專利名稱：覆晶封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及一種應(yīng)用彈性凸塊結(jié)構(gòu)所形成的覆晶封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品同步朝向輕、薄、短、小、高速化與高機能化的發(fā)展趨勢，而使得半導(dǎo)體組件封裝技術(shù)對于增加組件可靠度、密度以及減少組件尺寸方面的要求不斷提高，因此傳統(tǒng)引線接合法(wire bonding)逐漸被覆晶封裝技術(shù)(flip-chip)所取代。
覆晶封裝技術(shù)是以芯片與基板的接合面形成接合墊(pad)或是凸塊(bump)以取代現(xiàn)有封裝技術(shù)所使用的導(dǎo)線架(lead frame)。透過直接壓合芯片與基板的接合面之間的凸塊及接合墊來實現(xiàn)電路導(dǎo)通，可降低芯片與基板間的電子訊號傳輸距離，適用于高速電子組件的封裝?，F(xiàn)有的覆晶封裝方法，是在芯片及基板的表面形成凸塊(bump)等接合結(jié)構(gòu)，然后在基板表面涂布接著劑；再將芯片及基板表面的凸塊經(jīng)過對位壓合以完成覆晶封裝結(jié)構(gòu)。在芯片與基板間使用接著劑加以接合時，由于兩者具有嚴(yán)重的熱膨脹系數(shù)差異，當(dāng)溫度產(chǎn)生變化時，熱應(yīng)力的影響容易使芯片及基板的凸塊接點產(chǎn)生變形。因此發(fā)展出彈性導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，如美國第5508228號專利所公開的內(nèi)容，是以高分子材料在電子組件的接點處形成凸塊，再覆以金屬包覆層以形成彈性導(dǎo)電凸塊，借此降低接點的熱膨脹系數(shù)差異，減少熱應(yīng)力的影響。
另外，為了減少接著劑、基板和芯片間的熱膨脹系數(shù)差異以及增加接點的強度，可在膠材中混入適當(dāng)?shù)姆菍?dǎo)電性填充粒子，填充粒子可補償膠材在溫度變化時，因熱膨脹系數(shù)差異所產(chǎn)生的體積變化量，并且增加覆晶封裝結(jié)構(gòu)的接點強度。而在細(xì)間距接合的狀況下，可在膠材中添加細(xì)微的導(dǎo)電粒子，而達(dá)成各向異性(垂直方向)的導(dǎo)電；但是在極細(xì)間距的情況下，導(dǎo)電粒子容易聚集于接點的側(cè)面而產(chǎn)生短路的情形，使其所能應(yīng)用的線寬和間距受限。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，是通過電子組件表面的彈性凸塊結(jié)構(gòu)提供垂直的電性連接，彈性凸塊結(jié)構(gòu)由高分子凸塊與金屬層所組成，通過金屬層的設(shè)計來隔絕接點之間因各向異性導(dǎo)電接著劑的導(dǎo)電粒子聚集、細(xì)線寬與細(xì)間距而產(chǎn)生的短路現(xiàn)象。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，包含有一基板，其表面形成多個接合墊以作為該基板的導(dǎo)電線路；一電子組件，其表面具有多個導(dǎo)電接點；多個彈性凸塊，形成于該電子組件表面的導(dǎo)電接點，以提供電子組件與基板或其它外部電子組件的電性連接，該彈性凸塊是由一高分子凸塊與一金屬層所形成，該高分子凸塊具有一上表面、一下表面及一個或一個以上的側(cè)面，該側(cè)面連接上表面與下表面，該上表面接合于該基板表面的接合墊，該下表面貼合于該導(dǎo)電接點，該金屬層覆蓋于該上表面再通過該側(cè)面延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點形成垂直電性連接，以提供該電子組件與該基板的電性連接，該高分子凸塊的側(cè)面未完全覆蓋該金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通，直接阻隔各向異性導(dǎo)電接著劑的導(dǎo)電粒子，防止接點間因?qū)щ娏Ｗ泳奂a(chǎn)生的短路現(xiàn)象；及一接著劑，該接著劑涂布于該基板與該電子組件的接合區(qū)域以接著該基板與該電子組件。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，該高分子凸塊的形狀為圓柱體、六面體、多角柱與圓錐體其中之一。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，該金屬層所覆蓋的區(qū)域較該高分子凸塊的邊緣內(nèi)縮1微米至5微米。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，該多個彈性凸塊成交錯式的雙排排列，其中鄰接的任意兩個彈性凸塊，其中的一該彈性凸塊是以未覆蓋該金屬層的側(cè)面部分鄰接于另一彈性凸塊。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，該金屬層由一粘合金屬層外部包覆一金屬層所組成。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，該高分子凸塊的下表面具有一下金屬層以貼合該電子組件的導(dǎo)電接點。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，該電子組件還包含一高分子保護層。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，該電子組件還包含一高分子保護層與一接地金屬遮蔽層，該接地金屬遮蔽層覆蓋于電子組件表面的一保護膜，且與該基板的接地接合墊連接，該高分子保護層覆蓋該金屬遮蔽層。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，該金屬層延伸至該電子組件表面外圍以形成接點測試結(jié)構(gòu)。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，該電子組件為一液晶顯示器驅(qū)動芯片。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，該基板選自有機基板、陶瓷基板、玻璃基板、硅基板、砷化鎵基板和表面有氧化層的金屬基板所組成的族群其中之一。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特點在于，該接著劑選自各向異性導(dǎo)電接著劑與非導(dǎo)電性接著劑其中之一。
本發(fā)明還提供一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特點在于，其步驟包含有提供一基板，其表面形成多個接合墊以作為該基板的導(dǎo)電線路；提供一電子組件，其表面形成多個導(dǎo)電接點，并在該導(dǎo)電接點表面形成多個彈性凸塊，該彈性凸塊由一高分子凸塊與一金屬層所形成，該高分子凸塊具有一上表面、一下表面及一個或一個以上的側(cè)面，該側(cè)面連接該上表面與該下表面，該金屬層覆蓋于該上表面再通過該側(cè)面延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點形成垂直電性連接，且該高分子凸塊的該側(cè)面未完全覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通；在該基板表面涂布一接著劑；使該導(dǎo)電凸塊對準(zhǔn)壓合于該基板表面的接合墊，使該彈性凸塊的上表面所覆蓋的該金屬層接合于該基板表面的該接合墊，該下表面貼合于該導(dǎo)電接點，以提供該電子組件與該基板的電性連接；及固化該接著劑以接合該組件與該基板。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特點在于，該高分子凸塊的形狀為圓柱體、六面體、多角柱與圓錐體其中之一。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特點在于，該金屬層所覆蓋的區(qū)域較該高分子凸塊的邊緣內(nèi)縮1微米至5微米。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特點在于，該金屬層由一粘合金屬層外部包覆一金屬層所組成。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特點在于，該高分子凸塊是以光刻技術(shù)形成于該電子組件的導(dǎo)電接點表面，并同時在該電子組件表面形成一高分子保護層。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特點在于，該高分子凸塊與該高分子保護層的高度差異，是通過具有不同穿透率區(qū)域的掩模(mask)曝光一高分子層，再進(jìn)行一次顯影來完成。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特點在于，該高分子凸塊的下表面具有一下金屬層以貼合該電子組件的導(dǎo)電接點。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特點在于，該電子組件還包含一高分子保護層與一接地金屬遮蔽層，該接地金屬遮蔽層覆蓋于該電子組件表面的一保護膜，且與該基板的接地接合墊連接，該高分子保護層覆蓋該金屬遮蔽層。
上述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特點在于，該固化膠材的方法為熱固化、光固化及微波固化的其中之一或是其組合。
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本發(fā)明的限定。


圖1A為本發(fā)明第一實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖1B為本發(fā)明第一實施例的彈性凸塊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖1C為本發(fā)明第二實施例的彈性凸塊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為本發(fā)明第三實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為本發(fā)明第四實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明第一應(yīng)用例的接合結(jié)構(gòu)示意圖；及圖4為本發(fā)明第一應(yīng)用例的制作流程圖。
具體實施例方式
本發(fā)明所公開的覆晶封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，是通過彈性凸塊與其所覆蓋的金屬層設(shè)計，來隔絕接點之間的側(cè)向電性連接，以解決細(xì)線寬與細(xì)間距的覆晶封裝結(jié)構(gòu)所容易產(chǎn)生的短路問題。彈性凸塊結(jié)構(gòu)是由高分子凸塊與金屬層所組成，配合不同的工藝與設(shè)計，高分子凸塊的形狀可為圓形、六面體形或其它立體形狀，其高分子凸塊的側(cè)面未完全覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。
本發(fā)明所包含的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的較佳實施例，是在電子組件表面的多個導(dǎo)電接點形成多個彈性凸塊結(jié)構(gòu)。并以六面體形狀的高分子凸塊為例，說明高分子凸塊的金屬層覆蓋情形。
請參考圖1A，其為本發(fā)明第一實施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其包含一芯片100，其表面具有多個導(dǎo)電接點111，并在導(dǎo)電接點111的周圍覆蓋保護膜120；導(dǎo)電接點111則貼合彈性凸塊結(jié)構(gòu)，并借著彈性凸塊結(jié)構(gòu)產(chǎn)生垂直的電性連接。彈性凸塊結(jié)構(gòu)包含下金屬層112、高分子凸塊110、金屬層，為防止接點氧化以及增加金屬層與高分子絕緣塊110的附著力，其金屬層由粘合金屬層113與金屬層114所組成。導(dǎo)電接點111表面依序貼附下金屬層112、高分子凸塊110、粘合金屬層113與金屬層114，高分子凸塊110成六面體形狀，其具有一上表面、一下表面及四個側(cè)面。高分子凸塊的下表面貼合于下金屬層112，金屬層覆蓋于上表面再通過兩個相對的側(cè)面延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點111以形成垂直電性連接，另外相對的兩個側(cè)面未覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。其中，多個彈性凸塊排列時，其覆蓋的金屬層不相鄰于其鄰接的彈性凸塊。
請參考圖1B，其為本發(fā)明第一實施例的彈性凸塊的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明的特征點在于金屬層的設(shè)計，其彈性凸塊結(jié)構(gòu)包含下金屬層112、高分子凸塊110、粘合金屬層113與金屬層114，如圖1B所示，粘合金屬層113與金屬層114所組成的金屬層以跨接方式覆蓋于高分子凸塊110的兩個側(cè)面，另外兩個相對側(cè)面則未覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。
請參考圖1C，其為本發(fā)明第二實施例的彈性凸塊的結(jié)構(gòu)示意圖。為了有效防止封裝時所使用的各向異性導(dǎo)電接著劑含有的導(dǎo)電粒子造成的短路，除了粘合金屬層113與金屬層114所組成的金屬層以跨接方式覆蓋于高分子凸塊110的兩個側(cè)面之外，金屬層所覆蓋的區(qū)域也可較高分子凸塊的邊緣內(nèi)縮1微米至5微米，其內(nèi)縮尺寸可配合導(dǎo)電粒子的直徑來決定。
此外，配合不同的凸塊排列金屬層覆蓋的側(cè)面可做不同設(shè)計，如第一實施例的金屬層覆蓋的兩個側(cè)面也可為相鄰的兩側(cè)面，或是金屬層由高分子凸塊的上表面覆蓋至高分子凸塊的任意三個側(cè)面，并延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點。粘合金屬層與金屬層所組成的金屬層覆蓋上表面再通過側(cè)面延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點形成垂直電性連接，根據(jù)不同的設(shè)計，高分子凸塊的一至三個側(cè)面覆蓋金屬層，其余側(cè)面則未覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。
另外，配合本發(fā)明的制造方法，可同時在電子組件表面制作高分子保護層、接地金屬遮蔽層與接點合格率的測試機構(gòu)。
請參考圖2A，其為本發(fā)明第三實施例的剖面示意圖，芯片100，其表面具有多個導(dǎo)電接點111，并在導(dǎo)電接點111的周圍覆蓋保護膜120。導(dǎo)電接點表面具有彈性凸塊結(jié)構(gòu)，包含下金屬層112、高分子凸塊110、粘合金屬層113與金屬層114，其中粘合金屬層113與金屬層114延伸至保護膜120，可直接作為接點合格率的測試機構(gòu)，避免進(jìn)行接點合格率測試時，測試探針和凸塊的對位與滑移問題，也可減少探針對于凸塊的影響。粘合金屬層113與金屬層114所延伸而成的接點合格率的測試機構(gòu)可在彈性凸塊結(jié)構(gòu)制造過程中一并完成，并且在制作高分子凸塊110的步驟時，同時在芯片100表面制作高分子保護層140，以保護其它線路與表面電子組件。
請參考圖2B，其為本發(fā)明第四實施例的剖面示意圖，也可在電子組件表面加上接地金屬遮蔽層，以防止電磁干擾等效應(yīng)。如圖2B所示，高分子保護層140覆蓋金屬遮蔽層130，先在導(dǎo)電接點111表面制作上金屬層112時，同時制作金屬遮蔽層130，并與基板上接地的導(dǎo)電接合墊連接，再在制作高分子凸塊110的步驟時，在芯片100表面制作高分子保護層140。其中同時且利用同一道掩模(mask)所制作的具有高度差異的高分子凸塊110與高分子保護層140，可通過具有不同穿透率區(qū)域的掩模(mask)對正型感光高分子層曝光，再進(jìn)行一次顯影來完成。
本發(fā)明應(yīng)用彈性凸塊結(jié)構(gòu)所形成的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，可達(dá)成細(xì)線寬與細(xì)間距的目的。
請參考圖3，其為本發(fā)明第一應(yīng)用例的結(jié)構(gòu)示意圖。其覆晶封裝結(jié)構(gòu)由基板200、包含彈性凸塊結(jié)構(gòu)的芯片100和各向異性導(dǎo)電接著劑220所形成，各向異性導(dǎo)電接著劑220含有導(dǎo)電粒子221，基板200的表面具有多個接合墊210以作為基板200的導(dǎo)電線路；芯片100表面具有多個導(dǎo)電接點111。如上所述的多個彈性凸塊結(jié)構(gòu)形成于芯片100表面的導(dǎo)電接點111并壓合于多個接合墊210形成電性導(dǎo)通。高分子凸塊110的上表面接合于基板200表面的接合墊210，下表面貼合于導(dǎo)電接點111，粘合金屬層113和金屬層114所組成的金屬層覆蓋于上表面再通過一個或一個以上的側(cè)面延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點形成垂直電性連接，以提供芯片100與基板200的電性連接。各向異性導(dǎo)電接著劑220則涂布于基板200與芯片100的接合區(qū)域以進(jìn)行接合，高分子凸塊110的側(cè)面未完全覆蓋金屬層，彈性凸塊結(jié)構(gòu)以未覆蓋金屬層的側(cè)面鄰接于另一凸塊，以隔絕側(cè)向的電性連接。
覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，請參考圖4，其為本發(fā)明第一應(yīng)用例的制作流程圖，首先，步驟410，提供一基板，其表面形成多個接合墊以作為基板的導(dǎo)電線路；其次，步驟420，提供一芯片，其表面的多個導(dǎo)電接點形成多個彈性凸塊，彈性凸塊由高分子凸塊與金屬層所形成，其具有一上表面、一下表面及連接兩者的側(cè)面，金屬層覆蓋于上表面再通過側(cè)面延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點形成垂直電性連接，該高分子凸塊的側(cè)面未完全覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。然后，步驟430，在基板表面涂布各向異性導(dǎo)電接著劑；步驟440，再使導(dǎo)電凸塊對準(zhǔn)壓合于基板表面的接合墊，令彈性凸塊的上表面接合于基板表面的接合墊，下表面貼合于導(dǎo)電接點，以提供電子組件與基板的電性連接。最后，步驟450，固化各向異性導(dǎo)電接著劑以接合組件與基板，即形成覆晶封裝結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所使用的接著劑可選擇各向異性導(dǎo)電接著劑或非導(dǎo)電性接著劑，電子組件可為液晶顯示器驅(qū)動芯片，基板可選自有機基板、陶瓷基板、玻璃基板、硅基板、砷化鎵基板或表面有氧化層的金屬基板。
雖然本發(fā)明的較佳實施例公開如上所述，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉相關(guān)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，器件的結(jié)構(gòu)和制造方法可以經(jīng)過進(jìn)一步的改進(jìn)，但這些相應(yīng)的改變都應(yīng)屬于發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含有一基板，其表面形成多個接合墊以作為該基板的導(dǎo)電線路；一電子組件，其表面具有多個導(dǎo)電接點；多個彈性凸塊，形成于該電子組件表面的導(dǎo)電接點，該彈性凸塊是由一高分子凸塊與一金屬層所形成，該高分子凸塊具有一上表面、一下表面及一個或一個以上的側(cè)面，該側(cè)面連接上表面與下表面，該上表面接合于該基板表面的接合墊，該下表面貼合于該導(dǎo)電接點，該金屬層覆蓋于該上表面再通過該側(cè)面延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點形成垂直電性連接，以提供該電子組件與該基板的電性連接，該高分子凸塊的側(cè)面未完全覆蓋該金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通；及一接著劑，該接著劑涂布于該基板與該電子組件的接合區(qū)域以接著該基板與該電子組件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該高分子凸塊的形狀為圓柱體、六面體、多角柱與圓錐體其中之一。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層所覆蓋的區(qū)域較該高分子凸塊的邊緣內(nèi)縮1微米至5微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該多個彈性凸塊成交錯式的雙排排列，其中鄰接的任意兩個彈性凸塊，其中的一該彈性凸塊是以未覆蓋該金屬層的側(cè)面部分鄰接于另一彈性凸塊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層由一粘合金屬層外部包覆一金屬層所組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該高分子凸塊的下表面具有一下金屬層以貼合該電子組件的導(dǎo)電接點。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子組件還包含一高分子保護層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子組件還包含一高分子保護層與一接地金屬遮蔽層，該接地金屬遮蔽層覆蓋于電子組件表面的一保護膜，且與該基板的接地接合墊連接，該高分子保護層覆蓋該金屬遮蔽層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層延伸至該電子組件表面外圍以形成接點測試結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子組件為一液晶顯示器驅(qū)動芯片。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該基板選自有機基板、陶瓷基板、玻璃基板、硅基板、砷化鎵基板和表面有氧化層的金屬基板所組成的族群其中之一。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該接著劑選自各向異性導(dǎo)電接著劑與非導(dǎo)電性接著劑其中之一。
13.一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，其步驟包含有提供一基板，其表面形成多個接合墊以作為該基板的導(dǎo)電線路；提供一電子組件，其表面形成多個導(dǎo)電接點，并在該導(dǎo)電接點表面形成多個彈性凸塊，該彈性凸塊由一高分子凸塊與一金屬層所形成，該高分子凸塊具有一上表面、一下表面及一個或一個以上的側(cè)面，該側(cè)面連接該上表面與該下表面，該金屬層覆蓋于該上表面再通過該側(cè)面延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點形成垂直電性連接，且該高分子凸塊的該側(cè)面未完全覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通；在該基板表面涂布一接著劑；使該導(dǎo)電凸塊對準(zhǔn)壓合于該基板表面的接合墊，使該彈性凸塊的上表面所覆蓋的該金屬層接合于該基板表面的該接合墊，該下表面貼合于該導(dǎo)電接點，以提供該電子組件與該基板的電性連接；及固化該接著劑以接合該組件與該基板。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該高分子凸塊的形狀為圓柱體、六面體、多角柱與圓錐體其中之一。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬層所覆蓋的區(qū)域較該高分子凸塊的邊緣內(nèi)縮1微米至5微米。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該金屬層由一粘合金屬層外部包覆一金屬層所組成。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該高分子凸塊是以光刻技術(shù)形成于該電子組件的導(dǎo)電接點表面，并同時在該電子組件表面形成一高分子保護層。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該高分子凸塊與該高分子保護層的高度差異，是通過具有不同穿透率區(qū)域的掩模曝光一高分子層，再進(jìn)行一次顯影來完成。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該高分子凸塊的下表面具有一下金屬層以貼合該電子組件的導(dǎo)電接點。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該電子組件還包含一高分子保護層與一接地金屬遮蔽層，該接地金屬遮蔽層覆蓋于該電子組件表面的一保護膜，且與該基板的接地接合墊連接，該高分子保護層覆蓋該金屬遮蔽層。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的覆晶封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該固化膠材的方法為熱固化、光固化及微波固化的其中之一或是其組合。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種覆晶封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法，其包含用來和基板結(jié)合以形成覆晶封裝結(jié)構(gòu)的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，由高分子凸塊與金屬層所組成，其形成于電子組件表面的導(dǎo)電接點，高分子凸塊具有一上表面、一下表面及一個或一個以上的側(cè)面，側(cè)面連接上表面與下表面，下表面貼合于導(dǎo)電接點，金屬層覆蓋于上表面再通過側(cè)面延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點，以形成垂直電性連接，且側(cè)面未完全覆蓋金屬層以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通，借此隔絕接點之間因各向異性導(dǎo)電接著劑的導(dǎo)電粒子聚集、細(xì)線寬與細(xì)間距而產(chǎn)生的短路現(xiàn)象。
文檔編號H01L23/48GK1601737SQ03157559
公開日2005年3月30日 申請日期2003年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月24日
發(fā)明者黃元璋, 張世明, 陸蘇財 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院