專利名稱:R-t-b 系燒結(jié)磁鐵及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及R-T-B系燒結(jié)磁鐵及其制造方法。
背景技術(shù):
作為代表高性能永久磁鐵的R-T-B系磁鐵,因?yàn)榫哂袃?yōu)良的磁特性,可用于各種電動(dòng)機(jī)、傳動(dòng)器等。但是,為了電器及電子設(shè)備的小型化-輕型化以及高性能化,要求進(jìn)一步提高磁特性,提高耐腐蝕性,降低成本等。
在R-T-B系永久磁鐵中,決定殘留磁通密度的因子為主相的存在比率及其取向度。為了提高主相存在比,最好使組成接近于R2T14B化合物的化學(xué)計(jì)量比,但特別是減少B在現(xiàn)實(shí)中很困難。在生產(chǎn)上,當(dāng)B的化學(xué)計(jì)量比降低時(shí),在承擔(dān)矯頑力的晶粒邊界相上析出軟磁性的R2Fe17相,矯頑力大幅度地降低。因此,有必要將B濃度的目標(biāo)值設(shè)定為稍高于化學(xué)計(jì)量比的值。
因此,現(xiàn)有技術(shù)中,總是在晶粒邊界形成析出B的富集相(Nd1.1Fe4B4)的組織。不論磁鐵特性如何,當(dāng)B富集相的比率大時(shí),殘留磁通密度Br降低。另外,檢測(cè)微量的B存在困難,分析精度的誤差相對(duì)于B的含有量為±2%程度。因此,不得不添加比化學(xué)計(jì)量比過(guò)剩的B,不能通過(guò)降低B濃度來(lái)進(jìn)一步提高磁鐵的特性。
另一方面,提出了許多在R-T-B系永久磁鐵中添加各種元素,以提高磁特性的方案。在這些添加元素中,在R-T-B系燒結(jié)磁鐵或R-T-B系連接磁鐵,特別是使用HDDR法的各向異性連接磁鐵中添加Ga。添加Ga的目的是,在燒結(jié)磁鐵中提高矯頑力,在連接磁鐵中提高再結(jié)晶工序中的矯頑力和保持各向異性。
日本專利第2577373號(hào)公報(bào)公開了通過(guò)在R-T-B系燒結(jié)磁鐵中添加0.2~13質(zhì)量%的Ga得到高的矯頑力的技術(shù)。日本專利第2751109號(hào)公報(bào)公開了通過(guò)添加0.087~14.4質(zhì)量%的Ga的同時(shí),添加Nb、W、V、Ta、Mo中的至少一種得到高的矯頑力的技術(shù)。這些文獻(xiàn)中公開的現(xiàn)有技術(shù)都是通過(guò)添加比較多的Ga來(lái)達(dá)到提高矯頑力的目的。
日本專利第3255593號(hào)公報(bào)公開了在R(Fe1-x-y-z-uCOxByGazMu)A組成中添加0<z≤0.15的大范圍的Ga的技術(shù)。在日本專利第3255593號(hào)公報(bào)中說(shuō)明了通過(guò)添加0.087質(zhì)量%以上(z=0.001)的Ga得出效果。
日本專利第3255344號(hào)公報(bào)公開了O(氧)濃度為0.3~0.7質(zhì)量%范圍內(nèi),添加0.01~0.5質(zhì)量%的Ga,但其實(shí)施例的Ga添加量在0.09質(zhì)量%以上。日本專利第2966342號(hào)公報(bào)公開了O(氧)濃度在0.25質(zhì)量%以下,添加0.01~0.5質(zhì)量%的Ga,但其實(shí)施例的Ga添加量在0.08質(zhì)量%以上,這時(shí)的B濃度為1.05質(zhì)量%。
日本專利第3298221號(hào)公報(bào)和日本專利第3298219號(hào)公報(bào)公開了同時(shí)添加濃度為0.9~1.3質(zhì)量%的B和濃度為0.02~0.5質(zhì)量%的Ga,但必需添加V,另外,沒有說(shuō)明B濃度不滿1.0質(zhì)量%的實(shí)施例。
日本專利第3296507號(hào)公報(bào)說(shuō)明了7at%以下的各種添加元素,其中也含有Ga,但磁鐵構(gòu)成相中必須有Nd富集相和B富集相。
日本專利第3080275號(hào)公報(bào)公開了添加0.05~1質(zhì)量%的Ga,但作為必需元素含有Nb。
日本專利第2904571號(hào)公報(bào)公開了使用所謂HDDR法制造燒結(jié)磁鐵的方法。公開了添加0~4at%的Ga。但是,使用氫化反應(yīng)的HDDR處理中的Ga的作用,在燒結(jié)磁鐵中沒有發(fā)現(xiàn)。
日本專利2002-38245號(hào)公報(bào)公開了混合使用不同的二種組成的合金原料的有關(guān)二合金法的發(fā)明。記載了在二種合金或一種合金中復(fù)合添加0.01~0.5質(zhì)量%的Ga和Al,但只公開了添加0.1質(zhì)量%Ga的實(shí)施例。
在上述以往技術(shù)中,在所有情況下,通過(guò)添加量比較多的Ga,或通過(guò)復(fù)合添加Ga和其他添加元素來(lái)提高矯頑力。但是沒有說(shuō)明和暗示通過(guò)減少B濃度,提高主相的存在比率,來(lái)提高殘留磁通密度Br的技術(shù)。
本發(fā)明是鑒于這些問(wèn)題而作出的,本發(fā)明的目的是提供一種通過(guò)減少B富集相(R1.1Fe4B4)的存在比率,提高主相的存在比率,來(lái)提高殘留磁通密度Br的R-T-B系燒結(jié)磁鐵。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的R-T-B系燒結(jié)磁鐵具有R為27.0質(zhì)量%~32.0質(zhì)量%(R為Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一種,必需包含Nd或Pr中的任何一種),T為63.0質(zhì)量%~72.5質(zhì)量%(T必需包含F(xiàn)e,可用Co置換50%以下的T),Ga為0.01質(zhì)量%~0.08質(zhì)量%,和B為0.85質(zhì)量%~0.98質(zhì)量%的組成。
在優(yōu)選實(shí)施方式中,含有M為2.0質(zhì)量%以下(M是從Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Hf、Ta、W選擇的至少一種)。
在優(yōu)選實(shí)施方式中,具有正方晶R2T14B型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的主相占磁鐵體積的90%以上,而且實(shí)質(zhì)上不包含R1.1Fe4B4相。
在優(yōu)選實(shí)施方式中,氧濃度為0.5質(zhì)量%以下,氮濃度為0.2質(zhì)量%以下,氫濃度為0.01質(zhì)量%以下。
本發(fā)明的R-T-B系燒結(jié)磁鐵的制造方法包括準(zhǔn)備具有R27.0質(zhì)量%~32.0質(zhì)量%(R為Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一種,必需包含Nd或Pr中的任何一種),T63.0質(zhì)量%~72.5質(zhì)量%(T必需包含F(xiàn)e,T的50%以下可用Co置換),Ga0.01質(zhì)量%~0.08質(zhì)量%,B0.85質(zhì)量%~0.98質(zhì)量%組成的合金的粉末的工序;成形上述合金粉末,進(jìn)行燒結(jié),制造燒結(jié)磁鐵的工序;對(duì)上述燒結(jié)磁鐵實(shí)施400℃~600℃的熱處理的工序。
在優(yōu)選實(shí)施方式中,準(zhǔn)備上述合金粉末的工序包括準(zhǔn)備上述合金的熔融物的工序;利用帶鋼鑄造法急冷上述合金的熔融物,通過(guò)凝固,制成急冷合金的工序;粉碎上述急冷合金的工序。
圖1為表示磁鐵特性的B濃度依存性的圖形。圖形中分別表示了添加0.02質(zhì)量%的Ga的實(shí)施例和不添加Ga的比較例的數(shù)據(jù)。
圖2為表示磁鐵特性的Ga濃度依存性的圖形。
圖3為表示31Nd-bal.Fe-1Co-0.2Al-0.1Cu-0.02Ga-0.93B的燒結(jié)磁鐵的金屬組織的照片。左邊的照片表示反射電子線的圖像,右邊的照片表示B的特征X射線圖像。
圖4為表示31Nd-bal.Fe-1Co-0.2Al-0.1Cu-0.02Ga-1.01B的燒結(jié)磁鐵的金屬組織的照片。左邊的照片表示反射電子線的圖像,右邊的照片表示B的特征X射線圖像。
圖5為表示31Nd-bal.Fe-1Co-0.2Al-0.1Cu-0.94B的燒結(jié)磁鐵的金屬組織的照片。左邊的照片表示反射電子線的圖像,右邊的照片表示B的特征X射線圖像。
圖6表示利用重稀土類Dy置換稀土類元素R的一部分的情況下的磁特性的圖形。
圖7為表示帶鋼鑄造法和鋼錠法中磁鐵特性的B濃度依存性的圖形。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明者發(fā)現(xiàn),通過(guò)添加0.01質(zhì)量%以上0.08質(zhì)量%以下的極微量的Ga,可以將B濃度設(shè)定為比先前的0.85質(zhì)量%~0.98質(zhì)量%范圍內(nèi)還低的值,抑制在晶粒邊界相上生成B富集相(Nd1.1Fe4B4),同時(shí)還可以抑制軟磁性R2Fe17相的生成,至此想到了本發(fā)明。
在本發(fā)明中,通過(guò)添加微量的Ga,抑制了在晶粒邊界相中生成B富集相以及軟磁性R2Fe17相,其結(jié)果發(fā)現(xiàn),即使在B濃度比較低的情況下,也不會(huì)使矯頑力降低,得到優(yōu)秀的磁特性。這種通過(guò)添加微量的Ga得出的效果是以前完全不知道的。上述以往技術(shù)文獻(xiàn)中所述的添加Ga是以在B濃度超過(guò)1.0質(zhì)量%的范圍內(nèi)時(shí)增大矯頑力等為目的的,但用添加微量的Ga也可達(dá)到抑制B濃度在0.98質(zhì)量%以下時(shí)產(chǎn)生的矯頑力降低的作用是本發(fā)明者最初發(fā)現(xiàn)的。
采用本發(fā)明即使B濃度設(shè)定得低,由于矯頑力難變動(dòng)沒有必要添加過(guò)剩的B,因此主相的存在比率增加,可提高殘留磁通密度Br。已知B富集相的存在對(duì)耐蝕性有不利影響,但在本發(fā)明的燒結(jié)磁鐵中,由于不存在實(shí)質(zhì)上的B富集相,因此耐蝕性提高。
另外,在本發(fā)明中,由于不需要隨著添加過(guò)剩的B而添加多余的R,因此可以避免貴重的稀土類元素R的浪費(fèi)性消費(fèi)。此外,當(dāng)反應(yīng)性好的稀土類元素R的濃度降低時(shí),還有使燒結(jié)磁鐵的耐蝕性進(jìn)一步提高的優(yōu)點(diǎn)。
另外,在本發(fā)明中,與先前的添加Ga比較,由于只添加低濃度的Ga,可以降低高價(jià)的Ga的使用量,可以充分地得到提高磁鐵特性的效果。
通過(guò)添加微量的Ga抑制軟磁性相的生成的詳細(xì)機(jī)理還不明確,但從以后詳細(xì)說(shuō)明的實(shí)驗(yàn)結(jié)果認(rèn)為,燒結(jié)后的熱處理起著重要的作用。
下面,說(shuō)明本發(fā)明的R-T-B系燒結(jié)磁鐵的優(yōu)選實(shí)施方式。
首先,制作具有R為27.0質(zhì)量%~32.0質(zhì)量%(R為Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一種,必需含有Nd或Pr中的任何一個(gè)),T為63.0質(zhì)量%~72.5質(zhì)量%(T必需含有Fe,可用Co置換50%以下的T),Ga為0.01質(zhì)量%~0.08質(zhì)量%和B為0.85質(zhì)量%~0.98質(zhì)量%的組成的合金。具體地是,溶解如上述組成的原材料,經(jīng)過(guò)冷卻、凝固制造合金。
上述合金的制造,可以采用眾所周知的一般方法進(jìn)行。在各種合金的制造方法中,更有效地被使用的是帶鋼鑄造法。利用帶鋼鑄造法可以得到例如板厚為0.1~5mm左右的鑄片。得到的鑄片R富集相微細(xì)地分散,具有作為主相的R2T14B相的短軸尺寸為0.1~50μm、長(zhǎng)軸尺寸為5μm~板厚程度的極微細(xì)的柱狀組織。由于這種柱狀組織的存在,可以得到高的磁特性。使用離心鑄造法代替帶鋼鑄造法也可以。另外,也可以使用直接還原擴(kuò)散法來(lái)代替溶解、合金化的工序,制造上述組成的合金。
使用眾所周知的方法將得到的合金粉碎至平均粒徑為1-10μm。最好通過(guò)進(jìn)行粗粉碎工序和微粉碎工序二種粉碎,制造這種合金粉末。粗粉碎可以通過(guò)使用氫吸收粉碎法或盤式粉碎機(jī)的機(jī)械粉碎法進(jìn)行。另外,微粉碎可以通過(guò)噴射式粉碎機(jī)粉碎法,球粉碎機(jī),濕式粉碎攪拌機(jī)等的機(jī)械粉碎法進(jìn)行。
通過(guò)上述粉碎得到的微粉碎粉,利用公知的成形技術(shù)制成各種形狀。成形一般使用磁場(chǎng)中的壓縮成形法進(jìn)行,但也可以使用在脈沖取向后的靜水壓成形或在橡膠模型內(nèi)成形的方法進(jìn)行。
為了提高成形時(shí)的給粉效率、成形密度的均勻性、成形時(shí)的分離性,優(yōu)選在微粉碎前的粉末和/或微粉碎后的粉末中,添加脂肪酸酯等的液狀潤(rùn)滑劑,或硬脂酸鋅等的固狀潤(rùn)滑劑。添加量?jī)?yōu)選為相對(duì)于粉末100重量部分為0.01~5重量部分。
成形后的成形體,可利用公知的方法燒結(jié)。燒結(jié)溫度優(yōu)選為1000℃~1180℃,燒結(jié)時(shí)間優(yōu)選為1~6小時(shí)。對(duì)燒結(jié)后的燒結(jié)體進(jìn)行規(guī)定的熱處理。通過(guò)該熱處理,本發(fā)明的添加微量的Ga的效果和B的削減效果更顯著。熱處理?xiàng)l件是溫度為400℃~600℃,時(shí)間為1-8小時(shí)。
R是稀土類燒結(jié)磁鐵的必需元素,可從Nd、Pr、Dy、Tb中選擇至少一種。但是,優(yōu)選R必需包含Nd或Pr中的任何一種。更優(yōu)選是使用由Nd-Dy,Nd-Tb,Nd-Pr-Dy或Nd-Pr-Tb表示的稀土類元素的組合。
稀土類元素中,特別是Dy和Tb可發(fā)揮提高矯頑力的效果。除上述元素以外也可以含有少量的Ce或La等其他稀土類元素,也可以使用稀土金屬合金或釹鐠混合物。另外,R也可以不是純?cè)?,在工業(yè)上可得到的范圍內(nèi),含有制造上不可避免的雜質(zhì)也沒妨礙。由于含有量不滿27.0質(zhì)量%得不到高的磁特性,特別是不能得到高的矯頑力,而當(dāng)超過(guò)32.0質(zhì)量%時(shí),殘留磁通密度降低,因此定為27.0質(zhì)量%~32.0質(zhì)量%。
T必需含有Fe,可以用Co置換其50%以下。另外,還可以含有Fe和Co以外的少量的過(guò)渡金屬元素。Co對(duì)提高溫度特性和耐蝕性有效,通常組合使用10質(zhì)量%以下的Co和剩余量的Fe。由于含有量不滿63.0質(zhì)量%時(shí),殘留磁通密度減少,而當(dāng)超過(guò)72.5質(zhì)量%時(shí),矯頑力降低,因此定為63.0質(zhì)量%~72.5質(zhì)量%。
Ga為本發(fā)明的必需元素。以往,Ga的目的主要是提高矯頑力,需要添加較多的量(0.08質(zhì)量%以上),但在本發(fā)明中,通過(guò)添加微量的Ga即使減少B到極接近化學(xué)計(jì)量比的區(qū)域,也可發(fā)揮不降低矯頑力的至今沒有預(yù)測(cè)到的效果。
在本發(fā)明中,設(shè)定Ga的含有量為0.01質(zhì)量%~0.08質(zhì)量%。當(dāng)不滿0.01質(zhì)量%時(shí),得不到上述特征,另外,難于通過(guò)分析進(jìn)行管理。當(dāng)超過(guò)0.08質(zhì)量%時(shí),如后面所述,可使殘留磁通密度Br降低,因此不優(yōu)選。
本發(fā)明的Ga可以單獨(dú)添加,即,不與其他添加元素復(fù)合進(jìn)行添加也可發(fā)揮其效果,但是,為了其他目的,例如以提高矯頑力為目的添加后述的M元素等也無(wú)妨。
B是必需的元素,如上所述,其含有量通過(guò)含有Ga可以極其接近化學(xué)計(jì)量比,在0.85質(zhì)量%~0.98質(zhì)量%。
當(dāng)B不滿0.85質(zhì)量%時(shí),軟磁性的R2Fe17相析出,矯頑力大幅度降低,當(dāng)超過(guò)0.98質(zhì)量%,B的富集相增加,得不到高的殘留磁通密度。因此,在本發(fā)明中,將B濃度設(shè)定在0.85質(zhì)量%~0.98質(zhì)量%的范圍內(nèi)。特別優(yōu)選的范圍為0.90質(zhì)量%~0.96質(zhì)量%。由此,根據(jù)本發(fā)明,由于降低了B濃度,從實(shí)質(zhì)上去除了燒結(jié)磁鐵的構(gòu)成相中的B富集相(R1.1Fe4B4),可以提高主相的體積比率。其結(jié)果,可在不降低矯頑力的情況下提高燒結(jié)磁鐵的殘留磁通密度。
另外,B的一部分可用C置換。已知當(dāng)進(jìn)行這種置換時(shí),磁鐵的耐蝕性提高。在本發(fā)明的磁鐵中,也可以用C置換B,但由于C置換伴隨著矯頑力的降低,因此不優(yōu)選。通常的燒結(jié)磁鐵的制造方法中,磁鐵中含有的C不能置換主相中的B,在晶粒邊界上作為稀土類碳化物等的雜質(zhì)存在,降低磁特性。
為了提高矯頑力,可以添加M元素。M元素為Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Hf、Ta、W中的至少一種。添加量?jī)?yōu)選為2.0質(zhì)量%以下。因?yàn)椋?dāng)超過(guò)2.0質(zhì)量%時(shí),會(huì)使殘留磁通密度降低。
在本發(fā)明中,除了上述元素以外,允許有不可避免的雜質(zhì)。例如,從Fe中混入的Mn、Cr或從Fe-B(硼鐵合金)中混入的Al、Si、Cu等。
通過(guò)利用上述的粉末冶金方法,由上述組成的合金制造燒結(jié)磁鐵,所得到的燒結(jié)磁鐵的構(gòu)成相成為正方晶R2T14B型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的主相占磁鐵體積的90%以上,而且實(shí)質(zhì)上不含R1.1Fe4B4相的構(gòu)成相。
另外,所得到的燒結(jié)磁鐵中,優(yōu)選氧在0.5質(zhì)量%以下,氮在0.2質(zhì)量%以下,氫在0.01質(zhì)量%以下。這樣,通過(guò)限制氧,氮和氫濃度的上限,可以提高主相比率,提高殘留磁通密度Br。
(實(shí)施例1)熔融組成為31.0質(zhì)量%Nd,1.0質(zhì)量%Co,0.02質(zhì)量%Ga,0.93~1.02質(zhì)量%B,0.2質(zhì)量%Al,0.1質(zhì)量%Cu,余量為Fe的各個(gè)元素,通過(guò)帶鋼鑄造法使其凝固。對(duì)于這樣得到的B量不同的合金,利用氫加壓的氫脆化法脆化后,在真空中在600℃(873K)下保持1小時(shí),冷卻,得到原料粗粉。利用氣流式粉碎機(jī)(日本Pneumatic公司制的PJM),在氮?dú)獾臍怏w氛圍中進(jìn)行微粉碎。利用FSSS測(cè)定結(jié)果,不論什么試料得出的微粉末的粒度都為3.0±0.1μm。
在0.8MA/m的磁場(chǎng)中,在196MPa的壓力下使該微粒末成形。成形體的尺寸為15mm×20mm×20mm。成形時(shí),不使用一切潤(rùn)滑劑和粘合劑,另外,使用了磁場(chǎng)附加方向和加壓方向重直的垂直磁場(chǎng)成形機(jī)。
使用真空燒結(jié)爐,在800℃(1073K)下保持該成形體1小時(shí)后,在1040℃(1313K)下保持2小時(shí),進(jìn)行燒結(jié)。這時(shí),爐內(nèi)的氣體環(huán)境是,用導(dǎo)入氬氣(Ar)的同時(shí)真空排氣的方法,將Ar分壓保持在300Pa。冷卻利用在爐內(nèi)將Ar氣恢復(fù)至大氣壓,使Ar流出自然冷卻的方法進(jìn)行。
機(jī)械加工得到的燒結(jié)體后,利用BH測(cè)定儀評(píng)價(jià)磁鐵特性后,在Ar的氣體環(huán)境下,在500℃(773K),進(jìn)行1小時(shí)的熱處理,再次進(jìn)行機(jī)械加工,再用BH測(cè)定儀評(píng)價(jià)磁鐵特性。
評(píng)價(jià)磁鐵特性后,在350℃(623K)下進(jìn)行1小時(shí)的熱處理將各試料熱消磁后,在氮?dú)鈿怏w環(huán)境中,用鋼制研缽粉碎分析試料,用ICP進(jìn)行成分分析,用氣體分析裝置進(jìn)行碳、氮、氧元素分析,用TDS進(jìn)行氫元素分析。以下數(shù)據(jù)所示的組成全部是燒結(jié)磁鐵的分析值。密度用阿基米德法測(cè)定。
所得到的燒結(jié)體的殘留磁通密度(Br),矯頑力(Hcj),燒結(jié)密度如圖1所示。另外,在圖1中還表示了在500℃下對(duì)上述燒結(jié)體進(jìn)行1小時(shí)的熱處理后的磁特性。圖1是表示磁鐵特性的B濃度的依存性的圖形。在圖形中分別表示了添加0.02質(zhì)量%的Ga的實(shí)施例和不添加Ga的比較例的數(shù)據(jù)。圖中的○曲線表示沒有熱處理(燒結(jié)狀態(tài)的as-sintered)的情況下的測(cè)定結(jié)果,●曲線表示有熱處理(heat treated)的情況下的測(cè)定結(jié)果。
在R量(Nd)一定的情況下,B濃度減少的同時(shí)Br提高,但在本實(shí)施例中(○沒有熱處理,●熱處理后),在B濃度低的區(qū)域,特別是在熱處理后,矯頑力不降低。特別是,在B濃度為0.98質(zhì)量%以下的情況下,通過(guò)加熱處理可以大幅度地改善矯頑力。
另一方面,在比較例中(△沒有熱處理?!鵁崽幚砗?,當(dāng)B濃度在0.98質(zhì)量%以下時(shí),矯頑力急劇降低。這種矯頑力的降低,用熱處理也不能改善。
另外,在所有的試料中,氧在0.36~0.40質(zhì)量%,氮在0.004~0.015質(zhì)量%,碳在0.04~0.05質(zhì)量%,氫在0.002質(zhì)量%以下。
(實(shí)施例2)圖2為表示將R量固定在31質(zhì)量%,將B量固定在0.94質(zhì)量%,改變Ga量的情況下的磁鐵特性與密度的圖形。從圖1的圖形中可看出,B濃度(0.94質(zhì)量%)設(shè)定在Ga添加效果顯著的組成范圍內(nèi)。
本實(shí)施例的試料制作方法與實(shí)施例1的試料制作方法相同。從圖2的圖形中○表示的沒有熱處理的磁鐵特性可知,通過(guò)添加Ga可以提高矯頑力Hcj。另外,從●表示的熱處理后(heat treated)的磁鐵特性可知,即使添加極微量(0.01質(zhì)量%)的Ga,也可以更有效地提高矯頑力Hcj。
另一方面,殘留磁通密度Br在Ga濃度為0.04質(zhì)量%附近時(shí)具有峰值。特別是當(dāng)Ga濃度超過(guò)0.08質(zhì)量%時(shí),不論是否提高燒結(jié)體的密度,殘留磁通密度Br比沒有添加Ga情況時(shí)的殘留磁通密度Br還要低。
從以上可知,如本發(fā)明所述,在設(shè)定B濃度低的情況下,必需使Ga濃度設(shè)定在0.08質(zhì)量%以下。如果如以往一樣Ga濃度超過(guò)0.08質(zhì)量%,則發(fā)生殘留磁通密度Br降低,因此不優(yōu)選。
另外,本數(shù)據(jù)的樣品都是,氧0.38~0.44質(zhì)量%,氮0.004~0.012質(zhì)量%,碳0.03~0.05質(zhì)量%,氫0.002質(zhì)量%以下。
(實(shí)施例3)對(duì)于實(shí)施例1中使用的試料,對(duì)熱消磁后的磁鐵進(jìn)行機(jī)械加工,進(jìn)行研磨,觀察金屬組織。圖3表示31Nd-bal.Fe-1Co-0.2Al-0.1Cu-0.02Ga-0.93B的燒結(jié)磁鐵的金屬組織。圖3的左邊的照片表示反射電子線的圖像,右邊的照片表示B的特征X射線圖像。在該組成中,看不出B的聚點(diǎn),實(shí)質(zhì)上沒有B富集相。
(比較例)對(duì)于實(shí)施例1中使用的試料,對(duì)消磁后的磁鐵進(jìn)行機(jī)械加工,進(jìn)行研磨,觀察金屬組織。圖4表示31Nd-bal.Fe-1Co-0.2Al-0.1Cu-0.02Ga-1.01B的燒結(jié)磁鐵的金屬組織。圖4的左邊的照片表示反射電子線的圖像,右邊的照片表示B的特征X射線圖像。從圖4中可看出,觀察到了B的聚點(diǎn)。即,在B過(guò)剩的組成中,即使添加Ga也生成B富集相。
圖5表示31Nd-bal.Fe-1Co-0.2Al-0.1Cu-0.94B的燒結(jié)磁鐵的金屬組織。在圖5的燒結(jié)磁鐵中,沒有添加Ga,其矯頑力如圖1的圖形所示較低。
另外,從B的特征x射線圖像看出,沒有觀察到B富集相。根據(jù)Nd-Fe-B的三元狀態(tài)圖認(rèn)為,生成有強(qiáng)磁性的Nd2Fe17相。在不添加Ga,而且B濃度低的組成的燒結(jié)磁鐵中,矯頑力降低的原因認(rèn)為是由于Nd2Fe17相的析出。
(實(shí)施例4)本實(shí)施例是在與實(shí)施例1同樣制造的試料中,利用重稀土類Dy置換稀土類元素R的一部分。圖6表示磁特性的Dy置換率的依存性。從圖6中可看出,即使B濃度是0.93質(zhì)量%的低值,通過(guò)添加Ga也可得到大的矯頑力。
(實(shí)施例5)使燒結(jié)磁鐵的組成為31.0質(zhì)量%Nd,1.0質(zhì)量%Co,0.04質(zhì)量%Ga,0.2質(zhì)量%Al,0.1質(zhì)量%Cu,0.93~1.01質(zhì)量%B,余量是Fe,熔融、鑄造含有各元素的原料。在本實(shí)施例中,利用帶鋼鑄造法和鋼錠法的各種方法,進(jìn)行上述的熔融和鑄造。這樣得到的合金中所含的B量,在每種試料中都為0.93~1.01質(zhì)量%范圍內(nèi)的不同值。
對(duì)于這種B濃度不同的合金,利用與實(shí)施例1相同的方法制造燒結(jié)磁鐵。但是,在帶鋼鑄造法的利用母合金的情況下,燒結(jié)溫度設(shè)定為1040℃(1313K),在鋼錠法的使用母合金的情況下,燒結(jié)溫度設(shè)定為1070℃(1343K)。在燒結(jié)溫度下的保持時(shí)間,在所有情況下都是2小時(shí)。
與實(shí)施例1的評(píng)價(jià)相同,對(duì)所得到的磁鐵進(jìn)行評(píng)價(jià)。圖7表示在500℃(773K)下進(jìn)行1小時(shí)的熱處理后的磁特性的B濃度的依存性。圖7中的○表示用帶鋼鑄造法得到的合金的數(shù)據(jù),□表示由鋼錠法得到的合金的數(shù)據(jù)。
從圖7中可看出,在任一種鑄造方法的情況下,與圖1的比較例所示的不添加Ga的情況(▲)相比,在更少的B量下矯頑力也不降低,Ga的添加可以有效地削減B。另外可知,使用帶鋼鑄造法制造的合金比使用鋼錠法制造的合金,可以發(fā)揮更優(yōu)秀的效果。
另外,在本實(shí)施例的所有試料中,氧0.38~0.41質(zhì)量%,氮0.012~0.020質(zhì)量%,碳0.04~0.06質(zhì)量%,氫0.02質(zhì)量%以下。
產(chǎn)業(yè)上利用的可能性根據(jù)本發(fā)明可提供,即使降低B濃度也可以抑制生成軟磁性相的同時(shí),實(shí)質(zhì)上不含有B富集相(R1.1Fe4B4)的高矯頑力的燒結(jié)磁鐵。由于B是PRTR法中指定的物質(zhì),因此可以削減B的使用的方法本身就帶來(lái)優(yōu)秀的效果。
另外,采用本發(fā)明的組成,由于熱處理后矯頑力相對(duì)于B濃度完全沒有變化(降低),因此,可以緩和有關(guān)B濃度的管理基準(zhǔn),可以提供再現(xiàn)性好的高品質(zhì)的燒結(jié)磁鐵。
本發(fā)明中使用的Ga為高價(jià)的金屬,但如果采用本發(fā)明,因添加比以往極微量的Ga就可得到上述效果,因此不會(huì)造成成本提高。另外,通過(guò)消滅B的富集相,可以實(shí)現(xiàn)削減必要的R量,因此,可以降低成本。進(jìn)一步,如上所述,通過(guò)B富集相的消滅和R量的削減,可得到提高耐蝕性的優(yōu)點(diǎn)。
權(quán)利要求書(按照條約第19條的修改)1.(補(bǔ)正后)一種R-T-B系燒結(jié)磁鐵,其特征在于具有以下組成R27.0質(zhì)量%~32.0質(zhì)量%(R為Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一種,必需包含Nd或Pr中的任何一種);T63.0質(zhì)量%~72.5質(zhì)量%(T必需包含F(xiàn)e,T的50%以下可用Co置換);Ga0.01質(zhì)量%~0.08質(zhì)量%;以及,B0.85質(zhì)量%~0.98質(zhì)量%,具有正方晶R2T14B型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的主相占磁鐵體積的90%以上,而且實(shí)質(zhì)上不包含R1.1Fe4B4相。
2.如權(quán)利要求1所述的R-T-B系燒結(jié)磁鐵,其特征在于含有M為2.0質(zhì)量%以下(M為由Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Hf、Ta、W構(gòu)成的群中選擇的至少一種)。
3.(刪除)4.如權(quán)利要求1或2所述的R-T-B系燒結(jié)磁鐵,其特征在于氧濃度在0.5質(zhì)量%以下,氮濃度在0.2質(zhì)量%以下,氫濃度在0.01質(zhì)量%以下。
5.一種R-T-B系燒磁鐵的制造方法,其特征在于包括準(zhǔn)備具有R27.0質(zhì)量%~32.0質(zhì)量%(R為Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一種,必需包含Nd或Pr中的任何一種)、T63.0質(zhì)量%~72.5質(zhì)量%(T必需包含F(xiàn)e,T的50%以下可用Co置換)、Ga0.01質(zhì)量%~0.08質(zhì)量%、B0.85質(zhì)量%~0.98質(zhì)量%的組成的合金粉末的工序;把所述合金粉末成形,燒結(jié),制造燒結(jié)磁鐵的工序;對(duì)所述燒結(jié)磁鐵實(shí)施400℃~600℃的熱處理的工序。
6.如權(quán)利要求5所述的R-T-B系燒結(jié)磁鐵的制造方法,其中準(zhǔn)備所述合金粉末的工序包括準(zhǔn)備所述合金的熔融物的工序;通過(guò)帶鋼鑄造法急冷所述合金的熔融物,通過(guò)凝固制成急冷合金的工序;粉碎所述急冷合金的工序。
權(quán)利要求
1.一種R-T-B系燒結(jié)磁鐵,其特征在于具有以下組成R27.0質(zhì)量%~32.0質(zhì)量%(R為Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一種,必需包含Nd或Pr中的任何一種);T63.0質(zhì)量%~72.5質(zhì)量%(T必需包含F(xiàn)e,T的50%以下可用Co置換);Ga0.01質(zhì)量%~0.08質(zhì)量%;以及,B0.85質(zhì)量%~0.98質(zhì)量%。
2.如權(quán)利要求1所述的R-T-B系燒結(jié)磁鐵,其特征在于含有M為2.0質(zhì)量%以下(M為由Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Ni、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、In、Sn、Hf、Ta、W構(gòu)成的群中選擇的至少一種)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的R-T-B系燒結(jié)磁鐵,其特征在于具有正方晶R2T14B型結(jié)晶結(jié)構(gòu)的主相占磁鐵體積的90%以上,而且實(shí)質(zhì)上不包含R1.1Fe4B4相。
4.如權(quán)利要求1或2所述的R-T-B系燒結(jié)磁鐵,其特征在于氧濃度在0.5質(zhì)量%以下,氮濃度在0.2質(zhì)量%以下,氫濃度在0.01質(zhì)量%以下。
5.一種R-T-B系燒磁鐵的制造方法,其特征在于包括準(zhǔn)備具有R27.0質(zhì)量%~32.0質(zhì)量%(R為Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一種,必需包含Nd或Pr中的任何一種)、T63.0質(zhì)量%~72.5質(zhì)量%(T必需包含F(xiàn)e,T的50%以下可用Co置換)、Ga0.01質(zhì)量%~0.08質(zhì)量%、B0.85質(zhì)量%~0.98質(zhì)量%的組成的合金粉末的工序;把所述合金粉末成形,燒結(jié),制造燒結(jié)磁鐵的工序;對(duì)所述燒結(jié)磁鐵實(shí)施400℃~600℃的熱處理的工序。
6.如權(quán)利要求5所述的R-T-B系燒結(jié)磁鐵的制造方法,其中準(zhǔn)備所述合金粉末的工序包括準(zhǔn)備所述合金的熔融物的工序;通過(guò)帶鋼鑄造法急冷所述合金的熔融物,通過(guò)凝固制成急冷合金的工序;粉碎所述急冷合金的工序。
全文摘要
提供降低B濃度的同時(shí)矯頑力充分高的R-T-B系燒結(jié)磁鐵。本發(fā)明的R-T-B系燒結(jié)磁鐵的組成是R27.0質(zhì)量%~32.0質(zhì)量%(R為Nd、Pr、Dy、Tb中的至少一種,必需包含Nd或Pr中的任何一種)、T63.0質(zhì)量%~72.5質(zhì)量%(T必需包含F(xiàn)e,T的50%以下可用Co置換)、Ga為0.01質(zhì)量%~0.08質(zhì)量%、以及B0.85質(zhì)量%~0.98質(zhì)量%。
文檔編號(hào)H01F41/02GK1717755SQ20048000155
公開日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2004年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月12日
發(fā)明者富澤浩之, 松浦裕 申請(qǐng)人:株式會(huì)社新王磁材