
例如，在一個使用BTA作為用于形成有機涂層12和14的有機材料的實施例中，浸漬溶液可用于將BTA施加到銅觸點16和18上，以形成有機涂層12和14。在該實施例中，可以由具有大于或等于7的pH的溶液施加BTA。在一個實施例中，水溶液包括BTA和作為緩沖劑的堿，諸如氫氧化鉀(KOH)或氫氧化鈉(NaOH)，其中水溶液具有大于或等于7的pH。在該實施例中，至少7的pH確保了用于同BTA進行化學反應(yīng)的自然氧化銅在浸漬工藝過程中保持完好。即，如果溶液的pH過低，則該溶液可能除去自然氧化銅，由于有機材料不能可靠地同氧化銅進行化學反應(yīng)，因此阻礙了有機涂層的形成。而且，在該實施例中，為了可靠地形成有機涂層，將晶片浸在溶液中至少5分鐘。
如上文所提及的，替換的實施例可以使用其他的有機材料以及其他的用于施加有機材料的浸漬溶液。例如，可以使用除了水溶液以外的其他的浸漬溶液施加BTA。而且，可以使用關(guān)于浸漬溶液的不同的pH級，只要足夠的氧化銅保持完好，用于同有機材料進行化學反應(yīng)并形成有機涂層。而且，應(yīng)當注意，由于有機涂層是通過有機材料和氧化銅的化學反應(yīng)形成的，因此有機涂層通常形成在銅的暴露區(qū)域上。因此，有機涂層12和14優(yōu)先形成在銅觸點16和18上，如圖1中所說明的。這消除了提供均勻的覆蓋層淀積的需要，并由此改善了可靠性。
回來參考圖3，在形成有機涂層之后，流程進行至框48，其中執(zhí)行晶片的去離子(DI)水漂洗。DI水漂洗除去了未反應(yīng)的BTA和剩余的浸漬溶液，或者由用于形成有機涂層的工藝所引入的其他雜質(zhì)。然后流程進行至框50，其中將管芯從晶片上切割下來。即，集成電路管芯10可以是已切割的管芯或者可以仍然是半導體晶片的一部分?？梢允褂帽绢I(lǐng)域中已知的方法切割管芯，諸如劃片或激光燒蝕。還應(yīng)當注意，可以一起切割多個管芯，由此所導致的切割的管芯實際上包括多個管芯。然后流程進行至框52，其中使管芯附連到封裝基板。即，集成電路管芯10，在切割時，可以通過如本領(lǐng)域中已知的多種方法附連到封裝基板，諸如使用環(huán)氧樹脂粘合劑或聚酰亞胺粘合劑，或者任何其他已知的管芯附連。封裝基板可以包括，例如，球柵陣列(BGA)基板、引線框、多管芯封裝等。
然后流程進行至框54，其中封裝基板和所附連的切割芯片進行等離子體清洗。等離子體清洗除去了封裝基板和管芯的某些雜質(zhì)。在一個實施例中，等離子體清洗包括，在RF場中施加氬-氫氣體混合物。在替換的實施例中，等離子體清洗包括在RF或微波場中施加氬-氫氣體混合物。然后流程進行至框56，其中執(zhí)行引線接合。將參考圖3描述引線接合。
圖3說明了引線接合工藝之后的集成電路管芯10，其中在開口28和30中分別形成了引線接合32和34。因此，使用傳統(tǒng)的引線接合工藝，接合線32附連到銅觸點16，以提供針對銅觸點16的電氣連接。相似地，接合線34附連到銅觸點18，以提供針對銅觸點18的電氣連接。應(yīng)當注意，在附連接合線32和34時，接合線分別穿透有機涂層12和14，以便于形成電氣連接。因此，應(yīng)當注意，在引線接合工藝完成之后，有機涂層12和14部分可以在接合線32和34的兩側(cè)保留在集成電路管芯10上，如圖2所示。還應(yīng)當注意，在接合線和銅觸點之間可能仍存在小量的有機涂層(未示出)。由于有機涂層在引線接合的工藝過程中存在于銅觸點上，因此形成了更加可靠的引線接合，這是因為有機涂層防止了銅觸點表面在引線接合工藝中通常使用的升高的溫度(大于100攝氏度)下進一步氧化。應(yīng)當注意，多種不同的材料可用于接合線32和34，例如，金、銅、鋁等。
回來參考圖3，在執(zhí)行引線接合工藝之后，流程進行至框58，其中使用傳統(tǒng)的工藝完成封裝組裝，以形成完成封裝的半導體器件。
應(yīng)當注意，在替換的實施例中，圖3的流程可以繞過框50、52和54。在該替換的實施例中，可以不切割集成電路管芯10，從而以晶片的形式保留。然后晶片可以進行等離子體清洗(同框54的等離子體清洗相似)，并且在半導體晶片上而非切割的管芯上執(zhí)行框56的引線接合。
在本發(fā)明的一個實施例中，其使用引線接合提供同集成電路管芯的電氣連接，可以在封裝基板上使用銅接合焊柱，提供從封裝基板到集成電路管芯的電接觸。在該實施例中，使引線接合連接針對集成電路管芯上的銅觸點(即，銅引線接合焊盤)和封裝基板上的銅觸點(即，銅接合焊柱)。如上文所述，可以在集成電路管芯上的銅觸點上形成有機涂層，以允許改進的引線接合連接。然而，應(yīng)當注意，還可以在封裝基板上的銅觸點(即，銅接合焊柱)上形成有機涂層，以便于防止過度的銅氧化并允許針對銅接合焊柱的引線接合的直接電接觸。這樣，實現(xiàn)了改進的引線接合，其是可靠的和熱阻的。而且，該實施例防止了在銅接合焊柱上使用額外的保護層，諸如用于保護銅的鎳-金層的需要。使用有機涂層而非鎳-金層允許封裝基板上的銅接合焊柱的較細的間距，并且還減少了制造成本。
而且，盡管上面的描述是針對用于引線接合的銅觸點16和18提供的，但是替換的實施例可以使用用于多種其他應(yīng)用的有機涂層。例如，在一個實施例中，諸如在功率器件應(yīng)用中，可以使用大的銅片作為銅觸點。在該實施例中，可以使用上文描述的相同的有機涂層提供針對銅觸點的可靠的電氣連接(例如，引線接合連接)。在其他的實施例中，諸如在RF應(yīng)用中，使用了銅電感，其中可能需要針對銅電感的電氣連接。因此，還可以使用此處描述的有機涂層保護銅電感，防止過度氧化，以便于提供可靠的、熱阻的電接觸。
因此，如可以認識到的，可以使用此處描述的有機涂層的實施例防止或限制銅觸點的過度氧化，由此導致了改善的可靠性和熱阻。還應(yīng)當注意，有機涂層的實施例可以允許引線接合，其典型地是金，到銅觸點之間的直接電接觸，由此導致了比先前可利用的接觸更加堅固的接觸。而且，在使用現(xiàn)有的生產(chǎn)組裝設(shè)備時，有機涂層的實施例允許銅觸點和引線接合之間的該直接的電接觸。有機涂層的實施例還可以防止對額外的金屬層或覆蓋層淀積的需要，因此減少了成本。而且，改善的可靠性和熱阻以及更堅固的接觸導致了改善的組裝產(chǎn)率。
在前面的說明中，針對具體的實施例描述了本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將認識到，在不偏離如附屬權(quán)利要求中陳述的本發(fā)明的范圍的前提下，可以進行多種修改和變化。因此，說明和附圖將從說明性的角度而非限制性的角度考慮，并且所有該修改的目的在于涵蓋于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
上文針對具體的實施例描述了好處、其他優(yōu)點和對問題的解決方案。然而，好處、優(yōu)點、對問題的解決方案、以及可以使任何好處、優(yōu)點或解決方案出現(xiàn)或變得更加顯著的任何要素未被解釋為任何或全部權(quán)利要求的關(guān)鍵的、必需的或基本的特征或要素。如此處使用的，術(shù)語“包括”或者其任何變體，目的在于，涵蓋非排他性的內(nèi)含物，由此包括元素列表的工藝、方法、物體或裝置不僅包括這些元素，而且可以包括其他的未清楚列出的或者對于該工藝、方法、物體或裝置所固有的元素。
權(quán)利要求
1.一種集成電路管芯，包括銅觸點；銅觸點上的涂層，該涂層包括由有機材料與氧化銅的反應(yīng)形成的材料。
2.權(quán)利要求1的集成電路管芯，其中，通過將銅觸點暴露于包括有機材料的溶液中來形成涂層。
3.權(quán)利要求2的集成電路管芯，其中，溶液具有至少為7的pH級。
4.權(quán)利要求3的集成電路管芯，其中，溶液具有至少為7.5的pH級。
5.權(quán)利要求1的集成電路管芯，其中，有機材料包括具有氮-氫鍵的分子。
6.權(quán)利要求1的集成電路管芯，其中，有機材料包括苯并三氮唑。
7.權(quán)利要求1的集成電路管芯，其中，有機材料包括甲苯并三氮唑、咪唑、苯并咪唑、聚苯胺和聚咪唑中的至少一個。
8.權(quán)利要求1的集成電路管芯，進一步包括多個互連層，包括最終銅互連層；絕緣層，其覆蓋互連層；其中，銅觸點位于最終銅層中，并且可通過絕緣層中的開口接入。
9.權(quán)利要求8的集成電路管芯，其中，涂層位于絕緣層中的開口中。
10.權(quán)利要求1的集成電路管芯，其中，銅觸點是引線接合焊盤。
11.權(quán)利要求1的集成電路管芯，其中，涂層具有100C或更大的熱阻。
12.權(quán)利要求1的集成電路管芯，其中，涂層具有150?；蚋俚暮穸取?br> 13.權(quán)利要求1的集成電路管芯，其中，涂層具有20～50埃的厚度范圍。
14.權(quán)利要求1的集成電路管芯，其中，涂層具有50?；蚋俚暮穸?。
15.一種集成電路封裝，其包括權(quán)利要求1的集成電路管芯，并且進一步包括封裝基板，所述集成電路管芯附連到封裝基板；引線，其連接到銅觸點并且連接到封裝基板的觸點。
16.一種用于制造集成電路的方法，該方法包括在集成電路的銅觸點上通過將銅觸點暴露于具有7或更大的pH級并且包括有機材料的溶液中形成涂層。
17.權(quán)利要求16的方法，進一步包括在所述形成之后將引線接合到銅觸點。
18.權(quán)利要求17的方法，其中在100C或以上的溫度下，執(zhí)行引線到銅觸點的接合。
19.權(quán)利要求17的方法，進一步包括在形成涂層之后，在接合引線之前，等離子體清洗涂層的暴露表面。
20.權(quán)利要求17的方法，其中，所述接合除去了至少一部分直接位于引線下面的涂層。
21.權(quán)利要求16的方法，其中，溶液具有7.5或更高的pH級。
22.權(quán)利要求16的方法，進一步包括在形成涂層之前使用酸預處理銅觸點。
23.權(quán)利要求16的方法，其中，有機材料同氧化銅反應(yīng)，其中，涂層包括由有機材料與氧化銅的反應(yīng)形成的材料。
24.權(quán)利要求23的方法，其中，有機材料包括具有氮-氫鍵的分子。
25.權(quán)利要求23的方法，其中，有機材料包括苯并三氮唑。
26.權(quán)利要求23的方法，其中，有機材料包括甲苯并三氮唑、咪唑、苯并咪唑、聚苯胺和聚咪唑中的至少一個。
27.權(quán)利要求16的方法，其中，形成涂層進一步包括將包括集成電路管芯的晶片浸入到溶液中至少5分鐘。
28.用于制造集成電路的方法，該方法包括在銅觸點上形成涂層；在形成涂層之后等離子體清洗涂層的暴露表面；在等離子體清洗之后將引線接合到銅觸點。
29.權(quán)利要求28的方法，其中，等離子體清洗進一步包括，使涂層的暴露表面經(jīng)受包括氬和氦的至少一個的氣體混合物。
30.權(quán)利要求28的方法，其中，在100C或以上的溫度下，執(zhí)行引線到銅觸點的接合。
31.權(quán)利要求28的方法，其中，所述接合除去了至少一部分直接位于引線下面的涂層。
32.權(quán)利要求28的方法，其中，溶液包括同氧化銅反應(yīng)的有機材料，其中，涂層包括由有機材料與氧化銅的反應(yīng)形成的材料。
33.權(quán)利要求32的方法，其中，有機材料包括具有氮-氫鍵的分子。
34.權(quán)利要求32的方法，其中，有機材料包括苯并三氮唑。
35.權(quán)利要求32的方法，其中，有機材料包括甲苯并三氮唑、咪唑、苯并咪唑、聚苯胺和聚咪唑中的至少一個。
36.權(quán)利要求28的方法，進一步包括在形成涂層之后，在等離子體蝕刻之前，將包括銅觸點的管芯從晶片上切割下來。
37.權(quán)利要求28的方法，其中銅觸點是引線接合焊盤。
38.權(quán)利要求28的方法，進一步包括在形成涂層之前使用酸預處理銅觸點。
39.一種集成電路管芯，包括多個銅接合焊盤；多個銅接合焊盤的每一個上的涂層，通過將銅接合焊盤暴露于包括有機材料的溶液中形成該涂層，該有機材料包括具有氮氫鍵的分子，該涂層包括由有機材料與氧化銅的反應(yīng)形成的材料，該涂層具有150埃或更小的厚度。
全文摘要
一種集成電路管芯(10)，具有銅觸點(16、18)，其在暴露于周圍空氣時形成了自然氧化銅。一種有機材料施加到銅觸點，其同自然氧化銅反應(yīng)以在銅觸點上形成有機涂層(12、14)，以便于防止進一步的銅氧化。這樣，諸如大于100攝氏度的較高溫度下的進一步的工藝，不受過度的銅氧化的限制。例如，由于有機涂層，引線接合工藝的高溫不會導致將阻礙可靠的引線接合的過度的氧化。因此，有機涂層的形成允許可靠的和熱阻的引線接合(32、34)?？商鎿Q地，有機涂層可以在集成電路管芯的形成過程中的任何時間形成在暴露的銅上，以限制銅氧化的形成。
文檔編號H01L23/52GK1768426SQ200480009235
公開日2006年5月3日 申請日期2004年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2003年4月2日
發(fā)明者李巨鐘, 菲埃達·B·哈龍, 凱文·J·埃斯, 譚蘭春, 楊俊才 申請人:飛思卡爾半導體公司