專利名稱：有機電致發(fā)光裝置及其制造方法、其所用基板及電子機器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光裝置的制造方法、有機電致發(fā)光裝置、有機電致發(fā)光裝置用基板及電子機器。
背景技術(shù)：
以往，有機電致發(fā)光(以下簡稱為有機EL)裝置具備在基板上層疊多個電路元件、陽極、空穴注入層和含有有機EL物質(zhì)(發(fā)光元件)的發(fā)光功能層和陰極等、由密封基板將它們夾在與基板之間而密封的構(gòu)成。
具體而言，就是在形成了薄膜晶體管等的開關(guān)元件的玻璃基板等的透明基板上，順次層疊由銦錫氧化物(ITOIndium Tin Oxide)、氧化錫(SnO2)等的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的陽極、由聚硫苯衍生物(以下簡稱為PEDOT)的摻雜體構(gòu)成的空穴注入層、由聚芴等發(fā)光物質(zhì)構(gòu)成的發(fā)光層、和具有Ca等的低功函數(shù)的金屬材料或金屬化合物構(gòu)成的陰極。
近年來，作為上述有機EL裝置的制造方法提出了由液滴噴出法的制造方法。這樣的制造方法在液滴噴出之前要進行形成液滴接受部的工序。形成該液滴接受部時，通過實施圖7(a)所示的形成半導(dǎo)體元件(薄膜晶體管)300及層間絕緣膜301的工序、圖7(b)所示的形成像素電極302的工序、圖7(c)所示的形成第1隔壁303的工序和圖7(d)所示的形成第2隔壁304的工序，從而形成液滴接受部305。而且，對液滴接受部305的表面實施等離子體處理等的表面改質(zhì)處理，形成疏液化部及親液化部，將含有功能性材料的液滴滴入該液滴接受部305內(nèi)，由此形成功能性元件(例如，參照專利文獻1)。
專利文獻1特許第3328297號說明書但是，上述制造方法中形成像素電極302時，由于用于使像素電極302圖案形成的抗蝕劑掩模與像素電極302的材料接觸，所以存在該抗蝕劑掩模的殘留物污染像素電極302的表面的問題。而且，在這樣被污染的像素電極302的表面上形成空穴注入層和發(fā)光層等的發(fā)光功能層，由此，就存在發(fā)光功能層的可靠性降低的問題。
另外，在通過用丙烯酸和聚酰亞胺等的有機材料涂布形成層間絕緣膜301的情況下，多少存在下述所示的問題。
(1)因?qū)嵤袷轿g刻和抗蝕劑層剝離等的濕式過程、使像素電極302或第1隔壁303圖案形成，層間絕緣膜301的有機材料會膨脹，使平面相連的像素電極302和第1隔壁303產(chǎn)生應(yīng)力，特別是使顯示特性重要的像素區(qū)域(像素電極302)發(fā)生損壞。另外，發(fā)生層間絕緣膜301和第1隔壁303的接合面中的剝離。
(2)由于使用等離子體CVD等在由有機材料構(gòu)成的層間絕緣膜301上形成第1隔壁303時，賦予有機材料表面以損壞，同時使第1隔壁303成膜，所以第1隔壁303和層間絕緣膜301的密接性變低，第1隔壁303和層間絕緣膜301容易剝離。而且剝離該膜時，顆粒飛散，會污染真空容器內(nèi)。另外，因該顆粒存在于真空容器內(nèi)或基體上，擔(dān)心會降低有機電致發(fā)光裝置的合格率。
(3)由于已覆蓋由無機材料構(gòu)成的像素電極302和由有機材料構(gòu)成的層間絕緣膜301的表面的形態(tài)形成第1隔壁303，而有機材料的蝕刻速度比無機材料的更大，所以蝕刻第1隔壁303時的蝕刻控制性困難。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而做出的發(fā)明，其的目的在于，提供一種可以達到抑制賦予像素區(qū)域的損壞和防止對真空容器的污染、還可以實現(xiàn)提高第1隔壁的蝕刻控制性的有機電致發(fā)光裝置的制造方法、有機電致發(fā)光裝置、有機電致發(fā)光裝置用基板及電子機器。
為了達到上述目的，本發(fā)明采用了以下的構(gòu)成。
本發(fā)明的有機EL裝置的制造方法是在第1電極上方具備以第1隔壁及第2隔壁圍繞的發(fā)光功能層的有機EL裝置的制造方法，其特征在于，具有在層間絕緣膜上使第1電極材料和第1隔壁材料依次成膜的工序、用相同形狀的掩模使上述第1電極材料及上述第1隔壁材料圖案形成而形成上述第1電極和上述第1隔壁的工序，和在上述層間絕緣膜上及上述第1隔壁材料上形成上述第2隔壁的工序。
按照這樣，在形成第1電極的工序中，用于使第1電極圖案形成的抗蝕劑掩模和第1電極材料保持為非接觸狀態(tài)，可以防止由該抗蝕劑掩模的殘留物造成的對第1電極的污染。因此，由于可以在具有干凈的表面狀態(tài)的第1電極上形成空穴注入層和發(fā)光層等的發(fā)光功能層，所以發(fā)光功能層的可靠性提高，可以提供良好的有機EL裝置。
另外，層間絕緣膜優(yōu)選由有機材料構(gòu)成。因用該有機材料可以由濕式成膜法形成層間絕緣膜，與真空成膜法相比較，可以由簡單的設(shè)備以低制造成本進行成膜。另外，用真空成膜法難以厚膜化，而如果由濕式成膜法容易達到厚膜化。
另外，由于第1隔壁材料成膜之前，在層間絕緣膜上形成第1電極材料，所以由第1電極材料保護間絕緣膜。因此，即使用等離子體CVD法使第1隔壁材料成膜，層間絕緣膜本身也不會在等離子體下曝露，所以可以防止對該層間絕緣膜的等離子體損壞，穩(wěn)定地形成第1隔壁材料。
另外，通過僅在第1電極上形成第1隔壁，與有機材料連接的第1電極及第1隔壁的總計面積比現(xiàn)有技術(shù)少。因此在制造過程中或者完成體的狀態(tài)下層間絕緣膜上發(fā)生應(yīng)力(在濕潤工序中的膨脹和機械應(yīng)力)的情況下，由于應(yīng)力降低，所以可以抑制破損和剝離等的發(fā)生。
另外，由于層間絕緣膜和第1隔壁保持非接觸，所以不會發(fā)生現(xiàn)有技術(shù)中成為問題的層間絕緣膜和第1隔壁的接合面上的剝離。
另外，作為第2隔壁材料采用有機材料，由于層間絕緣膜和第2隔壁都由有機材料構(gòu)成，所以可以實現(xiàn)該層間絕緣膜和第2隔壁的密接性的提高。而且，由于在該結(jié)構(gòu)中相同程度硬度的有機材料接觸而構(gòu)成，所以還可以實現(xiàn)有機EL裝置的強度的提高。
另外，由于即使用等離子體CVD等的方法形成第1隔壁材料、進行該過程時層間絕緣膜也不露出，所以該層間絕緣膜的有機材料沒有由等離子體損壞而被蝕刻的情況，也就可以防止伴隨有機材料的蝕刻的制造裝置的污染。
另外，由于現(xiàn)有技術(shù)中在由層間絕緣膜及第1電極材料構(gòu)成的多層膜上形成第1隔壁材料，所以該第1隔壁材料的蝕刻控制性是困難的，而本發(fā)明中僅在第1電極材料上形成第1隔壁，所以可以得到良好的蝕刻控制性，可以控制面內(nèi)的第1隔壁的蝕刻速率的不均勻化。
另外，由于在層間絕緣膜上可以使第1電極材料和第1隔壁材料順序成膜，以相同形狀的掩模圖案形成，所以不必使第1電極材料和第1隔壁材料的各個材料圖案形成，可以達到工序的簡單化。
而且，在這樣的制造方法中，在第1電極上形成由第1隔壁和第2隔壁構(gòu)成的液滴接受部。而且，通過使用液滴噴出法，使發(fā)光功能層的液體材料液滴化噴到液滴接受部，從而在液滴接受部內(nèi)可以形成發(fā)光功能層。
另外，上述有機EL裝置的制造方法的特征在于，還具備除去上述第1隔壁的一部分、露出上述第1電極的工序。
這里，形成用于除去第1隔壁的一部分的掩模后，與該掩模相應(yīng)露出第1電極。
按照這樣，通過用液滴噴出法將發(fā)光功能層的液體材料向第1電極噴出，使液體材料在該第1電極的露出面上彈落，形成發(fā)光功能層。
另外，上述有機EL裝置的制造方法的特征在于，通過在基板上全面形成第2隔壁材料后，在與上述第1電極相應(yīng)的部分上形成開口部，進行形成上述第2隔壁的工序。
這里，用濕式成膜法全面形成第2隔壁材料后，配置與開口部的圖案相應(yīng)的掩模，形成與該掩模圖案相應(yīng)的開口部。
按照這樣，通過第2隔壁材料設(shè)開口部，在與第1電極對應(yīng)的部分上就可以形成液滴接受部。
另外，上述有機EL裝置的制造方法的特征在于，在露出上述第1電極后形成上述第2隔壁。
按照這樣，在第1電極露出的狀態(tài)下，實施第2隔壁材料的全面涂布及開口部的形成。由此，在形成開口部后可以確實露出第1電極。
另外，上述有機EL裝置的制造方法的特征在于，形成上述第2隔壁后露出上述第1電極。
按照這樣，由于以第2隔壁作為掩模使第1隔壁圖案形成、露出第1電極，所以可以不要僅用于露出第1電極的掩模，減少了掩模。從而，可以達到制造工序的簡單化。
另外，上述有機EL裝置的制造方法的特征在于，露出上述第1電極后，擴展第2隔壁的開口面積。
按照這樣，由第2隔壁被覆的第1隔壁的表面露出，該第1隔壁的露出面積變大。從而，用其后工序的液滴噴出法、向液滴接受部涂布形成發(fā)光功能層的液體材料的情況下，液體材料與第1隔壁的接觸面積變大。即，液體材料可以適宜地濕潤擴展到具有親液性的第1隔壁上，可以確實地實施液體材料和第1電極的接觸。
另外，上述有機EL裝置的制造方法的特征在于，相應(yīng)于在上述第1隔壁材料上形成的掩模，使上述第1隔壁材料圖案形成而形成第1隔壁，以該第1隔壁作為掩模，使上述第1電極材料圖案形成而形成第1電極。
按照這樣，可以形成與掩模形狀相應(yīng)的第1隔壁，形成與第1隔壁的平面形狀相應(yīng)的第1電極。由此，可以用相同形狀的掩模形成第1隔壁和第1電極。
另外，上述有機EL裝置的制造方法的特征在于，相應(yīng)于在上述第1隔壁材料上形成的掩模的形狀，使上述第1電極材料及上述第1隔壁材料統(tǒng)一圖案形成，形成上述第1隔壁及上述第1電極。
按照這樣，可以形成與相同的掩模形狀對應(yīng)的第1隔壁及第1電極。另外，通過統(tǒng)一圖案形成形成第1隔壁及第1電極，因而可以達到工序數(shù)的簡化。另外，由于用該方法不以第1隔壁作為掩模，所以使第1電極材料圖案形成時的濕式蝕刻液或蝕刻氣體與第1隔壁的上面不接觸。因此，就可以防止?jié)袷轿g刻液或蝕刻氣體對第1隔壁的上面的影響。
另外，上述有機EL裝置的制造方法的特征在于，使用干式蝕刻法進行上述第1電極材料和上述第1隔壁材料的圖案形成，形成上述第1隔壁及上述第1電極。
由于使用這樣的干式蝕刻法，不會發(fā)生起因于濕式工序的層間絕緣膜(有機材料)的膨脹，所以可以防止層間絕緣膜的應(yīng)力的發(fā)生。
另外，在現(xiàn)有技術(shù)中用等離子體CVD法形成第1隔壁材料的情況下，存在第1隔壁和層間絕緣膜容易剝離、導(dǎo)致真空容器內(nèi)的污染的問題，但本發(fā)明不是在成膜工序而是在圖案形成工序進行干式蝕刻(等離子體處理)，所以不會導(dǎo)致起因于膜的剝離的真空容器內(nèi)的污染。
另外，上述有機EL裝置的制造方法的特征在于，在上述層間絕緣膜上形成可以賦予上述層間絕緣膜和上述第1電極以密接性的密接性賦予膜。
按照這樣，由于密接性賦予膜可以確實地密接層間絕緣膜和第1電極，所以可以實現(xiàn)有機EL裝置的強度的提高。
另外，本發(fā)明的有機EL裝置是在第1電極上方具有以第1隔壁及第2隔壁圍繞的發(fā)光功能層的有機EL裝置，其特征在于，在上述發(fā)光功能層的側(cè)部設(shè)第1隔壁及第2隔壁，上述第1隔壁僅設(shè)在上述第1電極上。
這里，在層間絕緣膜上使第1電極材料和第1隔壁材料依次成膜后，用相同形狀的掩模使第1電極材料及第1隔壁材料圖案形成，形成第1電極和第1隔壁。按照這樣，可以得到與如前所述的制造方法同樣的效果。
另外，本發(fā)明的有機EL裝置用基板是在第1電極上形成第1隔壁的有機電致發(fā)光裝置用基板，其特征在于，在層間絕緣膜上形成上述第1電極，僅在該第1電極上設(shè)有上述第1隔壁。
這里，在層間絕緣膜上使第1電極材料和第1隔壁材料依次成膜后，用相同形狀的掩模使第1電極材料及第1隔壁材料圖案形成，由此，形成第1電極和第1隔壁。
按照這樣，可以得到與如前所述的制造方法同樣的效果。
另外，相對于這樣的有機EL裝置用基板形成第2隔壁，在第1電極上形成以第1隔壁及第2隔壁圍繞的發(fā)光功能層，可以得到與如前所述的有機EL裝置同樣的效果。
另外，本發(fā)明的電子機器的特征在于，具備如前所述的有機EL裝置。
作為這樣的電子機器，例如可以例示出移動電話機、移動體信息終端、表、文字處理機、個人電腦等的信息處理裝置。另外，可以例示出具有大型顯示畫面的電視、大型監(jiān)視器等。通過對于這樣的電子機器的顯示部采用本發(fā)明的有機EL裝置，可以提供顯示特性良好的電子機器。


圖1是用于說明本發(fā)明的第1實施方式中表示的有機EL裝置的制造方法的圖。
圖2是用于說明本發(fā)明的第1實施方式中表示的有機EL裝置的制造方法的圖。
圖3是用于說明本發(fā)明的第1實施方式中表示的有機EL裝置的制造方法的圖。
圖4是用于說明本發(fā)明的第2實施方式中表示的有機EL裝置的制造方法的圖。
圖5是用于說明本發(fā)明的第2實施方式中表示的有機EL裝置的制造方法的圖。
圖6是表示具備本發(fā)明的有機EL裝置的電子機器。
圖7是用于說明以往的有機EL裝置的制造方法的圖。
圖中1-有機EL裝置(有機電致發(fā)光裝置)，2-有機EL裝置用基板(有機電致發(fā)光裝置用基板)，10-基板，30-層間絕緣膜，41-像素電極材料(第1電極材料)，41a-像素電極(第1電極)，42-第1隔壁材料，42a-第1隔壁(相同形狀的掩模)，45-第2隔壁，45a-開口部，45b-開口面積，47-發(fā)光功能層，50-空穴注入層(發(fā)光功能層)，51-發(fā)光層(發(fā)光功能層)，52-電子注入層(發(fā)光功能層)，PR-掩模(相同形狀的掩模)具體實施方式
以下，參照圖1～圖5，說明本發(fā)明的有機電致發(fā)光裝置的制造方法、有機電致發(fā)光裝置、有機電致發(fā)光裝置用基板及電子機器。
本實施方式是本發(fā)明的一種方式，并不限定本發(fā)明，在本發(fā)明的技術(shù)思想范圍內(nèi)可以任意地變更。另外，在以下所示的各圖中，將各層和各構(gòu)件取為在圖面上可辨認程度的大小，各層和各構(gòu)件是不同的縮尺。
(有機EL裝置的制造方法的第1實施方式)參照圖1說明有機EL裝置的制造方法的第1實施方式。
其中，圖1(a)～(e)及圖2是用于說明有機EL裝置的制造方法的工序圖，圖3是用于詳細地說明圖1(c)的圖。
首先，如圖1(a)所示，在基板10上形成薄膜晶體管20、層間絕緣膜30和接觸孔31。
基板10是玻璃基板。另外，作為材料不限定是玻璃，例如也可以采用石英、樹脂(塑料、塑料薄膜)等材料。通過采用這樣的透明性或半透明性的材料，可以制造能夠從基板10側(cè)取出發(fā)光的光的所謂底部發(fā)射型有機EL裝置。另外，如后所述，在從密封基板側(cè)取出發(fā)光的光的所謂頂部發(fā)射型(譯者注原文為“底發(fā)射型”，疑錯)中，作為基板10的材料也可以采用金屬基板等的非透明性材料。
薄膜晶體管20由底絕緣膜21、半導(dǎo)體層22、柵絕緣膜23、柵電極24、源電極25S、漏電極25D和上絕緣膜26構(gòu)成。
其中，底絕緣膜21是在基板10的表面上形成的絕緣膜，是用于使基板10和半導(dǎo)體層22保持非接觸的層膜。
另外，半導(dǎo)體層22由源區(qū)域22S、通道區(qū)域22C及漏區(qū)域22D構(gòu)成，是通過柵電極24的電場作用進行源區(qū)域22S和漏區(qū)域22D間的轉(zhuǎn)換的層膜。
另外，柵絕緣膜23是設(shè)在柵電極24和半導(dǎo)體層22之間的層膜，用于得到半導(dǎo)體層22和柵電極24的電絕緣性。
另外，柵電極24是借助于柵絕緣膜23與通道區(qū)域22C對向配置的層膜。由流入該柵電極24的電流量得到希望的薄膜晶體管20的轉(zhuǎn)換特性。
源電極25S及漏電極25D是借助于在上絕緣膜26上形成的接觸孔分別與源區(qū)域22S及漏區(qū)域22D連接的電極。
構(gòu)成這樣的薄膜晶體管20的層膜及電極可以由公知的制造方法制造。例如，采用各種成膜法、光刻法及蝕刻法等。另外，在形成半導(dǎo)體層22的源區(qū)域22S、通道區(qū)域22C及漏區(qū)域22D中，可以采用離子摻雜法等。
層間絕緣膜30采用有機物或無機物的任一種材料形成。其中，作為層間絕緣膜30采用有機物的情況下，適宜采用例如丙烯酸樹脂或聚酰亞胺樹脂等。即使在這樣的材料中，也可以采用非感光性樹脂或感光性樹脂。
另外，使這樣的有機物成膜的情況下，適宜采用濕式成膜法。作為濕式成膜法，旋轉(zhuǎn)涂布法、浸漬法、狹縫涂布法等起作用。在這樣的濕式成膜法中，更適宜采用旋轉(zhuǎn)涂布法，可以以均勻的膜厚成膜。另外，成膜后，必需實施熱處理以進行樹脂的固化。
另外，作為層間絕緣膜30采用無機物的情況下，可以采用硅氧化物、硅氮化物、硅氧氮化物等。
使無機物成膜的情況下，適宜采用真空成膜法或濕式成膜法。作為真空成膜法采用CVD法、濺射法、真空鍍膜法等。另外，作為濕式成膜法采用與上述同樣的旋轉(zhuǎn)涂布法，作為無機材料優(yōu)選采用全氫化聚硅氨烷。全氫化聚硅氨烷是指以-(SiH2NH)-作為基本單元的化合物的物質(zhì)名。另外，由于該全氫化聚硅氨烷是在有機溶劑中可溶的無機聚合物，所以與有機溶劑混合形成液體材料而可操作。另外，全氫化聚硅氨烷通過在惰性氣氛氣體中高溫?zé)?，伴隨脫氫反應(yīng)發(fā)生熱固化收縮，具有向硅氮化物的陶瓷轉(zhuǎn)化的性質(zhì)。另外，通過在大氣中或含有水蒸氣的氣氛中燒成，與水或氧反應(yīng)，具有向硅氧化物轉(zhuǎn)化的性質(zhì)。
由于如上述的濕式成膜法與真空成膜法相比厚膜化容易，所以在形成層間絕緣膜30的情況下，更優(yōu)選采用濕式成膜法。另外，通過實施厚膜化，薄膜晶體管20的凹凸形狀不會在層間絕緣膜30的表面上轉(zhuǎn)印，該層間絕緣膜30的表面平坦化而特佳。
另外，在層間絕緣膜30上形成接觸孔31。
這里，接觸孔31的形成方法，在層間絕緣膜30由非感光性樹脂或無機材料構(gòu)成的情況下和由感光性樹脂構(gòu)成的情況下，其處理是不同的。
首先，說明層間絕緣膜30由非感光性樹脂或無機材料構(gòu)成的情況下。
在該情況下，由使用抗蝕劑膜的蝕刻處理實施圖案形成。具體地說，在層間絕緣膜30上涂布形成抗蝕劑膜后，實施熱處理、曝光處理、顯像處理，形成開口部，而且實施蝕刻處理，除去與該開口部對應(yīng)的非感光性樹脂或無機材料，由此形成接觸孔31。
與此相反，層間絕緣膜30由感光性樹脂構(gòu)成的情況下，不需要抗蝕劑膜，對層間絕緣膜30本身依次實施熱處理、曝光處理及顯像處理，由此形成接觸孔31。
接著，如圖1(b)所示，在層間絕緣膜30上形成像素電極材料(第1電極材料)41和第1隔壁材料(第1隔壁材料)42(在層間絕緣膜上使第1電極材料和第1隔壁材料順序成膜的工序)。
其中，形成像素電極材料41和第1隔壁材料42時，不進行像素電極41的圖案形成，使像素電極材料41和第1隔壁材料42連續(xù)地成膜。
像素電極材料41采用ITO等的透明性金屬。另外，除此以外，可以使用例如氧化銦·氧化鋅系非結(jié)晶形透明導(dǎo)電膜(Indium ZincOxideIZO/I·Z·O(注冊商標))(出光興產(chǎn)社制)等。另外，在本實施方式中采用ITO。另外，在頂部發(fā)射型的情況下，特別是不必采用具備光透過性的材料，例如也可以在ITO的下層側(cè)設(shè)Al等作為反射層使用。
另外，作為第1隔壁材料42的材料，采用具有親液性的材料，在本實施方式中，采用硅氧化物。另外，這里所說的親液性是指相對于其后涂布的液體材料比第2隔壁材料(后述)具有相對的親液性。
作為使這樣的像素電極材料41及第1隔壁材料42成膜的方法適宜采用真空成膜法。
然后，如圖1(c)所示，使像素電極材料41和第1隔壁材料42圖案形成，形成像素電極(第1電極)41a和第1隔壁42a(用相同形狀的掩模使第1電極材料及第1隔壁材料圖案形成而形成第1電極和第1隔壁的工序)。
這里，參照圖3詳述像素電極材料41和第1隔壁材料42的圖案形成。圖3是表示圖1(c)中的層間絕緣膜30、像素電極材料41及第1隔壁材料42的主要部分的圖，是通過蝕刻直至形成像素電極41a及第1隔壁42a的工序圖。另外，在圖3中，未圖示接觸孔31，但是在未圖示部分中形成接觸孔31，借助于該接觸孔31漏電極25D與像素電極材料41連接。
如圖3(a)所示，首先，形成掩模(相同形狀的掩模)PR。通過對于由旋轉(zhuǎn)涂布法涂布形成的抗蝕劑膜實施熱處理、曝光處理及顯像處理形成該掩模PR。
接著，如圖3(b)所示，殘留掩模PR，同時對像素電極材料41及第1隔壁材料42實施蝕刻處理，形成像素電極41a及第1隔壁42a。
這里，作為蝕刻處理的方法，可以使用濕式蝕刻法或干式蝕刻法。在濕式蝕刻法中，作為除去第1隔壁材料42的硅氧化物的蝕刻液適宜采用以氫氟酸(HF)為主體的蝕刻液。另外，作為除去像素電極材料41的ITO的蝕刻液適宜采用王水。
在這樣的濕式蝕刻法中，浸漬在HF的蝕刻液中使第1隔壁材料42圖案形成后，洗滌層間絕緣膜30的上面和像素電極材料41的上面，其后，浸漬在王水中，使像素電極41a圖案形成。
另外，在干式蝕刻法中，通過使第1隔壁材料42在氟系氣體的等離子體中曝露，除去第1隔壁材料42。
另外，在除去像素電極材料41的ITO的干式蝕刻法中，可以使用HBr、HI等的鹵化物的氣體。
在這樣的干式蝕刻法中，由于可以在同一室內(nèi)一邊改變蝕刻氣體，一邊處理，所以可以統(tǒng)一形成第1隔壁42a及像素電極41a。另外，圖3(b)所示的第1隔壁42a及像素電極41a的側(cè)部的形狀是被挖下E生成的形狀，但是，使用干式蝕刻法中的各向異性蝕刻法(RIE)，可以恰當(dāng)?shù)乜刂苽?cè)部的形狀。
另外，在圖3(b)中，由于殘留掩模PR是重要的，所以優(yōu)選在不使用將會除去掩模PR那樣的氣體、例如氧氣的等離子體中進行干式蝕刻法。
然后，如圖3(c)所示，除去掩模PR，像素電極41a及第1隔壁42a的圖案形成結(jié)束。
以下返回到圖1，繼續(xù)說明有機EL裝置的制造方法。
如圖1(d)所示，除去第1隔壁42a的一部分、露出像素電極41a、形成電極露出部41b(除去第1隔壁的一部分露出第1電極的工序)。
這里，在第1隔壁42a上形成未圖示的掩模，與該掩模的圖案相對應(yīng)蝕刻第1隔壁42a，形成電極露出部41b。作為第1隔壁42a的蝕刻方法，適宜采用如上述那樣的濕式蝕刻法、干式蝕刻法。另外，由這樣的蝕刻法，在第1隔壁42a上形成隔壁側(cè)部42b。該側(cè)壁部42b優(yōu)選以所定的角度比電極露出部41b的表面更傾斜。
由這樣的圖1(a)～(d)所述的制造方法完成有機EL裝置用基板2。接著，參照圖1(e)及圖2，說明依次形成第2隔壁和發(fā)光功能層而形成有機EL裝置的方法。
如圖1(e)所示，在有機EL裝置用基板2上，以被覆層間絕緣膜30及第1隔壁42a的上方的形態(tài)形成第2隔壁45(在層間絕緣膜上和第1隔壁材料上形成第2隔壁的工序)。另外，該第2隔壁45在形成電極露出部41b的狀態(tài)下形成(露出第1電極后形成第2隔壁的工序)。
這里，第2隔壁45的形成方法是通過全面形成第2隔壁45的材料后、形成與像素電極41a對應(yīng)的開口部45a那樣進行。
作為這樣的第2隔壁45的材料適宜的是丙烯酸樹脂和聚酰亞胺等有機物，另外采用非感光性樹脂和感光性樹樹脂。另外，使這樣的有機物成膜的情況下，適宜采用濕式成膜法。作為濕式成膜法，旋轉(zhuǎn)涂布法、浸漬法、狹縫涂布法等起作用。在這樣的濕式成膜法中，更適宜采用旋轉(zhuǎn)涂布法，可以以均勻的膜厚成膜。另外，成膜后，實施熱處理以進行樹脂的固化。
另外，優(yōu)選第2隔壁45的材料和層間絕緣膜30的材料相同?；蛘邇?yōu)選以相同的有機材料形成。如果是這樣，材料間的密接力提高，同時由于熱膨脹系數(shù)也大體相同，可以成為對于熱應(yīng)力和機械應(yīng)力穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。
另外，開口部45a的形成方法，在第2隔壁45由非感光性樹脂構(gòu)成的情況下和由感光性樹脂構(gòu)成的情況下，其處理是不同的。
首先，在非感光性樹脂該情況下，由使用抗蝕劑膜的蝕刻處理實施圖案形成。具體地說，在第2隔壁45上涂布形成抗蝕劑膜后，實施熱處理、曝光處理、顯像處理，形成掩模開口部，而且實施蝕刻處理，除去與該開口部對應(yīng)的非感光性樹脂，由此形成開口部45a。
與此相反，第2隔壁45由感光性樹脂構(gòu)成的情況下，不需要抗蝕劑膜，對第2隔壁45本身依次實施熱處理、曝光處理及顯像處理，由此形成開口部45a。
另外，當(dāng)形成這樣的開口部45a時，優(yōu)選露出第1隔壁42a的隔壁側(cè)部42b和第1隔壁上部42c。通過這樣，在后述工序中使用噴墨法(液滴噴出法)的情況下，可以使液滴適當(dāng)?shù)貪駶檾U展到第1隔壁42a附近。
另外，通過形成開口部45a，在像素電極41a上就形成由第1隔壁42a和第2隔壁45圍繞的液滴接受部46。另外，對液滴接受部46實施O2等離子體處理和CF4等離子體處理等，使像素電極41a親液化，使第2隔壁45疏液化。由此，可以將由噴墨法噴出的液體材料存留在液滴接受部46中，同時使液體材料恰當(dāng)?shù)貪駶檾U展到液滴接受部46內(nèi)。
然后，如圖2所示，形成發(fā)光功能層47及陰極53，借助于密封樹脂(未圖示)粘合基板10和密封基板56，由此完成了有機EL裝置1。這里，在基板10及密封基板56之間粘貼可以吸收密封基板56的內(nèi)面的水分和氧的吸氣劑55。另外，其空間部填充氮氣，成為氮氣填充層54。在這樣的構(gòu)成下，可以抑制水分和氧滲透到有機EL裝置1的內(nèi)部，由此可以謀求有機EL裝置1的長壽命化。這樣的有機EL裝置1成為從基板10側(cè)取出發(fā)光的光的所謂底部發(fā)射型有機EL裝置。另外，作為密封樹脂材料優(yōu)選采用與第2隔壁45的材料或?qū)娱g絕緣膜30的材料相同的材料。或者優(yōu)選以相同的有機材料形成。如果是這樣，材料間的密接力提高，同時由于熱膨脹系數(shù)也大體相同，可以成為對于熱應(yīng)力和機械應(yīng)力穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)。
以下，說明發(fā)光功能層47的各構(gòu)成及陰極53。
發(fā)光功能層47成為由像素電極41a側(cè)向著陰極53層疊空穴注入層50、發(fā)光層51和電子注入層52的構(gòu)成。
作為空穴注入層50的形成材料特別適宜使用3，4-聚乙烯二羥基噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)的分散液，即將3，4-聚乙烯二羥基噻吩分散在作為分散溶劑的聚苯乙烯磺酸中，再將其分散在水中的分散液。
另外，作為空穴注入層50的形成材料不限定于上述的材料，可以使用各種材料?？梢允褂美鐚⒕郾揭蚁?、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔和其衍生物等分散在適宜的分散溶劑例如上述的聚苯乙烯磺酸中的產(chǎn)物等。
作為用于形成發(fā)光層51的材料，可以使用能夠使螢光或磷光發(fā)光的公知的發(fā)光材料。另外，對多個像素電極41a的每個設(shè)R(紅)、G(綠)、B(藍)的各色發(fā)光層51，成為可全色顯示的有機EL裝置。
作為發(fā)光層51的形成材料，具體而言，適宜使用聚芴衍生物(PF)、聚對亞苯基亞乙烯基衍生物(PPV)、聚亞苯基衍生物(PP)、聚對亞苯基衍生物(PPP)、聚乙烯咔唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等聚硅烷系等。另外，也可以在這些高分子材料中，摻雜苝系色素、香豆素系色素、若丹明系色素等高分子系材料和紅熒烯、紫蘇烯、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼羅紅、香豆素6、喹吖酮等低分子材料而使用。
另外，作為紅色的發(fā)光層51的形成材料，可以使用例如MEHPPV(聚(3-甲氧基6-(3-乙基己基)對亞苯基亞乙烯酯)，作為綠色的發(fā)光層51的形成材料，可以使用例如聚二辛基芴和F8BT(二辛基芴和苯并二唑的交替共聚物)的混合溶液，作為藍色的發(fā)光層51的形成材料，可以使用例如聚二辛基芴。另外，在這樣的發(fā)光層51中對其厚度不作特別的限制，可以調(diào)整對每種顏色較佳的膜厚。
電子注入層52在發(fā)光層51上形成。該電子注入層52的材料可以根據(jù)發(fā)光層51的各種材料適當(dāng)選擇。作為具體的材料適宜使用作為堿性金屬的氟化物L(fēng)iF(氟化鋰)、NaF(氟化鈉)、KF(氟化鉀)、RbF(氟化銣)、CsF(氟化銫)等和/或堿金屬的氧化物L(fēng)i2O(氧化鋰)、Na2O(氧化鈉)等。另外，作為該電子注入層52的厚度，優(yōu)選取為0.5nm～10nm左右。
陰極53具有比電子注入層52的總面積大的面積，以覆蓋電子注入層的方式形成，由設(shè)在電子注入層52上的低功函數(shù)的金屬構(gòu)成的第1陰極和由設(shè)在該第1陰極上、保護該第1陰極的第2陰極構(gòu)成。作為形成第1陰極的低功函數(shù)的金屬特別優(yōu)選的功函數(shù)是3.0eV以下的金屬，具體而言，適宜使用Ca(功函數(shù)為2.6eV)、Sr(功函數(shù)為2.1eV)、Ba(功函數(shù)為2.5eV)。為了覆蓋第1陰極，保護其不受氧和水分的侵害，同時提高陰極53全體的導(dǎo)電性而設(shè)第2陰極。作為該第2陰極的形成材料，只要是化學(xué)上穩(wěn)定、功函數(shù)比較低，就不作特別的限定，可以是任意的，例如使用金屬或合金等，具體地說，適宜使用Al(鋁)或Ag(銀)等。
另外，上述構(gòu)成的有機EL裝置1具有底發(fā)射型的結(jié)構(gòu)，但是對此不作限定。該有機EL裝置1也可以在從密封基板56側(cè)取出發(fā)光的光的所謂頂部發(fā)射型中適用。
在頂部發(fā)射型有機EL裝置的情況下，由于是從作為基板10的對向側(cè)的密封基板56側(cè)取出發(fā)光的光的構(gòu)成，所以可以使用透明基板及不透明基板的任一種。作為不透明基板，可以舉出例如除了對氧化鋁等的陶瓷、不銹鋼等的金屬片實施表面氧化等絕緣處理的以外，還有熱固化性樹脂、熱可塑性樹脂等。
如上所述，由于本實施方式具有在層間絕緣膜30上使像素電極材料41和第1隔壁材料42順序成膜的工序、用掩模PR使像素電極材料41及第1隔壁材料42圖案形成而形成像素電極41a和第1隔壁42a的工序，和在層間絕緣膜30上及第1隔壁42a上形成第2隔壁45的工序，所以用于使像素電極41a圖案形成的抗蝕劑掩模和像素電極材料41保持為非接觸狀態(tài)。因此，可以防止由該抗蝕劑掩模的殘留物造成的對像素電極41a的污染。因此，由于可以在具有清潔的表面狀態(tài)的像素電極41a上形成空穴注入層50和發(fā)光層51等的發(fā)光功能層47，所以發(fā)光功能層47的可靠性提高，可以提供良好的有機EL裝置1。
另外，層間絕緣膜30優(yōu)選由有機材料構(gòu)成。由于該情況下可以由濕式成膜法形成層間絕緣膜30，所以與真空成膜法相比較，可以由簡單的設(shè)備以低制造成本進行成膜。另外，用真空成膜法難以厚膜化，而如果由濕式成膜法容易達到厚膜化。
另外，由于第1隔壁材料42成膜之前、在層間絕緣膜30上形成像素電極材料41，所以由像素電極材料41可以保護層間絕緣膜30。因此，即使用等離子體CVD法使第1隔壁材料42成膜，層間絕緣膜30本身也不會在等離子體下曝露，所以可以防止對該層間絕緣膜30的等離子體損壞，穩(wěn)定地形成第1隔壁材料42。
另外，通過僅在像素電極41a上形成第1隔壁42a，與有機材料連接的像素電極41a及第1隔壁42a的總計面積比現(xiàn)有技術(shù)少。因此在制造過程中或者完成體的狀態(tài)下層間絕緣膜30上發(fā)生應(yīng)力的情況下，由于應(yīng)力降低，所以可以抑制破損和剝離等的發(fā)生。
另外，由于層間絕緣膜30和第1隔壁42a保持為非接觸，所以不會發(fā)生現(xiàn)有技術(shù)中成為問題的層間絕緣膜30和第1隔壁42a的接合面上的剝離。
另外，作為第2隔壁材料45采用有機材料，由于層間絕緣膜30和第2隔壁45都由有機材料構(gòu)成，所以可以實現(xiàn)該層間絕緣膜30和第2隔壁45的密接性的提高。而且，由于在該結(jié)構(gòu)中相同程度硬度的有機材料接觸而構(gòu)成，所以還可以實現(xiàn)有機EL裝置1的強度的提高。
另外，由于即使用等離子體CVD等的方法形成第1隔壁材料42、進行該過程時層間絕緣膜30也不露出，所以該層間絕緣膜30的有機材料不會由等離子體損壞而被蝕刻，也就可以防止伴隨有機材料的蝕刻的制造裝置的污染。
另外，由于現(xiàn)有技術(shù)中在由層間絕緣膜30及像素電極材料41構(gòu)成的多層膜上形成第1隔壁材料42，所以該第1隔壁材料42的蝕刻控制性困難，而本實施方式中僅在像素電極材料41上形成第1隔壁42a，所以可以得到良好的蝕刻控制性，可以控制面內(nèi)的第1隔壁42a的蝕刻速率的不均勻化。
另外，在層間絕緣膜30上可以使像素電極材料41和第1隔壁材料42依次成膜，以掩模PR圖案形成，因而不必使像素電極材料41和第1隔壁材料42的各個材料圖案形成，可以達到工序的簡單化。
而且，在這樣的制造方法中，在像素電極41a上形成由第1隔壁42a和第2隔壁45構(gòu)成的液滴接受部46。而且，通過使用噴墨法，使發(fā)光功能層47的液體材料液滴化、噴到液滴接受部46，從而在液滴接受部46內(nèi)可以形成發(fā)光功能層47。
另外，由于具有除去第1隔壁42a的一部分而露出像素電極41a的工序，所以通過用液滴噴出法將發(fā)光功能層47的液體材料向像素電極41a噴出，使液體材料彈落在電極的露出部41b，就可以形成發(fā)光功能層47。
另外，由于形成第2隔壁45的工序在基板10上全面形成第2隔壁45的材料后、在與像素電極41a相應(yīng)的部分上形成開口部45a，所以在與像素電極41a對應(yīng)的部分上就可以形成液滴接受部46。
另外，由于在形成電極露出部41b后形成第2隔壁45，所以在電極露出部41b上可以實施第2隔壁45的材料的全面涂布及開口部45a的形成。由此在形成開口部45a后可以確實露出電極露出部41b。
另外，由于相應(yīng)于在第1隔壁材料42上形成的掩模PR的形狀使像素電極材料41及第1隔壁材料42統(tǒng)一圖案形成而形成第1隔壁42a及像素電極41a，所以可以形成與掩模PR的形狀對應(yīng)的第1隔壁42a及像素電極41a。另外，由于由統(tǒng)一圖案形成來形成第1隔壁42a及像素電極41a，所以可以達到工序數(shù)的簡化。另外，由于用該方法不以第1隔壁42a作為掩模，所以使像素電極材料41圖案形成時的濕式蝕刻液或蝕刻氣體與第1隔壁42a的上面不接觸。因此，就可以防止?jié)袷轿g刻液或蝕刻氣體對第1隔壁42a的上面的影響。
另外，上述有機EL裝置1的制造方法的特征在于，使用干式蝕刻法進行像素電極材料41和第1隔壁材料42的圖案形成，形成第1隔壁42a及像素電極41a。
由于使用這樣的干式蝕刻法，不發(fā)生起因于濕式工序的層間絕緣膜30的膨脹，所以可以防止層間絕緣膜30的應(yīng)力的發(fā)生。
另外，在現(xiàn)有技術(shù)中用等離子體CVD法形成第1隔壁材料42的情況下，有第1隔壁42a和層間絕緣膜30容易剝離、導(dǎo)致真空容器內(nèi)的污染的問題，但本實施方式不是在成膜工序而是在圖案形成工序進行干式蝕刻(等離子體處理)，所以不會導(dǎo)致起因于上述膜的剝離的真空容器內(nèi)的污染。
另外，由上述制造方法可以制造有機EL裝置1。另外，也可以制造有機EL裝置用基板2。其與上述制造方法發(fā)揮同樣的效果。
(有機EL裝置的制造方法的第2實施方式)以下參照圖4及圖5說明有機EL裝置的制造方法的第2實施方式。
其中，圖4(a)～(d)是用于說明有機EL裝置的制造方法的工序圖，圖5是用于詳細地說明圖4(a)的圖。
另外，在本實施方式中，說明與前面所述的第1實施方式不同的部分。因此對相同的構(gòu)成賦予相同的符號，簡化其說明。
首先，如圖4(a)所示，在基板10上形成薄膜晶體管20和層間絕緣膜30后，使像素電極材料41及第1隔壁材料42連續(xù)成膜。另外，通過使像素電極材料41及第1隔壁材料42圖案形成形成像素電極41a及第1隔壁42a。
這里，參照圖5詳述像素電極材料41及第1隔壁材料42的圖案形成。圖5是表示圖4(a)中的層間絕緣膜30、像素電極材料41及第1隔壁材料42的主要部分的圖，是通過蝕刻直至形成像素電極41a及第1隔壁42a的工序圖。另外，在圖5中，未圖示接觸孔31，但是在未圖示部分中形成接觸孔31，借助于該接觸孔31漏電極25D與像素電極材料41連接。
首先，如圖5(a)所示，在第1隔壁材料42上形成掩模PR。
接著，如圖5(b)所示，與掩模PR的形狀相對應(yīng)，蝕刻第1隔壁材料42，形成第1隔壁42a。
接著，如圖5(c)所示，除去掩模PR，形成在像素電極材料41上僅殘留第1隔壁42a的狀態(tài)。
接著，如圖5(d)所示，以第1隔壁42a作為掩模(相同形狀的掩模)，與第1隔壁42a的形狀相對應(yīng)，蝕刻像素電極材料41，形成像素電極41a。
按照這樣進行，可以與第1實施方式同樣形成像素電極41a及第1隔壁42a。
以下返回圖4，繼續(xù)說明有機EL裝置的制造方法。
如圖4(b)所示，按照被覆層間絕緣膜30和第1隔壁材料42的上面的方式形成第2隔壁45(在層間絕緣膜上及第1隔壁材料上形成第2隔壁的工序)。另外，在像素電極41a是非露出狀態(tài)下形成該第2隔壁45。
然后，如圖4(c)所示，除去第1隔壁42a的一部分、露出像素電極41a、形成電極露出部41b(除去第1隔壁的一部分露出第1電極的工序)。
這里，第2隔壁45的開口部45a具有作為掩模的功能，與該掩模的圖案相對應(yīng)，蝕刻第1隔壁材料42，形成電極露出部41b(形成第2隔壁后露出第1電極的工序)。
通過這樣的工序，不僅形成電極露出部41b，而且露出隔壁側(cè)部42b。因此，形成液滴接受部46。
然后，如圖4(d)所示，使第2隔壁45后退，擴展開口部45a的開口面積45b(露出第1電極后、擴展第2隔壁開口面積的工序)。
這里，對于使第2隔壁后退，可以采用公知的蝕刻處理。例如適宜是在蝕刻液浸漬或氧等離子體處理。
如此使第2隔壁45后退時、露出第1隔壁上部42c，所以可以使噴出的液滴恰當(dāng)?shù)貪駶檾U展到接受部46內(nèi)。
如上所述，在本實施方式中，以第2隔壁45作為掩模、在與開口部45a相當(dāng)?shù)奈恢蒙鲜沟?隔壁42a圖案形成，露出像素電極41a，由此，可以不要僅用于露出像素電極41a的掩模、例如抗蝕劑掩模，減少了掩模。從而，可以達到制造工序的簡單化。
另外，由于形成電極露出部41b后擴展第2隔壁的開口面積45b，所以由第2隔壁45被覆的第1隔壁上部42c露出，該第1隔壁42a的露出面積變大。從而，用液滴噴出法向液滴接受部46涂布形成發(fā)光功能層的液體材料的情況下，液體材料與第1隔壁42a的接觸面積變大。即，液體材料可以適宜地濕潤擴展到具有親液性的第1隔壁42a上，可以確實地實施液體材料和第1電極41a的接觸。另外，使第1隔壁42a和第2隔壁45圖案形成時，必須分別有用于使抗蝕劑掩模曝光的曝光掩模。在以往的情況下，需要將用于第1隔壁42a的曝光圖案和用于第2隔壁45的曝光圖案合起來，控制第1隔壁上部42c。在本發(fā)明中，由于不用抗蝕劑掩模，所以可以自己配合控制第1隔壁上部42c。因此，液體材料可以適宜地濕潤擴展到具有親液性的第1隔壁42a及像素電極41a上，可以確實地實施液體材料和第1電極41a的接觸。
另外，與在第1隔壁材料42上形成的掩模PR相對應(yīng)，使第1隔壁材料42圖案形成而形成第1隔壁42a，以該第1隔壁42a作為掩模使像素電極材料41圖案形成而形成像素電極41a，因而可以形成與掩模PR的形狀相對應(yīng)的第1隔壁42a，可以形成與第1隔壁42a的形狀相對應(yīng)的像素電極41a。由此，用相同形狀的掩模可以形成第1隔壁42a和像素電極41a。
另外，在上述第1實施方式及第2實施方式中，在層間絕緣膜30上形成像素電極41a，但是也可以在該層間絕緣膜上形成可以提高層間絕緣膜30及像素電極41a的密接性的密接性賦予膜。作為該密接性賦予膜適宜采用Ti或Mo等的金屬膜。按照這樣，由于密接性賦予膜可以使層間絕緣膜30和像素電極41a確實密接，所以可以實現(xiàn)有機EL裝置1和有機EL裝置用基板2的強度的提高。
(電子機器)
以下，說明具備上述實施方式的有機EL裝置的電子機器的例子。
圖6(a)是移動電話機的一例的立體圖。在圖6(a)中，符號500表示移動電話機主體，符號501表示具備有機EL裝置的顯示部。
圖6(b)是表示文字處理機、個人電腦等的便攜式信息處理裝置一例的立體圖。在圖6(b)中，符號600表示信息處理裝置，符號601表示鍵盤等輸入部，符號603表示信息處理裝置主體、符號602表示具備有機EL裝置的EL顯示部。
圖6(c)是手表型電子機器的一例的立體圖。在圖6(c)中，符號700表示鐘表主體，符號701表示具備有機EL裝置的EL顯示部。
由于圖6(a)～(c)表示的電子機器具備上述實施方式所示的有機EL裝置，所以成為顯示特性良好的電子機器。
另外，作為電子機器不限定于上述電子機器，可以適用于各種電子機器。例如可以適用于具備臺型計算機、液晶投影儀、多媒體對應(yīng)的個人電腦(PC)及工程技術(shù)·工作站(EWS)、尋呼機、文字處理機、電視、探視器型和監(jiān)視直視型視頻信號記錄器、電子筆記本、臺式電子計算機、汽車駕駛導(dǎo)航裝置、POS終端、觸摸板的裝置等的電子機器。
權(quán)利要求
1.一種有機電致發(fā)光裝置的制造方法，是在第1電極上方具備以第1隔壁及第2隔壁圍繞的發(fā)光功能層的有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，具有在層間絕緣膜上使第1電極材料和第1隔壁材料順序成膜的工序；用相同形狀的掩模使上述第1電極材料及上述第1隔壁材料圖案形成而形成上述第1電極和上述第1隔壁的工序；和在上述層間絕緣膜上及上述第1隔壁材料上形成上述第2隔壁的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，層間絕緣膜是有機材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，還具備除去上述第1隔壁的一部分、露出上述第1電極的工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，通過在基板上全面形成第2隔壁材料后，在與上述第1電極相應(yīng)的部分上形成開口部，進行形成上述第2隔壁的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求4的任一項所述的有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，露出上述第1電極后，形成上述第2隔壁。
6.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求4的任一項所述的有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，形成上述第2隔壁后，露出上述第1電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，露出上述第1電極后，擴展第2隔壁的開口面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，相應(yīng)于在上述第1隔壁材料上形成的掩模，使上述第1隔壁材料圖案形成而形成第1隔壁，以該第1隔壁作為掩模，使上述第1電極材料圖案形成而形成第1電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，相應(yīng)于在上述第1隔壁材料上形成的掩模的形狀，使上述第1電極材料及上述第1隔壁材料統(tǒng)一圖案形成，形成上述第1隔壁及上述第1電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，使用干式蝕刻法進行上述第1電極材料和上述第1隔壁材料的圖案形成，形成上述第1隔壁及上述第1電極。
11.根據(jù)權(quán)利要求1～權(quán)利要求10的任一項所述的有機電致發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，在上述層間絕緣膜上形成可以賦予上述層間絕緣膜和上述第1電極以密接性的密接性賦予膜。
12.一種有機電致發(fā)光裝置，是在第1電極上具有以第1隔壁及第2隔壁圍繞的發(fā)光功能層的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，在上述發(fā)光功能層的側(cè)部上設(shè)置第1隔壁及第2隔壁，上述第1隔壁僅設(shè)置在上述第1電極上。
13.一種有機電致發(fā)光裝置用基板，是在第1電極上形成了第1隔壁的有機電致發(fā)光裝置用基板，其特征在于，在層間絕緣膜上形成上述第1電極，僅在該第1電極上設(shè)有上述第1隔壁。
14.一種電子機器，其特征在于，具備權(quán)利要求12所述的有機電致發(fā)光裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供可以實現(xiàn)降低配線電阻、達到低消耗功率化、抑制發(fā)熱及亮度均勻化的有機電致發(fā)光裝置、有機電致發(fā)光裝置的制造方法及電子機器。本發(fā)明的方法，是在第1電極(41a)上具備以第1隔壁(42a)及第2隔壁(45)圍繞的發(fā)光功能層(47)的有機電致發(fā)光裝置(1)的制造方法，其特征在于，具備在層間絕緣膜(30)上使第1電極材料(41)和第1隔壁材料(42)順序成膜的工序；用相同形狀的掩模(PR)使上述第1電極材料(41)及上述第1隔壁材料(42)圖案形成而形成上述第1電極(41a)和上述第1隔壁(42a)的工序；和在上述層間絕緣膜(30)上及上述第1隔壁材料(42)上形成上述第2隔壁(45)的工序。
文檔編號H01L51/50GK1662109SQ20041010466
公開日2005年8月31日 申請日期2004年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月24日
發(fā)明者石田幸政, 野澤陵一 申請人:精工愛普生株式會社