專利名稱：半導體、二極管的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種半導體、二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
一般的半導體及二極管的封裝方式，如圖1所示，為習知二極管立體示意圖，于二極管4(半導體)以塑膠11(黑膠)作為封裝，并由所封裝的塑膠11兩端延伸接腳12、13，此種傳統(tǒng)的封裝結(jié)構(gòu)于流程上不但工程龐大、成本高，且外觀的可塑性基于封裝的穩(wěn)定性，皆需加大其尺寸方可完成，因此，造成使用者于設(shè)計路線上的不方便，殊不理想，此種種缺點，長久以來，一直為業(yè)者及消費者所垢病及困擾著，因此，是否能提供一種確具功效增進，并提升該產(chǎn)品使用價值的半導體、二極管的封裝結(jié)構(gòu)，實有其必要。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種適用未來電路板及多層小型化的需求且流程簡單、成本低、散熱性佳的半導體、二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
本實用新型包含上、下層高密度雙層基板、晶片及玻纖布，于基板蝕刻PN接點電路，并于基板內(nèi)層印刷銀膠，于上、下層基板間夾置晶片由玻纖布鉆孔定位晶片，組合后的板材經(jīng)高溫、高壓的壓合，并于鉆孔電鍍使孔壁上下導通，經(jīng)焊點鍍錫，構(gòu)成半導體、二極管的封裝。
上述的封裝結(jié)構(gòu)，是于焊點鍍錫后，其余部位再作表面的處理，以達到絕緣、防水的目的。


圖1為習知二極管的立體示意圖。
圖2為本實用新型的立體分解圖。
圖3為本實用新型的立體圖。
圖4為本實用新型的側(cè)視圖。
具體實施方式
請參閱圖2、圖3所示，本實用新型設(shè)有上、下層的高密度雙層基板21、22，于內(nèi)、外層蝕刻所需的PN接點線路211、221，兩基板21、22的內(nèi)層則以銀膠印刷，于上、下層基板21、22間夾置晶片23由玻纖布25鉆孔251定位晶片23，經(jīng)由高溫、高壓的壓合機(一次可多層加工)定時加溫加工后，于基板21、22側(cè)緣所設(shè)的孔壁212、222作電鍍使上下相互導通，并經(jīng)由焊點鍍錫，以及表面處理，達到絕緣防水的目的。
上述的封裝流程大致如下1、于雙層基板照相，再蝕刻線路并鉆孔定位。
2、于玻纖布鉆孔。
3、于基板印刷銀膠。
4、將晶片定位于內(nèi)層線路。
5、由玻纖布鉆孔定位晶片。
6、經(jīng)高溫高壓定時加溫。
7、鉆孔電鍍孔壁導通。
8、切割。
9、上保護漆。
經(jīng)由該封裝流程所制作的小型化半導體、二極管，如圖4所示，其封裝體積可減至最小，以符合多層電路板小型化之所需，且其流程簡單，成本低廉，散熱性佳，并可外加鋁箔散熱，為一實用的設(shè)計。
權(quán)利要求1.一種半導體、二極管的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括有上、下層的高密度雙層基板，于基板內(nèi)、外層蝕刻所需的PN接點線路，兩基板的內(nèi)層則以銀膠印刷，于上、下層基板間夾置晶片，由玻纖布鉆孔定位晶片，于基板側(cè)邊的孔壁電鍍使上下導通。
2.按照權(quán)利要求1所述的一種半導體、二極管的封裝結(jié)構(gòu)， 其特征在于封裝結(jié)構(gòu)的板材表面涂有保護漆。
專利摘要本實用新型公開了一種半導體、二極管的封裝結(jié)構(gòu)，主要設(shè)有上、下層的高密度雙層基板21、22，于基板蝕刻PN接點線路211、221，并于基板內(nèi)層印刷銀膠，于上、下層基板21、22間夾置晶片23由玻纖布25鉆孔251定位晶片23，組合好的板材經(jīng)高溫、高壓的壓合，再于鉆孔電鍍使孔壁上下導通，經(jīng)焊點鍍錫以及表面處理，以構(gòu)成半導體、二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
文檔編號H01L23/12GK2617032SQ0320425
公開日2004年5月19日 申請日期2003年2月18日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月18日
發(fā)明者王惠群 申請人:王惠群