專利名稱：制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的工藝，尤其涉及一種制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)半導(dǎo)體集成電路器件制造工藝中，為了達(dá)到高壓低導(dǎo)通電阻(LDMOS)和電路(BICMOS)的邏輯功能，傳統(tǒng)的且公知的方法是將(LDMOS)和(BICMOS)這兩種器件分開(kāi)制造。
現(xiàn)有技術(shù)常規(guī)且最簡(jiǎn)單的制造BICMOS的工藝是，需在P+襯底材料上生長(zhǎng)一10um到15um厚的P外延層制成NMOS器件，在4um至5um深的n阱中制成PMOS器件和NPN晶體管；而現(xiàn)有技術(shù)制造LDMOS功率管，其耐壓最高只能做到一百多伏。
由此可見(jiàn)，現(xiàn)有技術(shù)制造(LDMOS)和(BICMOS)器件，不僅制造工藝繁瑣，并且浪費(fèi)原材料，而且制造的器件體積大，因此不能滿足信息和電子工業(yè)飛速發(fā)展的需求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，它不僅能將LDMOS和BICMOS這兩種器件合在一起制造，并且制造的器件體積小。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的一種制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，其特點(diǎn)是包括以下步驟第一，N阱形成步驟，在高阻襯底材料上生長(zhǎng)氧化層，經(jīng)光刻構(gòu)圖，形成N阱區(qū)域；第二，P-層形成步驟，在氧化層上涂布一光致抗蝕劑層，然后經(jīng)光刻構(gòu)圖，形成P-區(qū)域；
第三，場(chǎng)區(qū)和P場(chǎng)區(qū)域形成步驟，在硅片上生長(zhǎng)氧化層淀積氮化硅，經(jīng)光刻構(gòu)圖，形成場(chǎng)區(qū)和P場(chǎng)區(qū)域；第四，生長(zhǎng)場(chǎng)氧化和腐蝕步驟，在硅片上生長(zhǎng)場(chǎng)氧化，然后依次分別腐蝕有源區(qū)上的氮氧化硅，氮化硅和二氧化層；第五，形成電容區(qū)域和柵氧化層步驟，先在硅片上生長(zhǎng)預(yù)柵氧化，經(jīng)光刻構(gòu)圖，形成結(jié)，并再生長(zhǎng)一柵氧化層；第六，多晶區(qū)域形成步驟，在硅片上淀積多晶硅，并經(jīng)光刻構(gòu)圖，形成多晶區(qū)域；第七，N+，P+區(qū)域形成步驟，在硅片上經(jīng)光刻構(gòu)圖，分別形成N+區(qū)域和P+區(qū)域；第八，接觸孔形成步驟，在硅片上光刻構(gòu)圖，形成接觸孔區(qū)域；第九，鋁布線和鈍化膜形成步驟，用常規(guī)的方法布鋁條，生長(zhǎng)鈍化層。
在上述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中，其中，所述的步驟一包括1)在電阻率100～200歐姆厘米的高阻襯底材料1上，生長(zhǎng)一層大于5000A的氧化層；2)在該氧化層上涂布一光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的N阱區(qū)域；3)將暴露區(qū)域的氧化層用腐蝕液腐蝕干凈，并去除光致抗蝕劑層；4)對(duì)該暴露區(qū)域進(jìn)行磷離子注入，然后在大于1000℃溫度下，在氮?dú)夂脱鯕獾臍夥罩型七M(jìn)大約7～8小時(shí)左右，從而形成結(jié)深約6.5～7.0um左右的N阱；同時(shí)生長(zhǎng)5000A左右的氧化層。
在上述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中，其中，所述的步驟二包括1)在氧化層上涂布一光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，暴露待形成的P-層區(qū)域，并將暴露區(qū)域的二氧化硅用腐蝕液腐蝕干凈；2)去除光致抗蝕劑層；3)生長(zhǎng)一層約500A左右的預(yù)注入氧化層，對(duì)該暴露域進(jìn)行硼離子注入；4)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的基區(qū)區(qū)域，對(duì)暴露區(qū)域進(jìn)行硼離子注入；5)在大于1100℃溫度下，在氮?dú)夂脱鯕獾臍夥罩型七M(jìn)大約1.5～2.5小時(shí)左右，從而形成結(jié)深約0.5～1.5um左右的P-層，最后用氫氟酸腐蝕液漂光所有的氧化層。
在上述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中，其中，所述的步驟三包括，1)在硅片上生長(zhǎng)一層400A左右的氧化層，然后再淀積600A左右的氮化硅；2)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的場(chǎng)區(qū)區(qū)域。并用干法刻蝕去除場(chǎng)區(qū)上的氮化硅和氧化層；3)去除光致抗蝕劑層；4)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的P場(chǎng)區(qū)域，并用二氟化硼離子注入暴露區(qū)域。
在上述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中，其中，所述的步驟五包括，1)在硅片上生長(zhǎng)一層400A左右的預(yù)柵氧化；2)在結(jié)構(gòu)上面圖一層光致抗蝕劑，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的電容區(qū)域，并用硼離子注入暴露區(qū)域；3)去除光致抗蝕劑層，最后在大于1000C的溫度下，用N2推進(jìn)1小時(shí)左右，形成2um左右的結(jié)深；4)用氫氟酸腐蝕液漂去預(yù)柵氧化層，重新再生長(zhǎng)一層500～1000A左右的柵氧化層。
在上述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中，其中，所述的步驟六包括，1)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的NMOS溝道調(diào)節(jié)區(qū)域，并用磷離子注入暴露區(qū)域，然后去除光致抗蝕劑層；2)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的PMOS溝道調(diào)節(jié)區(qū)域，并用硼離子注入暴露區(qū)域，然后去除光致抗蝕劑層；3)在硅片上淀積一層5000A左右的多晶硅，并在大于900C的溫度下，通三氯氧磷氣體對(duì)多晶硅進(jìn)行摻雜；4)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的多晶區(qū)域；5)用干法刻蝕的方法將暴露區(qū)域的多晶去除，然后去除光致抗蝕劑層。
在上述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中，其中，所述的步驟七包括，1)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的N+區(qū)域，并用砷離子注入暴露區(qū)域；2)去除光致抗蝕劑層，在硅片上涂布一光致抗蝕劑層(1100)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的P+區(qū)域，并用硼離子注入暴露區(qū)域；3)去除光致抗蝕劑層，在硅片上淀積一層10000A左右的磷硅玻璃，并在大于900C的溫度下，通氮?dú)饧s20分鐘對(duì)磷硅玻璃進(jìn)行回流，形成N+12和P+結(jié)。
在上述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中，其中，所述的步驟八包括，在硅片上涂布一光致抗蝕劑層，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的接觸孔區(qū)域，并依次用濕法和干法的方法將暴露區(qū)域氧化層全部去除干凈。
本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，由于采用了上述的技術(shù)方案，使之與現(xiàn)有技術(shù)制造工藝相比，具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和積極效果。
1.本發(fā)明在半導(dǎo)體器件制造工藝中，首先是改變襯底材料的電阻率，其次省略了外延，最后在N阱，P-的濃度和結(jié)深作了調(diào)整，不僅能使制造LDMOS和BICMOS這兩種功能的電路集成在一塊芯片上，并且節(jié)約半導(dǎo)體材料，且制造的器件體積小。
2.本發(fā)明通過(guò)控制N阱的(濃度和)結(jié)深，P-的(濃度和)結(jié)深，使得功率LDMOS管的具有高耐壓和低導(dǎo)通電阻.
3.本發(fā)明由于LDMOS的特殊結(jié)構(gòu)即N阱作為漏極漂移區(qū)，多晶做場(chǎng)版有利于提高耐壓，另外N阱中的P-層對(duì)提高耐壓和降低導(dǎo)通電阻也有貢獻(xiàn).


通過(guò)以下對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解本發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。其中，附圖為圖1，2是本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中N阱區(qū)域的示意圖；圖3，4是本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中P-層區(qū)域的示意圖；圖5是本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中有源區(qū)的示意圖；圖6是本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中P場(chǎng)區(qū)的示意圖；圖7是本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中場(chǎng)氧化后漂去氮氧化硅-氮化硅-氧化層的示意圖；圖8是本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中電容區(qū)域的示意圖；圖9是本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中柵氧化的示意圖；圖10，11是本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中多晶區(qū)域的示意圖；圖12是本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中N+區(qū)域的示意圖；圖13是本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝中接觸孔區(qū)域的示意圖；具體實(shí)施方式
請(qǐng)參見(jiàn)附圖所示，本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，包括以下步驟第一，N阱形成步驟(請(qǐng)參見(jiàn)圖1和圖2所示)，包括
1)在電阻率100～200歐姆厘米的高阻襯底材料1上，生長(zhǎng)一層大于5000A的氧化層2；2)在該氧化層上涂布一光致抗蝕劑層100，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的N阱區(qū)域(3)；3)將暴露區(qū)域的氧化層用腐蝕液腐蝕干凈，并去除光致抗蝕劑層100；4)對(duì)該暴露區(qū)域進(jìn)行磷離子注入，然后在大于1000℃溫度下，在氮?dú)夂脱鯕獾臍夥罩型七M(jìn)大約7～8小時(shí)，從而形成6.5～7.0um的N阱結(jié)深。同時(shí)生長(zhǎng)5000A左右的氧化層(2-1)。
第二，P-層區(qū)域形成步驟(請(qǐng)參見(jiàn)圖3和4所示)，先在氧化層2-1上涂布一光致抗蝕劑層200，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，暴露待形成的P-區(qū)域，并將暴露區(qū)域的氧化層用腐蝕液腐蝕干凈；1)去除光致抗蝕劑層200；2)然后生長(zhǎng)一層約500A左右的預(yù)注入氧化層，對(duì)該暴露域進(jìn)行硼離子注入；3)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層250(圖中沒(méi)有顯示此結(jié)構(gòu))，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的基區(qū)區(qū)域，對(duì)暴露區(qū)域進(jìn)行硼離子注入，離子注入；3)在大于1100℃溫度下，在氮和氧氣的氣氛中推進(jìn)大約1.5～2.5小時(shí)左右，從而形成結(jié)深約0.5～1.5um左右的P-層4。用氫氟酸腐蝕液漂光所有的氧化層。
第三，場(chǎng)區(qū)和P場(chǎng)區(qū)域形成步驟(請(qǐng)參見(jiàn)圖5和圖6所示)，包括1)在硅片上生長(zhǎng)一層400A左右的氧化層5，然后再淀積600A左右的氮化硅6；2)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層300，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的場(chǎng)區(qū)區(qū)域，并用干法刻蝕去除場(chǎng)區(qū)上的氮化硅和氧化層(見(jiàn)圖5)；3)去除光致抗蝕劑層300；4)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層400，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的P場(chǎng)區(qū)域，并用二氟化硼離子注入暴露區(qū)域(見(jiàn)圖6)。
第四，生長(zhǎng)場(chǎng)氧化和腐蝕步驟(請(qǐng)參見(jiàn)圖7所示)，先在硅片上生長(zhǎng)場(chǎng)氧化(7)，然后依次分別腐蝕有源區(qū)上的氮氧化硅，氮化硅和二氧化層；
第五，形成電容區(qū)域和柵氧化層步驟(請(qǐng)參見(jiàn)圖8和圖9所示)，包括1)在硅片上生長(zhǎng)一層400A左右的預(yù)柵氧化；2)在結(jié)構(gòu)上面圖一層光致抗蝕劑500，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的電容區(qū)域，并用硼離子注入暴露區(qū)域。(見(jiàn)圖8)；3)去除光致抗蝕劑層500；最后在大于1000C的溫度下，用N2推進(jìn)1小時(shí)左右，形成2um左右的結(jié)深9；4)用氫氟酸腐蝕液漂去預(yù)柵氧化層，重新再生長(zhǎng)一層500～1000A左右的柵氧化層。(見(jiàn)圖9)。
第六，多晶區(qū)域形成步驟(請(qǐng)參見(jiàn)圖10和圖11所示)，包括1)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層600(圖10中沒(méi)有顯示此結(jié)構(gòu))，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的NMOS溝道調(diào)節(jié)區(qū)域，并用磷離子注入暴露區(qū)域，然后去除光致抗蝕劑層600；2)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層700(圖10中沒(méi)有顯示此結(jié)構(gòu))，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的PMOS溝道調(diào)節(jié)區(qū)域，并用硼離子注入暴露區(qū)域，然后去除光致抗蝕劑層700；3)在硅片上淀積一層5000A左右的多晶硅10，并在大于900C的溫度下，通三氯氧磷氣體對(duì)多晶硅進(jìn)行摻雜。
4)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層900，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的多晶區(qū)域。
5)用干法刻蝕的方法將暴露區(qū)域的多晶去除，然后去除光致抗蝕劑層900(見(jiàn)圖11)；第七，N+，P+區(qū)域形成步驟(請(qǐng)參見(jiàn)圖12所示)，包括2)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層1000，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的N+區(qū)域，并用砷離子注入暴露區(qū)域(見(jiàn)圖12)。
3)去除光致抗蝕劑層1000；在硅片上涂布一光致抗蝕劑層1100(圖13中沒(méi)有顯示此結(jié)構(gòu))，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的P+區(qū)域，并用硼離子注入暴露區(qū)域。
4)去除光致抗蝕劑層1100；在硅片上淀積一層10000A左右的磷硅玻璃11，并在大于900C的溫度下，通氮?dú)怏w約20分鐘對(duì)磷硅玻璃進(jìn)行回流，形成N+12和P+結(jié)；第八，接觸孔形成步驟(請(qǐng)參見(jiàn)圖13所示)，包括1)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層1200，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的接觸孔區(qū)域，并依次用濕法和干法的方法將暴露區(qū)域氧化層全部去除干凈。
2)先去除光致抗蝕劑層1200；第九，鋁布線和鈍化膜形成步驟，包括1)用常規(guī)的方法布鋁條，生長(zhǎng)鈍化層。
綜上所述，本發(fā)明制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，在制造半導(dǎo)體器件工藝作了一些改動(dòng)，首先是改變襯底材料的電阻率，其次省略了外延，最后在N阱，P-的濃度和結(jié)深作了調(diào)整，使制造LDMOS和BICMOS這兩種功能的電路集成在一塊芯片上，并且節(jié)約材料，制造的器件體積小，以適合電子工業(yè)發(fā)展的需要。
權(quán)利要求
1.一種制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，其特征在于包括以下步驟第一，N阱形成步驟，在高阻襯底材料(1)上生長(zhǎng)氧化層(2)，經(jīng)光刻構(gòu)圖，形成N阱區(qū)域；第二，P-層形成步驟，在氧化層(2)上涂布一光致抗蝕劑層(200)，然后經(jīng)光刻構(gòu)圖，形成P-區(qū)域；第三，場(chǎng)區(qū)和P場(chǎng)區(qū)域形成步驟，在硅片上生長(zhǎng)氧化層淀積氮化硅(6)，經(jīng)光刻構(gòu)圖，形成場(chǎng)區(qū)和P場(chǎng)區(qū)域；第四，生長(zhǎng)場(chǎng)氧化和腐蝕步驟，在硅片上生長(zhǎng)場(chǎng)氧化(7)，然后依次分別腐蝕有源區(qū)上的氮氧化硅，氮化硅和二氧化層；第五，形成電容區(qū)域和柵氧化層步驟，先在硅片上生長(zhǎng)預(yù)柵氧化，經(jīng)光刻構(gòu)圖，形成結(jié)(9)，并再生長(zhǎng)一柵氧化層；第六，多晶區(qū)域形成步驟，在硅片上淀積多晶硅(10)，并經(jīng)光刻構(gòu)圖，形成多晶區(qū)域；第七，N+，P+區(qū)域形成步驟，在硅片上經(jīng)光刻構(gòu)圖，分別形成N+區(qū)域和P+區(qū)域；第八，接觸孔形成步驟，在硅片上光刻構(gòu)圖，形成接觸孔區(qū)域；第九，鋁布線和鈍化膜形成步驟，用常規(guī)的方法布鋁條，生長(zhǎng)鈍化層。
2.如權(quán)利要求1所述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，其特征在于所述的步驟一包括1)在電阻率100～200歐姆厘米的高阻襯底材料1上，生長(zhǎng)一層大于5000A的氧化層(2)；2)在該氧化層上涂布一光致抗蝕劑層(100)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的N阱區(qū)域(3)；3)將暴露區(qū)域的氧化層用腐蝕液腐蝕干凈，并去除光致抗蝕劑層(100)；4)對(duì)該暴露區(qū)域進(jìn)行磷離子注入，然后在大于1000℃溫度下，在氮?dú)夂脱鯕獾臍夥罩型七M(jìn)大約7～8小時(shí)左右，從而形成結(jié)深約6.5～7.0um左右的N阱；同時(shí)生長(zhǎng)5000A左右的氧化層(2-1)。
3.如權(quán)利要求1所述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，其特征在于所述的步驟二包括1)在氧化層(2)上涂布一光致抗蝕劑層(200)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，暴露待形成的P-層區(qū)域，并將暴露區(qū)域的二氧化硅用腐蝕液腐蝕干凈；2)去除光致抗蝕劑層200；3)生長(zhǎng)一層約500A左右的預(yù)注入氧化層，對(duì)該暴露域進(jìn)行硼離子注入；4)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層(250)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的基區(qū)區(qū)域，對(duì)暴露區(qū)域進(jìn)行硼離子注入；5)在大于1100℃溫度下，在氮?dú)夂脱鯕獾臍夥罩型七M(jìn)大約1.5～2.5小時(shí)左右，從而形成結(jié)深約0.5～1.5um左右的P-層(4)，最后用氫氟酸腐蝕液漂光所有的氧化層。
4.如權(quán)利要求1所述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，其特征在于所述的步驟三包括，1)在硅片上生長(zhǎng)一層400A左右的氧化層(5)，然后再淀積600A左右的氮化硅(6)；2)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層(300)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的場(chǎng)區(qū)區(qū)域。并用干法刻蝕去除場(chǎng)區(qū)上的氮化硅和氧化層；3)去除光致抗蝕劑層(300)；4)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層(400)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的P場(chǎng)區(qū)域，并用二氟化硼離子注入暴露區(qū)域。
5.如權(quán)利要求1所述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，其特征在于所述的步驟五包括，1)在硅片上生長(zhǎng)一層400A左右的預(yù)柵氧化；2)在結(jié)構(gòu)上面圖一層光致抗蝕劑(500)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的電容區(qū)域，并用硼離子注入暴露區(qū)域；3)去除光致抗蝕劑層(500)，最后在大于1000C的溫度下，用N2推進(jìn)1小時(shí)左右，形成2um左右的結(jié)深(9)；4)用氫氟酸腐蝕液漂去預(yù)柵氧化層，重新再生長(zhǎng)一層500～1000A左右的柵氧化層。
6.如權(quán)利要求1所述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，其特征在于所述的步驟六包括，1)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層(600)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的NMOS溝道調(diào)節(jié)區(qū)域，并用磷離子注入暴露區(qū)域，然后去除光致抗蝕劑層(600)；2)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層(700)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的PMOS溝道調(diào)節(jié)區(qū)域，并用硼離子注入暴露區(qū)域，然后去除光致抗蝕劑層(700)；3)在硅片上淀積一層5000A左右的多晶硅(10)，并在大于900C的溫度下，通三氯氧磷氣體對(duì)多晶硅進(jìn)行摻雜；4)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層(900)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的多晶區(qū)域；5)用干法刻蝕的方法將暴露區(qū)域的多晶去除，然后去除光致抗蝕劑層(900)。
7.如權(quán)利要求1所述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，其特征在于所述的步驟七包括，1)在硅片上涂布一光致抗蝕劑層(1000)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的N+區(qū)域，并用砷離子注入暴露區(qū)域；2)去除光致抗蝕劑層(1000)，在硅片上涂布一光致抗蝕劑層(1100)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的P+區(qū)域，并用硼離子注入暴露區(qū)域；3)去除光致抗蝕劑層(1100)，在硅片上淀積一層10000A左右的磷硅玻璃(11)，并在大于900C的溫度下，通氮?dú)饧s20分鐘對(duì)磷硅玻璃進(jìn)行回流，形成N+12和P+結(jié)。
8.如權(quán)利要求1所述的制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，其特征在于所述的步驟八包括，在硅片上涂布一光致抗蝕劑層(1200)，然后進(jìn)行光刻構(gòu)圖，以暴露待形成的接觸孔區(qū)域，并依次用濕法和干法的方法將暴露區(qū)域氧化層全部去除干凈。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種制造高壓半導(dǎo)體器件的工藝，其特點(diǎn)是包括以下步驟1.在襯底材料上生長(zhǎng)氧化層，光刻構(gòu)圖形成N阱區(qū)域；2.在氧化層上涂光致抗蝕劑層，經(jīng)光刻構(gòu)圖形成P－區(qū)域；3.在硅片上生長(zhǎng)氧化層淀積氮化硅，經(jīng)光刻構(gòu)圖形成場(chǎng)區(qū)和P場(chǎng)區(qū)域；4.在硅片上生長(zhǎng)場(chǎng)氧化，然后依次分別腐蝕有源區(qū)上的氮氧化硅，氮化硅和二氧化層；5.形成電容區(qū)域和柵氧化層步驟，先在硅片上生長(zhǎng)預(yù)柵氧化，光刻構(gòu)圖形成結(jié)，并再生長(zhǎng)一柵氧化層；6.在硅片上淀積多晶硅，并經(jīng)光刻構(gòu)圖，形成多晶區(qū)域；7.在硅片上經(jīng)光刻構(gòu)圖，分別形成N+區(qū)域和P+區(qū)域；8.在硅片上光刻構(gòu)圖，形成接觸孔區(qū)域；9.鋁布線和鈍化膜形成步驟，用常規(guī)的方法布鋁條，生長(zhǎng)鈍化層。
文檔編號(hào)H01L21/70GK1514481SQ0216056
公開(kāi)日2004年7月21日 申請(qǐng)日期2002年12月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月31日
發(fā)明者陸曉敏, 黃海濤, 王偉國(guó), 王浩, 陳康民, 韓雁, 張宇峰, 王旭紅 申請(qǐng)人:上海貝嶺股份有限公司