專利名稱：ZnO基發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
ZnO是一種理想的短波長發(fā)光器件材料，目前，ZnO基的發(fā)光二極管(LED)，如p-SrCu2O2/n-ZnO結(jié)構(gòu)的UVLED，依次由勢(shì)壘層、p-SrCu2O2薄膜層、n-ZnO、金屬電極層沉積而成，是個(gè)簡單的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，發(fā)光波長不可調(diào)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種發(fā)光層能帶可調(diào)、具有多層量子異質(zhì)結(jié)構(gòu)的、發(fā)光波長可調(diào)的ZnO基發(fā)光二極管。
發(fā)明的ZnO基發(fā)光二極管在襯底上自下而上依次由第一電極層、n-ZnO薄膜層、CdxZn1-xO基層、p-ZnO薄膜層、第二電極層沉積而成。
本發(fā)明中，襯底可以采用玻璃、藍(lán)寶石、硅、氮化鎵和氧化鋅。第一電極層可以是摻鋁的氧化鋅導(dǎo)電薄膜或金屬薄膜。第二電極層是鋁或金。
ZnO基發(fā)光二極管的優(yōu)點(diǎn)是1)利用Cd摻雜對(duì)發(fā)光層禁帶的調(diào)節(jié)作用，可以得到2.8～3.3eV的可調(diào)帶隙，制得紫外光、紫光、綠光、藍(lán)光等多種發(fā)光器件。
2)ZnO基異質(zhì)結(jié)構(gòu)，界面晶格匹配性好，有利于提高器件的性能。


附圖是本發(fā)明ZnO基發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的ZnO基發(fā)光二極管是利用通常的激光脈沖沉積方法，在襯底6上自下而上依次沉積第一電極層1、n-ZnO薄膜層2、CdxZn1-xO基層3、p-ZnO薄膜層4、第二電極層5構(gòu)成。(見圖1)。其中，CdxZn1-xO基層中的X值在0～1間可調(diào)，通過調(diào)節(jié)X值，改變發(fā)光波段，可得到發(fā)射紫外光、紫光、綠光或藍(lán)光的發(fā)光二極管。
權(quán)利要求
1.ZnO基發(fā)光二極管，其特征是在襯底(6)上自下而上依次由第一電極層(1)、n-ZnO薄膜層(2)、CdxZn1-xO基層(3)、p-ZnO薄膜層(4)、第二電極層(5)沉積而成。
2.按權(quán)利要求1所述的ZnO基發(fā)光二極管，其特征是所說的CdxZn1-xO中的X值為0～1。
3.按權(quán)利要求1或2所述的ZnO基發(fā)光二極管，其特征是它發(fā)射紫外光、紫光、綠光或藍(lán)光。
4.按權(quán)利要求1或2所述的ZnO基發(fā)光二極管，其特征是所說的襯底是玻璃、藍(lán)寶石、硅、氮化鎵和氧化鋅。
5.按權(quán)利要求1或2所述的ZnO基發(fā)光二極管，其特征是所說的第一電極層為摻鋁的氧化鋅導(dǎo)電薄膜或金屬薄膜。
6.按權(quán)利要求1或2所述的ZnO基發(fā)光二極管，其特征是所說的第二電極層是鋁或金。
全文摘要
本發(fā)明的ZnO基發(fā)光二極管在襯底上自下而上依次由第一電極層、n－ZnO薄膜層、CdxZn
文檔編號(hào)H01L33/00GK1399357SQ0213664
公開日2003年2月26日 申請(qǐng)日期2002年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月20日
發(fā)明者葉志鎮(zhèn), 黃靖云, 馬德偉, 趙炳輝 申請(qǐng)人:浙江大學(xué)