專利名稱：減少應力導致孔洞形成的線路結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路與其他電子元件的領(lǐng)域，特別是涉及一種在介層窗可靠度測試與在多層內(nèi)連線中應力導致孔洞形成的具高電阻的減少應力導致孔洞形成的線路結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在制造微電子元件的“后段制程(back end of line，BEOL)”期間，數(shù)個導電層在連續(xù)的制造步驟中會互相堆疊。這些導電層又稱為內(nèi)連線，其分別被一個或數(shù)個介電層隔開，以電性隔離相鄰的內(nèi)連線及防止導電層間的非預期干擾。內(nèi)連線例如可為介層窗及導線或是接觸窗與源極/汲極的型態(tài)。由于透過電子電路的重復電流通道施壓于(金屬)導體上，可能導致孔洞而造成元件錯誤，故要改善最終元件的可靠度成為一個重要的挑戰(zhàn)。在多層內(nèi)連線中，應力導致孔洞形成是一個常見的問題，特別是含銅的內(nèi)連線。隨著內(nèi)連線變的更小及使用更高電流密度，可靠度更為重要。元件錯誤的一個主要原因是電致遷移，當電流流過時，會經(jīng)由導電元件中的金屬離子或空缺的移動而形成孔洞。一種持續(xù)的趨勢為制造元件以實質(zhì)延緩其失效機構(gòu)的發(fā)生，或經(jīng)由結(jié)合新設(shè)計及改良式材料以防止其失效機構(gòu)的發(fā)生。
在操作集成電路元件時，電流通常是由第一導電層透過介層窗流到第二導電層，在到達第二導電層之前，會經(jīng)過位在介層窗底部的擴散障礙。舉例來說，考慮到圖1的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中第一導電層3是形成于基材1上的第一介電層2中。傳統(tǒng)上，第一導電層3和第一介電層2是共平面。第二介電層4是沉積于第一介電層2與第一導電層3上。可選擇的是，第一與第二介電層2，4是介電層堆疊結(jié)構(gòu)的一部份，而此堆疊結(jié)構(gòu)更可包括一個或數(shù)個蝕刻中止層或阻障層，如同熟習此項技藝者所知。
使用傳統(tǒng)的圖案化及金屬沉積(鑲嵌)過程，以形成一介層窗5于第一導電層3上，并形成一第二導電層7于介層窗5上。傳統(tǒng)上，在第二金屬沉積過程之前，沉積擴散阻障層6于鑲嵌開口中。在擴散阻障層6的下面?zhèn)缺谏系膲嚎s力增大，而在介層窗5底部的擴散阻障層6的相反面上的張力隨時間而增加。其為第一導電層3中的金屬移動之故，致使孔洞8形成于張力位置，例如來自阻障層6的電流上游位置。因此，由于電致遷移的關(guān)系，鄰近介層窗5的部份第一導電層易受孔洞形成的影響。此外，具大表面積的第一導電層3也較為容易地形成孔洞。用于監(jiān)視第一與第二導電層圖案對孔洞形成的影響的介層窗測試結(jié)構(gòu)是有需要的，以便能夠清楚得知如何設(shè)計及使用何種材料，以提供更高的可靠度。
在金屬化圖案中執(zhí)行孔洞偵測的方案，如美國專利第5,504,017號所示，其使電流穿越一金屬層，以產(chǎn)生一熱點于鄰近孔洞的阻障層中。此熱點是由紅外線技術(shù)偵測，或經(jīng)涂布液態(tài)晶體材料于金屬上及測量熱量回應。
一種測試結(jié)構(gòu)如美國專利第6,004,827號所揭露，其中形成一金屬滑道于基材上。在燒結(jié)過程之后，移除介電層，以暴露出滑道上的凸塊。當特定位置的凸塊濃度比平均凸塊密度高20％時，則預期在此處會有長期錯誤。
在美國專利第6,498,384號中，是在半導體晶圓上制造一種測試結(jié)構(gòu)，其包括一第一金屬層，第一金屬層具有第二與第四通道，且經(jīng)由介層窗連接第二金屬層中的第一、第三與第五通道。覆蓋層中的開口使得第一與第五通道的電阻可被探測出，并且可和一測定測量結(jié)果做比較。
美國專利第6,320,391號描述一種長窄型測試結(jié)構(gòu)，當只有安置一介層窗于測試導體的各末端時，其經(jīng)由復數(shù)個介層窗連接至一延長金屬導體的各末端，以避免電流聚集效應。此測試結(jié)構(gòu)相容于高應力電流。
在美國專利第6,570,181號中，描述一種可靠度測試結(jié)構(gòu)，其具有一連串復數(shù)個長型測試環(huán)節(jié)形成于第一金屬層中，可經(jīng)由形成于第二金屬層中的復數(shù)個短環(huán)節(jié)交替相互連接。此長與短型環(huán)節(jié)可以一彎曲架構(gòu)來配置。
K.Yoshida，T.Fujimaki，K.Miyamoto，T.Honma，H.Kaneko，H.Nakazawa，M.Morita在Electron Devices Meeting，2002，IEEE，Vol.8-11，pages 753-756的“Stress-Induced Voiding Phenomena for anActual CMOS LSI Interconnects”指出，在到達連接金屬層的介層窗前，主金屬中的空缺可透過一寬金屬層而擴散或透過一窄金屬層而延緩。在此段時間，充分的空缺累積而形成孔洞于介層窗底部。舉例來說，在圖8A中寬金屬50上的介層窗51下方的孔洞生成速度，會比在圖8B中寬金屬層50的延伸部52上的介層窗51下面的孔洞的生成速度快。
因此，當于內(nèi)連線上執(zhí)行可靠度測試時，在元件錯誤出現(xiàn)之前，由于無法考慮大塊金屬(例如一焊墊或一大面積金屬層)中的孔洞，故傳統(tǒng)的測試結(jié)構(gòu)通常會低估壽命。大塊金屬中的孔洞會透過連接介層窗的窄金屬擴散。圖2為傳統(tǒng)四通道Kelvin測試結(jié)構(gòu)10的上視圖，用于執(zhí)行電阻測量。由焊墊11、焊墊12與金屬線13，14構(gòu)成的第一金屬層形成于半導體基材(圖中未示)上。由焊墊15、焊墊16與金屬線17，18構(gòu)成的第二金屬層形成第一金屬層上，且經(jīng)由一介電層19而和第一金屬層隔開。第一金屬線13，14連接介層窗20的底部，而第二金屬線17，18連接介層窗20的頂部。舉例來說，提供大約1毫安培(mA)的電流至焊墊11，接著測量焊墊12的電壓V1及測量焊墊16的電壓V2。焊墊15接地至0伏特。介層窗20的電阻R測定為R＝(V1-V2)/1mA。
以大約200℃的高溫加熱具測試結(jié)構(gòu)的基材一段時間，可能包含數(shù)百個小時，以進行可靠度測試。在基材加熱的這段期間執(zhí)行周期性電阻測量，然后將這些測量結(jié)果和原始電阻值做比較。不幸的是，由于焊墊11的空缺(圖中未示)會透過金屬線13遷移而形成孔洞于(圖中未示)于介層窗20底部，此可靠度測試低估了元件錯誤前的時間，而使介層窗電阻R增大成不能接受的程度。此外，焊墊12的空缺可能會透過金屬線14遷移，而使介層窗20底部中孔洞形成的速度增大。可以知道的是，介電層19通常是一堆疊介電層，為簡化圖式故未繪示出。此外，第一與第二金屬層通常是被包圍在一個或數(shù)個擴散阻障層內(nèi)，此亦未多加描述。
一種改良式測試結(jié)構(gòu)是有需要的，以防止焊墊中的空缺干擾到介層窗底部的孔洞形成的速度，藉以當預期會發(fā)生元件錯誤時，能夠更準確的確認介層窗壽命。
一種常用方法以補償內(nèi)連線中孔洞形成的趨勢為使用一設(shè)計規(guī)則，以使較多的介層窗連接至大塊金屬層。然而，這種補償方式有其本身缺點，此乃因這種設(shè)計將會造成一高總電阻，并且在介層窗制造過程中較為危險。增加較多介層窗的方法也會增加在檢查設(shè)計規(guī)則中的困難度。
在美國專利第5,614,764號中，添加一末端覆蓋儲藏部(endcapreservoir)至內(nèi)連線中，以延長電致遷移壽命，以及防止孔洞形成。然而，此儲藏部不是放置在內(nèi)連線與鄰接的介層窗之間，因此無法防止空缺在內(nèi)連線內(nèi)遷移至介層窗。
一種用以緩和電致遷移效應的替代方案如美國專利第6,306,732號所述，是使用一殘缺阻障層于介層窗底部，其中介層窗具有堅固阻障層，且位于介層窗的所有其他部分中。不幸的是，無法防止介層窗的上面?zhèn)缺谏系目杖崩鄯e的問題。因此，一種改良式內(nèi)連線結(jié)構(gòu)是有需要的，以解決大區(qū)域金屬層中空缺遷移至介層窗上側(cè)壁的驅(qū)動力及形成降低元件執(zhí)行效能的孔洞。
由此可見，上述現(xiàn)有的線路結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決線路結(jié)構(gòu)存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。
有鑒于上述現(xiàn)有的線路結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的減少應力導致孔洞形成的線路結(jié)構(gòu)，能夠改進一般現(xiàn)有的減少應力導致孔洞形成的線路結(jié)構(gòu)，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)反復試作樣品及改進后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的線路結(jié)構(gòu)存在的缺陷，提供一種測試結(jié)構(gòu)，用于測量介層窗電阻，以防止或阻止孔洞儲藏處的空缺遷移至介層窗的附近地區(qū)而形成孔洞，從而更加適于實用。
本發(fā)明的另一目的在于，提供一種方法與測試結(jié)構(gòu)，用于測量介層窗電阻，在可靠度應力測試期間不會低估介層窗的壽命，從而更加適于實用。
本發(fā)明的再一目的在于，提供一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，能夠使應力導致孔洞形成現(xiàn)象達到最小，藉以改善元件的可靠度與產(chǎn)量，此元件具有連接介層窗的一導電層，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種介層窗測試結(jié)構(gòu)，形成于一半導體基材上，于其包括(a)一第一金屬層，包括一第一金屬線與一第二金屬線，二者各包括一第一部分、一中間部分與一第三部分，其中該第一與該第三部分具有一長度、一寬度及一厚度，該中間部分具有復數(shù)個”n”重疊子部分，各重疊子部分具有一寬度、一長度、一厚度與兩端，其中該第一重疊子部分的一端連接該第一部分，該第n重疊子部分的一端連接該第三部分，以及其中一重疊子部分的一端與相鄰的一重疊子部分的一端形成具一角度θ的一彎曲部，而該中間部分包括至少一彎曲部分；(b)一第二金屬層，包括一第一金屬線與第二金屬線，其各包括一第一部分、一中間部分與一第三部分，其中該第一與該第三部分具有一長度、一寬度及一厚度，該中間部分具有復數(shù)個”n”重疊子部分，各重疊子部分具有一寬度、一長度、一厚度與兩端，其中該第一重疊子部分的一端連接該第一部分，該第n重疊子部分的一端連接該第三部分，以及其中一重疊子部分的一端與一相鄰重疊子部分的一端形成具一角度θ的一彎曲部，而該中間部分包括至少一彎曲部分；(c)一介層窗，形成于該第一金屬層的該第一部分與該第二金屬層的該第一部分之間；(d)位于該第一金屬層中的一第一與一第二焊墊，分別連接該第一金屬層中的該第一與該第二金屬線的該些第三部分；以及(e)位于該第二金屬層中的一第一與一第二焊墊，分別連接該第二金屬層中的該第一與該第二金屬線的該些第三部分。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其中所述的第一金屬層的該第一金屬線中的該第一部分、該第一重疊子部分、該第n重疊子部分與該第三部分都是沿著一第一軸線而形成。
前述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其中所述的第一金屬層的該第二金屬線中的該第一部分、該第一重疊子部分、該第n重疊子部分與該第三部分都是沿著垂直該第一軸線的一第二軸線而形成。
前述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其中所述的第二金屬層的該第一金屬線中的該第一部分、該第一重疊子部分、該第n重疊子部分與該第三部分都是沿著平行該第一軸線的一第三軸線而形成。
前述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其中所述的第二金屬層的該第二金屬線中的該第一部分、該第一重疊子部分、該第n重疊子部分與該第三部分都是沿著垂直該第三軸線的一第四軸線而形成。
前述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其中所述的第一金屬層中該第一與第二金屬線的該些第一部分是同一部分，且其連接至該介層窗的底部。
前述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其中所述的第二金屬層中該第一與第二金屬線的該些第一部分是同一部分，且其連接至該介層窗的頂部。
前述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其中所述的彎曲部分包括未沿著該些第一、第二、第三或第四軸線而排成直線的復數(shù)個重疊子部分。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，該測試結(jié)構(gòu)包括一第一金屬層與一第二金屬層，該第一金屬層連接一介層窗的底部，而該第二金屬層連接該介層窗的頂部，其包括以下步驟(a)提供一電流至形成于一基材上一第一金屬層中的一第一焊墊，該第一焊墊經(jīng)由一第一金屬線連接該介層窗的底部，該第一金屬線包括兩端與一重疊部分，而該重疊部分具有一蜿蜒樣式；(b)測量該第一金屬層中一第二焊墊的電壓，該第二焊墊經(jīng)由一第二金屬線連接該介層窗的底部，該第二金屬線包括兩端與一重疊部分，而該重疊部分具有一蜿蜒樣式；連接(c)測量一第二金屬層中一第一焊墊的電壓，該第二金屬層形成于該基材上的該第一金屬層之上，該第一焊墊經(jīng)由一第一金屬線連接該介層窗的頂部，該第一金屬線包括一重疊部分，而該重疊部分具有兩端及一蜿蜒樣式；以及(d)將該第二金屬層中的一第二焊墊連接至一預定電壓電位，該第二金屬層中的該第二焊墊經(jīng)由一第二金屬線連接該介層窗的頂部，而該第二金屬線具有兩端及一重疊部分，該重疊部分具有一蜿蜒樣式。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，其中所述的預定電壓電位是接地電位。
前述的在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，其中所述的蜿蜒樣式包括復數(shù)個”n”重疊子部分，各重疊子部分具有一寬度、一長度、一厚度與兩端，其中該第一重疊子部分的一端連接依附于該介層窗的一金屬線的一端，該第n重疊子部分的一端連接依附于一焊墊的該金屬線的另一端，以及其中一重疊子部分的一端與一相鄰重疊子部分的一端形成具一角度θ的一彎曲部，該蜿蜒樣式包括至少一彎曲部分。
前述的在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，其中所述的一重疊子部分的寬度小于該些第一金屬線或第二金屬線的一端的寬度。
前述的在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，其中所述的角度θ是介于大約45°與135°之間。
前述的在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，其中所述的可靠度應力測試更包括加熱該基材一預定時間(t)，接著經(jīng)反復步驟(a)至(d)重新測量該介層窗電阻，其中該供應電流值是IT，該第一金屬層中該第二焊墊的該電壓值為V1T，該第二金屬層中該第一焊墊的該電壓值為V2T，而該介層窗電阻是藉由(V1T-V2T)/IT而測得。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下的技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其包括(a)一第一導電層，具有一第一寬度、一第一長度、一第一厚度及側(cè)邊；以及(b)一突出部，位于該第一導電層的一側(cè)上，該突出部具有一第二寬度、一第二長度、一第一厚度及沿著一第一軸線形成的兩端，其中該突出部具有至少一彎曲部分，該彎曲部分包括復數(shù)個重疊部分，各重疊部分具有未對準該第一軸線的兩端，以及其中該彎曲部分包括至少一延伸部，該延伸部形成于一重疊部分的該端中。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。
前述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其更包括一介層窗，該介層窗的一第一端連接該突出部，而該介層窗的一第二端連接一第二導電層。
前述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中所述的第一導電層、該第二導電層、該介層窗及該突出部的材質(zhì)包括一金屬。
前述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中所述的位于該第一導電層的該側(cè)上的該突出部的該端是一第一重疊部分，而該突出部的該第二端是復數(shù)個“n”重疊部分中的該第n重疊部分，各重疊部分具有一長度、一第二寬度及一第一厚度。
前述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中所述的一重疊部分與一相鄰重疊部分重疊以形成具一角度θ的一彎曲部。
前述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中所述的角度θ是介于大約45°與135°之間。
前述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中所述的延伸部具有大約0.01至1微米的一寬度及大約0.5至50微米的一長度。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，為了達到前述發(fā)明目的，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下本發(fā)明的一較佳實施例，提供一種測試結(jié)構(gòu)，用于測量介層窗電阻，以防止或阻止孔洞儲藏處的空缺遷移至介層窗的附近地區(qū)而形成孔洞。
本發(fā)明的另一較佳實施例，提供一種方法與測試結(jié)構(gòu)，用于測量介層窗電阻，在可靠度應力測試期間不會低估介層窗的壽命。
本發(fā)明的另一較佳實施例，提供一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，能夠使應力導致孔洞形成現(xiàn)象達到最小，藉以改善元件的可靠度與產(chǎn)量，此元件具有連接介層窗的一導電層。
本發(fā)明的再一較佳實施例，于導電層的一端形成一突出部。此突出部連接至介層窗，且其具有至少一彎曲部分與延伸部，以延緩空缺擴散至介層窗。
本發(fā)明的再一較佳實施例，提供一種方法，用以形成對于應力導致孔洞形成具有改善的抵抗力的內(nèi)連線。
本發(fā)明的實施例，包括一介層窗測試結(jié)構(gòu)，具有兩金屬層與一介層窗，而介層窗是形成于基材上的一介電層中。使用傳統(tǒng)方法制造一第一金屬層，包括一第一焊墊，其經(jīng)由一第一金屬線連接至介層窗的底部，以及一第二焊墊，其經(jīng)由一第二金屬線連接至介層窗的底部。第二金屬層包括一第一焊墊，經(jīng)由一第一金屬線連接至介層窗的頂部，以及一第二焊墊，經(jīng)由一第二金屬線連接至介層窗的頂部。
第一金屬層中的第一焊墊是用于提供一電流至介層窗底部，而第一金屬層中的第二焊墊是用于確認介層窗底部的電壓。第二金屬層中的第一焊墊是接地的，而第二金屬層中的第二焊墊是用于確認介層窗頂部的電壓。
本發(fā)明的優(yōu)點特征是，第一與第二金屬層中的第一與第二金屬線具有一線路結(jié)構(gòu)，線路結(jié)構(gòu)包括三個部分，包括一第二或中間部分，其具有蜿蜒或彎曲樣式。第一金屬層中第一或第二金屬線的第一部分包括一金屬線的一端，并位于介層窗的中心下面，而第二金屬層中第一或第二金屬線的第一部分包括一金屬線的一端，并位于介層窗的中心上面。第一金屬層中第一金屬線的第一部分對準沿著第一軸線，而第一金屬層中第二金屬線的第一部分對準沿著垂直第一軸線的第二軸線。第一或第二金屬線的第三部分包括連接一焊墊的金屬線的該端。金屬線的各部分具有第一寬度、第一長度、第一厚度及兩端。
在介層窗測試結(jié)構(gòu)中各金屬線的中間部分包括至少一彎曲部分，并具有復數(shù)個或”n”個子部分，各子部分具有一長度、第二寬度、第一厚度及兩端。對總計(n-1)個彎曲部來說，每一對重疊子部分形成具角度為大約45°至135°的一彎曲部。在一實施例中，中間部分具有5個子部分與一個彎曲部分，彎曲部分包括3個部分。在這個范例中，沿著第一軸線形成的第一子部分連接于第一部分的一端上，而第二子部分的一端重疊第一子部分的另一端。第三子部分的一端重疊第二子部分的另一端，第四子部分的一端重疊第三子部分的另一端，以及第五子部分重疊第四子部分的另一端。第五子部分較佳是沿著第一軸線而形成或形成于平行第一軸線的一軸線上，且其第二端連接第三部分的一端。彎曲部分包括未對準沿著第一軸線的第二、第三與第四子部分。
當然，中間部分可包括四個子部分，其中沿著第一軸線形成的第一子部分的一端連接第一部分的一端，而第二子部分的一端重疊第一子部分的另一端。第三子部分的一端重疊第二子部分的另一端。沿著第一軸線或平行第一的軸線的一軸線形成的第四子部分的一端重疊第三子部分的另一端，而其第二端連接第三部分。第二與第三子部分形成一彎曲部分，且其未對準沿著第一軸線。在另一實施例中，任一第一與第二金屬線中的中間部分的復數(shù)個子部分及各中間部分具有至少一彎曲部分，此彎曲部分包括復數(shù)個子部分。
在本發(fā)明的實施例中，內(nèi)連線結(jié)構(gòu)是經(jīng)由一鑲嵌制程來制造，其中形成第一導電層于一個或數(shù)個介電層堆疊結(jié)構(gòu)中，其可包括基材上的蝕刻中止層。包括使用圖案化、蝕刻、沉積及平坦化步驟以制造第一導電層，其和堆疊中頂部介電層同平面。第一導電層包括大區(qū)域部分與突出部，大區(qū)域部分具有第一長度、第一寬度、第一厚度與復數(shù)個側(cè)邊，突出部具有第二長度、第二寬度、第一厚度、至少一彎曲部分與兩端，其中一端連接大區(qū)金屬部分的一側(cè)，而另一端隨后連接一介層窗。一般來說，介層窗與上層第二導電層都是在第二過程包括圖案化、蝕刻、沉積極平坦化步驟中形成。
在另一實施例中，內(nèi)連線結(jié)構(gòu)包括具4個重疊部分的一突出部與包括兩個部分的一彎曲部分。第一部分的一端連接第一導電層的大區(qū)域部分，而其另一端重疊第二部分的一端以形成第一彎曲部。第一部分是沿著第一軸線而形成。第三部分的一端重疊第二部分的另一端以形成第二彎曲部。第四部分的一端重疊第三部分的另一端以形成第三彎曲部。第四部分較佳是沿著第一軸線而形成或形成于平行第一軸線的一軸線上。第四部分的第二端連接鄰近上層第二導電層的介層窗底部。彎曲部分包括第二與第三部分，而各彎曲部的形成角度為大約45°至135°。
在另一實施例中，連接第一導電層的突出部包括復數(shù)個”n”重疊部分與至少一彎曲部分，各重疊部分具有第一厚度，而彎曲部分包括3個或4個部分。舉例來說，突出部可具有5個部分與包括3個部分的一彎曲部分。這些部分的形成如上所述。第四部分的一端重疊第三部分的另一端，以形成第三彎曲部。第五部分的一端重疊第四部分的另一端，以形成第四彎曲部。第五部分是沿著第一軸線或沿著平行第一軸線的一軸線而形成，且其第二端經(jīng)上層第二導電層連接介層窗底部。彎曲部分包括第二、第三與第四部分。突出部的總長度等于這些部分的總長，其較佳是大于大約10微米。突出部最好比彎曲部分具有至少兩個以上的部分，并且各彎曲部的形成角度為大約45°至135°。
在另一實施例中，突出部更包括至少一延伸部，位于一部分的末端，以延長彎曲部的該端，且其包括與第一導電層的相同材料。較佳是，延伸部具有第二寬度、第一厚度及一長度，而此長度小于其所附著的部分的長度。
在另一實施例中，突出部更包括一延伸部，位于一部分的各端上。舉例來說，第三部分可具有一延伸部位于第二彎曲部的該端上，以及具有一延伸部位于第三彎曲部的該端上?？蛇x擇的是，延伸部可以是形成在彎曲部中一部分的各端上。舉例來說，可以有一延伸部位于第二彎曲部中第二部分的該端上，以及有一延伸部位于第二彎曲部中的第三部分上。換言之，在一實施例中，可以有具“n”部分與(n-1)個彎曲部的最大數(shù)量的2(n-1)個延伸部。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明減少應力導致孔洞形成的線路結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點本發(fā)明的一種測試結(jié)構(gòu)，其可以測量介層窗電阻，防止或阻止孔洞儲藏處的空缺遷移至介層窗的附近地區(qū)而形成孔洞，從而更加適于實用。
本發(fā)明的方法與測試結(jié)構(gòu)，其可以測量介層窗電阻，在可靠度應力測試期間不會低估介層窗的壽命，從而更加適于實用。
本發(fā)明的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其能夠使應力導致孔洞形成現(xiàn)象達到最小，藉以改善元件的可靠度與產(chǎn)量，此元件具有連接介層窗的一導電層，從而更加適于實用。
綜上所述，本發(fā)明特殊結(jié)構(gòu)的減少應力導致孔洞形成的線路結(jié)構(gòu)。其具有上述諸多的優(yōu)點及實用價值，并在同類產(chǎn)品中未見有類似的結(jié)構(gòu)設(shè)計公開發(fā)表或使用而確屬創(chuàng)新，其不論在結(jié)構(gòu)上或功能上皆有較大的改進，在技術(shù)上有較大的進步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的線路結(jié)構(gòu)具有增進的多項功效，從而更加適于實用，而具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。
本發(fā)明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。


圖1為傳統(tǒng)內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的剖面圖，其具有一介層窗位于兩導電層之間，以及一孔洞缺陷形成于第一導電層中的介層窗下。
圖2為傳統(tǒng)四通道Kelvin介層窗測試結(jié)構(gòu)的上視圖，其包括焊墊與金屬線，且都連接介層窗。
圖3為本發(fā)明一較佳實施例的介層窗測試結(jié)構(gòu)的上視圖，其包括焊墊與金屬線，且都連接介層窗，且其是用于獲得電阻測量結(jié)果。
第4-5圖為圖3的中心部分的放大上視圖，其指出金屬線的中間部分的彎曲形狀經(jīng)介層窗連接焊墊。
圖6為依照本發(fā)明一較佳實施例的介層窗測試結(jié)構(gòu)，第一金屬層的第一金屬線與第二金屬層的第一金屬線的剖面圖。
圖7為以一角度垂直圖6的剖面圖的剖面圖，其顯示依照第一實施例的第一金屬層的第二金屬線與第二金屬層的第二金屬線。
圖8A為形成于一大區(qū)導電層上的介層窗的上視圖，而圖8B為形成于一突出部上的介層窗的上視圖，此突出部連接至內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中的一大區(qū)導電層。
圖9為具有介層窗直接形成于一大區(qū)導電層上的內(nèi)連線對具有介層窗形成于連接一大區(qū)導電層的突出部上的內(nèi)連線的電阻率轉(zhuǎn)變的繪示圖。
圖10為依照本發(fā)明一較佳實施例的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，形成于基材上的第一導電層的剖面圖；圖11為依照本發(fā)明另一較佳實施例的剖面圖，其顯示一突出部具有4個重疊部分及一個彎曲部分，而彎曲部分是由第一導電層中的兩個部分所構(gòu)成。
圖12為依照本發(fā)明再一較佳實施例的剖面圖，其顯示一突出部具有5個重疊部分及一個彎曲部分，而彎曲部分是由第一導電層中的3個部分所構(gòu)成。。
圖13為依照本發(fā)明一較佳實施例，在形成介層窗與上層第二導電層于突出部的最后部分上之后，圖12中內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖14為圖11的線路結(jié)構(gòu)的上視圖，其具有一延伸部位于第二部分的一端上。
圖15為圖12的線路結(jié)構(gòu)的上視圖，其具有一延伸部位于第三部分的各端上。
1，57基材2，4，19，59，69介電層3，7，72導電層 5，20，29，51，70介層窗6擴散阻障層 8孔洞10四通道Kelvin測試結(jié)構(gòu)
11，12，15，16，21，22，30，31，50焊墊13，14，17，18金屬線 23，26，32，35，64第三部分24，27，33，36中間部24a-24e，26a-26c，27a-27d，33a-33e，35a-35c，36a-36e子部分28層結(jié)構(gòu) 34，40，62第一部分41介層窗測試結(jié)構(gòu) 50，60大區(qū)域部分52，63a，64a，64b延伸部53，54曲線58，68蝕刻中止層 61a，61b，61c，61d彎曲部63第二部分 65第四部分66第五部分 67彎曲部分71溝渠具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明為達成預定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的減少應力導致孔洞形成的線路結(jié)構(gòu)其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。
本發(fā)明是有關(guān)于一種線路結(jié)構(gòu)，其具有改良式電阻于應力導致孔洞形成，并且也是一種用以形成相同結(jié)構(gòu)的方法。附加圖式是用做說明范例之用，并非用以限制本發(fā)明的范圍。舉例來說，圖式內(nèi)的各個元件并非需是所示的比例。一種介層窗測試結(jié)構(gòu)包括本發(fā)明的線路結(jié)構(gòu)，如第一實施例所述。線路結(jié)構(gòu)結(jié)合至內(nèi)連線，如本發(fā)明的第二至第五實施例所述。
在第3-7圖所示的第一實施例中，形成于半導體基材上的介層窗測試結(jié)構(gòu)是用于測量介層窗電阻，且特別是在可靠度應力測試期間，用于提供更準確的測定介層窗的壽命。本發(fā)明也提供一種方法，是使用新型介層窗測試結(jié)構(gòu)于可靠度應力測試期間來測定電阻。
請參照圖3，其為本發(fā)明一較佳實施例的介層窗測試結(jié)構(gòu)的上視圖。介層窗測試結(jié)構(gòu)41是被制造于一半導體基材(圖中未示)上，半導體基材通常是硅，但也可以使用其他習知的半導體材料。介層窗測試結(jié)構(gòu)41是被形成于層28中，層28可以是同質(zhì)層或可以是包括一個或數(shù)個蝕刻中止層、一個或數(shù)個低k介電層，以及一個或數(shù)個覆蓋或保護層。為集中注意在介層窗測試結(jié)構(gòu)41內(nèi)的金屬層的設(shè)計上，故不描述介電層28內(nèi)的個別介電層。
使用傳統(tǒng)方法以制造第一金屬層，其包括第一焊墊21與第二焊墊22。第一金屬層通常是由銅組成，但也可以是W、Al/Cu合金、Al、抗金屬(refractory metal)或金屬化合物、金屬硅化物，或類似者。焊墊21經(jīng)由第一金屬線連接介層窗29的底部，第一金屬線也是形成于第一金屬層中。介層窗29具有一頂部、一底部、一寬度、一長度及側(cè)壁。第一金屬線包括三個部分，其為一第一部分(圖中未示)位于介層窗29下、一第二部分或中間部分24具有一蜿蜒(彎曲)樣式，以及一第三部分23接觸焊墊21。焊墊22經(jīng)由第二金屬線連接介層窗29的底部，第二金屬線也是形成于第一金屬層中。焊墊21，22較佳是沿著第一軸線X1而形成，其穿過焊墊21，22的中間，并且也穿過介層窗29的底部。
第二金屬線包括一第一部分(圖中未示)位于介層窗29下、一中間部分27具有一蜿蜒樣式，以及一第三部分26鄰接焊墊22。需注意的是，第一金屬線的第一部分與第二金屬線的第一部分兩者可以是嵌在單一金屬特征結(jié)構(gòu)中。各金屬線及金屬線內(nèi)的一個部分具有兩端、一寬度、一長度及一厚度。第一金屬層中第二金屬線的第三部分26較佳是具有三個子部分26a，26b，26c，當然也可以是其他種設(shè)計。在示范實施例中，子部分26a的一端連接中間部分27的一端，并且是沿著垂直于軸線X1的第二軸線Y1而形成。軸線X1與軸線Y1相交于介層窗29的底部。子部分26b鄰接子部分26a，并且是沿著垂直于軸線Y1的一軸線而形成。子部分26c的一端鄰接子部分26b，而其另一端貼近焊墊22。子部分26a、26b、26c的長度分別較佳是大約1至10微米、1至10微米及1至10微米。
用于制造第二金屬層的傳統(tǒng)方法包括介層窗29、第一焊墊30及第二焊墊31。第二金屬層通常是銅，但也可以是W、Al/Cu合金、Al、抗金屬或金屬化合物、金屬硅化物，及類似者。第二金屬層較佳是但非必須由實質(zhì)相同材料來形成。焊墊30經(jīng)由第一金屬線連接介層窗29的頂部，并且包括一第一部分34位于介層窗29上、一中間部分33具有一蜿蜒樣式，以及一第三部分32接觸焊墊30。焊墊31經(jīng)由第二金屬線連接介層窗29的頂部，并且包括一第一部分34位于介層窗29上、一中間部分36具有一蜿蜒樣式，以及一第三部分35鄰近焊墊31。第一部分34、中間部分33，36及第三部分32，35也都是形成于第二金屬層中。焊墊30，31，21，22的寬度通常為大約20至100微米，而其長度為由大約20至100微米。
焊墊30，31較佳是沿著平行于第一軸線X1的第三軸線X2而形成。第三軸線X2穿過焊墊30，31的中間，并且也穿過介層窗29的頂部。第二金屬層中第二金屬線的第三部分35較佳是具有三個子部分35a，35b，35c。子部分35a的一端連接中間部分36的一端，并且是沿著較佳垂直于軸線X2的第四軸線Y2而形成。軸線Y2與軸線X2相交于介層窗29的頂部。子部分35b鄰接子部分35a，并且是沿著垂直于軸線Y2的一軸線而形成。子部分35c的一端鄰接子部分35b，而其另一端貼近焊墊31。子部分35a，35b，35c的長度分別較佳是大約1至10微米、1至10微米及1至10微米。
在其他實施例中(未說明)，可由第二金屬層的第一與第二金屬線忽略中間蜿蜒部分(換言之，可忽略部分33與36)。在其他實施例中，可使用蜿蜒部分33與36，但可忽略第一金屬層的中間蜿蜒部分24與27。
請參照圖4，本圖為圖3的部分的放大上視圖，其位于形成一盒狀物B的虛線內(nèi)。第一金屬層的第一金屬線包括第一部分40、中間部分24與第三部分23，并連接介層窗29的底部和焊墊21。第一部分40包括第一金屬線的一端，并位于介層窗29的中心下面。第一部分40的另一端連接連接于中間部分24的一端。第三部分23包括第一金屬線的另一端(圖中未示)，而其第二端連接中間部分24的另一端。第一部分40與第三部分23較佳是具有大約0.5至10微米的寬度w1。第一部分40的長度是沿著第一軸線X1而為w1的距離。第三部分23的長度是大約0.5至10微米。
第一實施例的優(yōu)點特征為中間部分的結(jié)構(gòu)包括復數(shù)個“n”重疊子部分，各個子部分具有兩端、一長度及一厚度，其厚度等于金屬線中第一與第三部分的厚度。在圖4所示的示范實施例中，中間部分具有5個子部分，并形成一彎曲部分。舉例來說，中間部分24具有一第一子部分24a，其是沿著第一軸線X1而形成，且其一端鄰近第一部分40的一端。第二子部分24b具有兩端，其一端重疊第一子部分24a的另一端，以形成具角度θ1的第一彎曲處，較佳是大約45°至135°。第三子部分24c的一端重疊第二子部分24b的另一端，以形成具角度θ2的第二彎曲處，較佳是大約45°至135°。同樣地，第四子部分24d與第五子部分24e重疊前面的子部分，以分別形成具角度θ3與θ4的第三與第四彎曲處，且其較佳都是大約45°至135°。第五子部分較佳是沿著軸線X1形成，或沿著平行于軸線X1的一軸線而形成，且其一端重疊第四子部分24d的一端，而其另一端重疊及鄰近第三部分23的一端。彎曲部分包括24b，24c，24d。需注意的是，中間部分24比彎曲部分具有兩個以上的子部分。
如熟習此項技藝者所知，中間部分也可以有其他種設(shè)計。舉例來說，可以有4個子部分，其中第一與第四子部是沿著包括第一部分的一軸線而形成，而第二與第三子部分形成一彎曲部分。當然，在彎曲部分可以有復數(shù)個子部分，且其形成一弧狀。然而，在具有復數(shù)個”n”子部分的一實施例中，由于第一子部分，中間部分較佳是比彎曲部分具有至少兩個以上子部分，且較佳是第n子部分是沿著如第一部分的相同軸線而形成，且其不被包含在彎曲部分中。
第一金屬層中的部分第二金屬線是沿著包括第一部分40、中間部分27與第三部分26a的軸線Y1而形成，并連接介層窗29的底部和焊墊22。如先前所述，第一部分40位于介層窗29的中心下面，并且也連接中間部分27的一端。第三部分26a的一端連接中間部分27的另一端。第三部分26a的寬度w1為大約0.5至50微米，而其長度為大約0.5至50微米。
在示范實施例中，中間部分27具有5個子部分，包括第一子部分27a是沿著第二軸線Y1而形成，且其一端鄰近第一部分40的一端。第二子部分27b具有兩端，其一端重疊第一子部分27a的另一端，以形成具角度θ1的第一彎曲處，而θ1是從大約45°至135°。第三子部分27c的一端重疊第二子部分27b的另一端，以形成具角度θ2的第二彎曲處，θ2是從大約45°至135°。同樣地，第四子部分27d與第五子部分27e重疊前面的子部分，以分別形成具角度θ3與θ4的第三與第四彎曲處，且θ3與θ4都是從大約45°至135°。第五子部分較佳是沿著軸線Y1形成，或沿著平行于軸線Y1的一軸線而形成，且其一端重疊子部分27d的一端，而其另一端鄰近第三部分26a?？蛇x擇的是，如先前所述的中間部分24，中間部分27可以有其他種設(shè)計。
在第二金屬層中，第一金屬線包括第一部分34、中間部分33與第三部分32，并連接介層窗29的頂部和焊墊30。第一部分34包括第一金屬線的一端，并位于介層窗29的中心下面。第一部分34的一第二端連接中間部分33的一端。第三部分32包括第一金屬線的另一端(圖中未示)，而其第二端連接中間部分33的另一端。第一部分34具有一寬度w1與沿著第三軸線X2而為w1的長度。第三部分的寬度w1與長度是大約0.5至50微米。
中間部分33，36包括復數(shù)個”n”子部分，各個子部分具有兩端、一長度及一厚度，其厚度等于第二金屬層中第一與第三部分的厚度。在示范實施例中，中間部分33具有5個子部分，包括一第一子部分33a，其是沿著第三軸線X2而形成，且其一端鄰近第一部分34的一端。第二子部分33b的一端重疊第一子部分33a的另一端，以形成具角度θ1的第一彎曲處，θ1是從大約45°至135°。第三子部分33c的一端重疊第二子部分33b的另一端，以形成具角度θ2的第二彎曲處。第四子部分33d與第五子部分33e重疊前面的子部分，以分別形成具角度θ3與θ4的第三與第四彎曲處。θ2-θ4都是從大約45°至135°。第五子部分較佳是沿著軸線X2形成，或沿著平行于軸線X2的一軸線而形成，且其一端重疊子部分33d的一端，而其另一端鄰近第三部分32。可選擇的是如先前所述的中間部分24，中間部分33可以有其他種設(shè)計。
第二金屬層中的部分第二金屬線是沿著包括第一部分33、中間部分36與第三部分35a的軸線Y2而形成，并連接介層窗29的頂部和焊墊31。如先前所述，第一部分34位于介層窗29的中心下面，并連接中間部分36的一端。第三部分35a的一端連接中間部分36的另一端。第三部分35a具有一寬度w1及大約0.5至50微米的一長度。
在示范實施例中，中間部分36具有5個子部分，包括第一子部分36a是沿著第四軸線Y2而形成，且其一端鄰近第一部分34的一端。第二子部分36b具有兩端，其一端重疊第一子部分36a的另一端，以形成具角度θ1的第一彎曲處。第三子部分36c的一端重疊第二子部分36b的另一端，以形成具角度θ2的第二彎曲處。同樣地，第四子部分36d與第五子部分36e重疊前面的子部分，以分別形成具角度θ3與θ4的第三與第四彎曲處。角度θ1-θ4都是大約45°至135°。第五子部分較佳是沿著軸線Y2形成，或沿著平行于軸線Y2的一軸線而形成，且其一端重疊子部分27d的一端，而其另一端鄰近第三部分26a。如先前所述，中間部分36可以有其他種設(shè)計，其包含復數(shù)個重疊子部分及至少一個彎曲部分。
可以知道的是，當中間部分包括復數(shù)個”n”重疊子部分時，則形成有(n-1)個彎曲處，且第一子部分的一端連接第一部分，而第n子部分的一端連接第三部分。中間部分的總長度定義為n子部分的長度的總和。
請參照圖5，圖4的測試結(jié)構(gòu)指出各子部分的目前較佳的寬度與長度。需注意的是，各個中間部分24，27，33，36的第一子部分具有一長度d1，而第二子部分具有一長度d2。第三、第四與第五子部分分別具有一長度d3，d4，d5。此外，所有子部分的寬度w2小于w1，較佳是在0.5至50微米的范圍中。在一實施例中，長度d1-d5都是相等的。當然，長度d1-d5的一個或數(shù)個可具有不同的大小。
請參照圖6，其為介層窗測試結(jié)構(gòu)的剖面圖，是由沿著圖4的軸線X1與X2橫切而得。顯示出第一金屬層中的部分第一金屬線，其包括第一部分40、第三部分23與中間部分24的兩個子部分24a，24e。其他三個子部分24b-24d都位于圖式平面的前面，如連接子部分24a，24e的虛線所示。也顯示出第二金屬層中的部分第一金屬線，其包括第一部分34、第三部分32與中間部分33的兩個子部分33a，33e。其他三個子部分33b-33d都位于圖式平面的后面，如連接子部分33a，33e的虛線所示。第一金屬層中第一金屬線的厚度t1介于大約0.2至1微米之間，而第二金屬層中第一金屬線的厚度t2是從大約0.2至1微米，但t1與t2不一定必須是相同厚度。第一部分34較佳是位于介層窗29的中心上面，第一部分40較佳是位于介層窗29的中心下面，且較佳是具有大約0.4至1微米的一高度h及大約0.1至1微米的一寬度d6。
請參照圖7，其為介層窗測試結(jié)構(gòu)的剖面圖，是由沿著圖4的軸線Y1與Y2橫切而得。顯示出第一金屬層中的部分第二金屬線，其包括第一部分40、第三部分26a與中間部分27的兩個子部分27a，27e。其他三個子部分27b-27d都位于圖式平面的后面。也顯示出第二金屬層中的部分第二金屬線，其包括第一部分34、第三部分35a與中間部分36的兩個子部分36a，36e。其他三個子部分36b-36d都位于圖式平面的前面。第一金屬層中的第二金屬線具有一厚度t1，而第二金屬層中的第二金屬線具有一厚度t2。
本發(fā)明也提供一種使用介層窗測試結(jié)構(gòu)41用于可靠度測試中的方法?？煽慷葴y試的執(zhí)行，是在實際施壓于介層窗29之前，獲得一第一介層窗電阻測量結(jié)果。舉例來說，提供大約1毫安培(mA)的電流IO于焊墊21，測量焊墊22的電壓V10以及測量焊墊31的電壓V20。焊墊30接地至0伏特。介層窗29的起始電阻R0定義為R0＝(V10-V20)/IO。接著以大約175℃的高溫加熱測試結(jié)構(gòu)41一段時間，可能包含數(shù)百個小時，而且持續(xù)提供電流。此高溫施壓于介層窗29，以趨近于在接近室溫的低溫時的介層窗的壽命。當介層窗29的電阻R＝(V11-V2t)/It增加的一預定百分比超過起始電阻值R0時，則可能會發(fā)生元件錯誤。
本發(fā)明較佳實施例的優(yōu)點特征為測試結(jié)構(gòu)，特別是在第一或第二金屬線中的具蜿蜒樣式的中間部分，用以防止或阻止焊墊21，22，30，31中的空缺遷移至介層窗29?？闪舷氲氖?，相較于習知的測試結(jié)構(gòu)，可降低焊墊中的孔洞遷移透過金屬線至介層窗的擴散系數(shù)，這是因為金屬線的中間部分中的一個或數(shù)個彎曲部分的關(guān)系。因此，由于在第一實施例的測試結(jié)構(gòu)中阻擋或延緩孔洞由一大型金屬儲藏處例如焊墊擴散，以免孔洞是過早形成于其他介層窗結(jié)構(gòu)中。
在第二至第五實施例中，本發(fā)明的線路結(jié)構(gòu)是結(jié)合至一內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中。此線路結(jié)構(gòu)并未特別限制在任何半導體元件中，并且可用在任何技術(shù)中，其中重點在于電致遷移是發(fā)生在包括第一導電層經(jīng)由介層窗連接第二導電層的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中。雖然圖式中指出一種內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其中一細長導電線(突出)經(jīng)第一導電層連接上層的第二導電層的介層窗，其他種設(shè)計也是可行的。例如，第二導電層可以是一金屬線，其連接至一個或數(shù)個第一導電層中的一個以上的介層窗。此外，當由上往下觀察時，第二導電層的區(qū)域可以是大于第一導電層的區(qū)域。
在圖11-12所示的第二實施例中，線路結(jié)構(gòu)是形成于一基材上，且包括第一導電層，而第一導電層具有一大區(qū)域部分和一突出物，此大區(qū)域部分具有第一厚度、第一寬度、第一長度與復數(shù)個側(cè)邊，而此突出物具有第一厚度、第二寬度與第二長度，第二長度具有兩端及至少一彎曲部分。突出物的一端連接大區(qū)域部分的一側(cè)，而另一端連接鄰近上層第二導電層的介層窗底部。
請參照圖11，其為在本發(fā)明的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)中形成第一導電層之方法。使用化學氣相沉積(CVD)方法、電漿增進型CVD(PECVD)方法或類似方法，依序沉積一蝕刻中止層58與一介電層59于基材57上?；?7通常包括硅，并且可包括主動與被動元件(圖中未示)。蝕刻中止層58一般是氮化硅、氮氧化硅或碳化硅其中之一。介電層可以是SiO2或一低k介電材料例如含氟SiO2、含碳SiO2、硅酸鹽類、聚芳醚、苯環(huán)丁烯或聚亞酰胺。此外，如熟習此項技藝者所知，可使用包括至少一蝕刻中止層與至少一介電層的一介電層堆疊結(jié)構(gòu)來取代蝕刻中止層58與介電層59。
鑲嵌制程步驟的執(zhí)行，包括進行一光阻圖案化過程與一個或數(shù)個蝕刻步驟，以形成一開口于介電層堆疊結(jié)構(gòu)中，進行一沉積過程，以第一導電層填充開口，以及進行一平坦化過程，使第一導電層和介電層堆疊結(jié)構(gòu)的頂部同平面。此鑲嵌制程步驟如熟習此技藝者所知，此處不在贅述。第一導電層包括一大區(qū)域部分60與一突出部，突出部包括第一部分62，第一部分62位于大區(qū)域部分60的一側(cè)上，且和介電層59同平面。優(yōu)點特征在于突出部更包括復數(shù)個部分與至少一彎曲部分，于此并圖中未示出。突出部的一端連接大區(qū)域部分，而另一端經(jīng)介層窗(圖中未示)連接上層第二導電層。可選擇的是，可在沉積第一導電層之前，形成擴散阻障層(圖中未示)于開口的側(cè)壁上。第一導電層具有大約0.2至1埃的第一厚度。雖然第一導電層較佳是銅，但可以使用其他種材料如Al/Cu，W或Al以形成第一導電層。
請再參照圖8A與8B，可看見的是，假如介層窗與第二導電層(圖中未示)都連接至突出部52，突出部接近相對于大區(qū)域部分50的末端，執(zhí)行如上所述第一實施例中的一應力測試，當突出部的長度增加時如圖9所示，此時會有一較大的阻力在鄰近介層窗處形成孔洞。在圖9中，由電阻變動可看出如圖8B所示具突出部的測試樣式的測試結(jié)果，其幾乎獨自位在其他測試樣本之外，如曲線53。圖8A所示不具突出部的測試樣式的測試結(jié)果則具有一些的電阻變動(意指電阻增加)，剩下一尾部曲線如曲線54所示。此外，也可看到的是，具不同突出部長度的相同測試樣式將會造成不同的電阻于孔洞形成。舉例來說，測試圖8B中具有相同大小的焊墊50及不同長度的突出部52的兩測試樣式。在應力測試期間，可測量出具有較長突出部的測試樣式，其造成電阻增加的可能性較低，而具有較短突出部長度的另一測試樣式，其造成電阻增加的可能性較高。電阻增加的高可能性表示大量的空缺已累積在介層窗附近，導致在應力測試時造成高電阻率。
請參照圖11，其為由上往下觀看內(nèi)連線的第一導電層的第二實施例的線路結(jié)構(gòu)，其中突出部連接具介層窗的一大區(qū)域部分，且突出部具有4個重疊部分及一個彎曲部分，而彎曲部分包括兩個部分。第一導電層包括大區(qū)域部分60與一突出部，大區(qū)域部分60具有第一寬度w3、第一長度w4與第一厚度，而突出部具有4個重疊部分，各重疊部分具有一寬度w2、一長度、兩端及第一厚度。通常，w3是由大約50至100微米，w4是由大約50至100微米，w2是介于大約50至100微米之間，以及第一厚度是由0.4至1.0微米。
第一部分62具有一長度L1，且是沿著軸線C-C′而形成，其較佳是實質(zhì)垂直于大區(qū)域部分60的一側(cè)，且其一端鄰近大區(qū)域部分。具長度L2的第二部分63的一端重疊第一部分62的另一端，以形成角度θ1為大約45°至135°的一彎曲處61a。具長度L3的第三部分64的一端重疊第二部分63的另一端，以形成具角度θ2為大約45°至135°的一彎曲處61b。第四部分65的一端重疊第三部分64的另一端，以形成具角度θ3為大約45°至135°的一彎曲處61c。第四部分65具有一長度L4，其較佳是沿著軸線C-C′或沿著平行于C-C′的一軸線而形成。在接近第四部分65的第二端的一位置中顯示出，配置有一介層窗70與一上層第二金屬層(圖中未示)。于是，突出部的長度為L1+L2+L3+L4的總和，其大于以直線型式連接大區(qū)域部分60與介層窗70的原始長度。彎曲部分67定義為包括部分63，64的突出部的部分。
請參照圖12，其為第三實施例，其中顯示突出部經(jīng)介層窗連接大區(qū)域部分于第一導電層，突出部包括5個部分及一個彎曲部分，而彎曲部分包括3個部分。第一導電層包括大區(qū)域部分60與一突出部，大區(qū)域部分60具有第一寬度w3、第一長度w4與第一厚度，而突出部具有5個重疊部分，各重疊部分具有一寬度w2、一長度、兩端及第一厚度。第一部分62、第二部分63與第三部分64是如上所述的實質(zhì)形成。具長度L4的第四部分65的一端重疊未和第二部分63重疊的第三部分64的該端，以形成具角度θ3為大約45°至135°的一彎曲處61c。第五部分66的一端重疊第四部分65的另一端，以形成具角度θ4為大約45°至135°的一彎曲處61d。第五部分66具有一長度L5，其較佳是沿著軸線C-C′或沿著平行于C-C′的一軸線而形成。在接近第五部分66的第二端的一位置中顯示出，配置有一介層窗70與一上層第二金屬層(圖中未示)。于是，突出部的長度為L1+L2+L3+L4+L5的總和，其大于以直線型式連接大區(qū)域部分60與介層窗70的原始長度。彎曲部分68定義為包括部分63，64，65的突出部的部分。需注意的是，突出部比彎曲部多具有兩個以上的部分。
除了延伸突出部52的長度以外，增加一彎曲部分用以額外阻止空缺由大區(qū)域部分60擴散至介層窗70。因此，在具單一部分之內(nèi)連線的應力測試期間所顯示出的電阻率增加和附加復數(shù)個重疊部分與至少一彎曲部分可被減至最小。因此，在最終元件中可達到一高電阻率。需注意的是，圖13的剖面圖是沿著圖12所示線路結(jié)構(gòu)的C-C′而獲得。雖然顯示出的大區(qū)域部分60是呈直角及具有4個側(cè)邊，然如同熟習此技藝者所知，其他形狀及大小都在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
如同熟習此技藝者所知可以有其他實施例，其中本發(fā)明的突出部可包括復數(shù)個”n”部分、「n-1」個彎曲部，以及復數(shù)個彎曲部分。此外，各彎曲部分可包括復數(shù)個部分。舉例來說，第一部分與第n部分可延著第一軸線形成，而弧狀中的復數(shù)個部分連接第一與第n部分。較佳是，第一部分是延著垂直于大區(qū)域部分的側(cè)邊的一軸線而形成，該大區(qū)域部分的側(cè)邊依附有第一部分，而第n部分是延著如第一部分的相同軸線或延著平行于第一部分的軸線的一軸線而形成。
進行用以形成具有復數(shù)個部分與至少一彎曲部分的一線路結(jié)構(gòu)的方法，接著在雙鑲嵌制程中，形成包括一介層窗與一上層第二導電層的第二導電層于第一導電層上。請參照圖13，其為一示范實施例，依序沉積蝕刻中止層68與介電層69于介電層59、大區(qū)域部分60與包括第一部分62與第5部分66的突出部上。在此圖式中，并未描述第2、第3與第4部分63-65，但其也都被蝕刻中止層68覆蓋?？梢灾赖氖?，突出部可選擇性的包括具「n-1」個彎曲部的復數(shù)個”n”部分及至少一復數(shù)個彎曲部分，如上所述。蝕刻中止層68與介電層69一般是經(jīng)CVD或電漿增進型CVD方法來進行沉積，并且分別可以有如蝕刻中止層58與介電層59的相同組成。此外，如熟習此技藝者所知，蝕刻中止層68與介電層69可以一介電層堆疊結(jié)構(gòu)來替代，上述介電層堆疊結(jié)構(gòu)包括至少一蝕刻中止層與至少一介電層。
使用第一光阻圖案化與蝕刻步驟(圖中未示)，以形成介層窗70于介電層69中。接著，使用第二光阻圖案化與蝕刻步驟(圖中未示)，以形成溝渠71，溝渠71對準位于介層窗70上，使介層窗70透過蝕刻中止層68延伸出，以暴露突出部中最后部分的一部份。本發(fā)明的方法的一優(yōu)點特征為，介層窗70連接包括最高數(shù)或第n部分的突出部的最后部分。較特別的是，介層窗70是形成于未重疊第(n-1)部分的第n部分的末端的附近。介層窗70具有一頂部、一底部、以及較佳是大約0.2-1微米的一高度，以及較佳是小于第n部分的寬度W2的一寬度。較佳是，由介層窗底部至最后部分66的末端可以有一距離D，例如，其小于大約1微米，藉以在覆蓋介層窗70于突出部的第n部分上時可容許有一些未對準情況。
在一實施例中，使用CVD、PECVD或原子層沉積(ALD)技術(shù)，形成一均勻擴散阻障層(圖中未示)于介層窗70與溝渠71的側(cè)壁與底部上。舉例來說，第二導電層72較佳是銅，并經(jīng)由電鍍、少量電子電鍍或物理氣相沉積(PVD)方法沉積，以填充介層窗70與溝渠71。溝渠71內(nèi)的第二導電層的厚度一般是大約0.2至1微米。選擇性的是，第二導電層72可實質(zhì)包括Cu，Al，W，Ti或其他導體。
重要的是溝渠71內(nèi)的第二導電層的寬度比介層窗70的寬度還要寬，而且介層窗的頂部被第二導電層完全覆蓋。一般來說，使用化學機械研磨過程的一平坦化方法，以降低第二導電層72的水平面，使其變成和介電層69同平面。
由上往下看第二導電層的區(qū)域可大于或小于第一導電層的大區(qū)域部分的區(qū)域。除了可改善圖13中最后內(nèi)連線的可靠度屋以外，也可達到高產(chǎn)品產(chǎn)量，并經(jīng)由使用本發(fā)發(fā)明的線路結(jié)構(gòu)，而可降低制造內(nèi)連線的整體成本。
同時也揭露出的是，附加延伸部于突出部的彎曲部分的一部分的一端上是有效的，可額外減緩第一導電層的空缺由大區(qū)域部分透過突出部而擴散至接近突出部的該端的介層窗。在圖14所示的實施例中，延伸部被附加在線路結(jié)構(gòu)中突出部的一部分的該端上。
請參照圖14，修改圖11所示的線路結(jié)構(gòu)以包含延伸部63a，延伸部63a是由第二部分的末端并向著彎曲部61b的那一邊延伸，彎曲部61b是由第二部分63與第三部分64的重疊部分而形成。此延伸部具有一寬度W2、一長度L6為大約0.1至1微米，以及一第一厚度，并且是由如第一導電層中的相同導電材料而形成。
當然，可形成具有一寬度W2與可以或不可以等于L6的一長度的延伸部(圖中未示)于鄰近彎曲部61b的延伸部63a的第三部分64的末端上。而另一個選擇是包括一延伸部位于彎曲部61b的第三部分64的末端，并且忽略延伸部63a。
相較于習知的線路結(jié)構(gòu)，一種具突出部的線路結(jié)構(gòu)具有改良式電阻的孔洞形成于第n部分末端的介層窗70底部附近，突出部具有復數(shù)個“n”部分及至少一延伸部位于彎曲部分?？梢韵嘈诺氖?，在延伸部內(nèi)可暫時性阻止來自大區(qū)域部分60中的一些空缺朝著介層窗70遷移，以延緩其透過突出部至介層窗底部70的遷移動作。同樣地，也可形成一延伸部于一非彎曲子部分上，例如從子部分62或65橫向延伸?？筛郊右粋€或數(shù)個延伸部至突出部的復數(shù)個”n”部分，突出部具有至少一彎曲部，如圖15所示，其中修改圖12所示的突出部以包括兩個延伸部于彎曲部68上。延伸部64a是形成于向著彎曲部61b的第三部分64的一端上，并且延著用以分開第三部分64的兩端的相同軸線而排成直線。延伸部64a具有一寬度W2與一長度L7，而長度L7為大約0.01至1微米。第二延伸部64b是形成于向著彎曲部61c的第三部分64的另一端上，彎曲部61c是延著用以分開第三部分的兩端的相同軸線。延伸部64b具有一寬度W2與一長度L8，而長度L7為大約0.01至1微米。需注意的是，L7不需要等于L8。而且，長度L7較佳是明顯小于第一部分62的長度L1，藉以在內(nèi)連線制造過程期間，使金屬橋不會形成于延伸部64a與大區(qū)域部分60之間。
如熟習此項技藝者所知，在本發(fā)明的線路結(jié)構(gòu)中，可添加2(n-1)個延伸部至突出部。例如，可形成一延伸部于彎曲部中的兩部分的末端的任一端上。在一實施例中，若突出部具有”n”部分及「n-1」彎曲部，則可能的延伸部的最大數(shù)量是2(n-1)?？蛇x擇的是，任一「n-1」彎曲部可具有0或1個延伸部。一個優(yōu)點特征為，這些部分的至少一部分具有一延伸部，延伸部位于彎曲部中，以延緩空缺透過突出部而擴散。
圖14與圖15所示的實施例提供先前所述實施例的好處外的一個額外好處，其中對突出部的一特定長度而言，其為所有部分長度(L1，...Ln)的總和，對孔洞形成的阻力會經(jīng)由在一部分的末端上加入至少一延伸部而增加。因此，經(jīng)由結(jié)合至少一延伸部，可進一步改善最終元件的可靠度。換言之，結(jié)合突出部、至少一彎曲部分及至少一延伸部于一部分的末端上，將可使在大區(qū)域金屬部分與第二導電層間的介層窗附近的孔洞形成的阻力達到最大值。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種介層窗測試結(jié)構(gòu)，形成于一半導體基材上，其特征在于其包括(a)一第一金屬層，包括一第一金屬線與一第二金屬線，二者各包括一第一部分、一中間部分與一第三部分，其中該第一與該第三部分具有一長度、一寬度及一厚度，該中間部分具有復數(shù)個“n”重疊子部分，各重疊子部分具有一寬度、一長度、一厚度與兩端，其中該第一重疊子部分的一端連接該第一部分，該第n重疊子部分的一端連接該第三部分，以及其中一重疊子部分的一端與相鄰的一重疊子部分的一端形成具一角度θ的一彎曲部，而該中間部分包括至少一彎曲部分；(b)一第二金屬層，包括一第一金屬線與第二金屬線，其各包括一第一部分、一中間部分與一第三部分，其中該第一與該第三部分具有一長度、一寬度及一厚度，該中間部分具有復數(shù)個“n”重疊子部分，各重疊子部分具有一寬度、一長度、一厚度與兩端，其中該第一重疊子部分的一端連接該第一部分，該第n重疊子部分的一端連接該第三部分，以及其中一重疊子部分的一端與一相鄰重疊子部分的一端形成具一角度θ的一彎曲部，而該中間部分包括至少一彎曲部分；(c)一介層窗，形成于該第一金屬層的該第一部分與該第二金屬層的該第一部分之間；(d)位于該第一金屬層中的一第一與一第二焊墊，分別連接該第一金屬層中的該第一與該第二金屬線的該些第三部分；以及(e)位于該第二金屬層中的一第一與一第二焊墊，分別連接該第二金屬層中的該第一與該第二金屬線的該些第三部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一金屬層的該第一金屬線中的該第一部分、該第一重疊子部分、該第n重疊子部分與該第三部分都是沿著一第一軸線而形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一金屬層的該第二金屬線中的該第一部分、該第一重疊子部分、該第n重疊子部分與該第三部分都是沿著垂直該第一軸線的一第二軸線而形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二金屬層的該第一金屬線中的該第一部分、該第一重疊子部分、該第n重疊子部分與該第三部分都是沿著平行該第一軸線的一第三軸線而形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二金屬層的該第二金屬線中的該第一部分、該第一重疊子部分、該第n重疊子部分與該第三部分都是沿著垂直該第三軸線的一第四軸線而形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一金屬層中該第一與第二金屬線的該些第一部分是同一部分，且其連接至該介層窗的底部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第二金屬層中該第一與第二金屬線的該些第一部分是同一部分，且其連接至該介層窗的頂部。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的介層窗測試結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的彎曲部分包括未沿著該些第一、第二、第三或第四軸線而排成直線的復數(shù)個重疊子部分。
9.一種在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，該測試結(jié)構(gòu)包括一第一金屬層與一第二金屬層，該第一金屬層連接一介層窗的底部，而該第二金屬層連接該介層窗的頂部，其特征在于其包括以下步驟(a)提供一電流至形成于一基材上一第一金屬層中的一第一焊墊，該第一焊墊經(jīng)由一第一金屬線連接該介層窗的底部，該第一金屬線包括兩端與一重疊部分，而該重疊部分具有一蜿蜒樣式；(b)測量該第一金屬層中一第二焊墊的電壓，該第二焊墊經(jīng)由一第二金屬線連接該介層窗的底部，該第二金屬線包括兩端與一重疊部分，而該重疊部分具有一蜿蜒樣式；連接(c)測量一第二金屬層中一第一焊墊的電壓，該第二金屬層形成于該基材上的該第一金屬層之上，該第一焊墊經(jīng)由一第一金屬線連接該介層窗的頂部，該第一金屬線包括一重疊部分，而該重疊部分具有兩端及一蜿蜒樣式；以及(d)將該第二金屬層中的一第二焊墊連接至一預定電壓電位，該第二金屬層中的該第二焊墊經(jīng)由一第二金屬線連接該介層窗的頂部，而該第二金屬線具有兩端及一重疊部分，該重疊部分具有一蜿蜒樣式。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，其特征在于其中所述的預定電壓電位是接地電位。
11根據(jù)權(quán)利要求9所述的在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，其特征在于其中所述的蜿蜒樣式包括復數(shù)個“n”重疊子部分，各重疊子部分具有一寬度、一長度、一厚度與兩端，其中該第一重疊子部分的一端連接依附于該介層窗的一金屬線的一端，該第n重疊子部分的一端連接依附于一焊墊的該金屬線的另一端，以及其中一重疊子部分的一端與一相鄰重疊子部分的一端形成具一角度θ的一彎曲部，該蜿蜒樣式包括至少一彎曲部分。
12根據(jù)權(quán)利要求11所述的在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，其特征在于其中所述的一重疊子部分的寬度小于該些第一金屬線或第二金屬線的一端的寬度。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，其特征在于其中所述的角度θ是介于大約45°與135°之間。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的在可靠度應力測試期間于一測試結(jié)構(gòu)中確認介層窗電阻的方法，其特征在于其中所述的可靠度應力測試更包括加熱該基材一預定時間(t)，接著經(jīng)反復步驟(a)至(d)重新測量該介層窗電阻，其中該供應電流值是IT，該第一金屬層中該第二焊墊的該電壓值為V1T，該第二金屬層中該第一焊墊的該電壓值為V2T，而該介層窗電阻是藉由(V1T-V2T)/IT而測得。
15.一種可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于其包括(a)一第一導電層，具有一第一寬度、一第一長度、一第一厚度及側(cè)邊；以及(b)一突出部，位于該第一導電層的一側(cè)上，該突出部具有一第二寬度、一第二長度、一第一厚度及沿著一第一軸線形成的兩端，其中該突出部具有至少一彎曲部分，該彎曲部分包括復數(shù)個重疊部分，各重疊部分具有未對準該第一軸線的兩端，以及其中該彎曲部分包括至少一延伸部，該延伸部形成于一重疊部分的該端中。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于其更包括一介層窗，該介層窗的一第一端連接該突出部，而該介層窗的一第二端連接一第二導電層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一導電層、該第二導電層、該介層窗及該突出部的材質(zhì)包括一金屬。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的位于該第一導電層的該側(cè)上的該突出部的該端是一第一重疊部分，而該突出部的該第二端是復數(shù)個”n”重疊部分中的該第n重疊部分，各重疊部分具有一長度、一第二寬度及一第一厚度。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的一重疊部分與一相鄰重疊部分重疊以形成具一角度θ的一彎曲部。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的角度θ是介于大約45°與135°之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的可降低應力導致孔洞形成的內(nèi)連線結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的延伸部具有大約0.01至1微米的一寬度及大約0.5至50微米的一長度。
全文摘要
本發(fā)明是關(guān)于一種減少應力導致孔洞形成的線路結(jié)構(gòu)，線路結(jié)構(gòu)具有第一導電層，第一導電層包括一大區(qū)域部分，連接于突出部的一端，而突出部具有復數(shù)個“n”重疊部分與至少一彎曲部分。突出部的另一端連接介層窗的底部，介層窗之上具有一第二導電層。彎曲部是由重疊兩相鄰重疊部分的該端而形成，且其具有一角度介于45°至135°。突出部也可包括至少一延伸部，位于向著一彎曲部的一部分中。彎曲部分與延伸部是用做為障礙物，以延緩空缺由大區(qū)域部分擴散至介層窗的附近地區(qū)，特別是有用于銅內(nèi)連線或用在介層窗測試結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L23/52GK1728354SQ200410091278
公開日2006年2月1日 申請日期2004年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月26日
發(fā)明者王建榮, 范淑貞, 胡頂達, 陳學忠 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司