專利名稱：有機發(fā)光顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板顯示器及其制造方法，尤其是涉及有機發(fā)光顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
通常，有機發(fā)光顯示器(OLED)是發(fā)射式顯示器，其通過電激勵熒光有機化合物而發(fā)光。根據(jù)驅(qū)動排列為矩陣的像素的模式，OLED可分為有源矩陣或者無源矩陣。與無源矩陣OLED相比，有源矩陣OLED具有較低能耗，從而其更適于作為具有高分辨率的大顯示器。根據(jù)從有機化合物發(fā)出的光線的傳播方向，OLED可進一步分為三種類型頂部發(fā)射式、底部發(fā)射式和兩面發(fā)射式。與底部發(fā)射式OLED不同，頂部發(fā)射式OLED可在與襯底相反的方向上發(fā)光并且具有高的開口率(aperture ratio)，其中在該襯底上排列有單元像素。
在頂部發(fā)射式OLED中，可用具有優(yōu)異反射率和適當功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成像素電極。然而，似乎沒有單一材料滿足這些特性。從而頂部發(fā)射式OLED通常采用多層像素電極。
圖1是具有多層像素電極的傳統(tǒng)有源矩陣OLED及其制造方法的剖視圖。
參照圖1，襯底10具有顯示區(qū)域A和焊盤區(qū)域B。有源層20形成于顯示區(qū)域A上，其中該有源層具有源/漏區(qū)23和溝道區(qū)21。柵絕緣層25形成于襯底的整個表面上，并且對應(yīng)于溝道區(qū)21的柵電極30形成于柵絕緣層25上。隨后，中間層35形成于襯底的整個表面上，并且暴露源/漏極區(qū)23的源/漏接觸孔形成于中間層35中。
接下來，源/漏電極43形成于中間層35上，其中源/漏電極43通過源/漏接觸孔與源/漏區(qū)23接觸。同時，焊盤電極47形成于焊盤區(qū)域B的中間層35上。平坦化層50形成于襯底的整個表面上，并且暴露源/漏電極43中任一個的通孔53和暴露焊盤電極47的焊盤接觸孔55形成于平坦化層50中。
隨后，鋁-釹(AlNd)層和氧化銦錫(ITO)層依次沉積并被圖案化于平坦化層50上。從而，與通孔53暴露的源/漏電極43連接的像素電極60形成于顯示區(qū)域A的平坦化層50上，同時，通過焊盤接觸孔55與焊盤電極47連接的端子焊盤65形成于焊盤區(qū)域B的平坦化層50上。從而，像素電極60和端子焊盤65由AlNd層61、66和ITO層62、67形成。因此，作為反射層，AlNd層61反射從發(fā)光層發(fā)出的光，從而形成頂部發(fā)射式OLED，其在與襯底10相反的方向上發(fā)出光線。
在OLED被制造后，端子焊盤65與外部模塊結(jié)合起來，并傳輸從外部模塊輸入的電信號。從而，端子焊盤65易受外部濕氣或者氧氣侵害。如前面所述，端子焊盤65由AlNd層66和ITO層67形成。這些層可能同時暴露于濕氣中，尤其是在端子焊盤65的側(cè)面P。在此情況下，在AlNd層66和ITO層67之間可能產(chǎn)生原電池現(xiàn)象(galvanic phenomenon)。當具有不同電動勢(EMF)的材料同時暴露于腐蝕溶液時就發(fā)生此現(xiàn)象。具有較高EMF的材料被腐蝕。
從而，當端子焊盤65腐蝕時，與外部模塊結(jié)合后，其可靠性就可能降低。這導(dǎo)致OLED中的缺陷，并且使得產(chǎn)率下降。當焊盤電極具有由對外部濕氣或氧氣敏感的材料構(gòu)成的單層結(jié)構(gòu)時，焊盤可靠性的降低也可能產(chǎn)生。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有提高的焊盤可靠性的OLED。
本發(fā)明的其他特征將在隨后的說明中闡述，并且其一部分將因說明書而變得明顯，或者可通過實施本發(fā)明來獲知。
本發(fā)明提供一種OLED，其包括配置有顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域隔開的焊盤區(qū)域的襯底。至少一薄膜晶體管置于該襯底的顯示區(qū)域上，該薄膜晶體管包括有源層、柵電極和源/漏電極。像素電極與該薄膜晶體管相鄰，該像素電極與該薄膜晶體管電連接。至少一個焊盤電極置于該襯底的焊盤區(qū)域上，并且由與柵電極和源/漏電極之中任一相同的層形成。焊盤電極與外部模塊連接。
本發(fā)明還提供一種OLED，其包括配置有顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域隔開的焊盤區(qū)域的襯底。至少一薄膜晶體管置于該襯底的顯示區(qū)域上，該薄膜晶體管包括有源層、柵電極和源/漏電極。像素電極與該薄膜晶體管相鄰，該像素電極與該薄膜晶體管電連接并具有至少兩個導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。焊盤電極被設(shè)置在焊盤區(qū)域上，該焊盤電極由與柵電極和源/漏電極中的任一個相同的層形成。端子焊盤置于該焊盤電極上并且與外部模塊連接，該端子焊盤由與像素電極的導(dǎo)電層中的任一個相同的層形成。
應(yīng)當理解的是，上面的概括說明和下面的詳細說明都是示例性和解釋性的，并為所要求保護的本發(fā)明提供進一步解釋。


附圖示出本發(fā)明的實施例，并與文字說明一起用于闡述本發(fā)明的原理，該附圖用于提供對本發(fā)明的進一步理解，并且被結(jié)合于此說明書中且構(gòu)成其中的一部分，其中圖1是示出具有多層結(jié)構(gòu)的像素電極的傳統(tǒng)有源矩陣OLED及其制造方法的剖視圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的OLED的平面圖；圖3A、3B、3C、3D、3E和3F是示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖；圖6A和6B是示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第六示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖；圖9A、9B和9C是示出根據(jù)本發(fā)明第七示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖；
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第八示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖；圖11是示出根據(jù)本發(fā)明第九示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照示出本發(fā)明優(yōu)選實施例的附圖對本發(fā)明進行說明。然而，本發(fā)明可以按不同的形式來實施，并不應(yīng)理解為局限于在此說明的示例性實施例。在說明和附圖中，當一層置于其它層或者襯底“上”時，其可直接形成于該其它層或者襯底上，或者其可形成為在其間插入其他層或基板。在整個說明書中相同附圖標記表示相同部件。
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的OLED的平面圖。
參照圖2，顯示區(qū)域A位于襯底100的預(yù)定區(qū)域上以顯示圖像。顯示區(qū)域A具有單元像素陣列(未顯示)和在該單元像素陣列周圍的驅(qū)動電路(未顯示)，其中該單元像素陣列具有按矩陣排列的單元像素，并且驅(qū)動電路驅(qū)動單元像素。每個單元像素包括至少一個薄膜晶體管(未顯示)和與其電連接的一像素電極(未顯示)。該薄膜晶體管包括一有源層(未顯示)、柵電極(未顯示)和源/漏電極(未顯示)。該像素電極可具有導(dǎo)電層的至少一個多層結(jié)構(gòu)(layeredstructure)。
封裝區(qū)域C包圍顯示區(qū)域A，該封裝區(qū)域C保護顯示區(qū)域A中的單元像素免受外部濕氣和氧氣的影響。此外，在封裝區(qū)域C處施加粘合襯底100和封裝襯底(未顯示)的密封劑。
焊盤區(qū)域B位于顯示區(qū)域A和封裝區(qū)域C的外側(cè)，并且其是用于將施加電信號的外部模塊(未顯示)連接至顯示區(qū)域A的區(qū)域。在顯示區(qū)域A和焊盤區(qū)域B之間布置用于傳輸該電信號的各種布線(未顯示)。
焊盤區(qū)域B具有與這些布線電連接的至少一個焊盤電極。焊盤電極可由與柵電極或源/漏電極相同的層形成。當焊盤電極由與源/漏電極相同的層形成時，柵極焊盤可置于焊盤電極之下并由與柵電極相同的層形成。焊盤電極或者柵極焊盤可與布線電連接。端子焊盤可置于焊盤電極上，并且由與像素電極的任一層相同的層形成。在此情況下，端子焊盤可與外部模塊連接。然而，在沒有端子焊盤的情況下，焊盤電極與外部模塊連接。
圖3A、3B、3C、3D、3E和3F是示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖。圖3A至3F限于圖2中的顯示區(qū)域A的單元像素和焊盤區(qū)域B。
參照圖3A，襯底100具有顯示區(qū)域A和焊盤區(qū)域B。該襯底100可以是絕緣襯底，例如玻璃或者塑料襯底。緩沖層150形成于襯底100的整個表面上以保護隨后形成的薄膜晶體管免受諸如堿性離子的雜質(zhì)的影響，并且其可由氧化硅層或者氮化硅層形成，其中該雜質(zhì)自襯底100中流出。有源層200形成于襯底100的顯示區(qū)域A上，該有源層200可由非晶硅或者多晶硅形成。然后在襯底100的整個表面上形成柵絕緣層250。
參照圖3B，沉積并構(gòu)圖柵電極層以同時在顯示區(qū)域A的柵絕緣層250上形成柵電極300和在焊盤區(qū)域B的柵絕緣層250上形成焊盤電極330。焊盤電極330與連接焊盤區(qū)域B和顯示區(qū)域A的至少一個布線(未顯示)電連接。該布線可以是公共電源布線或者數(shù)據(jù)布線。柵電極和焊盤電極300、330優(yōu)選由對濕氣不敏感并且具有優(yōu)良導(dǎo)電性的材料形成。更加優(yōu)選地，它們可由鉬合金形成。最優(yōu)選地，鉬合金是鉬-鎢合金。
然后，可向有源層200中注入雜質(zhì)，利用柵電極300作為掩模以形成源/漏區(qū)230并且在源/漏區(qū)230之間定義溝道區(qū)210。
參照圖3C，中間層350形成為覆蓋該柵電極300和焊盤電極330。暴露源/漏區(qū)230的源/漏接觸孔370形成于中間層350和柵絕緣層250中。然后，于中間層350上沉積源/漏電極層并對其進行構(gòu)圖，以形成源/漏電極430，其中源/漏電極分別與由接觸孔370暴露的源/漏區(qū)230相連。
參照圖3D，平坦化層500形成于襯底100的整個表面上，然后光致抗蝕劑圖案(未顯示)形成于平坦化層500上，其中該光致抗蝕劑圖案暴露顯示區(qū)域A和焊盤區(qū)域B的預(yù)定區(qū)域。利用光致抗蝕劑作為蝕刻掩模，蝕刻所暴露的顯示區(qū)域A的平坦化層500以形成通孔530，其暴露源/漏電極430中的任一個。同時，利用該光致抗蝕劑作為蝕刻掩模蝕刻所暴露的焊盤區(qū)域B的平坦化層500和中間層350，以形成焊盤接觸孔550，其暴露該焊盤電極330。
參照圖3E，借助于濺射或真空沉積，可將第一像素電極層610沉積于顯示區(qū)域A中的平坦化層500上，并且利用同樣的方式可將第二像素電極層620沉積于第一像素電極層上。利用高精度掩模沉積第一和第二像素電極層610、620，從而顯示區(qū)域A而不是焊盤區(qū)域B配置有像素電極層。由第一和第二像素電極層610、620構(gòu)成的像素電極600與源/漏電極430中被通孔530暴露的一個連接。
第一像素電極層圖案610可由導(dǎo)電反射層形成，而第二像素電極層圖案620可由導(dǎo)電透明層形成。因此，從隨后形成的發(fā)射層發(fā)出的光可從導(dǎo)電反射層向與襯底100相反的方向反射。優(yōu)選地，導(dǎo)電反射層由從包括具有至少60％的反射率的鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、銀合金、以及它們的合金的組中選出的任一種形成。更為優(yōu)選地，該導(dǎo)電反射層由鋁-釹(AlNd)形成。導(dǎo)電透明層優(yōu)選由ITO或氧化銦鋅(IZO)形成，其具有允許空穴被容易地注入到隨后形成的有機發(fā)射層內(nèi)的功函數(shù)。
或者，像素電極600可由一個導(dǎo)電層形成。
參照圖3F，像素定義層700形成于襯底100的整個表面上。隨后，暴露像素電極600的表面的開口形成于顯示區(qū)域A的像素定義層700內(nèi)，且同時從焊盤區(qū)域B移除像素定義層700以暴露焊盤電極330。然后，至少具有發(fā)射層的有機功能層730形成于像素電極600的暴露在該開口內(nèi)的部分上。該有機功能層730也可包括電荷注入層和/或電荷傳輸層。對電極(oppositeelectrode)780形成于有機功能層730上。當像素電極600用作陽極時，對電極780可用作陰極；當像素電極600用作陰極時，對電極780可用作陽極。
鈍化絕緣層800形成于襯底的整個表面上，然后被從焊盤區(qū)域B移除以暴露焊盤電極330。
隨后，用密封劑覆蓋襯底的封裝區(qū)域C(未顯示)，并且借助于該密封劑將襯底和封裝襯底粘合在一起。然后，固化密封劑以完成封裝，其可防止外部氧氣和/或濕氣滲入顯示區(qū)域A。從而，封裝可防止有機功能層730和像素電極600與氧氣和/或濕氣反應(yīng)，這樣可改善OLED的特性，例如其使用壽命。
封裝襯底沒有封裝焊盤區(qū)域B的任何部分，從而該焊盤區(qū)域B被暴露。所暴露的焊盤區(qū)域330與外部模塊連接，該外部模塊可以是覆晶玻璃(chip onglass)(COG)、柔性印電路(FPC)或其他類似模塊。
與現(xiàn)有技術(shù)不同，在本示例性實施例中，焊盤區(qū)域B不具有端子焊盤(圖1的65)。此結(jié)構(gòu)可防止由于端子焊盤的腐蝕導(dǎo)致的焊盤可靠性的下降。由于該腐蝕是造成原電池現(xiàn)象的原因，從而焊盤可靠性的提高可降低OLED的故障率。此外，焊盤電極330可由對濕氣不敏感的材料形成，這可防止焊盤電極330的腐蝕。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖。圖4限于圖2所示的顯示區(qū)域A的單元像素和焊盤區(qū)域B。本實施例的OLED具有與第一示例性實施例不同的焊盤區(qū)域結(jié)構(gòu)。下面將對與第一示例性實施例的不同之處進行說明。
在形成和蝕刻平坦化層500之后，利用高精度掩模通過濺射或者真空沉積在平坦化層500上沉積第一像素電極層，從而為顯示區(qū)域A提供第一像素電極層圖案610并為焊盤區(qū)域B提供端子焊盤570。隨后，利用另一高精度掩模通過濺射或真空沉積在第一像素電極層圖案610上沉積第二像素電極層，從而在第一像素電極層圖案610上形成第二像素電極層圖案620，但是不在端子焊盤570上形成圖案。
端子焊盤570與通過焊盤接觸孔550暴露的焊盤電極330接觸。
然后，在襯底100的整個表面形成像素定義層700。接下來，在像素定義層700內(nèi)形成開口以暴露像素電極600的表面。同時，從焊盤區(qū)域B移除像素定義層700以暴露端子焊盤570。接下來，至少具有發(fā)射層的有機功能層730形成于像素電極600的暴露在開口中的部分上。對電極780形成于有機發(fā)射層730上。
鈍化層800形成于襯底的整個表面上，然后被從焊盤區(qū)域B移除以暴露端子焊盤570。
然后，利用密封劑和封裝襯底(未顯示)封裝襯底。焊盤區(qū)域B沒有被封裝襯底封裝，并且所暴露的端子焊盤570與外部模塊連接。
在此示例性實施例中，端子焊盤570由與第一像素電極層610相同的單一層形成，其可防止由空氣中的濕氣導(dǎo)致的原電池現(xiàn)象。從而，可防止由端子焊盤(圖1的65)的腐蝕導(dǎo)致的焊盤可靠性的下降。焊盤可靠性的改善可降低OLED的故障率。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖。圖5限于圖2所示的顯示區(qū)域A的單元像素和焊盤區(qū)域B。本實施例的OLED具有與第二示例性實施例不同的端子焊盤結(jié)構(gòu)。下面將對與第二示例性實施例的不同之處進行說明。
在形成和蝕刻平坦化層500之后，利用高精度掩模通過濺射或者真空沉積在平坦化層500上沉積第一像素電極層，從而為顯示區(qū)域A提供第一像素電極層圖案610，但不在焊盤區(qū)域B上形成圖案。接下來，利用另一高精度掩模通過濺射或真空沉積在包括第一像素電極層圖案610的平坦化層500上沉積第二像素電極層，從而在第一像素電極層圖案610上形成第二像素電極層圖案620，并在焊盤電極330上形成端子焊盤575。
端子焊盤575與通過焊盤接觸孔550暴露的焊盤電極330接觸。
除了上述情況外，本實施例的OLED與參照圖4所述的OLED相同。
圖6A和6B是示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖。圖6A和6B限于圖2中所示的顯示區(qū)域A的單元像素和焊盤區(qū)域B。本實施例的OLED具有與第一實施例不同的焊盤區(qū)域結(jié)構(gòu)。下面將對與第一示例性實施例的不同之處進行說明。
參照圖6A，為襯底100配置有源層200和柵絕緣層250，其是通過與參照圖3A所述方法相同的方法形成的。在柵絕緣層250上沉積柵電極層并對其進行構(gòu)圖以在顯示區(qū)域A的柵絕緣層250上形成柵電極300。
接下來，在襯底100的整個表面上形成中間層350。該中間層350具有暴露源/漏區(qū)230的源/漏接觸孔370。然后，在中間層350上沉積源/漏電極層并對其構(gòu)圖，以同時形成源/漏電極430和焊盤區(qū)域B上的焊盤電極470，其中該源/漏電極430分別與源/漏極區(qū)230相連接。焊盤電極470與連接焊盤區(qū)域B和顯示區(qū)域A的布線(wiring)(未顯示)連接。該布線可以是公共電源布線或者數(shù)據(jù)布線。源/漏電極430和焊盤電極470優(yōu)選由對濕氣不敏感并具有優(yōu)良導(dǎo)電性的材料形成。更為優(yōu)選地，它們由鉬合金形成。最優(yōu)選地，該鉬合金為鉬-鎢合金。
參照圖6B，平坦化層500形成于襯底100的整個表面上并且被蝕刻以形成通孔530和焊盤接觸孔550，其中該通孔530暴露源/漏電極430中的任一個，該焊盤接觸孔550暴露該焊盤電極470。
接下來，OLED通過與參照圖3E和3F所述方法相同的方法制造。與現(xiàn)有技術(shù)不同，根據(jù)本實施例的OLED沒有端子焊盤(圖1的65)，這可防止由于端子焊盤的腐蝕而導(dǎo)致的焊盤可靠性的下降。由于該腐蝕是造成原電池現(xiàn)象的原因，從而提高焊盤的可靠性可降低OLED的故障率。此外，焊盤電極470可由對濕氣不敏感的材料形成，這可防止焊盤電極470的腐蝕。
圖7是示出根據(jù)本發(fā)明第五示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖。圖7限于圖2中所示的顯示區(qū)域A的單元像素和焊盤區(qū)域B。本實施例的OLED具有與第四示例性實施例不同的焊盤區(qū)域結(jié)構(gòu)。下面將對與第四示例性實施例的不同之處進行說明。
在形成和蝕刻平坦化層500之后，利用高精度掩模通過濺射或者真空沉積在平坦化層500上沉積第一像素電極層，從而為顯示區(qū)域A提供第一像素電極層圖案610并為焊盤區(qū)域B提供端子焊盤570。隨后，利用另一高精度掩模通過濺射或真空沉積在第一像素電極層圖案610上沉積第二像素電極層，從而在第一像素電極層圖案610上形成第二像素電極層圖案620，但是不在端子焊盤570上形成圖案。
端子焊盤570與通過焊盤接觸孔550暴露的焊盤電極470接觸。
然后，在襯底100的整個表面形成像素定義層700。接下來，像素定義層700內(nèi)的開口得以形成以暴露像素電極600的表面。同時，從焊盤區(qū)域B移除像素定義層700以暴露端子焊盤570。接下來，至少具有發(fā)射層的有機功能層730形成于暴露在開口中的像素電極600上。對電極780形成于有機發(fā)射層730上。
鈍化層800形成于襯底的整個表面上，然后被從焊盤區(qū)域B移除以暴露端子焊盤570。
利用密封劑和封裝襯底(未顯示)封裝襯底的顯示區(qū)域A，但是使焊盤區(qū)域B保持暴露。所暴露的端子焊盤570可與外部模塊連接。
在此示例性實施例中，端子襯底570由與第一像素電極層610相同的單一層形成，其可防止由空氣中的濕氣導(dǎo)致的原電池現(xiàn)象。這可防止由端子焊盤(圖1的65)的腐蝕導(dǎo)致的焊盤可靠性的下降，這可降低OLED的故障率。
圖8是示出根據(jù)本發(fā)明第六示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖。圖8限于圖2中所示的顯示區(qū)域A的單元像素和焊盤區(qū)域B。本實施例的OLED具有與第五示例性實施例不同的端子焊盤結(jié)構(gòu)。下面將對與第五示例性實施例的不同之處進行說明。
在形成和蝕刻平坦化層500之后，利用高精度掩模通過濺射或者真空沉積在平坦化層500上沉積第一像素電極層，從而為顯示區(qū)域A提供第一像素電極層圖案610，但不為焊盤區(qū)域B配置附加圖案。接下來，利用另一高精度掩模通過濺射或真空沉積在包括第一像素電極層圖案610的平坦化層500上沉積第二像素電極層，從而在第一像素電極層圖案610上形成第二像素電極層圖案620，并在焊盤電極470上形成端子焊盤575。
端子焊盤575與通過焊盤接觸孔550暴露的焊盤電極470接觸。
除了上述情況外，本實施例的OLED與參照圖7所述的OLED相同。
圖9A、9B和9C是示出根據(jù)本發(fā)明第七示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖。圖9A至9C限于圖2中所示的顯示區(qū)域A中的單元像素和焊盤區(qū)域B。本實施例的OLED具有與前面示例性實施例不同的焊盤區(qū)域結(jié)構(gòu)。
參照圖9A，為襯底100配置有源層200和柵絕緣層250，它們通過與參照圖3A所述方法相同的方法形成。
在柵絕緣層250上沉積柵電極層并對其構(gòu)圖，以同時在顯示區(qū)域A的柵絕緣層250上形成柵電極300并且在焊盤區(qū)域B的柵絕緣層250上形成柵焊盤(gate pad)335。然后利用柵電極300作為掩模向有源層200中注入雜質(zhì)，從而形成源/漏區(qū)230并定義源/漏區(qū)230之間的溝道區(qū)210。
中間層350形成為覆蓋柵電極300和柵焊盤335。同時為中間層350配置源/漏接觸孔370和柵焊盤接觸孔390，其中源/漏接觸孔370暴露源/漏區(qū)230，柵極焊盤接觸孔390暴露柵焊盤335。
參照圖9B，然后在中間層350上沉積源/漏電極層并對其構(gòu)圖，以形成源/漏電極430，該源/漏電極430分別與源/漏區(qū)230連接。同時，焊盤電極470形成于通過柵焊盤接觸孔390暴露的柵焊盤335上。焊盤電極470或者柵焊盤335可與連接焊盤區(qū)域B和顯示區(qū)域A的布線(未顯示)電連接。該布線可以是公共電源布線或者數(shù)據(jù)布線。焊盤電極470和源/漏電極430優(yōu)選由對濕氣不敏感并具有優(yōu)良導(dǎo)電性的材料形成。更為優(yōu)選地，它們由鉬合金形成。最優(yōu)選地，該鉬合金為鉬-鎢合金。
參照圖9C，平坦化層500形成于襯底100的整個表面上，并且被蝕刻以形成通孔530和焊盤接觸孔550，其中該通孔530暴露源/漏電極430中任一個，該焊盤接觸孔550暴露該焊盤電極470。
然后，OLED通過與參照圖3E和3F所述方法相同的方法制造。與現(xiàn)有技術(shù)不同，根據(jù)第七示例性實施例的OLED沒有端子焊盤(圖1的65)，這可防止由于端子焊盤的腐蝕而導(dǎo)致的焊盤可靠性的下降。由于該腐蝕是造成原電池現(xiàn)象的原因，從而提高焊盤的可靠性可降低OLED的故障率。此外，焊盤電極470可由對濕氣不敏感的材料形成，這可防止焊盤電極470的腐蝕。
圖10是示出根據(jù)本發(fā)明第八示例性實施例的OLED及其制造方法的剖視圖。圖10限于圖2中所示的顯示區(qū)域A的單元像素和焊盤區(qū)域B。根據(jù)第八示例性實施例的OLED具有與第七示例性實施例不同的焊盤區(qū)域結(jié)構(gòu)。下面將對與第七示例性實施例的不同之處進行說明。
在形成和蝕刻平坦化層500之后，利用高精度掩模通過濺射或者真空沉積在平坦化層500上沉積第一像素電極層，從而為顯示區(qū)域A提供第一像素電極層圖案610并為焊盤區(qū)域B提供端子焊盤570。隨后，利用另一高精度掩模通過濺射或真空沉積在第一像素電極層圖案610上沉積第二像素電極層，從而在第一像素電極層圖案610上形成第二像素電極層圖案620，但是不在端子焊盤570上形成圖案。
在襯底100的整個表面形成像素定義層700。然后，像素定義層700內(nèi)的開口得以形成以暴露像素電極600的表面。同時，從焊盤區(qū)域B移除像素定義層700以暴露端子焊盤570。接下來，至少具有發(fā)射層的有機功能層730形成于暴露在開口中的像素電極600上。對電極780形成于有機發(fā)射層730上。
然后，鈍化層800形成于襯底的整個表面上，然后被從焊盤區(qū)域B移除以暴露端子焊盤570。
利用密封劑和封裝襯底(未顯示)封裝襯底，但是使焊盤區(qū)域B保持暴露。所暴露的端子焊盤570與外部模塊連接。
在此示例性實施例中，端子焊盤570由與第一像素電極層610相同的單一層形成，其可防止由空氣中的濕氣導(dǎo)致的原電池現(xiàn)象。這可防止由端子焊盤(圖1的65)的腐蝕導(dǎo)致的焊盤可靠性的下降。焊盤可靠性的提高可降低OLED的故障率。
圖11是示出根據(jù)本發(fā)明第九實施例的OLED及其制造方法的剖視圖。圖11限于圖2中所示的顯示區(qū)域A的單元像素和焊盤區(qū)域B。本實施例的OLED具有與第八示例性實施例不同的端子焊盤結(jié)構(gòu)。下面將對與第八示例性實施例的不同之處進行說明。
在形成和蝕刻平坦化層500之后，利用高精度掩模通過濺射或者真空沉積在平坦化層500上沉積第一像素電極層，從而為顯示區(qū)域A提供第一像素電極層圖案610，但在焊盤區(qū)域B上不附加圖案。接下來，利用另一高精度掩模通過濺射或真空沉積在包括第一像素電極層圖案610的平坦化層500上沉積第二像素電極層，從而在第一像素電極層圖案610上形成第二像素電極層圖案620，并在焊盤電極470上形成端子焊盤575。
端子焊盤575與通過焊盤接觸孔550暴露的焊盤電極470接觸。
除了上述情況外，本實施例的OLED與參照圖10所述的OLED相同。
為了有助于理解本發(fā)明，下文對一示例進行說明。
示例與第四實施例相同地制備OLED。焊盤電極(圖6B的470)由鉬鎢合金形成，并通過焊盤接觸孔(圖6B的550)暴露。
比較例除了在由AlNd層和ITO層形成像素電極(圖6B的600)的同時，在焊盤電極(圖6B的470)上形成具有相同的AlNd層和ITO層的端子焊盤之外，與該示例相同地制備OLED。
以下的表1顯示出10個OLED的故障率。5個基于該示例，5個基于該比較例。這些OLED在85℃、95％的相對濕度下保持100小時。
表1

參見表1，5個該示例的OLED在其焊盤中未產(chǎn)生任何缺陷。另一方面，全部5個比較例的OLED在其焊盤中均產(chǎn)生了缺陷。于是，示例的OLED相對于比較例的OLED在故障率方面具有100％的改善。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，焊盤區(qū)域B可不具有端子焊盤，或者如果其具有端子焊盤(圖4、7和10的570，圖5、8和11的575)，則其可由與構(gòu)成像素電極600的導(dǎo)電薄層中的任一個相同的單一層形成。從而，其可防止由空氣中的濕氣導(dǎo)致的原電池現(xiàn)象，這可防止由于端子焊盤的腐蝕導(dǎo)致的焊盤可靠性的下降。端子可靠性的提高可降低OLED的故障率。此外，當不形成端子焊盤時，焊盤電極可由對濕氣不敏感的材料形成，這可防止焊盤電極的腐蝕。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說明顯的是，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可對本發(fā)明進行各種改進和變化。從而，本發(fā)明將涵蓋落入所附權(quán)利要求及其同等結(jié)構(gòu)范圍內(nèi)的本發(fā)明的改進和變化。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示器(OLED)，包括一襯底；一顯示區(qū)域，其位于該襯底上；一焊盤區(qū)域，其位于該襯底上并與該顯示區(qū)域隔開；一薄膜晶體管，其被置于該顯示區(qū)域上，并具有有源層、柵電極、源電極和漏電極；一像素電極，其與該薄膜晶體管電連接；以及一焊盤電極，其被置于該焊盤區(qū)域上，其中，該焊盤電極由與柵電極層或者源/漏電極層相同的層形成，其中，該焊盤電極與外部模塊連接。
2.如權(quán)利要求1的OLED，其中該像素電極具有至少兩導(dǎo)電層。
3.如權(quán)利要求2的OLED，其中該兩導(dǎo)電層是一導(dǎo)電反射層和一導(dǎo)電透明層。
4.如權(quán)利要求3的OLED，其中該導(dǎo)電反射層由從鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、銀合金、以及它們的合金的組中選出的任一種形成。
5.如權(quán)利要求4的OLED，其中該導(dǎo)電反射層由鋁-釹(AlNd)形成。
6.如權(quán)利要求3的OLED，其中該導(dǎo)電透明層由氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)形成。
7.如權(quán)利要求1的OLED，其中該焊盤電極由鉬合金形成。
8.如權(quán)利要求7的OLED，其中該鉬合金是鉬-鎢合金。
9.如權(quán)利要求1的OLED，還包括一柵焊盤，其由與該柵電極層相同的層形成并形成于該焊盤電極之下，其中該焊盤電極由與該源/漏電極層相同的層形成。
10.如權(quán)利要求1的OLED，其中該外部模塊是覆晶玻璃或柔性印刷電路。
11.一種有機發(fā)光顯示器(OLED)，包括一襯底；一顯示區(qū)域，其位于該襯底上；一焊盤區(qū)域，其位于該襯底上并與該顯示區(qū)域隔開；至少一薄膜晶體管，其被置于該顯示區(qū)域上并具有有源層、柵電極、源電極和漏電極；一像素電極，其與該薄膜晶體管電連接，并由至少兩導(dǎo)電層形成；一焊盤電極，其被置于該焊盤區(qū)域上；以及一端子焊盤，其被置于該焊盤電極上，其中，該焊盤電極由與柵電極層或者源/漏電極層相同的層形成，其中，該端子焊盤由與該導(dǎo)電層中的任一層相同的層形成，其中，該端子焊盤與外部模塊連接。
12.如權(quán)利要求11的OLED，其中所述兩導(dǎo)電層是一導(dǎo)電反射層和一導(dǎo)電透明層。
13.如權(quán)利要求12的OLED，其中該導(dǎo)電反射層由從鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、銀合金、以及它們的合金的組中選出的任一種形成。
14.如權(quán)利要求13的OLED，其中該導(dǎo)電反射層由鋁-釹(AlNd)形成。
15.如權(quán)利要求12的OLED，其中該導(dǎo)電透明層由氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)形成。
16.如權(quán)利要求12的OLED，其中該端子焊盤由該導(dǎo)電反射層或者該導(dǎo)電透明層形成。
17.如權(quán)利要求16的OLED，其中該導(dǎo)電透明層由ITO或IZO形成。
18.如權(quán)利要求11的OLED，其中該焊盤電極由鉬合金形成。
19.如權(quán)利要求18的OLED，其中該鉬合金是鉬-鎢合金。
20.如權(quán)利要求11的OLED，還包括一柵焊盤，其由與該柵電極層相同的層形成并形成于該焊盤電極之下，其中該焊盤電極由與該源/漏電極層相同的層形成。
21.如權(quán)利要求11的OLED，其中該外部模塊是覆晶玻璃或柔性印刷電路。
22.一種有機發(fā)光顯示器(OLED)的制造方法，包括提供具有顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域隔開的焊盤區(qū)域的襯底；在該顯示區(qū)域上形成具有有源層、柵電極、源電極和漏電極的薄膜晶體管；隨著形成該柵電極或該源/漏電極而在該焊盤區(qū)域上形成焊盤電極；以及形成與該薄膜晶體管電連接的像素電極并暴露該焊盤電極。
23.如權(quán)利要求22的方法，其中該像素電極具有至少兩導(dǎo)電層。
24.如權(quán)利要求23的方法，其中該兩導(dǎo)電層是一導(dǎo)電反射層和一導(dǎo)電透明層。
25.如權(quán)利要求24的方法，其中該導(dǎo)電反射層由從鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、銀合金、以及它們的合金的組中選出的任一種形成。
26.如權(quán)利要求24的方法，其中該導(dǎo)電透明層由氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)形成。
27.如權(quán)利要求22的方法，其中該焊盤電極由鉬合金形成。
28.如權(quán)利要求22的方法，還包括在形成該焊盤電極之前，隨該柵電極的形成而形成柵焊盤，其中在該柵焊盤上隨著形成該源/漏電極而形成該焊盤電極。
29.一種有機發(fā)光顯示器(OLED)的制造方法，包括提供具有顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域隔開的焊盤區(qū)域的襯底；在該顯示區(qū)域上形成具有有源層、柵電極、源電極和漏電極的薄膜晶體管；隨著形成該柵電極或該源/漏電極而在該焊盤區(qū)域上形成焊盤電極；形成具有至少兩導(dǎo)電層并且與該薄膜晶體管電連接的像素電極；以及隨著該導(dǎo)電層中的任一層的形成而在該焊盤電極上形成端子焊盤。
30.如權(quán)利要求29的方法，其中所述兩導(dǎo)電層是一導(dǎo)電反射層和一導(dǎo)電透明層。
31.如權(quán)利要求30的方法，其中該導(dǎo)電反射層由從鋁(Al)、鋁合金、銀(Ag)、銀合金、以及它們的合金的組中選出的任一種形成。
32.如權(quán)利要求30的方法，其中該導(dǎo)電透明層由氧化銦錫(ITO)或者氧化銦鋅(IZO)形成。
33.如權(quán)利要求30的方法，其中該端子焊盤由該導(dǎo)電反射層或者該導(dǎo)電透明層形成。
34.如權(quán)利要求29的方法，其中該焊盤電極由鉬合金形成。
35.如權(quán)利要求29的方法，還包括在形成該焊盤電極之前，隨該柵電極的形成而形成柵焊盤，其中在該柵焊盤上隨著形成該源/漏電極而形成該焊盤電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示器及其制造方法。該有機發(fā)光顯示器包括襯底、至少一薄膜晶體管、一像素電極和至少一焊盤電極。該襯底配置有顯示區(qū)域和與該顯示區(qū)域隔開的焊盤區(qū)域。該薄膜晶體管置于該襯底的顯示區(qū)域上，并包括有源層、柵電極和源/漏電極。像素電極與該薄膜晶體管相鄰并且與該薄膜晶體管電連接。該焊盤電極置于該襯底的焊盤區(qū)域上，并由與柵電極或者源/漏電極相同的層形成，并且與外部模塊連接。
文檔編號H01L27/32GK1622715SQ20041009536
公開日2005年6月1日 申請日期2004年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月24日
發(fā)明者李寬熙, 郭源奎 申請人:三星Sdi株式會社