專(zhuān)利名稱(chēng)：半導(dǎo)體集成電路及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路及其制造方法。特別是，涉及可通過(guò)削減接觸孔數(shù)目，既防止形成接觸的層及絕緣膜剝落、又防止LSI(大規(guī)模集成電路)遭到破壞的半導(dǎo)體集成電路的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)在，在半導(dǎo)體集成電路的設(shè)計(jì)方面，在進(jìn)行布線時(shí)調(diào)換布線層的場(chǎng)合，在不同布線的相互重疊的布線區(qū)域之間，按照由每種工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則決定的高度、寬度、間隔，在接觸的高度方向和接觸的寬度方向整齊地排列敷設(shè)可開(kāi)孔的數(shù)目的接觸。
上述所謂由每種工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則決定的高度是指矩形接觸的縱向尺寸。同理，所謂寬度是指矩形接觸的橫向尺寸。再有，以下，將“由每種工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則決定”簡(jiǎn)稱(chēng)為“由工藝決定”。
另外，在調(diào)換2層以上布線層時(shí)，中間層的接觸也在與上下層的布線重疊的區(qū)域相同的區(qū)域，按照由工藝決定的高度、寬度、間隔，憑借整齊地開(kāi)孔來(lái)敷設(shè)。
接觸陣列按照預(yù)定的大小和間隔整齊地呈2維排列，也就是說(shuō)，由排列成矩陣狀的多個(gè)接觸構(gòu)成。例如，用自動(dòng)布局裝置聯(lián)結(jié)不同層的布線之間時(shí)，提出了防止上述結(jié)構(gòu)的接觸陣列彼此之間通過(guò)相互鄰接而發(fā)生的設(shè)計(jì)規(guī)則錯(cuò)誤的方法(特開(kāi)2000-284536號(hào)公報(bào)(第1頁(yè)，圖2)。
這樣，一般而言，接觸陣列在調(diào)換布線層的場(chǎng)合，在與不同布線的重疊區(qū)域相同的區(qū)域，按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，整齊地敷設(shè)可開(kāi)孔的數(shù)目的接觸。
另外，伴隨近年來(lái)工藝微細(xì)化的進(jìn)步，一個(gè)個(gè)的接觸的面積既減小，接觸間隔也變窄。因此，如圖13所示，在從縱向的布線1301向橫向的布線1302調(diào)換布線層時(shí)，在不同布線的重疊區(qū)域，如果按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，整齊地敷設(shè)可開(kāi)孔的數(shù)目的接觸，則接觸陣列1303中所占的接觸數(shù)目增大。其結(jié)果是，有超過(guò)在由每種工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則決定的每單位面積，例如規(guī)定大小的每個(gè)矩形區(qū)域可敷設(shè)的接觸數(shù)目的可能性。
如圖13所示，如接觸近距離地大量敷設(shè)，則往往形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。為了防止形成這樣的接觸的層及絕緣膜剝落，削減在布線層的重疊區(qū)域所占的接觸數(shù)目是有效的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為解決上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題而進(jìn)行的，其目的在于通過(guò)將在接觸陣列中所形成的接觸的個(gè)數(shù)減少至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的個(gè)數(shù)或其以下的個(gè)數(shù)，提供了可實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞的半導(dǎo)體集成電路及其制造方法。
為了解決上述課題，本發(fā)明第1方面的半導(dǎo)體集成電路具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列。而且，接觸陣列中的縱向和橫向的某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
按照本結(jié)構(gòu)，由于接觸陣列中的縱向和橫向的某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，將在接觸陣列中所形成的接觸的個(gè)數(shù)減少至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的個(gè)數(shù)或比其少的個(gè)數(shù)是可能的。由此，可實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。
本發(fā)明第2方面的半導(dǎo)體集成電路具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列。而且，接觸陣列中的縱向和橫向雙方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
按照本結(jié)構(gòu)，由于接觸陣列中的縱向和橫向雙方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，將在接觸陣列中所形成的接觸的個(gè)數(shù)減少至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的個(gè)數(shù)或比其少的個(gè)數(shù)是可能的。由此，可實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。而且，由于接觸陣列中的縱向和橫向雙方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，可在縱向和橫向這兩個(gè)方向防止剝落，更能可靠地實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。
本發(fā)明第3方面的半導(dǎo)體集成電路具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，接觸陣列具有將第1和第2接觸陣列單元重合而合成的結(jié)構(gòu)，第1和第2接觸陣列單元具有在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的結(jié)構(gòu)。然后，使第1和第2接觸陣列單元各自在縱向和橫向的至少某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，而且使第1和第2接觸陣列的重合的位置錯(cuò)開(kāi)，以便第1接觸陣列的接觸形成位置在縱向和橫向皆位于第2接觸陣列的接觸形成位置的中間。
按照本結(jié)構(gòu)，第1和第2接觸陣列單元各自在縱向和橫向的至少某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，而且第1接觸陣列的接觸形成位置在縱向和橫向皆位于第2接觸陣列的接觸形成位置的中間。因此，將在接觸陣列中所形成的接觸的個(gè)數(shù)減少至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的個(gè)數(shù)或比其少的個(gè)數(shù)是可能的。由此，可實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。而且，在相同的面積上以相同大小、相同個(gè)數(shù)敷設(shè)時(shí)，在縱向和橫向均能以較寬的間隔敷設(shè)接觸，可提高防止剝落發(fā)生的效果。
本發(fā)明第4方面的半導(dǎo)體集成電路具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，允許由制造工藝決定的單位面積區(qū)域的重疊，對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描，加寬接觸敷設(shè)間隔，以便求得單位面積的區(qū)域內(nèi)存在的在縱橫方向排列敷設(shè)的接觸的個(gè)數(shù)或面積，使單位面積的區(qū)域內(nèi)部包含的接觸的個(gè)數(shù)或面積在規(guī)定值以下。
按照本結(jié)構(gòu)，在單位面積的區(qū)域單位看，不會(huì)超過(guò)可敷設(shè)的接觸數(shù)目，可防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。
在本發(fā)明的上述第1至第4部分的半導(dǎo)體集成電路中，可使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同。
按照本結(jié)構(gòu)，可防止因小面積的接觸陣列中的接觸的過(guò)分削減引起的微遷移、IR-DROP現(xiàn)象(相當(dāng)于電流I×布線電阻R的電壓降)發(fā)生。
本發(fā)明第5方面的半導(dǎo)體集成電路具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，將接觸陣列分割成2個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域。而且，在至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域中，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)接觸，在剩下的接觸陣列區(qū)域中，按照比上述至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域的接觸敷設(shè)間隔寬的接觸敷設(shè)間隔來(lái)敷設(shè)接觸。
按照本結(jié)構(gòu)，由于在至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域中，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)接觸，在剩下的接觸陣列區(qū)域中，按照比上述至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域的接觸敷設(shè)間隔寬的接觸敷設(shè)間隔來(lái)敷設(shè)接觸，所以更能可靠地實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。
本發(fā)明第6方面的半導(dǎo)體集成電路具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，將接觸陣列分割成3個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域。而且，在空出指定區(qū)域間隔而配置的至少2個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域的每一區(qū)域中，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)接觸，以便求得單位面積的區(qū)域內(nèi)存在的接觸的個(gè)數(shù)或面積，使單位面積的區(qū)域內(nèi)部包含的接觸的個(gè)數(shù)或面積在規(guī)定值以下。
按照本結(jié)構(gòu)，由于在2個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域中，空出指定區(qū)域間隔，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)接觸，所以更能可靠地實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。
在本發(fā)明的上述第1至第4部分的半導(dǎo)體集成電路中，能以如下方式構(gòu)成。即，具有接觸陣列在縱向堆積至3層以上的結(jié)構(gòu)，中間層的接觸陣列加寬了接觸敷設(shè)間隔的結(jié)果是，通過(guò)將留在中間層的接觸陣列中的接觸按照由工藝決定的接觸間隔以上的間隔重新排列，可使中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄。再有，在本結(jié)構(gòu)中，可使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同的結(jié)構(gòu)組合在一起。
按照本結(jié)構(gòu)，由于中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄，所以中間層的接觸陣列的側(cè)面的同一布線層可作為其它布線的布線區(qū)域使用。因此，可防止因布線資源不足而未連線。
本發(fā)明第7方面的半導(dǎo)體集成電路的制造方法是制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路的方法，可使接觸陣列中的縱向和橫向的某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
按照本方法，借助于使接觸陣列中的縱向和橫向的某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，可將在接觸陣列中所形成的接觸的個(gè)數(shù)減少至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的個(gè)數(shù)或比其少的個(gè)數(shù)。由此，可實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。
本發(fā)明第8方面的半導(dǎo)體集成電路的制造方法是制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路的方法，可使接觸陣列中的縱向和橫向雙方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
按照本方法，借助于使接觸陣列中的縱向和橫向雙方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，可將在接觸陣列中所形成的接觸的個(gè)數(shù)減少至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的個(gè)數(shù)或比其少的個(gè)數(shù)。由此，可實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。而且，借助于使接觸陣列中的縱向和橫向雙方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，可防止在縱向和橫向這兩個(gè)方向剝落，更能可靠地實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。
本發(fā)明第9方面的半導(dǎo)體集成電路的制造方法是制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路的方法，將在縱向和橫向排列敷設(shè)了多個(gè)接觸的第1和第2接觸陣列單元重合，合成接觸陣列。這時(shí)，使第1和第2接觸陣列單元各自在縱向和橫向的至少某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，而且使第1和第2接觸陣列的重合的位置錯(cuò)開(kāi)，以便第1接觸陣列的接觸形成位置在縱向和橫向皆位于第2接觸陣列的接觸形成位置的中間。
按照本方法，第1和第2接觸陣列單元各自在縱向和橫向的至少某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，而且第1接觸陣列的接觸形成位置在縱向和橫向皆位于第2接觸陣列的接觸形成位置的中間。因此，可將在接觸陣列中所形成的接觸的個(gè)數(shù)減少至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的個(gè)數(shù)或比其少的個(gè)數(shù)。由此，可實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。而且，在相同的面積上以相同大小、相同個(gè)數(shù)敷設(shè)時(shí)，在縱向和橫向均能以較寬的間隔敷設(shè)接觸，可提高防止剝落發(fā)生的效果。
本發(fā)明第10方面的半導(dǎo)體集成電路的制造方法是制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路的方法，允許由制造工藝決定的單位面積區(qū)域的重疊，對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描，加寬接觸敷設(shè)間隔，以便求得單位面積的區(qū)域內(nèi)存在的在縱橫方向排列敷設(shè)的接觸的個(gè)數(shù)或面積，使單位面積的區(qū)域內(nèi)部包含的接觸的個(gè)數(shù)或面積在規(guī)定值以下。
按照本方法，在單位面積的區(qū)域單位看，不會(huì)超過(guò)可敷設(shè)的接觸數(shù)目，可防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。
在本發(fā)明的上述第7至第10部分的半導(dǎo)體集成電路的制造方法中，可使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同。
按照本方法，可防止因小面積的接觸陣列中的接觸的過(guò)分削減引起的微遷移、IR-DROP現(xiàn)象發(fā)生。
本發(fā)明第11方面的半導(dǎo)體集成電路的制造方法是制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路的方法，將接觸陣列分割成2個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域，在至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域中，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)接觸，在剩下的接觸陣列區(qū)域中，按照比至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域的接觸敷設(shè)間隔寬的接觸敷設(shè)間隔來(lái)敷設(shè)接觸。
按照本方法，由于在至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域中，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)接觸，在剩下的接觸陣列區(qū)域中，按照比至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域的接觸敷設(shè)間隔寬的接觸敷設(shè)間隔來(lái)敷設(shè)接觸，所以更能可靠地實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。
本發(fā)明第12方面的半導(dǎo)體集成電路的制造方法是制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路的方法，將接觸陣列分割成3個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域，在空出指定區(qū)域間隔而配置的至少2個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域的每一區(qū)域中，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)接觸，以便求得單位面積的區(qū)域內(nèi)存在的接觸的個(gè)數(shù)或面積，使單位面積的區(qū)域內(nèi)部包含的接觸的個(gè)數(shù)或面積在規(guī)定值以下。
按照本方法，由于在2個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域中，空出指定區(qū)域間隔，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)接觸，所以更能可靠地實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。
在本發(fā)明的上述第7至第10部分的半導(dǎo)體集成電路的制造方法中，能以如下方式構(gòu)成。即，具有接觸陣列在縱向堆積至3層以上的結(jié)構(gòu)，中間層的接觸陣列加寬了接觸敷設(shè)間隔的結(jié)果是，通過(guò)將留在中間層的接觸陣列中的接觸按照由工藝決定的接觸間隔以上的間隔重新排列，可使中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄。再有，在本結(jié)構(gòu)中，可使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同的結(jié)構(gòu)組合在一起。
按照本方法，由于中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄，所以中間層的接觸陣列的側(cè)面的同一布線層可作為其它布線的布線區(qū)域使用。因此，可防止因布線資源不足而未連線。
本發(fā)明第13方面的半導(dǎo)體集成電路具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，接觸陣列由奇數(shù)行的接觸組和相對(duì)于奇數(shù)行的接觸組配置在行方向大致移動(dòng)半個(gè)間距的位置的偶數(shù)行的接觸組構(gòu)成，奇數(shù)行的接觸組的接觸間隔和偶數(shù)行的接觸組的接觸間隔，以及奇數(shù)行的接觸組彼此之間的行間隔和偶數(shù)行的接觸組彼此之間的行間隔之中的至少某一方的間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
按照本結(jié)構(gòu)，可將在接觸陣列中所形成的接觸的個(gè)數(shù)減少至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的個(gè)數(shù)或比其少的個(gè)數(shù)由此，可實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。而且，在相同的面積上以相同大小、相同個(gè)數(shù)敷設(shè)時(shí)，在縱向和橫向也能按照較寬的間隔敷設(shè)接觸，可提高防止剝落發(fā)生的效果。


圖1A是示出本發(fā)明第1實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路中的橫向?qū)掗g距接觸陣列的示意圖。
圖1B是示出本發(fā)明第1實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路中的縱向?qū)掗g距接觸陣列的示意圖。
圖2是示出本發(fā)明第2實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路中的兩個(gè)方向?qū)掗g距接觸陣列的示意圖。
圖3A是示出本發(fā)明第3實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路中的交錯(cuò)接觸陣列的示意圖。
圖3B是示出本發(fā)明第3實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路中的一方的接觸陣列單元的示意圖。
圖3C是示出本發(fā)明第3實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路中的另一方的接觸陣列單元的示意圖。
圖4A是示出在同一網(wǎng)絡(luò)中鄰接的現(xiàn)有技術(shù)的2個(gè)的接觸陣列的示意圖。
圖4B是示出假想地將圖4A中的2個(gè)接觸陣列視作1個(gè)接觸陣列的示意圖。
圖4C是示出在本發(fā)明第4實(shí)施例中敷設(shè)的接觸陣列的示意圖。
圖5是示出將圖4的接觸陣列返回到原來(lái)的接觸陣列的大小的結(jié)果的示意圖。
圖6A是示出現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列的示意圖。
圖6B是示出用本發(fā)明第1至第3實(shí)施例中的某一方法敷設(shè)的接觸陣列的示意圖。
圖6C是示出在本發(fā)明第5實(shí)施例中改變削減率生成接觸陣列的結(jié)果的示意圖。
圖7A是示出在本發(fā)明第6實(shí)施例中將敷設(shè)接觸的區(qū)域分割成2個(gè)以上的結(jié)果的示意圖。
圖7B是示出在本發(fā)明第6實(shí)施例中在第1接觸陣列分割區(qū)域內(nèi)敷設(shè)了現(xiàn)有技術(shù)的接觸的結(jié)果的示意圖。
圖7C是示出在本發(fā)明第6實(shí)施例中在第1接觸陣列分割區(qū)域以外的第2～第4接觸陣列分割區(qū)域內(nèi)也敷設(shè)了接觸的結(jié)果的示意圖。
圖8A是示出在本發(fā)明第7實(shí)施例中將敷設(shè)接觸陣列的區(qū)域分割成3個(gè)以上的結(jié)果的示意圖。
圖8B是示出在本發(fā)明第7實(shí)施例中以指定區(qū)域間隔敷設(shè)了現(xiàn)有技術(shù)的接觸的結(jié)果的示意圖。
圖9是示出堆積并連接現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列的剖面圖。
圖10A是示出在本發(fā)明第8實(shí)施例中中間層的接觸陣列的立體圖。
圖10B是示出在本發(fā)明第8實(shí)施例中重新敷設(shè)的接觸陣列的立體圖。
圖11是示出在本發(fā)明第8實(shí)施例中縮小了中間層的接觸陣列的結(jié)果的立體圖。
圖12是示出在本發(fā)明第8實(shí)施例中將中間層的接觸陣列分割成多個(gè)接觸陣列而配置的結(jié)果的剖面圖。
圖13是示出現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列的示意圖。
圖14A是示出本發(fā)明第9實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路中的交錯(cuò)接觸陣列的示意圖。
圖14B是示出本發(fā)明第9實(shí)施例的半導(dǎo)體集成電路中的接觸陣列單元的示意圖。
具體實(shí)施例方式
(第1實(shí)施例)現(xiàn)在用

本發(fā)明中的第1實(shí)施例。
在實(shí)施本發(fā)明時(shí)，采用以與一般的布局設(shè)計(jì)相同的工藝決定的設(shè)計(jì)規(guī)則生成各種布線。再有，采用由工藝決定的設(shè)計(jì)規(guī)則，按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，僅靠呈矩陣狀整齊地開(kāi)孔來(lái)敷設(shè)接觸。
這時(shí)，在生成超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列時(shí)，為了避免這種情形，采用圖1A和圖1B中所示的一個(gè)方向?qū)掗g距接觸陣列進(jìn)行布線。
圖1A和圖1B示出2種一個(gè)方向?qū)掗g距接觸陣列。在圖1A中，符號(hào)101表示縱向的布線，符號(hào)102表示與布線101不同的層的橫向的布線，符號(hào)103表示X(橫)方向?qū)掗g距接觸陣列，符號(hào)105表示排列配置成矩陣狀的接觸。在圖1B中，符號(hào)104表示Y(縱)方向?qū)掗g距接觸陣列。其它的符號(hào)與圖1A所示的符號(hào)相同。
X方向?qū)掗g距接觸陣列103與按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，憑借整齊地開(kāi)孔來(lái)敷設(shè)接觸的現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列不同。即，接觸105的高度、寬度和縱向的敷設(shè)間隔被設(shè)定為由每種工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則決定的接觸的高度、寬度、敷設(shè)間隔。可是，接觸105的橫向的敷設(shè)間隔卻被設(shè)定為比由工藝決定的間隔寬的間隔。
Y方向?qū)掗g距接觸陣列104與按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，憑借整齊地開(kāi)孔來(lái)敷設(shè)接觸的現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列不同。即，接觸105的高度、寬度和橫向的敷設(shè)間隔被設(shè)定為由每種工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則決定的接觸的高度、寬度、敷設(shè)間隔?？墒?，接觸105的縱向的敷設(shè)間隔卻被設(shè)定為比由工藝決定的間隔寬的間隔。
再有，在第1實(shí)施例中，記述了布線時(shí)設(shè)置僅在橫向或縱向中的某一方向接觸敷設(shè)間隔比起由工藝決定的敷設(shè)間隔寬的接觸陣列103、104的方法。不限于此，相對(duì)于采用現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列一次進(jìn)行全部的布線的布線結(jié)果，采用僅將超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列置換成X方向?qū)掗g距接觸陣列103或者Y方向?qū)掗g距接觸陣列104的方法即可。
在將接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下時(shí)，考慮到電遷移、IR-DROP的結(jié)果是，在可進(jìn)一步削減接觸的個(gè)數(shù)時(shí)，可進(jìn)行削減，或者在留有若干裕量的基礎(chǔ)上進(jìn)行削減。
采用以上的方法可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
如果采用如此構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路及其制造方法，則通過(guò)按照比由工藝決定的間隔寬的間隔來(lái)敷設(shè)接觸105，可將接觸陣列103、104內(nèi)的接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下。因此，可實(shí)現(xiàn)防止形成接觸105的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生，從而可實(shí)現(xiàn)防止LSI遭到破壞。
(第2實(shí)施例)現(xiàn)在用

本發(fā)明中的第2實(shí)施例。
與第1實(shí)施例所述的方法一樣，采用由工藝決定的設(shè)計(jì)規(guī)則生成各種布線。再有，采用由工藝決定的設(shè)計(jì)規(guī)則，按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，憑借呈矩陣狀整齊地開(kāi)孔來(lái)敷設(shè)接觸。
這時(shí)，在生成超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列時(shí)，為了避免這種情形，采用圖2所示的兩個(gè)方向?qū)掗g距接觸陣列進(jìn)行布線。
圖2示出兩個(gè)方向?qū)掗g距接觸陣列。在圖2中，符號(hào)101表示縱向的布線，符號(hào)102表示與布線101不同的層的橫向的布線，符號(hào)201表示兩個(gè)方向?qū)掗g距接觸陣列。符號(hào)202表示排列配置成矩陣狀的接觸。
兩個(gè)方向?qū)掗g距接觸陣列201與按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，憑借整齊地開(kāi)孔來(lái)敷設(shè)接觸的現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列不同。即，接觸202的高度、寬度被設(shè)定為由工藝決定的接觸的高度、寬度。可是，接觸202的橫向和縱向的敷設(shè)間隔卻被設(shè)定為皆比由工藝決定的間隔寬的間隔。
采用在第1實(shí)施例中說(shuō)明過(guò)的方法可有效地防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。但是，這僅在橫向和縱向中的某一方向可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。在本實(shí)施例中，則可防止來(lái)自橫向和縱向的兩個(gè)方向的形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
再有，在第2實(shí)施例中，記述了布線時(shí)敷設(shè)在兩個(gè)方向的接觸敷設(shè)間隔皆寬的接觸陣列201的方法，但相對(duì)于采用現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列一次進(jìn)行全部的布線的布線結(jié)果，僅將超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列置換成兩個(gè)方向?qū)掗g距接觸陣列201即可。
在將接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下時(shí)，考慮到電遷移、IR-DROP的結(jié)果是，在可進(jìn)一步削減接觸的個(gè)數(shù)時(shí)，可進(jìn)行削減，或者在留有若干裕量的基礎(chǔ)上進(jìn)行削減。
采用以上的方法可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
如果采用如此構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路及其制造方法，則通過(guò)以比由工藝決定的間隔寬的間隔敷設(shè)接觸202，可將接觸陣列201內(nèi)的接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下。因此，可防止形成接觸202的層及絕緣膜的剝落，可防止LSI遭到破壞。
進(jìn)而，通過(guò)在橫向和縱向皆以比由工藝決定的間隔寬的間隔敷設(shè)接觸202，可防止來(lái)自橫向和縱向的兩個(gè)方向的形成接觸202的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
(第3實(shí)施例)現(xiàn)在用

本發(fā)明中的第3實(shí)施例。
與第1實(shí)施例所述的方法一樣，采用由工藝決定的設(shè)計(jì)規(guī)則生成各種布線。再有，采用由工藝決定的設(shè)計(jì)規(guī)則，按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，憑借呈矩陣狀整齊地開(kāi)孔來(lái)敷設(shè)接觸。
這時(shí)，在生成超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列時(shí)，為了避免這種情形，采用圖3A所示的交錯(cuò)接觸陣列進(jìn)行布線。
圖3A示出交錯(cuò)接觸陣列。在圖3A中，符號(hào)101表示縱向的布線，符號(hào)102表示與布線101不同的層的橫向的布線，符號(hào)301表示交錯(cuò)接觸陣列。符號(hào)306表示排列配置成交錯(cuò)網(wǎng)格狀的接觸，在奇數(shù)行和偶數(shù)行中以錯(cuò)位半個(gè)間距的方式配置，或者在奇數(shù)列和偶數(shù)列中以錯(cuò)位半個(gè)間距的方式配置。
圖3B表示用于構(gòu)成交錯(cuò)接觸陣列301的2個(gè)接觸陣列單元的一方。在該圖中，符號(hào)302表示第1接觸陣列單元，符號(hào)303表示排列配置成矩陣狀的接觸。
圖3C表示構(gòu)成交錯(cuò)接觸陣列的2個(gè)接觸陣列單元的另一方。在該圖中，符號(hào)304表示第2接觸陣列單元，符號(hào)305表示排列配置成矩陣狀的接觸。
交錯(cuò)接觸陣列301與按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，憑借整齊地開(kāi)孔來(lái)敷設(shè)接觸的現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列不同。即，使在橫向和縱向皆以比由工藝決定的間隔寬的間隔敷設(shè)的第1接觸陣列單元302和第2接觸陣列單元304相互重疊，敷設(shè)成交錯(cuò)網(wǎng)格狀。
如上所述，交錯(cuò)接觸陣列301由奇數(shù)行的接觸組和相對(duì)于奇數(shù)行的接觸組配置在行方向大致移動(dòng)半個(gè)間距的位置的偶數(shù)行的接觸組構(gòu)成。而且，奇數(shù)行的接觸組的接觸間隔和偶數(shù)行的接觸組的接觸間隔，以及奇數(shù)行的接觸組彼此之間的行間隔和偶數(shù)行的接觸組彼此之間的行間隔之中的至少某一方的間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
另外，奇數(shù)行的接觸組312和偶數(shù)行的接觸組313各自的接觸間隔被設(shè)定為相同的值。另外，奇數(shù)行的接觸組312彼此之間的行間隔和偶數(shù)行的接觸組313彼此之間的行間隔也被設(shè)定為相同的值。另外，奇數(shù)行的接觸組312和偶數(shù)行的接觸組313的行間隔被設(shè)定為均勻。
這時(shí)，不言而喻，構(gòu)成奇數(shù)行的接觸組的各接觸與構(gòu)成偶數(shù)行的接觸組的各接觸之間的間隔往往被設(shè)定為不比制造工藝所需要的間隔窄。
采用在第2實(shí)施例中說(shuō)明過(guò)的方法可有效地防止來(lái)自橫向和縱向的形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
但是，在相同的面積上以相同大小、相同個(gè)數(shù)敷設(shè)接觸時(shí)，用本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)敷設(shè)的一方可在縱向和橫向皆以較大的間隔敷設(shè)接觸306，可提高防止形成接觸306的層及絕緣膜的剝落發(fā)生的效果。
再有，相對(duì)于采用現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列一次進(jìn)行全部的布線的布線結(jié)果，僅將超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列置換成交錯(cuò)接觸陣列301即可。
另外，在上述實(shí)施例中，第1和第2接觸陣列單元302、304雖然在縱向和橫向皆以比由工藝決定的間隔寬的間隔配置接觸，但只要在某一方向加寬間隔即可。
如果可將接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸面積以下，即使采用變更了由工藝決定的接觸的高度、寬度的接觸，也可得到同樣的效果。如具體地進(jìn)行說(shuō)明，則在使接觸的個(gè)數(shù)減少時(shí)，增大接觸的高度、寬度即可。
采用以上的方法可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
如果采用如此構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路的膜剝落防止方法，則在相同的面積上以相同大小、相同個(gè)數(shù)敷設(shè)接觸時(shí)，可在縱向和橫向皆以比第2實(shí)施例大的間隔敷設(shè)。
另外，可將接觸陣列內(nèi)的接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下。因此，還可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落，防止LSI遭到破壞。
(第4實(shí)施例)現(xiàn)在用

本發(fā)明中的第4實(shí)施例。
相對(duì)于采用現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列一次進(jìn)行全部的布線的布線結(jié)果，在進(jìn)行檢驗(yàn)的檢驗(yàn)步驟中，可檢驗(yàn)是超過(guò)由工藝(每種工藝的設(shè)計(jì)規(guī)則)決定的區(qū)域單位中每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目，還是沒(méi)有超過(guò)。
這里，通過(guò)容許由制造工藝決定的單位面積的區(qū)域的重疊對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描，求得單位面積的區(qū)域內(nèi)存在的在縱橫方向排列敷設(shè)的接觸的個(gè)數(shù)或面積，以此進(jìn)行檢驗(yàn)。所謂容許單位面積的區(qū)域的重疊對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描，具體地說(shuō)，是指在對(duì)單位面積的區(qū)域進(jìn)行取樣時(shí)，依次將取樣區(qū)域與單位面積的區(qū)域的水平和垂直方向的尺寸進(jìn)行比較，一邊使各微小尺寸在水平方向和垂直方向依次錯(cuò)開(kāi)，一邊進(jìn)行掃描。
這時(shí)，在由工藝決定的區(qū)域內(nèi)僅存在1個(gè)接觸陣列時(shí)，即使是不超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的場(chǎng)合，在由工藝決定的區(qū)域內(nèi)鄰接的同一網(wǎng)絡(luò)的其它接觸陣列存在時(shí)，也往往超過(guò)每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目。
圖4A是示出在同一網(wǎng)絡(luò)中鄰接的現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列。在圖4A中，符號(hào)401表示縱向的布線，符號(hào)402a、402b表示與布線401不同的層的橫向的布線，符號(hào)403和404表示現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列。符號(hào)405、406表示分別設(shè)置于接觸陣列403、404的接觸，各自排列配置成矩陣狀。按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，憑借整齊地開(kāi)孔來(lái)敷設(shè)接觸405、406。
現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列404是僅以整體存在時(shí)不超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列。但是，由于在由工藝決定的區(qū)域(例如矩形區(qū)域)內(nèi)鄰接的同一網(wǎng)絡(luò)的接觸陣列403存在，所以在該區(qū)域內(nèi)超過(guò)每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目。
因此，在本發(fā)明中，可確認(rèn)由工藝決定的單位面積的區(qū)域內(nèi)鄰接的同一網(wǎng)絡(luò)的接觸陣列403、404是否存在。當(dāng)由工藝決定的單位面積的區(qū)域內(nèi)鄰接的同一網(wǎng)絡(luò)的接觸陣列403、404存在時(shí)，假想地將2個(gè)接觸陣列403、404視作1個(gè)接觸陣列。
如上所述，假想地在視作1個(gè)接觸陣列的區(qū)域內(nèi)，采用與第1至第3實(shí)施例中所述的某一方法相同的方法敷設(shè)接觸，以便去求由工藝決定的單位面積的區(qū)域內(nèi)存在的半導(dǎo)體集成電路的網(wǎng)格狀的接觸數(shù)目或面積，使每單位面積的接觸數(shù)目或面積在規(guī)定值以下。
圖4B示出了假想地將2個(gè)接觸陣列403、404視作1個(gè)接觸陣列的情形。在圖4B中，符號(hào)401表示縱向的布線，符號(hào)402a、402b表示與布線401不同的層的橫向的布線，408表示假想接觸陣列。假想接觸陣列408將鄰接的同一網(wǎng)絡(luò)的接觸陣列視作1個(gè)接觸陣列。409是假想接觸陣列408中的接觸。符號(hào)407表示單位面積的區(qū)域。
圖4C示出重新敷設(shè)了接觸的接觸陣列。在圖4C中，符號(hào)401表示縱向的布線，符號(hào)402a、402b表示橫向的布線，符號(hào)410表示接觸陣列。符號(hào)411表示接觸陣列410中的接觸，例如被排列配置成交錯(cuò)網(wǎng)格狀(參照第3實(shí)施例)?？刹捎门c第1或第2實(shí)施例相同的方法形成接觸。
在本實(shí)施例中，可在假想的接觸陣列408的區(qū)域采用與第1至第3實(shí)施例中所述的某一方法相同的方法生成接觸陣列410。
采用與第1至第3實(shí)施例中說(shuō)明過(guò)的方法對(duì)于形成不超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列是有效的。但是，由于采用布線后的檢驗(yàn)可確認(rèn)在由工藝決定的區(qū)域單位中是否超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目，所以在同一網(wǎng)絡(luò)中鄰接的接觸陣列存在時(shí)，往往會(huì)超過(guò)可敷設(shè)的接觸數(shù)目。采用本方法由于在由工藝決定的區(qū)域單位中進(jìn)行處理，所以在區(qū)域單位中看也不會(huì)超過(guò)可敷設(shè)的接觸數(shù)目。
再有，在采用與第1至第3實(shí)施例中所述的某一種方法相同的方法生成接觸陣列406后，如圖5所示，可返回到與原來(lái)的接觸陣列403、404相同大小的2個(gè)接觸陣列501、502，使用接觸陣列501、502之間的區(qū)域作為其它布線的布線區(qū)域。
圖5示出了將接觸陣列410返回到原來(lái)的大小的結(jié)果。在圖5中，符號(hào)401表示縱向的布線，符號(hào)402表示橫向的布線，符號(hào)501和502表示接觸陣列。符號(hào)4503、504分別表示接觸?？芍ㄟ^(guò)將接觸陣列410返回到原來(lái)的大小，可在與其它布線的同一布線層中利用接觸陣列501、502之間的區(qū)域。
在將接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下時(shí)，考慮到電遷移、IR-DROP的結(jié)果是，在可進(jìn)一步削減接觸的個(gè)數(shù)時(shí)，可進(jìn)行削減，或者在留有若干裕量的基礎(chǔ)上進(jìn)行削減。
采用以上的方法可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
如果采用如此構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路及其制造方法，則由于在由工藝決定的區(qū)域單位中進(jìn)行處理，所以在區(qū)域單位中看也不會(huì)超過(guò)每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目。
另外，通過(guò)采用比由工藝決定的間隔寬的間隔敷設(shè)接觸411、503、504，可將接觸陣列410、501、502內(nèi)的接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下。因此，可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落，可防止LSI遭到破壞。
(第5實(shí)施例)現(xiàn)在用

本發(fā)明中的第5實(shí)施例。
相對(duì)于采用現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列進(jìn)行全部的布線的布線結(jié)果，在采用第4實(shí)施例中記述了超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列的方法相同的方法敷設(shè)接觸陣列。但是，對(duì)于接觸陣列的大小較大者和較小者而言，如以相同的削減率削減接觸，則在小的接觸陣列中接觸的過(guò)分削減往往成為發(fā)生電遷移、IR-DROP現(xiàn)象的原因。例如，通過(guò)減少接觸數(shù)目，既造成接觸短缺，又會(huì)因電源供給不足而使LSI發(fā)生誤工作。
圖6A示出現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列。在圖6A中，符號(hào)601表示縱向的布線，符號(hào)602a、602b表示與布線601不同的層的橫向的布線，符號(hào)603、604表示現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列。符號(hào)605、606表示分別設(shè)置于接觸陣列603、604中的接觸。可知2個(gè)接觸陣列603、604盡管其大小不同，但可按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，憑借整齊地開(kāi)孔來(lái)敷設(shè)。
圖6B示出了采用與第4實(shí)施例中所述的方法相同的方法敷設(shè)的接觸陣列。在圖6B中，符號(hào)601表示縱向的布線，符號(hào)602a、602b表示橫向的布線，符號(hào)607、608表示接觸陣列。符號(hào)609、610表示設(shè)置于接觸陣列607、608中的接觸?？芍佑|陣列607、608盡管其大小不同，但都是采用與第4實(shí)施例中所述的方法相同的方法敷設(shè)的接觸陣列，是不超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列。另外，接觸陣列607、608由于以相同的削減率削減接觸，所以它們處于在接觸陣列608中接觸610的過(guò)分削減成為容易發(fā)生電遷移、IR-DROP現(xiàn)象的原因的狀態(tài)。
在本發(fā)明中，為了避免敷設(shè)超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列，削減了接觸陣列中的接觸數(shù)目，但應(yīng)使接觸的削減率隨接觸陣列的大小而改變，生成接觸陣列。
圖6C示出了改變削減率、生成接觸陣列的結(jié)果。在圖6C中，符號(hào)601表示縱向的布線，符號(hào)602表示橫向的布線，符號(hào)607、611表示接觸陣列。符號(hào)609、612表示接觸?？芍捎诟淖兞私佑|陣列611中的接觸的削減率，其接觸數(shù)目比圖6B的接觸陣列608的接觸數(shù)目多。
采用在第4實(shí)施例中說(shuō)明過(guò)的方法，由于以相同的削減率削減接觸而與接觸陣列的大小無(wú)關(guān)，所以在小的接觸陣列中接觸的過(guò)分削減往往成為發(fā)生電遷移、IR-DROP現(xiàn)象的原因。在本發(fā)明中，由于接觸的削減率隨接觸陣列的大小而改變，所以可防止在小的接觸陣列611中接觸612的過(guò)分削減成為發(fā)生電遷移、IR-DROP現(xiàn)象的原因。
在將接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下時(shí)，考慮到電遷移、IR-DROP的結(jié)果是，在可進(jìn)一步削減接觸的個(gè)數(shù)時(shí)，可進(jìn)行削減，或者在留有若干裕量的基礎(chǔ)上進(jìn)行削減。
采用以上的方法可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
如果采用如此構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路及其制造方法，則越是面積小的接觸陣列，就越要減少接觸數(shù)目的削減率，從而可防止在小的接觸陣列中接觸的過(guò)分削減成為發(fā)生電遷移、IR-DROP現(xiàn)象的原因。
另外，通過(guò)按照比由工藝決定的間隔寬的間隔敷設(shè)接觸609、612，可將接觸陣列607、611內(nèi)的接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下。因此，可防止形成接觸609、612的層及絕緣膜的剝落，防止LSI遭到破壞。
(第6實(shí)施例)現(xiàn)在用

本發(fā)明中的第6實(shí)施例。
在小的區(qū)域看接觸陣列時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列同樣地按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔敷設(shè)了接觸，這成為抗膜剝落的結(jié)構(gòu)，但如果與現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列同樣地按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔大量地敷設(shè)，則形成接觸的層及絕緣膜的剝落便容易發(fā)生。
在本發(fā)明中，在采用現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列一次進(jìn)行全部的布線后，對(duì)于超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列，將敷設(shè)接觸的區(qū)域分割為2個(gè)以上，將其一部分與現(xiàn)有技術(shù)一樣，按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔來(lái)敷設(shè)。剩下的區(qū)域則采用與第1至第3實(shí)施例中所述的某一方法相同的方法敷設(shè)接觸。
圖7A示出了將敷設(shè)接觸陣列的區(qū)域分割成2個(gè)以上(在本例中為4個(gè))的結(jié)果。在圖7A中，符號(hào)701表示縱向的布線，符號(hào)702表示與布線701不同的層的橫向的布線，符號(hào)703表示第1接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)704表示第2接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)705表示第3接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)706表示第4接觸陣列分割區(qū)域?？芍褜⒎笤O(shè)接觸陣列的區(qū)域分割成2個(gè)以上。
圖7B示出了在第1接觸陣列分割區(qū)域703內(nèi)敷設(shè)了現(xiàn)有技術(shù)的接觸的結(jié)果。在圖7B中，符號(hào)701表示縱向的布線，符號(hào)702表示橫向的布線，符號(hào)703表示第1接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)704表示第2接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)705表示第3接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)706表示第4接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)707表示現(xiàn)有技術(shù)的接觸?？芍诘?接觸陣列分割區(qū)域703中，與現(xiàn)有技術(shù)一樣，按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔來(lái)敷設(shè)接觸707。
圖7C示出了在第1接觸陣列分割區(qū)域703以外的區(qū)域也敷設(shè)了接觸的結(jié)果。在圖7C中，符號(hào)701表示縱向的布線，符號(hào)702表示橫向的布線，符號(hào)703表示第1接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)704表示第2接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)705表示第3接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)706表示第4接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)707表示現(xiàn)有技術(shù)的接觸，符號(hào)708表示采用與第1至第3實(shí)施例中說(shuō)明過(guò)的某一方法相同的方法所敷設(shè)的接觸?？芍诘?接觸陣列分割區(qū)域以外的區(qū)域704～706中，采用與第1至第3實(shí)施例中說(shuō)明過(guò)的方法敷設(shè)接觸708。
采用與第1至第3實(shí)施例中說(shuō)明過(guò)的方法的結(jié)果是，由于在接觸陣列內(nèi)沒(méi)有以與現(xiàn)有技術(shù)同樣的方法敷設(shè)的接觸區(qū)域，不用說(shuō)具有抗膜剝落的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，在接觸陣列的一部分區(qū)域中，與現(xiàn)有技術(shù)一樣，通過(guò)按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔敷設(shè)接觸，可取得抗膜剝落的結(jié)構(gòu)，可防止膜剝落。
再有，在將接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下時(shí)，考慮到電遷移、IR-DROP的結(jié)果是，在可進(jìn)一步削減接觸的個(gè)數(shù)時(shí)，可削減現(xiàn)有技術(shù)的接觸區(qū)域以外的接觸，或者在留有若干裕量的基礎(chǔ)上進(jìn)行削減。
采用以上的方法可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
如果采用如此構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路及其制造方法，則對(duì)于接觸陣列的一部分區(qū)域而言，與現(xiàn)有技術(shù)一樣，按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔敷設(shè)接觸，可取得抗膜剝落的結(jié)構(gòu)。因此，可防止膜剝落。
對(duì)于接觸陣列剩余的區(qū)域而言，借助于按照比由工藝決定的間隔寬的間隔來(lái)敷設(shè)接觸，可將接觸陣列內(nèi)的接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下。因此，可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落，防止LSI遭到破壞。
再有，在上述實(shí)施例中，說(shuō)明了在第1接觸陣列分割區(qū)域703中按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔來(lái)敷設(shè)接觸，但也可按照比其大的高度、寬度、間隔來(lái)敷設(shè)接觸。這時(shí)，可得到抗膜剝落的結(jié)構(gòu)。但是，必須比接觸陣列分割區(qū)域704～706的接觸高度、寬度、間隔減小。
另外，接觸陣列可在計(jì)算各接觸(孔)的坐標(biāo)的基礎(chǔ)上通過(guò)分別指定位置來(lái)制成。
(第7實(shí)施例)現(xiàn)在用

本發(fā)明中的第7實(shí)施例。
在小的區(qū)域看接觸陣列時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列同樣地按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔敷設(shè)了接觸，這成為抗膜剝落的結(jié)構(gòu)，但如果與現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列同樣地按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔大量地敷設(shè)，則形成接觸的層及絕緣膜的剝落便容易發(fā)生。
在本發(fā)明中，在采用現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列一次進(jìn)行全部的布線后，對(duì)于超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列，將敷設(shè)接觸的區(qū)域分割成3個(gè)以上，求得由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目，按照指定區(qū)域間隔，而且與現(xiàn)有技術(shù)一樣，按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔來(lái)敷設(shè)接觸，使之不超過(guò)該接觸數(shù)目。
對(duì)上述指定區(qū)域間隔，從接觸陣列上所敷設(shè)的接觸總數(shù)和敷設(shè)接觸的區(qū)域數(shù)目或區(qū)域的面積研究并決定了按照何種程度的區(qū)域間隔進(jìn)行敷設(shè)即可很好地達(dá)到平衡。由于如果只進(jìn)入最上段的區(qū)域而不進(jìn)入中段、最下段，則平衡很差，故所謂平衡良好是指，統(tǒng)觀接觸陣列全體，以良好的平衡進(jìn)行敷設(shè)。理想情況是，希望配置成圖8B的交錯(cuò)狀。
圖8A示出了將敷設(shè)接觸陣列的區(qū)域分割成3個(gè)以上的結(jié)果。在圖8A中，符號(hào)801表示縱向的布線，符號(hào)802表示與布線801不同的層的橫向的布線，符號(hào)803表示多個(gè)接觸陣列分割區(qū)域?？芍褜⒎笤O(shè)接觸陣列的區(qū)域分割成3個(gè)以上。
圖8B示出了按照指定區(qū)域間隔敷設(shè)了現(xiàn)有技術(shù)的接觸的結(jié)果。在圖8B中，符號(hào)801表示縱向的布線，符號(hào)802表示橫向的布線，符號(hào)803表示多個(gè)接觸陣列分割區(qū)域，符號(hào)804表示現(xiàn)有技術(shù)的接觸?？芍诙鄠€(gè)接觸陣列分割區(qū)域803中，按照指定區(qū)域間隔，而且與現(xiàn)有技術(shù)一樣，按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔來(lái)敷設(shè)接觸。
在第6實(shí)施例中說(shuō)明過(guò)的方法中，由于采用與現(xiàn)有技術(shù)同樣的方法僅對(duì)接觸陣列的一部分區(qū)域進(jìn)行敷設(shè)，所以形成難以發(fā)生膜剝落的結(jié)構(gòu)，但在本發(fā)明中，在對(duì)所敷設(shè)的接觸全部隔開(kāi)了指定區(qū)域間隔的接觸陣列的多個(gè)接觸陣列分割區(qū)域803中，與現(xiàn)有技術(shù)一樣，通過(guò)按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔進(jìn)行敷設(shè)，可取得抗膜剝落的結(jié)構(gòu)。因此，可更牢靠地防止膜剝落。
再有，在將接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下時(shí)，考慮到電遷移、IR-DROP的結(jié)果是，在可進(jìn)一步削減接觸的個(gè)數(shù)時(shí)，進(jìn)行削減，或者在留有若干裕量的基礎(chǔ)上進(jìn)行削減。
采用以上的方法可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
如果采用如此構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路的膜剝落防止方法，則在隔開(kāi)了指定區(qū)域間隔的接觸陣列的多個(gè)接觸陣列分割區(qū)域803中，與現(xiàn)有技術(shù)一樣，通過(guò)按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔進(jìn)行敷設(shè)，可更牢靠地防止膜剝落。
另外，可將接觸陣列內(nèi)的接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下。因此，可防止形成接觸804的層及絕緣膜的剝落，防止LSI遭到破壞。
再有，在上述實(shí)施例中，說(shuō)明了在接觸陣列分割區(qū)域803中按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔來(lái)敷設(shè)接觸，但也可按照比其大的高度、寬度、間隔來(lái)敷設(shè)接觸。這時(shí)，也可得到抗膜剝落的結(jié)構(gòu)。
另外，接觸陣列可在計(jì)算各接觸(孔)的坐標(biāo)的基礎(chǔ)上通過(guò)分別指定位置來(lái)制成。
(第8實(shí)施例)現(xiàn)在用

本發(fā)明中的第8實(shí)施例。
在一次調(diào)換第1層的布線層至第5層的布線層時(shí)，通過(guò)采用現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列在縱向堆積第1層至第2層、第2層至第3層、第3層至第4層、第4層至第5層這4個(gè)接觸陣列，進(jìn)行第1層的布線層與第5層的布線層之間的連接。因此，本接觸陣列成為縱剖半導(dǎo)體晶片的一大障礙。往往因布線資源不足而發(fā)生未連線的布線。
圖9是示出通過(guò)在縱向堆積現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列將第1層的布線層與第5層的布線層連接起來(lái)的剖面圖。在圖9中，符號(hào)901表示第1層布線，符號(hào)903表示第2層布線，符號(hào)905表示第3層布線，符號(hào)907表示第4層布線，符號(hào)909表示第5層布線。符號(hào)902表示將第1層布線901與第2層布線903連接起來(lái)的接觸陣列。符號(hào)904表示將第2層布線903與第3層布線905連接起來(lái)的接觸陣列。符號(hào)906表示將第3層布線905與第4層布線907連接起來(lái)的接觸陣列。符號(hào)908表示將第4層布線907與第5層布線909連接起來(lái)的接觸陣列?？芍柚谠诳v向堆積4個(gè)接觸陣列，可進(jìn)行第1層布線901與第5層布線909的連接。
在本發(fā)明中，相對(duì)于采用現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列一次進(jìn)行全部的布線結(jié)果，采用與在第1至第3實(shí)施例中所述的某一方法相同的方法重新生成接觸陣列。接著，只限于對(duì)不直接與布線連接的中間層的接觸陣列904、906，按照由工藝決定的間隔以上的間隔重新敷設(shè)接觸陣列內(nèi)的接觸，而且為了重新敷設(shè)接觸而使中間層的布線所需的尺寸也縮小時(shí)，進(jìn)行是否超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的確認(rèn)。
在不超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目時(shí)，按照由工藝決定的間隔以上的間隔敷設(shè)接觸，而且為了重新敷設(shè)接觸而使中間層的布線所需的尺寸縮小。
圖10A是示出中間層的接觸陣列的立體圖。在圖10A中，符號(hào)1002表示第3層布線，符號(hào)1001表示將第2層布線(未圖示)與第3層布線1002連接起來(lái)的接觸陣列，符號(hào)1003表示將第3層布線1002與第4層布線(未圖示)連接起來(lái)的接觸陣列。可知在圖10A中，在接觸陣列1001、1003中，采用與在第1至第3實(shí)施例中所述的某一方法相同的方法重新生成接觸陣列(在圖10A中，示出了在第3實(shí)施例中所示的例子)。
圖10B是示出重新敷設(shè)后的接觸陣列的立體圖。在圖10B中，符號(hào)1005表示第3層布線，符號(hào)1004表示將第2層布線與第3層布線1005連接起來(lái)的接觸陣列，符號(hào)1006表示將第3層布線1005與第4層布線連接起來(lái)的接觸陣列。可知在圖10B中，在接觸陣列1004、1006中，按照由工藝決定的間隔以上的間隔重新敷設(shè)接觸，而且為了重新敷設(shè)接觸而使中間層的布線所需的尺寸縮小。
圖11是示出縮小了中間層的接觸陣列的結(jié)果的剖面圖。在圖11中，符號(hào)901表示第1層布線，符號(hào)903表示第2層布線，符號(hào)1005表示第3層布線，符號(hào)907表示第4層布線，符號(hào)909表示第5層布線。符號(hào)902表示將第1層布線901與第2層布線903連接起來(lái)的接觸陣列。符號(hào)1004表示將第2層布線903與第3層布線1005連接起來(lái)的接觸陣列。符號(hào)1006表示將第3層布線1005與第4層布線907連接起來(lái)的接觸陣列。符號(hào)908表示將第4層布線907與第5層布線909連接起來(lái)的接觸陣列。
可知為了通過(guò)按照由工藝決定的間隔以上的間隔重新敷設(shè)接觸而使接觸陣列1004、第3層布線1005和接觸陣列1006縮小，可將接觸陣列1004、第3層布線1005和接觸陣列1006的橫向部分用作與其它布線為同一布線層的布線區(qū)域。
采用與第1至第3實(shí)施例中說(shuō)明過(guò)的方法，中間層的接觸陣列也與直接與布線連接的接觸陣列有相同的大小，但在本發(fā)明中，由于只要可縮小中間層的接觸陣即縮小之，并可將中間層的接觸陣列的橫向部分用作與其它布線為同一布線層的布線區(qū)域，故可防止因布線資源不足而引起的未連線。
再有，在重新敷設(shè)不直接與布線連接的中間層的接觸陣列，而且也使中間層的布線縮小時(shí)，在超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的情況下，如圖12所示，可分割配置成不超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的多個(gè)接觸陣列。
圖12是示出分割配置成多個(gè)接觸陣列的結(jié)果的剖面圖。在圖12中，符號(hào)901表示第1層布線，符號(hào)903表示第2層布線，符號(hào)1202表示第3層布線，符號(hào)907表示第4層布線，符號(hào)909表示第5層布線。符號(hào)902表示將第1層布線901與第2層布線903連接起來(lái)的接觸陣列。符號(hào)1201表示將第2層布線903與第3層布線1202連接起來(lái)的接觸陣列。符號(hào)1203表示將第3層布線1202與第4層布線907連接起來(lái)的接觸陣列。符號(hào)908表示將第4層布線907與第5層布線909連接起來(lái)的接觸陣列。
可知為了將接觸陣列1201、第3層布線1202和接觸陣列1203分割配置成多個(gè)，可將接觸陣列1201、第3層布線1202與接觸陣列1203之間用作與其它布線為同一布線層的布線區(qū)域。
對(duì)于布線結(jié)果，在采用與在第1至第3實(shí)施例中所述的某一方法相同的方法重新生成接觸陣列時(shí)，只限于對(duì)不直接與布線連接的中間層的接觸陣列，按照由工藝決定的間隔以上的間隔重新敷設(shè)接觸陣列內(nèi)的接觸，而且為了重新敷設(shè)接觸而使中間層的布線所需的尺寸也縮小時(shí)，假想地進(jìn)行是否超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的確認(rèn)，在不超過(guò)時(shí)，按照由工藝決定的間隔敷設(shè)接觸，而且為了重新敷設(shè)接觸而使中間層的布線所需的尺寸縮小。
采用以上的方法可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
如果采用如此構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路及其制造方法，則由于只要可縮小中間層的接觸陣列即縮小之，并可將中間層的接觸陣列的側(cè)面的同一布線層用作其它布線的布線區(qū)域，故可防止因布線資源不足而引起的未連線。
另外，借助于按照比由工藝決定的間隔寬的間隔來(lái)敷設(shè)接觸，可將接觸陣列內(nèi)的接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下。因此，可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落，防止LSI遭到破壞。
(第9實(shí)施例)現(xiàn)在用

本發(fā)明中的第9實(shí)施例。
與第1實(shí)施例所述的方法同樣地采用由工藝決定的設(shè)計(jì)規(guī)則生成各種布線。再有，采用由工藝決定的設(shè)計(jì)規(guī)則，按照由工藝決定的接觸的高度、寬度、間隔，憑借呈矩陣狀整齊地開(kāi)孔來(lái)敷設(shè)接觸。
這時(shí)，在生成超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列時(shí)，為了避免這種情形，采用圖14A所示的交錯(cuò)接觸陣列進(jìn)行布線。
圖14A示出交錯(cuò)接觸陣列。在圖14A中，符號(hào)101表示縱向的布線，符號(hào)102表示與布線101不同的層的橫向的布線，符號(hào)310表示交錯(cuò)接觸陣列。符號(hào)311表示排列配置成交錯(cuò)網(wǎng)格狀的接觸，在奇數(shù)行和偶數(shù)行以錯(cuò)位半個(gè)間距的方式配置，或者在奇數(shù)列和偶數(shù)列以錯(cuò)位半個(gè)間距的方式配置。
圖14B僅圖示出交錯(cuò)接觸陣列310。在該圖中，符號(hào)312表示奇數(shù)行的接觸組。符號(hào)313表示偶數(shù)行的接觸組。如上所述，該交錯(cuò)接觸陣列310由奇數(shù)行的接觸組312和相對(duì)于奇數(shù)行的接觸組312配置在行方向大致移動(dòng)半個(gè)間距的位置的偶數(shù)行的接觸組313構(gòu)成。而且，奇數(shù)行的接觸組312的接觸間隔和偶數(shù)行的接觸組313的接觸間隔，以及奇數(shù)行的接觸組312彼此之間的行間隔和偶數(shù)行的接觸組313彼此之間的行間隔之中的至少某一方的間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
另外，奇數(shù)行的接觸組312和偶數(shù)行的接觸組313各自的接觸間隔被設(shè)定為相同的值。另外，奇數(shù)行的接觸組312彼此之間的行間隔和偶數(shù)行的接觸組313彼此之間的行間隔也被設(shè)定為相同的值。另外，奇數(shù)行的接觸組312和偶數(shù)行的接觸組313的行間隔被設(shè)定為均勻。
該交錯(cuò)接觸陣列310通過(guò)在縱向和橫向以不同的間隔配置接觸311，而且在奇數(shù)行和偶數(shù)行計(jì)算并指定不同的偏移位置，在一個(gè)接觸陣列上將接觸311排列成交錯(cuò)網(wǎng)格狀。
作為另一方法，交錯(cuò)接觸陣列310可在計(jì)算各接觸(孔)的坐標(biāo)的基礎(chǔ)上通過(guò)分別指定位置來(lái)制成。
這時(shí)，不言而喻，構(gòu)成奇數(shù)行的接觸組312的各接觸與構(gòu)成偶數(shù)行的接觸組313的各接觸之間的間隔往往被設(shè)定為不比制造工藝所需要的間隔窄。
采用在第2實(shí)施例中說(shuō)明過(guò)的方法可有效地防止來(lái)自橫向和縱向的形成接觸的層及絕緣膜的剝落的發(fā)生。
但是，在相同的面積上以相同大小、相同個(gè)數(shù)敷設(shè)接觸時(shí)，用本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)敷設(shè)的一方可在縱向和橫向皆以較大的間隔敷設(shè)接觸311，可提高防止形成接觸311的層及絕緣膜的剝落發(fā)生的效果。
再有，相對(duì)于采用現(xiàn)有技術(shù)的接觸陣列一次進(jìn)行全部的布線的布線結(jié)果，僅將超過(guò)由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目的接觸陣列置換成交錯(cuò)接觸陣列310即可。
如果可削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸面積以下，即使采用變更了由工藝決定的接觸的高度、寬度的接觸，也可得到同樣的效果。如具體地進(jìn)行說(shuō)明，則在使接觸的個(gè)數(shù)減少時(shí)，增大接觸的高度、寬度即可。
如果采用如此構(gòu)成的半導(dǎo)體集成電路的膜剝落防止方法，則在相同的面積上以相同大小、相同個(gè)數(shù)敷設(shè)接觸時(shí)，可在縱向和橫向皆以比第2實(shí)施例大的間隔敷設(shè)。
另外，可將接觸陣列內(nèi)的接觸數(shù)目削減至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的接觸數(shù)目以下。因此，還可防止形成接觸的層及絕緣膜的剝落，防止LSI遭到破壞。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路，它具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，其特征在于上述接觸陣列中的縱向和橫向的某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
2.一種半導(dǎo)體集成電路，它具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，其特征在于上述接觸陣列中的縱向和橫向雙方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
3.一種半導(dǎo)體集成電路，它具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，其特征在于上述接觸陣列具有將第1和第2接觸陣列單元重合而合成的結(jié)構(gòu)，上述第1和第2接觸陣列單元具有在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的結(jié)構(gòu)，使上述第1和第2接觸陣列單元各自在縱向和橫向的至少某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，而且使上述第1和第2接觸陣列的重合的位置錯(cuò)開(kāi)，以便上述第1接觸陣列的接觸形成位置在縱向和橫向皆位于上述第2接觸陣列的接觸形成位置的中間。
4.一種半導(dǎo)體集成電路，它具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，其特征在于允許由制造工藝決定的單位面積區(qū)域的重疊，對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描，加寬接觸敷設(shè)間隔，以便求得上述單位面積的區(qū)域內(nèi)存在的在縱橫方向排列敷設(shè)的接觸的個(gè)數(shù)或面積，使單位面積的區(qū)域內(nèi)部包含的接觸的個(gè)數(shù)或面積在規(guī)定值以下。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同。
7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同。
8.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同。
9.一種半導(dǎo)體集成電路，它具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，其特征在于將上述接觸陣列分割成2個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域，在至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域中，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)上述接觸，在剩下的接觸陣列區(qū)域中，按照比上述至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域的接觸敷設(shè)間隔寬的接觸敷設(shè)間隔來(lái)敷設(shè)上述接觸。
10.一種半導(dǎo)體集成電路，它具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，其特征在于將上述接觸陣列分割成3個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域，在空出指定區(qū)域間隔而配置的至少2個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域的每一區(qū)域中，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)上述接觸，以便求得單位面積的區(qū)域內(nèi)存在的上述接觸的個(gè)數(shù)或面積，使單位面積的區(qū)域內(nèi)部包含的接觸的個(gè)數(shù)或面積在規(guī)定值以下。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于接觸陣列在縱向被堆積至3層以上，中間層的接觸陣列加寬了接觸敷設(shè)間隔的結(jié)果是，通過(guò)將留在中間層的接觸陣列中的接觸按照由工藝決定的接觸間隔以上的間隔重新排列，可使上述中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄。
12.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于接觸陣列在縱向被堆積至3層以上，中間層的接觸陣列加寬了接觸敷設(shè)間隔的結(jié)果是，通過(guò)將留在中間層的接觸陣列中的接觸按照由工藝決定的接觸間隔以上的間隔重新排列，可使上述中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄。
13.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于接觸陣列在縱向被堆積至3層以上，中間層的接觸陣列加寬了接觸敷設(shè)間隔的結(jié)果是，通過(guò)將留在中間層的接觸陣列中的接觸按照由工藝決定的接觸間隔以上的間隔重新排列，可使上述中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄。
14.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于接觸陣列在縱向被堆積至3層以上，中間層的接觸陣列加寬了接觸敷設(shè)間隔的結(jié)果是，通過(guò)將留在中間層的接觸陣列中的接觸按照由工藝決定的接觸間隔以上的間隔重新排列，可使上述中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄。
15.一種半導(dǎo)體集成電路的制造方法，用來(lái)制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于使上述接觸陣列中的縱向和橫向的某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
16.一種半導(dǎo)體集成電路的制造方法，用來(lái)制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于使上述接觸陣列中的縱向和橫向兩方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
17.一種半導(dǎo)體集成電路的制造方法，用來(lái)制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于在將在縱向和橫向排列敷設(shè)了多個(gè)接觸的第1和第2接觸陣列單元重合，合成上述接觸陣列時(shí)，使上述第1和第2接觸陣列單元各自在縱向和橫向的至少某一方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬，而且使上述第1和第2接觸陣列的重合的位置錯(cuò)開(kāi)，以便上述第1接觸陣列的接觸形成位置在縱向和橫向皆位于上述第2接觸陣列的接觸形成位置的中間。
18.一種半導(dǎo)體集成電路的制造方法，用來(lái)制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于允許由制造工藝決定的單位面積區(qū)域的重疊，對(duì)整個(gè)芯片進(jìn)行掃描，加寬接觸敷設(shè)間隔，以便求得上述單位面積的區(qū)域內(nèi)存在的在縱橫方向排列敷設(shè)的上述接觸的個(gè)數(shù)或面積，使單位面積的區(qū)域內(nèi)部包含的接觸的個(gè)數(shù)或面積在規(guī)定值以下。
19.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體集成電路的制造方法，其特征在于使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同。
20.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體集成電路的制造方法，其特征在于使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同。
21.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體集成電路的制造方法，其特征在于使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同。
22.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體集成電路的制造方法，其特征在于使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同。
23.一種半導(dǎo)體集成電路的制造方法，用來(lái)制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于將上述接觸陣列分割成2個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域，在至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域中，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)上述接觸，在剩下的接觸陣列區(qū)域中，按照比至少1個(gè)接觸陣列區(qū)域的接觸敷設(shè)間隔寬的接觸敷設(shè)間隔來(lái)敷設(shè)上述接觸。
24.一種半導(dǎo)體集成電路的制造方法，用來(lái)制造具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于將上述接觸陣列分割成3個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域，在空出指定區(qū)域間隔而配置的至少2個(gè)以上的接觸陣列區(qū)域的每一區(qū)域中，按照由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔以上的間隔來(lái)敷設(shè)上述接觸，以便求得單位面積的區(qū)域內(nèi)存在的上述接觸的個(gè)數(shù)或面積，使單位面積的區(qū)域內(nèi)部包含的接觸的個(gè)數(shù)或面積在規(guī)定值以下。
25.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體集成電路的制造方法，其特征在于接觸陣列在縱向被堆積至3層以上，中間層的接觸陣列加寬了接觸敷設(shè)間隔的結(jié)果是，通過(guò)將留在中間層的接觸陣列中的接觸按照由工藝決定的接觸間隔以上的間隔重新排列，可使上述中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄。
26.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體集成電路的制造方法，其特征在于接觸陣列在縱向被堆積至3層以上，中間層的接觸陣列加寬了接觸敷設(shè)間隔的結(jié)果是，通過(guò)將留在中間層的接觸陣列中的接觸按照由工藝決定的接觸間隔以上的間隔重新排列，可使上述中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄。
27.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體集成電路的制造方法，其特征在于接觸陣列在縱向被堆積至3層以上，中間層的接觸陣列加寬了接觸敷設(shè)間隔的結(jié)果是，通過(guò)將留在中間層的接觸陣列中的接觸按照由工藝決定的接觸間隔以上的間隔重新排列，可使上述中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄。
28.如權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體集成電路的制造方法，其特征在于接觸陣列在縱向被堆積至3層以上，中間層的接觸陣列加寬了接觸敷設(shè)間隔的結(jié)果是，通過(guò)將留在中間層的接觸陣列中的接觸按照由工藝決定的接觸間隔以上的間隔重新排列，可使上述中間層的接觸陣列的區(qū)域比最上層和最下層的接觸陣列的區(qū)域窄。
29.一種半導(dǎo)體集成電路，它具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列，其特征在于上述接觸陣列由奇數(shù)行的接觸組和相對(duì)于上述奇數(shù)行的接觸組配置在行方向大致移動(dòng)半個(gè)間距的位置的偶數(shù)行的接觸組構(gòu)成，上述奇數(shù)行的接觸組的接觸間隔和上述偶數(shù)行的接觸組的接觸間隔，以及上述奇數(shù)行的接觸組彼此之間的行間隔和上述偶數(shù)行的接觸組彼此之間的行間隔之中的至少某一方的間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。
30.如權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體集成電路，其特征在于使加寬接觸敷設(shè)間隔時(shí)的接觸的削減率隨接觸陣列的大小而不同。
全文摘要
本發(fā)明的課題是，實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。為此，具備在縱向和橫向排列敷設(shè)多個(gè)接觸的接觸陣列。該接觸陣列中的縱向和橫向雙方的接觸敷設(shè)間隔比由制造工藝決定的接觸敷設(shè)間隔寬。由此，可將在接觸陣列中所形成的接觸的個(gè)數(shù)減少至由工藝決定的每單位面積上可敷設(shè)的個(gè)數(shù)或比其少的個(gè)數(shù)，從而可實(shí)現(xiàn)防止形成接觸的層及絕緣膜剝落，防止LSI遭到破壞。
文檔編號(hào)H01L23/52GK1497723SQ20031010241
公開(kāi)日2004年5月19日 申請(qǐng)日期2003年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月18日
發(fā)明者藤野健哉, 木村文浩, 浩 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社