專利名稱：芯片電阻器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在制成芯片型的絕緣基板的上面形成電阻膜而成的芯片電阻器當(dāng)中的提高了耐振蕩特性的芯片電阻器及其制造方法。
背景技術(shù)：
一般來(lái)說(shuō)，在制成芯片型的絕緣基板的上面形成電阻膜而成的芯片電阻器中，有在施加了因靜電或電源噪音等的影響而產(chǎn)生的振蕩電壓的情況下，其電阻值容易變化的缺點(diǎn)。已知由該振蕩電壓產(chǎn)生的電阻值的變化可以通過(guò)延長(zhǎng)電阻膜的電流所流經(jīng)的路徑的長(zhǎng)度來(lái)改善。
所以，在作為先行技術(shù)的專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)2中，記載有通過(guò)形成如下構(gòu)成來(lái)提高耐振蕩特性的芯片電阻器。
即，所述兩專利文獻(xiàn)當(dāng)中的前者的專利文獻(xiàn)1中所記載的芯片電阻器1’如圖13所示，在形成芯片型的絕緣基板2’的上面當(dāng)中的沿著長(zhǎng)邊方向的左右兩端的部分上，形成端子電子3’、4’，另一方面，在所述絕緣基板2’的上面當(dāng)中的所述端子電極3’、4’之間的部分上，以適當(dāng)寬度尺寸W利用網(wǎng)板印刷形成沿著所述絕緣基板2’的長(zhǎng)邊方向延伸的電阻膜5’時(shí)，將該電阻膜5’的長(zhǎng)邊方向的一端5a’及另一端5b’在與該電阻膜5’的寬度尺寸W相同的狀態(tài)下與所述兩端子電極3’、4’電導(dǎo)通，另外，在所述電阻膜5’當(dāng)中的長(zhǎng)邊方向的近似中央的部分上，將從該電阻膜5’的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面5c’、5d’當(dāng)中的一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5c’向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5d’延伸的第1進(jìn)入槽7’、從所述另一方的長(zhǎng)方側(cè)面5d’向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5c’延伸的第2進(jìn)入槽8’在分別使第1進(jìn)入槽7’位于電阻膜5’的另一端5b’側(cè)而第2進(jìn)入槽8’位于電阻膜5’的一端5a’側(cè)的狀態(tài)下相互鄰接，與利用網(wǎng)板印刷形成所述電阻膜5’的同時(shí)形成。
此外，在所述電阻膜5’當(dāng)中的一端5a’和所述第2進(jìn)入槽8’之間的部分上，利用激光光線的照射等刻設(shè)第1修整槽9’，使其從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5c’向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5d’延伸，另外，在所述電阻膜5’當(dāng)中的另一端5b’和所述第1進(jìn)入槽7’之間的部分上，利用激光光線等的照射刻設(shè)第2修整槽10’，使其從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5d’向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5c’延伸，通過(guò)將所述電阻膜5’用所述兩進(jìn)入槽7’、8’及兩修整槽9’、10’制成曲折狀，從而在所述電阻膜5’中盡可能地延長(zhǎng)電流所流經(jīng)的路徑的長(zhǎng)度。
另外，所述兩專利文獻(xiàn)當(dāng)中的專利文獻(xiàn)2中所記載的芯片電阻器21’如圖14所示，在形成了芯片型的絕緣基板22’的上面當(dāng)中沿著長(zhǎng)邊方向的左右兩端的部分上，形成端子電極23’、24’，另一方面，在所述絕緣基板22’的上面當(dāng)中的所述兩端子電極23’、24’之間的部分上，以適當(dāng)?shù)膶挾瘸叽鏦利用網(wǎng)板印刷形成沿所述絕緣基板22’的長(zhǎng)邊方向延伸的電阻膜25’時(shí)，在該電阻膜25’的長(zhǎng)邊方向的一端25a’上，在該電阻膜25’的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面25c’、25d’當(dāng)中的一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25c’的部分上一體化地設(shè)置第1窄幅部26’，借助該第1窄幅部26’與所述一方的端子電極23’電連接，在所述電阻膜25’的長(zhǎng)邊方向的另一端25b’上，在該電阻膜25’的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面25c’、25d’當(dāng)中的另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25d’的部分上一體化地設(shè)置窄幅部27’，借助該第2窄幅部27’與所述另一方的端子電極24’電連接，另外，在所述電阻膜25’上，與利用網(wǎng)板印刷形成所述電阻膜25’同時(shí)地在該電阻膜25’當(dāng)中的與所述另一端25b’鄰接的部分上形成從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25d’向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25c’延伸的第1進(jìn)入槽28’，在該電阻膜25’當(dāng)中的與所述另一端25a’鄰接的部分上形成從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25c’向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25d’延伸的第2進(jìn)入槽29’。
此外，在所述電阻膜25’中，在所述兩進(jìn)入槽28’、29’的部分當(dāng)中的與所述第1進(jìn)入槽28’鄰接的部分上，利用激光光線等的照射刻設(shè)第1修整槽30’，使之從另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25c’向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25d’延伸，另外，在所述電阻膜25’中，在所述兩進(jìn)入槽28’、29’之間的部分當(dāng)中的與第2進(jìn)入槽29’鄰接的部分上，利用激光光線等的照射刻設(shè)第2修整槽31’，使之從另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25d’向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25c’延伸，通過(guò)將所述電阻膜25’利用所述兩進(jìn)入槽28’、29’及兩修整槽30’、31’制成曲折狀，從而在所述電阻膜25’中盡可能地延長(zhǎng)電流所流經(jīng)的路徑的長(zhǎng)度。
專利文獻(xiàn)1特開2002-338801號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2特開平9-205004號(hào)公報(bào)根據(jù)所述的專利文獻(xiàn)1中所述的構(gòu)成(圖13)，由于通過(guò)使電阻膜5’因兩進(jìn)入槽7’、8’及兩修整槽30’、31’而變?yōu)榍蹱?，在電阻膜中電流所流?jīng)的路徑的長(zhǎng)度變長(zhǎng)，因此就可以在形成小型及輕量化的狀態(tài)的基礎(chǔ)上可靠地提高耐振蕩特性。
但是，另一方面，由于將所述四條槽7’、8’、9’、10’當(dāng)中的兩條修整槽9’、10’刻設(shè)在電阻膜5’中的與兩端子電極3’、4’以相同寬度尺寸W連接的部分上，因此就會(huì)有如下所述的問(wèn)題。
(1)所述兩修整槽9’、10’雖然是兼有增加用于延長(zhǎng)在電阻膜5’中電流所流經(jīng)的路徑的長(zhǎng)度的曲折的數(shù)目和將兩端子電極3’、4’之間的電阻值調(diào)整為落入特定的規(guī)格范圍內(nèi)這兩方面作用而刻設(shè)的，但是所述兩修整槽9’、10’由于被設(shè)于電阻膜5’仍以其寬度尺寸W與兩端子電極3’、4’連接的部分上，因此該兩修整槽9’、10’的每單位長(zhǎng)度的電阻值的變化率較小，所以通過(guò)在測(cè)定兩端子電極3’、4’之間的電阻值的同時(shí)刻設(shè)所述兩修整槽9’、10’而將所述電阻值修整調(diào)節(jié)為落入特定的規(guī)格范圍時(shí)就需要較多時(shí)間，生產(chǎn)性較低。
(2).所述電阻膜5’由于按照減少刻設(shè)兩修整槽9’、10’之前的電阻值和刻設(shè)兩修整槽9’、10’之后的電阻值的差值的方式而構(gòu)成，因此當(dāng)所述兩修整槽的每單位長(zhǎng)度的電阻值的變化率在兩修整槽9’、10’中相同時(shí)，則能夠使電阻值落入特定的規(guī)格范圍內(nèi)的保留率變低，所述的生產(chǎn)性較低，隨之導(dǎo)致制造成本的升高。
(3).在刻設(shè)所述兩修整槽9’、10’時(shí)，存在刻設(shè)修整槽的位置在電阻膜的長(zhǎng)邊方向上偏移這樣的誤差，由于該位置偏移誤差的影響，所述電阻膜5’當(dāng)中的第1修整槽9’和第2修整槽10’之間的間隔尺寸S1及第2修整槽10’和第1修整槽7’之間的間隔尺寸S2當(dāng)中的任意一方或雙方就會(huì)越過(guò)特定值例如電阻膜5’當(dāng)中兩進(jìn)入槽7’、8’之間的間隔尺寸S0而變小，使得成為不合格產(chǎn)品，不合格產(chǎn)品的發(fā)生率進(jìn)一步提高。
另一方面，根據(jù)所述專利文獻(xiàn)2中所述的構(gòu)成，由于在電阻膜25’的兩端，具有與兩端子電極23’、24’重疊的窄幅部26’、27’，因此就可以使曲折的數(shù)目與將所述電阻膜25’的一端不借助窄幅部地像所述專利文獻(xiàn)1那樣仍以較寬的寬度與端子電極連接的情況相比更多，從而可以不增大絕緣基板22的長(zhǎng)度尺寸地延長(zhǎng)在電阻膜中電流所流經(jīng)的路徑的長(zhǎng)度，因而可以在小型及輕量化狀態(tài)的基礎(chǔ)上大幅度地提高耐振蕩特性。
但是，另一方面，由于將所述四條槽28’、29’、30’、31’當(dāng)中的兩條修整槽30’、31’相互鄰接地刻設(shè)，因此就會(huì)有如下所述的問(wèn)題。
即，所述兩修整槽30’、31’雖然各自兼有增加用于延長(zhǎng)在電阻膜5’中電流所流經(jīng)的路徑的長(zhǎng)度的曲折的數(shù)目和將兩端子電極23’、24’之間的電阻值調(diào)整為落入特定的規(guī)格范圍內(nèi)的作用分別而刻設(shè)的，但是在刻設(shè)該修整槽時(shí)，存在刻設(shè)修整槽的位置在電阻膜的長(zhǎng)邊方向上偏移這樣的誤差。
在該情況下，當(dāng)采用將該兩條修整槽30’、31’按照相互鄰接的方式并列刻設(shè)的構(gòu)成時(shí)，在分別刻設(shè)這兩條修整槽30’、31’時(shí)，該兩修整槽30’、31’在因其刻設(shè)加工時(shí)的所述位置偏移誤差而相互接近時(shí)，電阻膜25’當(dāng)中的所述兩修整槽30’、31’之間的間隔尺寸S1就會(huì)越過(guò)特定值而變小，例如超過(guò)電阻膜25’當(dāng)中的從另一端25b’到第1進(jìn)入槽28’之間的間隔尺寸S0及從一端25a’到第2進(jìn)入槽29’之間的間隔尺寸S0，從而變?yōu)椴缓细癞a(chǎn)品，不合格產(chǎn)品的發(fā)生率提高。
為了避免此種不合格產(chǎn)品的產(chǎn)生，雖然預(yù)估所述刻設(shè)加工時(shí)的位置偏移誤差的部分而拓寬所述兩修整槽30’、31’的間隔即可，但是如此構(gòu)成不僅會(huì)增大絕緣基板22的長(zhǎng)度尺寸，而且會(huì)導(dǎo)致大型化及重量的增加。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的方式1的目的在于，消除所述專利文獻(xiàn)1中所述的芯片電阻器所具有的所述問(wèn)題，方式2的目的在于，消除所述專利文獻(xiàn)1中所述的芯片電阻器所具有的所述問(wèn)題。
本發(fā)明的方式1是由形成芯片型的絕緣基板、形成于該絕緣基板的上面的左右兩端部的一對(duì)端子電極、在所述絕緣基板的上面當(dāng)中的所述兩端子電極間的部分上以適當(dāng)寬度尺寸沿兩端子電極的方向延伸地利用網(wǎng)板印刷形成的電阻膜構(gòu)成，并在所述電阻膜上，與利用網(wǎng)板印刷形成該電阻膜同時(shí)地形成從該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第1進(jìn)入槽、從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第2進(jìn)入槽而構(gòu)成的芯片電阻器，其特征是，將所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的一端仍以該電阻膜的寬度尺寸與所述一方的端子電極導(dǎo)通，另一方面，將所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的另一端借助設(shè)于該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分上的窄幅部與所述另一方的端子電極導(dǎo)通，另一方面，將所述第1進(jìn)入槽和所述第2進(jìn)入槽按照在所述第1進(jìn)入槽位于電阻膜的另一端側(cè)而所述第2進(jìn)入槽位于電阻膜的一端側(cè)的狀態(tài)下相互鄰接的方式配設(shè)在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的近似中央的部分上，在所述電阻膜當(dāng)中的一端和所述第2進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第1修整槽，使之從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸，另外，在所述電阻膜的另一端和所述第1進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第2修整槽，使之從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸。
該構(gòu)成中，刻設(shè)于電阻膜上的兩條修整槽當(dāng)中的第1修整槽由于被設(shè)于所述電阻膜中的仍以其寬度尺寸與一方的端子電極連接的部分上，因而該第1修整槽的每單位長(zhǎng)度的電阻值的變化率與所述先行技術(shù)的情況相同地較小。
與之相反，所述兩條修整槽當(dāng)中的第2修整槽由于被設(shè)于電阻膜當(dāng)中借助窄幅部與另一方的端子電極連接的另一端和第1進(jìn)入槽之間的部分上，因而該第2修整槽的每單位長(zhǎng)度的電阻值的變化率大于所述第1修整槽的電阻值的變化率。
所以，在將兩端子間的電阻值按照落入特定的規(guī)格范圍中的方式調(diào)整時(shí)，可以首先通過(guò)刻設(shè)電阻值變化率較大的第2修整槽，將電阻值按照接近特定的額定值的方式進(jìn)行粗調(diào)，然后，通過(guò)刻設(shè)電阻值變化率較小的第1修整槽，將電阻值按照落入特定的額定值的范圍的方式進(jìn)行精密的調(diào)整。
其結(jié)果是，可以因在利用第1修整槽進(jìn)行的精密調(diào)整之前利用第2修整槽進(jìn)行粗調(diào)，而將在測(cè)定兩端子間的電阻值的同時(shí)通過(guò)刻設(shè)所述兩修整槽而使所述電阻值落入特定的規(guī)定范圍地調(diào)整中所需要的時(shí)間縮短，從而可以提高生產(chǎn)性，并且可以降低保留率，因而可以降低制造成本。
另外，在該方式1中，通過(guò)使從第1修整槽到第2進(jìn)入槽之間的間隔尺寸、從第1進(jìn)入槽到第2修整槽之間的間隔尺寸及從電阻膜的另一端到第2修整槽之間的間隔尺寸各自與從所述第1進(jìn)入槽到第2進(jìn)入槽之間的間隔尺寸相比，增大刻設(shè)所述各修整槽時(shí)的位置偏移誤差的量，就可以避免電阻膜當(dāng)中的從第1修整槽到第2進(jìn)入槽之間的間隔尺寸、從第1進(jìn)入槽到第2修整槽之間的間隔尺寸、及從電阻膜的另一端到第2修整槽之間的間隔尺寸的各自由于刻設(shè)兩修整槽時(shí)的位置偏移誤差的影響，越過(guò)電阻膜當(dāng)中的兩進(jìn)入槽間的間隔尺寸而變小，因此就有可以可靠地減少不合格產(chǎn)品的發(fā)生率的優(yōu)點(diǎn)。
另外，在該方式1中，可以采用具有以下特征的制造方法，即，由在制成了芯片型的絕緣基板的上面當(dāng)中的左右兩端形成端子電極的工序、在所述絕緣基板的上面當(dāng)中的所述兩端子電極間的部位上利用網(wǎng)板印刷形成電阻膜的工序構(gòu)成，利用網(wǎng)板印刷形成所述電阻膜的工序包括將所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的一端仍以該電阻膜的寬度尺寸與所述一方的端子電極導(dǎo)通，在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的另一端上，一體化地設(shè)置在該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分與所述另一方的端子電極導(dǎo)通的第2窄幅部，以及在所述電阻膜上分別設(shè)置從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第1進(jìn)入槽、從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第2進(jìn)入槽，另外，還具備在所述電阻膜當(dāng)中的一端和所述第2進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第1修整槽，使之從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的工序、在所述電阻膜當(dāng)中的另一端和所述第1進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第2修整槽，使之從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的工序。
此外，本發(fā)明的方式2是如下制成的芯片電阻器，即，由制成了芯片的絕緣基板、形成于該絕緣基板的上面的左右兩端部的一對(duì)端子電極、在所述絕緣基板的上面當(dāng)中的所述兩端子電極間的部分上以適當(dāng)寬度尺寸沿兩端子電極的方向延伸地利用網(wǎng)板印刷形成的電阻膜構(gòu)成，在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的一端上，一體化地具備在該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分上與所述一方的端子電極導(dǎo)通的第1窄幅部，在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的另一端上，一體化地具備在該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分上與所述另一方的端子電極導(dǎo)通的第2窄幅部，另外，在所述電阻膜上，將從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第1進(jìn)入槽、從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第2進(jìn)入槽，與利用網(wǎng)板印刷形成該電阻膜同時(shí)地形成，其特征是，將所述第1進(jìn)入槽和所述第2進(jìn)入槽，按照在第1進(jìn)入槽位于電阻膜的另一端側(cè)而第2進(jìn)入槽位于電阻膜的一端側(cè)的狀態(tài)下相互鄰接的方式配設(shè)在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的近似中央的部分上，在所述電阻膜當(dāng)中的一端和所述第2進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第1修整槽，使之從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸，另外，在所述電阻膜當(dāng)中的另一端和所述第1進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第2修整槽，使之從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸。
該構(gòu)成中，由于在使將電阻膜以兩條進(jìn)入槽和兩條修整槽制成曲折狀的數(shù)目與先行技術(shù)相同的狀態(tài)的基礎(chǔ)上，使第1修整槽和第2修整槽不相互鄰接，兩條進(jìn)入槽位于其間，從而使之相互分離，因此在該兩修整槽因分別刻設(shè)加工它們時(shí)的位置偏移誤差的影響而相互接近的情況下，可以不增大絕緣基板的長(zhǎng)度尺寸地可靠地避免所述兩條進(jìn)入槽和兩條修整槽的相互間的間隔尺寸越過(guò)特定值而變小的情況。
其結(jié)果是，具有如下的效果，即，可以不導(dǎo)致產(chǎn)品的大型化及重量的增加且大幅度地降低制造時(shí)的不合格產(chǎn)品的發(fā)生率。
另外，該方式2中，通過(guò)使從電阻膜的一端到第1修整槽之間的間隔尺寸、從第1修整槽到第2進(jìn)入槽之間的間隔尺寸、從第1進(jìn)入槽到第2修整槽之間的間隔尺寸及從電阻膜的另一端到第2修整槽之間的間隔尺寸各自與從所述第1進(jìn)入槽到第2進(jìn)入槽之間的間隔尺寸相比，增大刻設(shè)所述各修整槽時(shí)的位置偏移誤差的量，就可以避免兩條進(jìn)入槽和兩條修整槽的相互之間的間隔尺寸由于刻設(shè)加工兩條修整槽時(shí)的位置偏移誤差的影響，與在利用網(wǎng)板印刷形成電阻膜時(shí)同時(shí)地形成的兩條進(jìn)入槽的相互間的間隔尺寸相比更小的情況，因此就有可以更為可靠地減少不合格產(chǎn)品的發(fā)生率的優(yōu)點(diǎn)。
另外，該方式2中，可以采用具有以下特征的制造方法，即，由在制成了芯片型的絕緣基板的上面當(dāng)中的左右兩端形成端子電極的工序、在所述絕緣基板的上面當(dāng)中的所述兩端子電極間的部位上利用網(wǎng)板印刷形成電阻膜的工序構(gòu)成，利用網(wǎng)板印刷形成所述電阻膜的工序包括在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的一端上，一體化地設(shè)置在該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分與一方的端子電極導(dǎo)通的第1窄幅部，在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的另一端上，一體化地設(shè)置在該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分與所述另一方的端子電極導(dǎo)通的第2窄幅部，以及在所述電阻膜上分別設(shè)置從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第1進(jìn)入槽、從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第2進(jìn)入槽，另外，還具備在所述電阻膜當(dāng)中的一端和所述第2進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第1修整槽，使之從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的工序、在所述電阻膜當(dāng)中的另一端和所述第1進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第2修整槽，使之從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的工序。
本發(fā)明的其他的目的、特征及優(yōu)點(diǎn)從基于以下附加的圖面說(shuō)明的實(shí)施方式可以清楚了解。


圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式1的芯片電阻器的俯視圖。
圖2是圖1的II-II視放大剖面圖。
圖3是表示在所述實(shí)施方式1的芯片電阻器的制造時(shí)工序1的圖。
圖4是表示在所述實(shí)施方式1的芯片電阻器的制造時(shí)工序2的圖。
圖5是表示在所述實(shí)施方式1的芯片電阻器的制造時(shí)工序3的圖。
圖6是表示在所述實(shí)施方式1的芯片電阻器的制造時(shí)工序4的圖。
圖7是本發(fā)明的實(shí)施方式2的芯片電阻器的俯視圖。
圖8是圖7的VIII-VIII視放大剖面圖。
圖9是表示所述實(shí)施方式2的芯片電阻器的制造時(shí)工序1的圖。
圖10是表示所述實(shí)施方式2的芯片電阻器的制造時(shí)工序2的圖。
圖11是表示所述實(shí)施方式2的芯片電阻器的制造時(shí)工序3的圖。
圖12是表示所述實(shí)施方式2的芯片電阻器的制造時(shí)工序4的圖。
圖13是表示以往的芯片電阻器的俯視圖。
圖14是其他的以往的芯片電阻器的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
圖1及圖2表示本發(fā)明的實(shí)施方式1的芯片電阻器1。
該芯片電阻器1在制成了寬度尺寸D、長(zhǎng)度尺寸L的長(zhǎng)方形的芯片型的絕緣基板2的上面當(dāng)中的沿著長(zhǎng)邊方向延伸的左右兩端的部分上，形成端子電極3、4，另一方面，在所述絕緣基板2的上面當(dāng)中的所述端子電極3、4之間的部分上，利用其材料糊狀物的網(wǎng)板印刷及其后的煅燒形成以適當(dāng)寬度尺寸W沿所述絕緣基板2的長(zhǎng)邊方向延伸的電阻膜5。
在利用網(wǎng)板印刷形成所述電阻膜5時(shí)，該電阻膜5的長(zhǎng)邊方向的一端5a雖然仍以該電阻膜5的寬度尺寸W與所述一方的端子電極3重疊連接，但是所述電阻膜5的長(zhǎng)邊方向的另一端5b在該電阻膜5的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面5c、5d當(dāng)中的另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5d的部分上一體化地設(shè)置窄幅部6，借助該窄幅部6與所述另一方的端子電極4電連接，另外，在所述電阻膜5上，將從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5c向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5d延伸的第1進(jìn)入槽7、從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5d向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5c延伸的第2進(jìn)入槽8與利用網(wǎng)板印刷形成所述電阻膜5同時(shí)地形成。
該情況下，將所述第1進(jìn)入槽7和所述第2進(jìn)入槽8配設(shè)在所述電阻膜5的長(zhǎng)邊方向的近似中央的部分上，使得在第1進(jìn)入槽7位于電阻膜5的另一端5b側(cè)而第2進(jìn)入槽8位于電阻膜5的一端5a側(cè)的狀態(tài)下相互鄰接。
此外，通過(guò)在所述電阻膜5當(dāng)中的一端5a和所述第2進(jìn)入槽8之間的部分上，利用激光光線的照射等刻設(shè)第1修整槽9，使之從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5c向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5d延伸，另外，在所述電阻膜5當(dāng)中的另一端5b和所述第1進(jìn)入槽7之間的部分上，相同地利用激光光線的照射等刻設(shè)第2修整槽10，使之從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5d向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面5c延伸，而將所述電阻膜5利用所述兩進(jìn)入槽7、8及兩修整槽9、10制成曲折狀。
而且，符號(hào)11表示在刻設(shè)加工了所述兩修整槽9、10后按照覆蓋所述電阻膜5的整體的方式形成的覆蓋涂層。另外，所述兩端子電極3、4經(jīng)過(guò)所述絕緣基板2的左右兩端面2a、2b而延伸至絕緣基板2的背面?zhèn)取?br> 通過(guò)如此構(gòu)成，刻設(shè)于電阻膜5上的兩條修整槽9、10當(dāng)中的第1修整槽9由于被設(shè)于所述電阻膜5當(dāng)中的仍以其寬度尺寸W與一方的端子電極3連接的部分上，因此該第1修整槽9的每單位長(zhǎng)度的電阻值的變化率與所述先行技術(shù)的情況同樣地較小。
與之相反，所述兩條修整槽9、10當(dāng)中的第2修整槽10由于被設(shè)于所述電阻膜5當(dāng)中的借助窄幅部6與另一方的端子電極4連接的另一端5b和第1進(jìn)入槽7之間的部分上，因此該第2修整槽10的每單位長(zhǎng)度的電阻值的變化率與所述第1修整槽的電阻值的變化率相比更大。
所以，在將兩端子電極3、4的電阻值按照落入特定的規(guī)格范圍中的方式進(jìn)行調(diào)整時(shí)，可以通過(guò)首先在測(cè)定電阻值的同時(shí)刻設(shè)電阻值變化率較大的第2修整槽10，而將電阻值按照接近特定的額定值的方式粗調(diào)，其后，通過(guò)在測(cè)定電阻值的同時(shí)刻設(shè)電阻值變化率較小的第1修整槽9，將電阻值按照落入特定的額定值范圍中的方式精密地調(diào)整。
該情況下，在刻設(shè)加工所述兩修整槽9、10時(shí)，當(dāng)將向絕緣基板2的一端側(cè)的位置偏移誤差及向絕緣基板2的另一端側(cè)的位置偏移誤差設(shè)為微小尺寸Δδ1時(shí)，就會(huì)使從所述第1修整槽9到第2進(jìn)入槽8之間的間隔尺寸A1、從第1進(jìn)入槽7到第2修整槽10之間的間隔尺寸A2、及從電阻膜5的另一端5b到第2修整槽10之間的間隔尺寸A3各自與從所述第1進(jìn)入槽7到第2進(jìn)入槽8之間的間隔尺寸B相比大所述的位置偏移誤差Δδ1的量，換言之，通過(guò)設(shè)為B+Δδ1以上，就可以可靠地避免兩條進(jìn)入槽7、8和兩條修整槽9、10的相互間的間隔尺寸A1、A2、A3的各自，由于刻設(shè)加工兩條修整槽9、10時(shí)的位置偏移誤差的影響，而小于與在利用網(wǎng)板印刷形成電阻膜5時(shí)同時(shí)地形成的兩條進(jìn)入槽7、8的相互間的間隔尺寸B的情況發(fā)生。
此外，所述的構(gòu)成的芯片電阻器1最好經(jīng)過(guò)如下所述的工序制造。
即，具備在所述絕緣基板2的上面如圖3所示形成左右一對(duì)端子電極3、4的工序、在所述絕緣基板2的上面如圖4所示利用網(wǎng)板印刷形成電阻膜5并在該電阻膜5上設(shè)置與所述端子電極3、4重疊的窄幅部6及兩進(jìn)入槽7、8的工序。
該情況下，也可以使形成電阻膜5的工序在前，使形成兩端子電極3、4的工序在后。
然后，在所述電阻膜5上，如圖5所示，利用激光光線的照射等刻設(shè)第2修整槽10。此時(shí)，通過(guò)在測(cè)定兩端子電極3、4之間的電阻值的同時(shí)，刻設(shè)所述第2修整槽10，將所述電阻值按照接近特定的額定值的方式粗調(diào)。
然后，在所述電阻膜5上，如圖6所示，利用激光光線的照射等刻設(shè)第1修整槽9。此時(shí)，通過(guò)在測(cè)定兩端子電極3、4的電阻值的同時(shí)，刻設(shè)所述第1修整槽9，將所述電阻值按照落入特定的額定值的范圍內(nèi)的方式精密地調(diào)整。
此外，在所述絕緣基板2的上面，形成覆蓋所述電阻值5的整體的覆蓋涂層11。
另外，圖7及圖8表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的芯片電阻器21。
該芯片電阻器21在制成了寬度尺寸D、長(zhǎng)度尺寸L的長(zhǎng)方形的芯片型的絕緣基板22的上面當(dāng)中的沿著長(zhǎng)邊方向延伸的左右兩端的部分上，形成端子電極23、24，另一方面，在所述絕緣基板22的上面當(dāng)中的所述端子電極23、24之間的部分上，利用其材料糊狀物的網(wǎng)板印刷及其后的煅燒形成以適當(dāng)寬度尺寸W沿所述絕緣基板22的長(zhǎng)邊方向延伸的電阻膜25。
在利用網(wǎng)板印刷形成所述電阻膜25時(shí)，在該電阻膜25的長(zhǎng)邊方向的一端25a上，在該電阻膜25的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面25c、25d當(dāng)中的一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25c的部分上一體化地設(shè)置第1窄幅部26，借助該第1窄幅部26與所述一方的端子電極23電連接，在所述電阻膜25的長(zhǎng)邊方向的另一端25b上，在該電阻膜25的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面25c、25d當(dāng)中的另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25d的部分上一體化地設(shè)置第2窄幅部27，借助該第2窄幅部27與所述另一方的端子電極24電連接，另外，在所述電阻膜25上，將從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25c向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25d延伸的第1進(jìn)入槽28、從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25d向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25c延伸的第2進(jìn)入槽29與利用網(wǎng)板印刷形成所述電阻膜25同時(shí)地形成。
該情況下，將所述第1進(jìn)入槽28和所述第2進(jìn)入槽29配設(shè)在所述電阻膜25的長(zhǎng)邊方向的近似中央的部分上，使得在第1進(jìn)入槽28位于電阻膜25的另一端25b側(cè)而第2進(jìn)入槽29位于電阻膜25的一端25a側(cè)的狀態(tài)下相互鄰接。
此外，通過(guò)在所述電阻膜25當(dāng)中的一端25a和所述第2進(jìn)入槽28之間的部分上，利用激光光線的照射等刻設(shè)第1修整槽30，使之從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25c向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25d延伸，另外，在所述電阻膜25當(dāng)中的另一端25b和所述第1進(jìn)入槽28之間的部分上，相同地利用激光光線的照射等刻設(shè)第2修整槽31，使之從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25d向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面25c延伸，而將所述電阻膜25利用所述兩進(jìn)入槽28、29及兩修整槽30、31制成曲折狀。
而且，符號(hào)32表示在刻設(shè)加工了所述兩修整槽30、31后按照覆蓋所述電阻膜25的整體的方式形成的覆蓋涂層。另外，所述兩端子電極23、24經(jīng)過(guò)所述絕緣基板22的左右兩端面22a、22b而延伸至絕緣基板22的背面?zhèn)取?br> 通過(guò)如此構(gòu)成，在使將電阻膜25以兩條進(jìn)入槽28、29和兩條修整槽30、31制成曲折狀的數(shù)目與先行技術(shù)相同的狀態(tài)的基礎(chǔ)上，使第1修整槽和30第2修整槽31不相互鄰接，兩條進(jìn)入槽28、29位于其間，從而使之相互分離，因此在該兩修整槽30、31因分別刻設(shè)加工它們時(shí)的位置偏移誤差的影響而相互接近的情況下，可以不增大絕緣基板2的長(zhǎng)度尺寸L地可靠地避免所述兩條進(jìn)入槽28、29和兩條修整槽30、31的相互間的間隔尺寸越過(guò)特定值而變小的情況。
該情況下，在刻設(shè)加工所述兩修整槽30、31時(shí)，當(dāng)將向絕緣基板22的一端側(cè)的位置偏移誤差及向絕緣基板22的另一端側(cè)的位置偏移誤差設(shè)為微小尺寸Δδ2時(shí)，就會(huì)使從所述電阻膜22的一端25a到第1修整槽30之間的間隔尺寸A1、從第1修整槽30到第2進(jìn)入槽29之間的間隔尺寸A2、從第1進(jìn)入槽28到第2修整槽31之間的間隔尺寸A3、及從電阻膜25的另一端25b到第2修整槽31之間的間隔尺寸A4各自與從所述第1進(jìn)入槽28到第2進(jìn)入槽29之間的間隔尺寸B相比增大所述的位置偏移誤差Δδ2的量，換言之，通過(guò)設(shè)為B+Δδ2以上，就可以可靠地避免兩條進(jìn)入槽28、29和兩條修整槽30、31的相互間的間隔尺寸A1、A2、A3、A4的各自，由于刻設(shè)加工兩條修整槽28、29時(shí)的位置偏移誤差的影響，而與在利用網(wǎng)板印刷形成電阻膜25時(shí)同時(shí)地形成的兩條進(jìn)入槽30、31的相互間的間隔尺寸B相比更小的情況發(fā)生。
此外，所述的構(gòu)成的芯片電阻器21最好經(jīng)過(guò)如下所述的工序制造。
即，具備在所述絕緣基板22的上面如圖9所示形成左右一對(duì)端子電極23、24的工序、在所述絕緣基板22的上面如圖10所示利用網(wǎng)板印刷形成電阻膜25并在該電阻膜25上設(shè)置與所述端子電極23、24重疊的兩窄幅部26、27及兩進(jìn)入槽28、29的工序。
該情況下，也可以使形成電阻膜25的工序在前，使形成兩端子電極23、24的工序在后。
然后，在所述電阻膜25上，如圖11所示，利用激光光線的照射等刻設(shè)第1修整槽30。
此時(shí)，通過(guò)在測(cè)定兩端子電極23、24之間的電阻值的同時(shí)，刻設(shè)所述第1修整槽30，將所述電阻值按照接近特定的額定值的方式粗調(diào)。
然后，在所述電阻膜25上，如圖12所示，利用激光光線的照射等刻設(shè)第2修整槽31。
此時(shí)，通過(guò)在測(cè)定兩端子電極23、24的電阻值的同時(shí)，刻設(shè)所述第2修整槽31，將所述電阻值按照落入特定的額定值的范圍內(nèi)的方式精密地調(diào)整。
此外，在所述絕緣基板22的上面，形成覆蓋所述電阻值25的整體的覆蓋涂層32。
而且，在所述的制造方法中，當(dāng)然也可以采用如下的構(gòu)成，即，通過(guò)先刻設(shè)第2修整槽31，然后再刻設(shè)第1修整槽30，按照使電阻值落入特定的額定值的范圍內(nèi)的方式精密地調(diào)整。
權(quán)利要求
1.一種芯片電阻器，由制成芯片型的絕緣基板、形成于該絕緣基板的上面的左右兩端部的一對(duì)端子電極、在所述絕緣基板的上面當(dāng)中的所述兩端子電極間的部分上以適當(dāng)寬度尺寸沿兩端子電極的方向延伸地利用網(wǎng)板印刷形成的電阻膜構(gòu)成，并且，在所述電阻膜上，與利用網(wǎng)板印刷形成該電阻膜同時(shí)地形成從該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第1進(jìn)入槽、從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第2進(jìn)入槽，從而構(gòu)成的芯片電阻器，其特征是，將所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的一端仍以該電阻膜的寬度尺寸與所述一方的端子電極導(dǎo)通，另一方面，將所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的另一端借助設(shè)于該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分上的窄幅部與所述另一方的端子電極導(dǎo)通，另一方面，將所述第1進(jìn)入槽和所述第2進(jìn)入槽按照在所述第1進(jìn)入槽位于電阻膜的另一端側(cè)而所述第2進(jìn)入槽位于電阻膜的一端側(cè)的狀態(tài)下相互鄰接的方式配設(shè)在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的近似中央的部分上，在所述電阻膜當(dāng)中的其一端和所述第2進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第1修整槽，使之從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸，另外，在所述電阻膜中的其另一端和所述第1進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第2修整槽，使之從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片電阻器，其特征是，使從所述第1修整槽到第2進(jìn)入槽之間的間隔尺寸、從第1進(jìn)入槽到第2修整槽之間的間隔尺寸、及從電阻膜的另一端到第2修整槽之間的間隔尺寸各自與從所述第1進(jìn)入槽到第2進(jìn)入槽之間的間隔尺寸相比，增大刻設(shè)所述各修整槽時(shí)的位置偏移誤差的量。
3.一種芯片電阻器的制造方法，其特征是，由在制成了芯片型的絕緣基板的上面當(dāng)中的左右兩端形成端子電極的工序、在所述絕緣基板的上面當(dāng)中的所述兩端子電極間的部位上利用網(wǎng)板印刷形成電阻膜的工序構(gòu)成，其中，利用網(wǎng)板印刷形成所述電阻膜的工序包括將所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的一端仍以該電阻膜的寬度尺寸與所述一方的端子電極導(dǎo)通，在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的另一端上，一體化地設(shè)置在該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分與所述另一方的端子電極導(dǎo)通的第2窄幅部，以及在所述電阻膜上分別設(shè)置從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第1進(jìn)入槽、從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第2進(jìn)入槽，另外，還具備在所述電阻膜當(dāng)中的一端和所述第2進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第1修整槽，使之從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的工序、以及在所述電阻膜當(dāng)中的另一端和所述第1進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第2修整槽，使之從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的方式刻設(shè)的工序。
4.一種芯片電阻器，是如下的芯片電阻器，即，由制成了芯片的絕緣基板、形成于該絕緣基板的上面的左右兩端部的一對(duì)端子電極、在所述絕緣基板的上面當(dāng)中的所述兩端子電極間的部分上以適當(dāng)寬度尺寸沿兩端子電極的方向延伸地利用網(wǎng)板印刷形成的電阻膜構(gòu)成，并且，在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的一端上，一體化地具備在該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分上與所述一方的端子電極導(dǎo)通的第1窄幅部，在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的另一端上，一體化地具備在該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分上與所述另一方的端子電極導(dǎo)通的第2窄幅部，另外，在所述電阻膜上，將從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第1進(jìn)入槽、和從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第2進(jìn)入槽，與利用網(wǎng)板印刷形成該電阻膜同時(shí)地形成，其特征是，將所述第1進(jìn)入槽和所述第2進(jìn)入槽，按照在第1進(jìn)入槽位于電阻膜的另一端側(cè)而第2進(jìn)入槽位于電阻膜的一端側(cè)的狀態(tài)下相互鄰接的方式配設(shè)在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的近似中央的部分上，在所述電阻膜當(dāng)中的一端和所述第2進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第1修整槽，使之從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸，另外，在所述電阻膜當(dāng)中的另一端和所述第1進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第2修整槽，使之從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片電阻器，其特征是，使從所述電阻膜的一端到第1修整槽之間的間隔尺寸、從第1修整槽到第2進(jìn)入槽之間的間隔尺寸、從第1進(jìn)入槽到第2修整槽之間的間隔尺寸、及從電阻膜的另一端到第2修整槽之間的間隔尺寸各自與從所述第1進(jìn)入槽到第2進(jìn)入槽之間的間隔尺寸相比，增大刻設(shè)所述各修整槽時(shí)的位置偏移誤差的量。
6.一種芯片電阻器的制造方法，其特征是，由在制成了芯片型的絕緣基板的上面當(dāng)中的左右兩端形成端子電極的工序、在所述絕緣基板的上面當(dāng)中的所述兩端子電極間的部位上利用網(wǎng)板印刷形成電阻膜的工序構(gòu)成，其中，利用網(wǎng)板印刷形成所述電阻膜的工序包括在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的一端上，一體化地設(shè)置在該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分與一方的端子電極導(dǎo)通的第1窄幅部，在所述電阻膜的長(zhǎng)邊方向的另一端上，一體化地設(shè)置在該電阻膜的左右兩長(zhǎng)邊側(cè)面當(dāng)中的另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面的部分與所述另一方的端子電極導(dǎo)通的第2窄幅部，以及、在所述電阻膜上分別設(shè)置從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第1進(jìn)入槽、和從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的第2進(jìn)入槽，另外，還具備在所述電阻膜當(dāng)中的一端和所述第2進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第1修整槽，使之從所述一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的工序、在所述電阻膜當(dāng)中的另一端和所述第1進(jìn)入槽之間的部分上，刻設(shè)第2修整槽，使之從所述另一方的長(zhǎng)邊側(cè)面向一方的長(zhǎng)邊側(cè)面延伸的工序。
全文摘要
一種芯片電阻器，是形成絕緣基板(2)的上面當(dāng)中的一對(duì)端子電極(2、3)之間的電阻膜(5)，并在該電阻膜上，交互地設(shè)置用于使在該電阻膜中電流所流經(jīng)的路徑成為曲折狀的兩條進(jìn)入槽(7、8)、兩條修整槽(9、10)而構(gòu)成的芯片電阻器，其中，通過(guò)將所述兩條進(jìn)入槽(7、8)在電阻膜(5)的一端(5a)和另一端(5b)之間的近似中央的部分上相互鄰接地配設(shè)，并且將所述一方的修整槽(9)設(shè)于一方的進(jìn)入槽(8)和電阻膜的一端(5a)之間的部位上，將另一方的修整槽(10)設(shè)于另一方的進(jìn)入槽(7)和電阻膜的另一端(5b)之間的部位上，來(lái)謀求縮短將電阻值修整為特定值時(shí)所需要的時(shí)間，并且謀求降低保留率且低成本化。
文檔編號(hào)H01C7/00GK1717754SQ20048000153
公開日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2004年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月17日
發(fā)明者米田將記 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司