專利名稱：具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件的制造方法，特別地涉及一種具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光元件的應(yīng)用很廣泛，例如，可應(yīng)用于光學(xué)顯示裝置、激光二極管、交通信號(hào)燈、信息儲(chǔ)存裝置、通訊裝置、照明裝置以及醫(yī)療裝置。在本領(lǐng)域中，目前技術(shù)人員的重要課題之一是如何提高發(fā)光效率。
在臺(tái)灣專利公告第477079號(hào)中公開了一種具有金屬襯底的半導(dǎo)體元件，其步驟包括提供一半導(dǎo)體襯底；形成一外延生長(zhǎng)層于該半導(dǎo)體襯底上，該外延生長(zhǎng)層由多個(gè)半導(dǎo)體層所組成；形成一金屬歐姆電極層于該外延生長(zhǎng)層上；形成該金屬襯底于該金屬歐姆電極層上；移除該半導(dǎo)體襯底；以及形成一歐姆電極引線焊盤于該外延生長(zhǎng)層下。
在臺(tái)灣專利公告第540171號(hào)中公開了一種高功率發(fā)光二極管的制造方法，包括形成至少一歐姆接觸電極于該發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)層遠(yuǎn)離襯底一面的步驟；于該歐姆接觸電極上，鍍上一金屬光反射層的步驟；于該金屬光反射層上，鍍上一金屬襯底層的步驟；移除原位于該外延生長(zhǎng)層襯底的步驟；于該外延生長(zhǎng)層所曝露的該外延生長(zhǎng)層上，制作至少一歐姆接觸電極的步驟；及將該發(fā)光二極管外延生長(zhǎng)層切割成芯片的步驟。
于上述的制造方法中，制造至少一歐姆電極或歐姆接觸電極的步驟是位于形成金屬襯底步驟之后，在形成歐姆電極或歐姆接觸電極的步驟中，往往需要經(jīng)過高溫工藝，例如高于250℃的溫度使得歐姆電極與發(fā)光二極管之間形成歐姆接觸；由于金屬襯底與發(fā)光二極管之間的熱膨脹系數(shù)差異非常大，在此高溫工藝中，因?yàn)闊崤蛎浵禂?shù)差異的影響，使得發(fā)光二極管破裂，或者產(chǎn)生暗裂，造成漏電流。
為了解決上述熱膨脹系數(shù)差異產(chǎn)生的發(fā)光二極管破裂，或者產(chǎn)生暗裂，進(jìn)而造成漏電流的問題，本發(fā)明人認(rèn)為若改變工藝，于形成歐姆電極之后，再形成金屬襯底，如此金屬襯底與發(fā)光二極管之間不需經(jīng)過高溫工藝，便可解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，該熱吸收層是由金屬材料形成，使得該熱吸收層與發(fā)光疊層之間不需經(jīng)過高溫工藝，解決了熱膨脹系數(shù)差異對(duì)發(fā)光元件產(chǎn)生的影響，以提高產(chǎn)品的成品率。
本發(fā)明提供一種具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其包括形成一發(fā)光疊層，其步驟包括于一第一襯底上外延生長(zhǎng)形成一外延生長(zhǎng)疊層；于該發(fā)光疊層上形成一歐姆電極；以一接合材料粘結(jié)該歐姆電極及一暫時(shí)襯底；移除該第一襯底；于該外延生長(zhǎng)疊層與第一襯底移除后的接觸面上形成一歐姆接觸層；于該歐姆接觸層上形成一反射層；于該反射層上形成一熱吸收層；以及移除該暫時(shí)襯底。
本發(fā)明提供一種具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其包括形成一發(fā)光疊層，其步驟包括于一第一襯底上外延生長(zhǎng)形成一外延生長(zhǎng)疊層；于該發(fā)光疊層上形成一透明導(dǎo)電歐姆電極；以一接合材料粘結(jié)該歐姆電極及一暫時(shí)襯底；移除該第一襯底；于該外延生長(zhǎng)疊層與第一襯底移除后的接觸面上形成一歐姆接觸層；于該歐姆接觸層上形成一反射層；于該反射層上形成一熱吸收層；以及移除該暫時(shí)襯底。
本發(fā)明提供一種具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其包括形成一發(fā)光疊層，其步驟包括于一第一襯底上外延生長(zhǎng)形成一外延生長(zhǎng)疊層；于該發(fā)光疊層上形成一金屬歐姆電極；以一接合材料粘結(jié)該歐姆電極及一暫時(shí)襯底；移除該第一襯底；于該外延生長(zhǎng)疊層與第一襯底移除后的接觸面上形成一歐姆接觸層；于該歐姆接觸層上形成一反射層；于該反射層上形成一熱吸收層；以及移除該暫時(shí)襯底。
所述熱吸收層形成的方法包括選自于電鍍、電鑄、無(wú)電解電鍍及電弧蒸鍍之中的至少一種方法或其它可替代的方法；所述第一襯底，包括選自于藍(lán)寶石、GaP、GaAs、SiC、Si及Ge所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述暫時(shí)襯底，包括選自于藍(lán)寶石、玻璃、Si及GaAs所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料；所述的歐姆接觸層包括選自于氧化銦錫、GeAu、BeAu、Au、Ni、Ti、Al及Pt所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述的反射層包括選自于氧化銦錫、Ag、Al及Au所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述的熱吸收層包括選自于Cu、Al、Au、Ag、W及其合金所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料；所述的接合材料包括選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)或過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。


圖1為一示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的一種具有熱吸收層的發(fā)光元件；圖2為一示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的制造方法制造圖1所示的發(fā)光元件的步驟中的第一疊層；圖3為一示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的制造方法制造圖1所示的發(fā)光元件的步驟中的第二疊層；圖4為一示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的制造方法制造圖1所示的發(fā)光元件的步驟中的第三疊層；圖5為一示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的一種具有熱吸收層的發(fā)光元件。
圖6為一示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的制造方法制造圖5所示的發(fā)光元件的步驟中的第一疊層。
圖7為一示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的制造方法制造圖5所示的發(fā)光元件的步驟中的第二疊層。
圖8為一示意圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的制造方法制造圖5所示的發(fā)光元件的步驟中的第三疊層。
附圖標(biāo)記說(shuō)明1 發(fā)光元件10 第一襯底111第一接觸層112第一束縛層113發(fā)光層114第二束縛層
115第二接觸層12 透明導(dǎo)電歐姆電極13 接合材料14 暫時(shí)襯底15 歐姆接觸層16 反射層17 熱吸收層18 引線焊盤2 發(fā)光元件20 第一襯底211第一接觸層212第一束縛層213發(fā)光層214第二束縛層215第二接觸層22 金屬歐姆電極23 接合材料24 暫時(shí)襯底25 歐姆接觸層26 反射層27 熱吸收層28 引線焊盤具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1，根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的具有熱吸收層的發(fā)光元件1，其制造方法如圖2所示，包括選擇一第一襯底10；于該第一襯底10上依次形成一第一接觸層111、一第一束縛層112、一發(fā)光層113、一第二束縛層114、一第二接觸層115；于該第二接觸層115上形成一透明導(dǎo)電歐姆電極12；請(qǐng)參閱圖3，選擇一接合材料13；選擇一暫時(shí)襯底14；以該接合材料13粘結(jié)該透明導(dǎo)電歐姆電極12及該暫時(shí)襯底14；移除該第一襯底10；請(qǐng)參閱圖4，于該第一接觸層111與第一襯底10移除后的接觸面上形成一歐姆接觸層15；于該歐姆接觸層15上形成一反射層16；于該反射層16上形成一熱吸收層17；最后移除該暫時(shí)襯底14及接合材料13，以及于該透明導(dǎo)電歐姆電極上低溫形成一引線焊盤18，由此形成發(fā)光元件1。
請(qǐng)參閱圖5，根據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的具有熱吸收層的發(fā)光元件2，其制造方法如圖6所示，包括選擇一第一襯底20；于該第一襯底20上依次形成一第一接觸層211、一第一束縛層212、一發(fā)光層213、一第二束縛層214、一第二接觸層215；于該第二接觸層215上形成一金屬歐姆電極22，由于金屬歐姆電極22會(huì)遮光，無(wú)法整面形成于第二接觸層215之上，因此金屬歐姆電極22部分形成于第二接觸層215之上；于該金屬歐姆電極上形成一引線焊盤28，請(qǐng)參閱圖7，選擇一接合材料23；選擇一暫時(shí)襯底24；以該接合材料23粘結(jié)該引線焊盤28、該部分第二接觸層215與該暫時(shí)襯底24；移除該第一襯底20；請(qǐng)參閱圖8，于該第一接觸層211與第一襯底20移除后的接觸面上形成一歐姆接觸層25；于該歐姆接觸層25上形成一反射層26；于該反射層26上形成一熱吸收層27；以及最后移除該暫時(shí)襯底24及接合材料23，由此形成發(fā)光元件2。
所述熱吸收層的形成方法包括選自于電鍍、電鑄、無(wú)電解電鍍及電弧蒸鍍之中的至少一種方法或其它可替代的方法；所述第一襯底，包括選自于藍(lán)寶石、GaP、GaAs、SiC、Si及Ge所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述暫時(shí)襯底，包括選自于藍(lán)寶石、玻璃、Si及GaAs所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料；所述的接合材料包括選自于聚酰亞胺(PI)、苯并環(huán)丁烷(BCB)或過氟環(huán)丁烷(PFCB)所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述的引線焊盤包括選自于Al、Al/Ti、Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、TiW、Pt/Ni/Au、Mo/Au及Co/Au所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述的金屬歐姆電極包括選自于GeAu、BeAu、Au、Ni、Ti、Al及Pt所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述的透明導(dǎo)電歐姆電極包括選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、GeAu、BeAu、Au、Ni、Ti、Al及Pt所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述的歐姆接觸層包括選自于氧化銦錫、GeAu、BeAu、Au、Cu、Ti及Pt所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述的反射層包括選自于氧化銦錫、Ag、Al及Au所構(gòu)成材料族群中的至少一種材料；所述的熱吸收層包括選自于Cu、Al、Au、Ag、W及其合金所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料；所述第一束縛層，包括選自于AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述發(fā)光層，包括選自于AlGaInP、GaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述第二束縛層，包括選自于AlGaInP、AlInP、AlN、GaN、AlGaN、InGaN及AlInGaN所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述第二接觸層，包括選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料；所述第二接觸層，包括選自于GaP、GaAs、GaAsP、InGaP、AlGaInP、AlGaAs、GaN、InGaN及AlGaN所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料。
雖然本發(fā)明的發(fā)光元件已以優(yōu)選實(shí)施例披露如上，然而本發(fā)明的保護(hù)范圍并不僅限于上述的優(yōu)選實(shí)施例，而應(yīng)以權(quán)利要求書所界定的為準(zhǔn)。因此任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的權(quán)利要求范圍及精神下，應(yīng)當(dāng)可以做出各種改動(dòng)。
權(quán)利要求
1.一種具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，至少包括下列步驟于一第一襯底上形成一發(fā)光疊層；于該發(fā)光疊層上形成一歐姆電極；以一接合材料將該發(fā)光疊層及一暫時(shí)襯底互相粘結(jié)，使得該歐姆電極介于該發(fā)光疊層及該暫時(shí)襯底之間；移除該第一襯底；于該發(fā)光疊層與第一襯底移除后的接觸面上形成一歐姆接觸層；以及于該歐姆接觸層上形成一熱吸收層。
2.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中于形成一歐姆接觸層之后與形成一熱吸收層之前，還包括形成一反射層。
3.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中還包括移除該接合材料。
4.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中還包括移除該暫時(shí)襯底。
5.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該第一襯底包括選自于藍(lán)寶石、GaP、GaAs、SiC、Si及Ge所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
6.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該熱吸收層的形成方法包括選自于電鍍、電鑄、無(wú)電解電鍍及電弧蒸鍍之中的至少一種方法或其它可替代的方法。
7.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該暫時(shí)襯底包括選自于藍(lán)寶石、玻璃、Si及GaAs所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
8.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該接合材料包括選自于聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烷或過氟環(huán)丁烷所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
9.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該歐姆電極包括選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、GeAu、BeAu、Au、Ni、Ti、Al及Pt所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
10.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該歐姆接觸層包括選自于氧化銦錫、GeAu、BeAu、Au、Cu、Ti及Pt所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
11.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該熱吸收層包括選自于Cu、Al、Au、Ag、W及其合金所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
12.如權(quán)利要求2所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該反射層包括選自于氧化銦錫、Ag、Al及Au所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
13.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中于該發(fā)光疊層上形成一歐姆電極步驟之后及以一接合材料將該發(fā)光疊層與一暫時(shí)襯底互相粘結(jié)步驟之前，還包括于該歐姆電極之上形成一引線焊盤。
14.如權(quán)利要求3所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中于移除該接合材料之后，還包括于該歐姆電極之上形成一引線焊盤。
15.如權(quán)利要求13所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該引線焊盤包括選自于Al、Al/Ti、Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、TiW、Pt/Ni/Au、Mo/Au以及Co/Au所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
16.如權(quán)利要求14所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該引線焊盤包括選自于Al、Al/Ti、Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、TiW、Pt/Ni/Au、Mo/Au以及Co/Au所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
17.如權(quán)利要求1所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該發(fā)光疊層的形成方法包括于該第一襯底上依次形成一第一接觸層、一第一束縛層、一發(fā)光層、一第二束縛層、一第二接觸層。
18.一種具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，至少包括下列步驟于一第一襯底上形成一發(fā)光疊層；于該發(fā)光疊層上形成一透明導(dǎo)電歐姆電極；以一接合材料將該發(fā)光疊層及一暫時(shí)襯底互相粘結(jié)，使得該透明導(dǎo)電歐姆電極介于該發(fā)光疊層及該暫時(shí)襯底之間；移除該第一襯底；于該發(fā)光疊層與第一襯底移除后的接觸面上形成一歐姆接觸層；于該歐姆接觸層上形成一反射層；于該反射層上形成一熱吸收層；以及移除該暫時(shí)襯底。
19.一種具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，至少包括下列步驟于一第一襯底上形成一發(fā)光疊層；于該發(fā)光疊層上部分形成一金屬歐姆電極；以一接合材料將該發(fā)光疊層與一暫時(shí)襯底互相粘結(jié)，使得該金屬歐姆電極介于該發(fā)光疊層及該暫時(shí)襯底之間；移除該第一襯底；于該發(fā)光疊層與第一襯底移除后的接觸面上形成一歐姆接觸層；于該歐姆接觸層上形成一反射層；于該反射層上形成一熱吸收層；以及移除該暫時(shí)襯底。
20.如權(quán)利要求18或19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中還包括移除該接合材料。
21.如權(quán)利要求18或19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該第一襯底包括選自于藍(lán)寶石、GaP、GaAs、SiC、Si及Ge所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
22.如權(quán)利要求18或19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該熱吸收層的形成方法包括選自于電鍍、電鑄、無(wú)電解電鍍及電弧蒸鍍之中的至少一種方法或其它可替代的方法。
23.如權(quán)利要求18或19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該暫時(shí)襯底包括選自于藍(lán)寶石、玻璃、Si及GaAs所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
24.如權(quán)利要求18或19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該接合材料包括選自于聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烷或過氟環(huán)丁烷所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
25.如權(quán)利要求18所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該透明導(dǎo)電歐姆電極包括選自于氧化銦錫、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、GeAu、BeAu、Au、Ni、Ti、Al及Pt所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
26.如權(quán)利要求19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該金屬歐姆電極包括選自于GeAu、BeAu、Au、Ni、Ti、Al及Pt所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
27.如權(quán)利要求18或19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該歐姆接觸層包括選自于氧化銦錫、GeAu、BeAu、Au、Cu、Ti及Pt所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
28.如權(quán)利要求18或19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該熱吸收層包括選自于Cu、Al、Au、Ag、W及其合金所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
29.如權(quán)利要求18或19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該反射層包括選自于氧化銦錫、Ag、Al及Au所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
30.如權(quán)利要求18所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中于該發(fā)光疊層上形成一透明導(dǎo)電歐姆電極步驟之后及以一接合材料將該發(fā)光疊層與一暫時(shí)襯底互相粘結(jié)步驟之前，還包括于該透明導(dǎo)電歐姆電極之上形成一引線焊盤。
31.如權(quán)利要求18所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中于移除該暫時(shí)襯底之后，還包括于該歐姆電極之上形成一引線焊盤。
32.如權(quán)利要求19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中于該發(fā)光疊層上形成一金屬歐姆電極步驟之后及以一接合材料將該發(fā)光疊層與一暫時(shí)襯底互相粘結(jié)步驟之前，還包括于該金屬歐姆電極之上形成一引線焊盤。
33.如權(quán)利要求19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中于移除該暫時(shí)襯底之后，還包括于該金屬歐姆電極之上形成一引線焊盤。
34.如權(quán)利要求30所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該引線焊盤包括選自于Al、Al/Ti、Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、TiW、Pt/Ni/Au、Mo/Au以及Co/Au所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
35.如權(quán)利要求31所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該引線焊盤包括選自于Al、Al/Ti、Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、TiW、Pt/Ni/Au、Mo/Au以及Co/Au所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
36.如權(quán)利要求32所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該引線焊盤包括選自于Al、Al/Ti、Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、TiW、Pt/Ni/Au、Mo/Au以及Co/Au所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
37.如權(quán)利要求33所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該引線焊盤包括選自于Al、Al/Ti、Au、Ni/Au、Pt/Au、Pd/Au、Cr/Au、Ta/Ti、TiW、Pt/Ni/Au、Mo/Au以及Co/Au所構(gòu)成的材料族群中的至少一種材料或其它可替代的材料。
38.如權(quán)利要求18或19所述的具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，其中該發(fā)光疊層的形成方法包括于該第一襯底上依次形成一第一接觸層、一第一束縛層、一發(fā)光層、一第二束縛層、一第二接觸層。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有熱吸收層的發(fā)光元件的制造方法，該制造方法包括下列步驟于一第一襯底上外延生長(zhǎng)形成一發(fā)光疊層；于該發(fā)光疊層上形成一歐姆電極；以一接合材料粘結(jié)該歐姆電極及一暫時(shí)襯底；移除該第一襯底；于該發(fā)光疊層與第一襯底移除后的接觸面上形成一歐姆接觸層；于該歐姆接觸層上形成一反射層；于該反射層上形成一熱吸收層；以及移除該暫時(shí)襯底。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1601769SQ03159719
公開日2005年3月30日 申請(qǐng)日期2003年9月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月23日
發(fā)明者謝明勛, 曾子峰 申請(qǐng)人:晶元光電股份有限公司