專利名稱：彈性凸塊結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種彈性凸塊結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別涉及一種應(yīng)用于覆晶封裝的彈性凸塊結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品同步朝向輕、薄、短、小、高速化與高機(jī)能化的發(fā)展趨勢(shì)，而使得半導(dǎo)體組件封裝技術(shù)對(duì)于增加組件可靠度、密度以及減少組件尺寸方面的要求不斷提高，因此傳統(tǒng)引線接合(wire bonding)逐漸被覆晶(倒裝芯片)封裝(flip-chip)技術(shù)所取代。
覆晶封裝技術(shù)是以芯片與基板的接合面形成接合墊(pad)或是凸塊(bump)以取代公知封裝技術(shù)所使用的導(dǎo)線架(lead frame)。通過(guò)直接壓合芯片與基板的接合面之間的凸塊及接合墊來(lái)達(dá)成電路導(dǎo)通，可降低芯片與基板間的電子訊號(hào)傳輸距離，適用于高速電子組件的封裝。公知的覆晶封裝方法，是在芯片及基板的表面形成凸塊(bump)等接合結(jié)構(gòu)，然后在基板表面涂布接著劑；再將芯片及基板表面的凸塊經(jīng)過(guò)對(duì)位壓合以完成覆晶封裝結(jié)構(gòu)。在芯片與基板間使用接著劑加以接合時(shí)，由于兩者具有嚴(yán)重的熱膨脹系數(shù)差異，當(dāng)溫度產(chǎn)生變化時(shí)，熱應(yīng)力的影響容易使芯片及基板的凸塊接點(diǎn)產(chǎn)生變形。因此發(fā)展出彈性導(dǎo)電凸塊結(jié)構(gòu)，如美國(guó)第5508228號(hào)專利所公開的內(nèi)容，是以高分子材料在電子組件的接點(diǎn)處形成凸塊，再覆以金屬包覆層以形成彈性導(dǎo)電凸塊，藉此降低接點(diǎn)的熱膨脹系數(shù)差異，減少熱應(yīng)力的影響。
另外，為了減少接著劑、基板和芯片間的熱膨脹系數(shù)差異以及增加接點(diǎn)的強(qiáng)度，可在膠材中混入適當(dāng)?shù)姆菍?dǎo)電性填充粒子，填充粒子可補(bǔ)償膠材在溫度變化時(shí)，因熱膨脹系數(shù)差異所產(chǎn)生的體積變化量，并且增加覆晶封裝的接點(diǎn)強(qiáng)度。而在細(xì)間距接合的狀況下，可在膠材中添加細(xì)微的導(dǎo)電粒子，而達(dá)成各向異性(垂直方向)的導(dǎo)電；但是在極細(xì)間距的情況下，導(dǎo)電粒子容易聚集于接點(diǎn)的側(cè)面而產(chǎn)生短路的情形，使其所能應(yīng)用的線寬和間距受限。

發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本發(fā)明提供一種彈性凸塊結(jié)構(gòu)及其制造方法，以應(yīng)用于覆晶封裝制作流程。利用電子組件表面的彈性凸塊結(jié)構(gòu)提供垂直的電性連接，彈性凸塊結(jié)構(gòu)由高分子凸塊與金屬層所組成，通過(guò)金屬層的設(shè)計(jì)來(lái)防止接點(diǎn)之間因各向異性導(dǎo)電接著劑的導(dǎo)電粒子聚集、細(xì)線寬與細(xì)間距而產(chǎn)生的短路現(xiàn)象。
本發(fā)明公開一種彈性凸塊結(jié)構(gòu)及其制造方法，設(shè)計(jì)覆蓋在高分子凸塊的金屬層，以隔絕其側(cè)向的電性導(dǎo)通，直接阻止各向異性導(dǎo)電接著劑的導(dǎo)電粒子，防止接點(diǎn)間因?qū)щ娏Ｗ泳奂a(chǎn)生的短路現(xiàn)象。其彈性凸塊結(jié)構(gòu)是形成在電子組件表面的多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)，以提供電子組件與基板或其它外部電子組件的電性連接。此彈性凸塊結(jié)構(gòu)是由高分子凸塊與金屬層所組成，高分子凸塊具有一上表面、一下表面及連接兩者的側(cè)面，其下表面貼合于電子組件表面的導(dǎo)電接點(diǎn)，金屬層覆蓋在上表面再經(jīng)由側(cè)面延伸至導(dǎo)電接點(diǎn)以形成垂直電性連接，其中，高分子凸塊的側(cè)面未完全覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通，其高分子凸塊的形狀可為圓形、六面體形或其它立體形狀。
應(yīng)用此彈性凸塊結(jié)構(gòu)所形成的覆晶封裝，可達(dá)成細(xì)線寬與細(xì)間距的目的。
此外，本發(fā)明還公開一種彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，是在上述的電子組件表面形成多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)；再以光微影技術(shù)在電子組件表面的導(dǎo)電接點(diǎn)上形成多個(gè)高分子凸塊，其具有一上表面、一下表面及連接兩者的側(cè)面，下表面貼合于導(dǎo)電接點(diǎn)；最后，覆蓋一金屬層于高分子凸塊，金屬層覆蓋在上表面再經(jīng)由一個(gè)或一個(gè)以上的側(cè)面延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點(diǎn)形成垂直電性連接，高分子凸塊的側(cè)面未完全覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。


圖1為單排凸塊的芯片的俯視圖；圖1A為本發(fā)明第一實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖1B為本發(fā)明第一實(shí)施例的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖；圖1C為本發(fā)明第二實(shí)施例的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖；圖2A為本發(fā)明第三實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為本發(fā)明第三實(shí)施例的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖；
圖2C為本發(fā)明第四實(shí)施例的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖；圖3為雙排凸塊的芯片俯視圖；圖3A為本發(fā)明第五實(shí)施例的雙排彈性凸塊結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖；圖3B為本發(fā)明第六實(shí)施例的雙排彈性凸塊結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖；圖3C為本發(fā)明第七實(shí)施例的雙排彈性凸塊結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的制作流程圖；圖5A為本發(fā)明第八實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；及圖5B為本發(fā)明第九實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
標(biāo)記說(shuō)明100 芯片 110 高分子凸塊 111 導(dǎo)電接點(diǎn)112 下金屬層 113 粘合金屬層 114 金屬層120 保護(hù)膜 130 接地金屬遮蔽層 140 高分子保護(hù)層步驟310 在芯片表面形成多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)步驟320 在芯片表面形成保護(hù)膜并露出導(dǎo)電接點(diǎn)區(qū)域步驟330 在導(dǎo)電接點(diǎn)表面形成下金屬層步驟340 以光微影技術(shù)在芯片表面的導(dǎo)電接點(diǎn)上形成六面體形狀的多個(gè)高分子凸塊步驟350 覆蓋一粘合金屬層于高分子凸塊步驟360 覆蓋一金屬層于高分子凸塊步驟370 配合光微影技術(shù)蝕刻粘合金屬層與金屬層具體實(shí)施方式
為使對(duì)本發(fā)明的目的、構(gòu)造特征及其功能有進(jìn)一步的了解，配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如下本發(fā)明所公開的彈性凸塊結(jié)構(gòu)及其制造方法，是通過(guò)彈性凸塊與其所覆蓋的金屬層設(shè)計(jì)，來(lái)防止接點(diǎn)之間的側(cè)向電性連接，以解決細(xì)線寬與細(xì)間距的覆晶封裝所容易產(chǎn)生的短路問(wèn)題。彈性凸塊結(jié)構(gòu)是由高分子凸塊與金屬層所組成，配合不同的制作流程與設(shè)計(jì)，高分子凸塊的形狀可為圓形、六面體形或其它立體形狀，其高分子凸塊的側(cè)面未完全覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。
本發(fā)明的較佳實(shí)施例，是在電子組件表面的多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)形成多個(gè)彈性凸塊結(jié)構(gòu)。并以六面體形狀的高分子凸塊為例，說(shuō)明高分子凸塊的金屬層覆蓋情形。
請(qǐng)參考圖1A，其為本發(fā)明第一實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其包括一芯片100，其表面具有多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)111，并在導(dǎo)電接點(diǎn)111的周圍覆蓋保護(hù)膜120；導(dǎo)電接點(diǎn)111則貼合彈性凸塊結(jié)構(gòu)，并借著彈性凸塊結(jié)構(gòu)產(chǎn)生垂直的電性連接。彈性凸塊結(jié)構(gòu)包括下金屬層112、高分子凸塊110、金屬層，為防止接點(diǎn)氧化以及增加金屬層與高分子絕緣塊110的附著力，其金屬層由粘合金屬層113與金屬層114所組成。導(dǎo)電接點(diǎn)111表面依序貼附下金屬層112、高分子凸塊110、粘合金屬層113與金屬層114，高分子凸塊110呈六面體形狀，其具有一上表面、一下表面及四個(gè)側(cè)面。高分子凸塊的下表面貼合于下金屬層112，金屬層覆蓋在上表面再經(jīng)由兩個(gè)相對(duì)的側(cè)面延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點(diǎn)111以形成垂直電性連接，另外相對(duì)的兩個(gè)側(cè)面未覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。其中，多個(gè)彈性凸塊排列時(shí)，其覆蓋的金屬層不相鄰于其鄰接的彈性凸塊。
請(qǐng)參考圖1B，其為本發(fā)明第一實(shí)施例的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。本發(fā)明的特征點(diǎn)在于金屬層的設(shè)計(jì)，其彈性凸塊結(jié)構(gòu)包括下金屬層112、高分子凸塊110、粘合金屬層113與金屬層114，如圖1B所示，粘合金屬層113與金屬層114所組成的金屬層以跨接方式覆蓋在高分子凸塊110的兩個(gè)側(cè)面，另外兩個(gè)相對(duì)側(cè)面則未覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。
請(qǐng)參考圖1C，其為本發(fā)明第二實(shí)施例的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。為了有效防止封裝時(shí)所使用的各向異性導(dǎo)電接著劑含有的導(dǎo)電粒子造成的短路，除了粘合金屬層113與金屬層114所組成的金屬層以跨接方式覆蓋在高分子凸塊110的兩個(gè)側(cè)面之外，金屬層所覆蓋的區(qū)域亦可較高分子凸塊的邊緣內(nèi)縮1微米至5微米，其內(nèi)縮尺寸可配合導(dǎo)電粒子的直徑來(lái)決定。
此外，配合不同的凸塊排列金屬層覆蓋的側(cè)面可做不同設(shè)計(jì)，如第一實(shí)施例的金屬層覆蓋的兩個(gè)側(cè)面亦可為相鄰的兩側(cè)面，或是金屬層由高分子凸塊的上表面覆蓋至高分子凸塊的任意三個(gè)側(cè)面，并延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點(diǎn)。
請(qǐng)參考圖2A，其為本發(fā)明第三實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，其包括一芯片100，其表面具有多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)111，并在導(dǎo)電接點(diǎn)111的周圍覆蓋保護(hù)膜120。導(dǎo)電接點(diǎn)111表面依序貼附下金屬層112、高分子凸塊110、粘合金屬層113與金屬層114，高分子凸塊110呈六面體形狀，其具有一上表面、一下表面及四個(gè)側(cè)面。高分子凸塊的下表面貼合于下金屬層112，金屬層覆蓋在上表面再經(jīng)由三個(gè)側(cè)面延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點(diǎn)111以形成垂直電性連接，其中的一側(cè)面未覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。
請(qǐng)參考圖2B，其為本發(fā)明第三實(shí)施例的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。其彈性凸塊結(jié)構(gòu)包括下金屬層112、高分子凸塊110以及粘合金屬層113與金屬層114，如圖1B所示，粘合金屬層113與金屬層114所組成的金屬層覆蓋在高分子凸塊110的三個(gè)側(cè)面，另外的一側(cè)面未覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。
請(qǐng)參考圖2C，其為本發(fā)明第四實(shí)施例的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的側(cè)視示意圖。其中金屬層所覆蓋的區(qū)域較高分子凸塊的邊緣內(nèi)縮1微米至5微米。
本發(fā)明可根據(jù)電子組件表面不同的凸塊排列與設(shè)計(jì)，來(lái)決定金屬層覆蓋的情形。
請(qǐng)參考圖3，其為雙排凸塊的芯片俯視圖，其凸塊在芯片表面以交錯(cuò)式排列形成雙排，針對(duì)此雙排凸塊可作各種設(shè)計(jì)以隔絕其鄰接面的側(cè)向電氣導(dǎo)通。
請(qǐng)參考圖3A，其為本發(fā)明第五實(shí)施例的雙排彈性凸塊結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖，其彈性凸塊結(jié)構(gòu)包括下金屬層112、高分子凸塊110以及粘合金屬層113與金屬層114，如圖3A所示，粘合金屬層113與金屬層114所組成的金屬層覆蓋在高分子凸塊110的一側(cè)面，金屬層所覆蓋的側(cè)面未鄰接其它凸塊，而鄰接其它凸塊的三側(cè)面則未覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。
請(qǐng)參考圖3B，其為本發(fā)明第六實(shí)施例的雙排彈性凸塊結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖。其粘合金屬層113與金屬層114所組成的金屬層覆蓋在高分子凸塊110的兩側(cè)面，且凸塊以未覆蓋金屬層的側(cè)面鄰接于另一凸塊，金屬層所覆蓋的區(qū)域較高分子凸塊110的邊緣內(nèi)縮1微米至5微米。
請(qǐng)參考圖3C，其為本發(fā)明第七實(shí)施例的雙排彈性凸塊結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖。其粘合金屬層113與金屬層114所組成的金屬層覆蓋在高分子凸塊110的一側(cè)面，金屬層所覆蓋的區(qū)域較高分子凸塊110的邊緣內(nèi)縮1微米至5微米。
請(qǐng)參考圖4，其為本發(fā)明實(shí)施例的制作流程圖，首先，在芯片表面形成多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)(步驟310)；其次，在芯片表面形成保護(hù)膜并露出導(dǎo)電接點(diǎn)區(qū)域(步驟320)；在導(dǎo)電接點(diǎn)表面形成下金屬層(步驟330)；以光微影技術(shù)在芯片表面的導(dǎo)電接點(diǎn)上形成六面體形狀的多個(gè)高分子凸塊(步驟340)，高分子凸塊具有一上表面、一下表面及四個(gè)側(cè)面，其下表面貼合于導(dǎo)電接點(diǎn)上方的下金屬層；覆蓋一粘合金屬層于高分子凸塊(步驟350)；覆蓋一金屬層于高分子凸塊(步驟360)；接著配合光微影技術(shù)蝕刻粘合金屬層與金屬層(步驟370)。粘合金屬層與金屬層所組成的金屬層覆蓋上表面再經(jīng)由側(cè)面延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點(diǎn)形成垂直電性連接，根據(jù)不同的設(shè)計(jì)，高分子凸塊的一至三個(gè)側(cè)面覆蓋金屬層，其余側(cè)面則未覆蓋金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。
另外，配合本發(fā)明的制造方法，可同時(shí)在電子組件表面制作高分子保護(hù)層、接地金屬遮蔽層與接點(diǎn)合格率的測(cè)試機(jī)構(gòu)。
請(qǐng)參考圖5A，其為本發(fā)明第八實(shí)施例的剖面示意圖，芯片100，其表面具有多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)111，并在導(dǎo)電接點(diǎn)111的周圍覆蓋保護(hù)膜120。導(dǎo)電接點(diǎn)表面具有彈性凸塊結(jié)構(gòu)，包括下金屬層112、高分子凸塊110、粘合金屬層113與金屬層114，其中粘合金屬層113與金屬層114延伸至保護(hù)膜120，可直接作為接點(diǎn)合格率的測(cè)試機(jī)構(gòu)，避免進(jìn)行接點(diǎn)合格率測(cè)試時(shí)，測(cè)試探針和凸塊的對(duì)位與滑移問(wèn)題，也可減少探針對(duì)于凸塊的影響。粘合金屬層113與金屬層114所延伸而成的接點(diǎn)合格率的測(cè)試機(jī)構(gòu)可在彈性凸塊結(jié)構(gòu)制作流程中一并完成，并且在制作高分子凸塊110的步驟時(shí)，同時(shí)在芯片100表面制作高分子保護(hù)層140，以保護(hù)其它線路與表面電子組件。
請(qǐng)參考圖5B，其為本發(fā)明第九實(shí)施例的剖面示意圖，亦可在電子組件表面加上接地金屬遮蔽層，以防止電磁干擾等效應(yīng)。如圖5A所示，高分子保護(hù)層140覆蓋金屬遮蔽層130，先在導(dǎo)電接點(diǎn)111表面制作上金屬層112時(shí)，同時(shí)制作金屬遮蔽層130，并與基板上接地的導(dǎo)電接合墊連接，再在制作高分子凸塊110的步驟時(shí)，在芯片100表面制作高分子保護(hù)層140。其中同時(shí)利用同一道掩模所制作的具有高度差異的高分子凸塊110與高分子保護(hù)層140，可通過(guò)具有不同穿透率區(qū)域的掩模對(duì)正型感光高分子層曝光，再進(jìn)行一次顯影來(lái)完成。
應(yīng)用本發(fā)明的彈性凸塊結(jié)構(gòu)所形成的覆晶封裝，可達(dá)成細(xì)線寬與細(xì)間距的目的。
雖然本發(fā)明的較佳實(shí)施例公開如上所述，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作一些變化和修改，因此本發(fā)明的專利保護(hù)范圍以權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種彈性凸塊結(jié)構(gòu)，在一電子組件表面的多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)形成多個(gè)凸塊，該電子組件通過(guò)該凸塊與外部電子組件電性連接，其特征在于該凸塊由一高分子凸塊與一金屬層所形成，該高分子凸塊具有一上表面、一下表面及一個(gè)或一個(gè)以上的側(cè)面，該側(cè)面連接該上表面與該下表面，該下表面貼合于該導(dǎo)電接點(diǎn)，該金屬層覆蓋在該上表面再經(jīng)由該側(cè)面延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點(diǎn)，以形成垂直電性連接，該側(cè)面未完全覆蓋該金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。
2.如權(quán)利要求1所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該高分子凸塊的形狀為圓柱體、六面體、多角柱與圓錐體其中之一。
3.如權(quán)利要求1所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該高分子凸塊的形狀為六面體形，其具有該上表面、該下表面與四個(gè)側(cè)面。
4.如權(quán)利要求3所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層由該高分子凸塊的該上表面覆蓋至該高分子凸塊的兩個(gè)相對(duì)的該側(cè)面并延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點(diǎn)，且該金屬層不相鄰于鄰接的其它凸塊。
5.如權(quán)利要求3所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層由該高分子凸塊的該上表面覆蓋至該高分子凸塊的兩個(gè)相鄰的該側(cè)面并延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點(diǎn)。
6.如權(quán)利要求3所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層由該高分子凸塊的該上表面覆蓋至該高分子凸塊的四個(gè)該側(cè)面其中之一，并延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點(diǎn)。
7.如權(quán)利要求3所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層由該高分子凸塊的該上表面覆蓋至該高分子凸塊的任意三個(gè)該側(cè)面，并延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點(diǎn)。
8.如權(quán)利要求1所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層所覆蓋的區(qū)域較該高分子凸塊的邊緣內(nèi)縮1微米至5微米。
9.如權(quán)利要求1所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層由一粘合金屬層外部包覆一金屬層所組成。
10.如權(quán)利要求1所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該高分子凸塊的下表面具有一下金屬層以貼合該電子組件的導(dǎo)電接點(diǎn)。
11.如權(quán)利要求1所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子組件還包括一高分子保護(hù)層。
12.如權(quán)利要求1所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該電子組件還包括一高分子保護(hù)層與一接地金屬遮蔽層，該接地金屬遮蔽層覆蓋于該電子組件表面的一保護(hù)膜，且與該基板的接地接合墊連接，該高分子保護(hù)層覆蓋該接地金屬遮蔽層。
13.如權(quán)利要求1所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)，其特征在于，該金屬層延伸至該電子組件表面的外圍以形成接點(diǎn)測(cè)試結(jié)構(gòu)。
14.一種彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該方法的步驟包括有在一電子組件表面形成多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)；以光微影技術(shù)在該電子組件表面的該導(dǎo)電接點(diǎn)上形成多個(gè)高分子凸塊，該高分子凸塊具有一上表面、一下表面及一個(gè)或一個(gè)以上的側(cè)面，該側(cè)面連接該上表面與該下表面，該下表面貼合于該導(dǎo)電接點(diǎn)；及覆蓋一金屬層于該高分子凸塊，該金屬層覆蓋該上表面再經(jīng)由該側(cè)面延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點(diǎn)形成垂直電性連接，該高分子凸塊的該側(cè)面未完全覆蓋該金屬層，以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通。
15.如權(quán)利要求14所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該高分子凸塊的形狀為圓柱體、六面體、多角柱與圓錐體其中之一。
16.如權(quán)利要求14所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該覆蓋一金屬層于該高分子凸塊的步驟，其中該高分子凸塊的形狀為六面體形，其具有該上表面、該下表面與四個(gè)側(cè)面，該金屬層由該高分子絕緣塊的該上表面覆蓋至該高分子凸塊的兩個(gè)相對(duì)且不鄰接于相鄰?fù)箟K的該側(cè)面并延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點(diǎn)。
17.如權(quán)利要求14所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該覆蓋一金屬層于該高分子凸塊的步驟，該高分子凸塊的形狀為六面體形，其具有該上表面、該下表面與四個(gè)側(cè)面，其中該金屬層由該高分子凸塊的該上表面覆蓋至該高分子凸塊的兩個(gè)相鄰的該側(cè)面并延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點(diǎn)。
18.如權(quán)利要求14所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該覆蓋一金屬層于該高分子凸塊的步驟，該高分子凸塊的形狀為六面體形，其具有該上表面、該下表面與四個(gè)側(cè)面，該金屬層由該高分子凸塊的該上表面覆蓋至該高分子凸塊的四個(gè)該側(cè)面其中之一，并延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點(diǎn)。
19.如權(quán)利要求14所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該覆蓋一金屬層于該高分子凸塊的步驟，該高分子凸塊的形狀為六面體形，其具有該上表面、該下表面與四個(gè)側(cè)面，該金屬層由該高分子凸塊的該上表面覆蓋至該高分子凸塊的任意三個(gè)該側(cè)面，并延伸至導(dǎo)通該導(dǎo)電接點(diǎn)。
20.如權(quán)利要求14所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該覆蓋一金屬層于該高分子凸塊的步驟，該金屬層所覆蓋的區(qū)域較該高分子凸塊的邊緣內(nèi)縮1微米至5微米。
21.如權(quán)利要求14所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該覆蓋一金屬層于該高分子凸塊的步驟，該金屬層由一粘合金屬層外部包覆一金屬層所組成。
22.如權(quán)利要求14所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該以光微影技術(shù)于該電子組件表面的該導(dǎo)電接點(diǎn)上形成多個(gè)高分子凸塊的步驟，以光微影技術(shù)形成該高分子凸塊，并同時(shí)于該電子組件表面形成一高分子保護(hù)層。
23.如權(quán)利要求22所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該高分子凸塊與該高分子保護(hù)層的高度差異，藉由具有不同穿透率區(qū)域的掩模曝光一高分子層，再進(jìn)行一次顯影來(lái)完成。
24.如權(quán)利要求14所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該于一電子組件表面形成多個(gè)導(dǎo)電接點(diǎn)的步驟之后，還包括一形成一下金屬層于該導(dǎo)電接點(diǎn)的步驟。
25.如權(quán)利要求24所述的彈性凸塊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，該形成一下金屬層于該電子組件的導(dǎo)電接點(diǎn)的步驟，形成該下金屬層于該導(dǎo)電接點(diǎn)，并同時(shí)于該電子組件表面形成一接地金屬遮蔽層，該接地金屬遮蔽層覆蓋于該電子組件表面的一保護(hù)膜，且與該基板的接地接合墊連接。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種彈性凸塊結(jié)構(gòu)及其制造方法，應(yīng)用于電子組件的覆晶封裝，彈性凸塊結(jié)構(gòu)由高分子凸塊與金屬層所組成，其形成于電子組件表面的導(dǎo)電接點(diǎn)，高分子凸塊具有一上表面、一下表面及一個(gè)或一個(gè)以上的側(cè)面，側(cè)面連接上表面與下表面，下表面貼合于導(dǎo)電接點(diǎn)，金屬層覆蓋于上表面再經(jīng)由側(cè)面延伸至導(dǎo)通導(dǎo)電接點(diǎn)，以形成垂直電性連接，且側(cè)面未完全覆蓋金屬層以隔絕其側(cè)向的電氣導(dǎo)通，借此阻止接點(diǎn)之間因各向異性導(dǎo)電接著劑的導(dǎo)電粒子聚集、細(xì)線寬與細(xì)間距而產(chǎn)生的短路現(xiàn)象。
文檔編號(hào)H01L23/48GK1601734SQ03157558
公開日2005年3月30日 申請(qǐng)日期2003年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月24日
發(fā)明者黃元璋, 張世明, 陸蘇財(cái) 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院