專利名稱：電子部件形成裝置和利用其形成的電子部件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及向被賦予到造形對象物上的導(dǎo)電性感光性樹脂照射光，特 地形成突起狀電極或布線圖案的電子部件形成裝置、和利用該電子部件形 成裝置形成的電子部件及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來， 一直在研究以簡單的工藝來制造安裝半導(dǎo)體元件的安裝基板的方法。作為該方法之一，在特開平10—112474號公報(bào)(以下稱為"專 利文獻(xiàn)l")中公開了使用光造形法，形成電絕緣層和布線層的例子。而 且，專利文獻(xiàn)1公開的布線基板的制造方法如下所述。首先，使用絕緣性液狀樹脂作為光固化樹脂，通過光造形法形成電絕 緣層。接著，使用導(dǎo)電性液狀樹脂作為光固化樹脂，通過光造形法向?qū)щ?性液狀樹脂照射光，使成為布線圖案的部位光固化。然后，除去光固化部 位以外的導(dǎo)電性液狀樹脂，形成成為布線層的布線圖案。另外，作為用于電連接電子部件的突起電極的形成方法，特開2007 一25061S號公報(bào)(以下稱為"專利文獻(xiàn)2")中公開了一種使用光造形法， 形成含有感光性樹脂和導(dǎo)電性填料的導(dǎo)電性樹脂的方法。下面，利用圖7A 圖7C，對專利文獻(xiàn)2公開的突起電極的形成方法 進(jìn)行簡單說明。圖7A是表示基于縮小投影曝光方式的電子部件形成裝置的構(gòu)成的概 略圖，圖7B是表示圖7A中使用的光致掩模的概略形狀的俯視圖，圖7C 是表示圖7B的光致掩模的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的俯視圖。此時(shí)，在電子部件是半導(dǎo) 體元件的情況下，能夠以在硅基板上形成有多個(gè)半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片 的狀態(tài)，形成突起電極。 '首先，如圖7A所示，在容器12中盛滿液狀的導(dǎo)電性感光性樹脂2， 并浸漬與形成有多個(gè)半導(dǎo)體元件的造形對象物1相當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體晶片。而且，在容器12的上方設(shè)置有光源3、照明光學(xué)系統(tǒng)9、作為光致掩模而使用的液晶掩模7和縮小投影光學(xué)系統(tǒng)10。并且，通過利用控制裝置6控制液晶 掩模7的開口部，能夠在比較寬廣的范圍內(nèi)設(shè)定突起電極與布線圖案的形 狀。接著，在上述構(gòu)成中，從光源3放射出的照射光11通過照明光學(xué)系 統(tǒng)9，透過液晶掩模7。此時(shí)，液晶掩模7上形成的圖案被縮小投影光學(xué) 系統(tǒng)10縮小，投影到作為造形對象物1的半導(dǎo)體晶片上。然后，如圖7A所示，在例如相當(dāng)于4個(gè)半導(dǎo)體元件的區(qū)域14內(nèi)，使 被照射光11照射的區(qū)域的液狀導(dǎo)電性感光性樹脂2固化。另外，圖7B中 表示了在成為光致掩模的液晶掩模7上形成的圖案的一個(gè)例子。這里，表 示了用于一次在4個(gè)半導(dǎo)體元件上形成突起電極的掩模圖案。而且，在相 當(dāng)于一個(gè)半導(dǎo)體元件的掩模區(qū)域7a中，設(shè)置有多個(gè)用于形成突起電極的 開口部15。此時(shí)，開口部15例如與設(shè)置在半導(dǎo)體元件的外周區(qū)域的電極 端子對應(yīng)設(shè)置，借助開口部15在電極端子上形成突起電極。在使用了上述構(gòu)成的光致掩模的情況下， 一邊按四個(gè)半導(dǎo)體元件行 進(jìn)， 一邊統(tǒng)一進(jìn)行曝光，使各個(gè)區(qū)域的液狀導(dǎo)電性感光性樹脂固化。由此， 在半導(dǎo)體晶片的整個(gè)面形成突起電極。下面利用圖7，對作為光致掩模的液晶掩模7進(jìn)行簡單說明。圖7C是將作為光致掩模而使用的液晶掩模7的一部分進(jìn)行了放大的 局部放大俯視圖。其中，為了簡化說明，作為液晶掩模7，舉例說明以36 個(gè)液晶單元16，構(gòu)成了用于形成突起電極的一個(gè)開口部15的情況。如圖7C所示，將由36個(gè)液晶單元16形成的一個(gè)開口部15例如同 7B所示那樣進(jìn)行排列，經(jīng)由開口部15照射照射光11。由此，與開口部15的位置對應(yīng)的半導(dǎo)體晶片上的導(dǎo)電性感光性樹脂2 基于照射光11的照射而固化，在區(qū)域14上形成突起電極。然后，向接下 來的4個(gè)半導(dǎo)體元件移動，進(jìn)行與上述同樣的曝光。通過反復(fù)進(jìn)行上述移 動，在作為造形對象物1的半導(dǎo)體晶片的整個(gè)面，突起電極形成在各個(gè)電 極端子上。此時(shí)，在想要進(jìn)一步提高突起電極的高度的情況下，在形成上述突起 電極作為第一層之后，使作為造形對象物1的半導(dǎo)體晶片向液狀的導(dǎo)電性感光性樹脂2中沉降成為第二層的厚度的規(guī)定間隔。在該狀態(tài)下，與上述 同樣地依次進(jìn)行曝光，形成第二層。另外，在將突起電極設(shè)為前端細(xì)的形 狀的情況下，驅(qū)動液晶單元16，作成形狀比第一層的開口部15的形狀小的開口部進(jìn)行曝光。例如，在使用36個(gè)液晶單元16作為第一層的開口部 的情況下，通過使用16個(gè)液晶單元16作為第二層的開口部進(jìn)行曝光，可 以形成角錐臺形狀的突起電極。另外，作為使用液晶掩模形成三維構(gòu)造物的方法，在特開2001 — 252986號公報(bào)(下面稱為"專利文獻(xiàn)3")中公開了一種使用光造形法， 以非層疊的方式一體形成三維構(gòu)造物的例子。專利文獻(xiàn)3中著眼于感光性 樹脂與曝光深度成比例固化，公開了一種通過預(yù)先利用液晶掩模調(diào)整照射 光的透過率，來抑制深度方向的形狀變化的方法。而且，作為形成電子部件的方法中的將面內(nèi)的造形物的尺寸保持均勻 的方法，特開平10 — 32160號公報(bào)(以下稱為"專利文獻(xiàn)4")中公開了 一種對所形成的造形物的尺寸進(jìn)行測定，來修正照射光的方法。具體方法 如下所述。首先，為了檢測恰當(dāng)?shù)钠毓饬?，利用SEM觀察作為所形成的造形物 的圖案。接著，通過設(shè)置在造形對象物上的CCD測定各區(qū)域中的曝光量。 然后，通過根據(jù)測定出的信息調(diào)整照射光的光量，來確保造形物的尺寸的 均勻性。由于上述基于曝光的圖案形成和光造形技術(shù)，通?？梢愿鶕?jù)設(shè)計(jì)數(shù)據(jù) 比較簡易地形成成為其具體化模型的造形物，所以，以往至今總是在制造 各種制品的情況下使用。但是，在利用上述技術(shù)制造電子部件的情況下， 由于造形物整體的尺寸最大為幾百Pm左右，所以，需要與造形物的小型 化對應(yīng)。而且，在造形物的構(gòu)成部分中，要求以至少更小一個(gè)等級程度的 尺寸進(jìn)行造形。為了實(shí)現(xiàn)上述要求，需要實(shí)現(xiàn)幾wm以下，更優(yōu)選為亞微米程度以下 的造形精度。該情況下，曝光時(shí)的平面分辨率成為左右造形精度的原因之 一。但是，平面分辨率依賴于感光性樹脂是否如設(shè)計(jì)值那樣吸收曝光光量， 在規(guī)定的區(qū)域是否引起基于化學(xué)反應(yīng)的光固化。因此，總是需要對成為曝 光對象的感光性樹脂賦予恰當(dāng)量的光能。但是，尤其在電子部件的形成中，為了確保電導(dǎo)通，大多在導(dǎo)電體的 金屬面上賦予感光樹脂，通過曝光，例如形成突起狀電極或布線圖案等。 此時(shí)，除了照射光之外，由電子部件的例如金屬表面反射的反射光也會參 與感光性樹脂的化學(xué)反應(yīng)。因此，存在著即使根據(jù)造形物的設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)照射 規(guī)定光量的照射光，也無法形成所希望的形狀的造形物的問題。鑒于此，專利文獻(xiàn)3中公開了一種通過利用液晶掩模預(yù)先調(diào)整照射光 的透過率，來抑制深度方向的形狀變化的方法。但是，在該情況下，也沒 有考慮由來自造形對象物的反射光造成感光性樹脂的光固化。因此，尤其 在以規(guī)定的形狀向由反射率大的金屬構(gòu)成的電極端子上形成造形物的情 況下，難以確保如設(shè)計(jì)那樣的形狀尺寸。另外，專利文獻(xiàn)4中公開了一種對所形成的造形物的尺寸進(jìn)行測定， 來修正照射光的方法。但在該方法中，為了決定恰當(dāng)?shù)钠毓饬?，必須一?形成造形物，來求取修正量。而且，由于將該修正量應(yīng)用于之后生產(chǎn)的造 形物，所以生產(chǎn)率低下。并且，在進(jìn)行了測定的造形對象物、和根據(jù)修正 后的曝光量形成造形物的造形對象物的表面的狀態(tài)不同的情況下，修正量 偏差，存在不能生產(chǎn)率良好地形成均勻的造形物的課題。而且，還公開了一種通過設(shè)置在造形對象物的上方的CCD，對各區(qū)域 中的曝光量進(jìn)行測定，根據(jù)該信息調(diào)整照射光的光量，使形狀尺寸均勻的 方法。但是，上述方法僅對照射光的測定有效，針對反射光沒有考慮。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及一種形成電子部件的電子部件形成裝置，具備照射機(jī)構(gòu)， 其向被賦予在造形對象物上的導(dǎo)電性感光性樹脂進(jìn)行照射光的照射；檢測 機(jī)構(gòu)，其檢測從造形對象物反射的反射光；和控制機(jī)構(gòu)，其根據(jù)檢測機(jī)構(gòu) 的檢測量對所照射的照射光進(jìn)行控制。根據(jù)該構(gòu)成，可實(shí)現(xiàn)能夠高生產(chǎn)率制作形狀精度優(yōu)異的造形物的電子 部件形成裝置。而且，本發(fā)明的電子部件使用本發(fā)明的電子部件形成裝置形成。由此， 可容易地實(shí)現(xiàn)形成有形狀精度優(yōu)異的突起狀電極與布線圖案的電子部件。 并且，本發(fā)明的電子部件的制造方法是使用了本發(fā)明的電子部件形成裝置的電子部件的制造方法，至少包括借助照射機(jī)構(gòu)向造形對象物照射 照射光，并利用檢測機(jī)構(gòu)對從造形對象物反射的反射光進(jìn)行檢測的步驟； 對反射光的光量進(jìn)行運(yùn)算處理，生成與造形對象物的表面狀態(tài)對應(yīng)的照射 光的光量的修正數(shù)據(jù)的步驟；將導(dǎo)電性感光性樹脂賦予到造形對象物上的 步驟；根據(jù)修正數(shù)據(jù)調(diào)整照射光的光量，將其向造形對象物上的導(dǎo)電性感 光性樹脂照射，形成規(guī)定形狀的造形物的步驟；和除去未曝光的導(dǎo)電性感 光性樹脂的步驟。根據(jù)該方法，可容易地制作具有形狀精度出色的突起狀電極與布線圖 案等規(guī)定形狀的造形物的電子部件。


圖1A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的電子部件形成裝置的整體構(gòu)成 的概略圖。圖1B是表示圖1A中使用的光致掩模的概略形狀的俯視圖。圖1C是表示圖1B的光致掩模的詳細(xì)情況的局部放大俯視圖。圖2是對使用本發(fā)明的實(shí)施方式1的電子部件形成裝置制作的電子部件的制造方法進(jìn)行說明的流程圖。圖3是使用本發(fā)明的實(shí)施方式1的電子部件形成裝置制作的電子部件的立體圖。圖4A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2中的電子部件形成裝置的整體構(gòu)成 的概略圖。圖4B是表示圖4A中使用的光致掩模的概略形狀的俯視圖。圖4C是表示圖4B的光致掩模的詳細(xì)情況的局部放大俯視圖。圖5是對本發(fā)明的實(shí)施方式2的電子部件形成裝置中的半導(dǎo)體晶片的表面狀態(tài)與反射光的關(guān)系進(jìn)行說明的剖面圖。圖6是對使用本發(fā)明的實(shí)施方式2的電子部件形成裝置制作的電子部件的制造方法進(jìn)行說明的流程圖。圖7A是表示基于縮小投影曝光方式的電子部件形成裝置的構(gòu)成的概略圖。圖7B是表示圖7A中使用的光致掩模的概略形狀的俯視圖。圖7C是表示圖7B的光致掩模的詳細(xì)情況的俯視圖。
具體實(shí)施方式
下面，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。其中，在以下的實(shí)施 方式及各附圖中，對相同的構(gòu)成要素賦予相同的符號進(jìn)行說明。 (實(shí)施方式1)下面，利用圖1A 圖1C，對本發(fā)明的實(shí)施方式1中的電子部件形成 裝置進(jìn)行說明。圖1A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式1中的電子部件形成裝置的整體構(gòu)成 的概略圖，圖1B是表示圖1A中使用的光致掩模的概略形狀的俯視圖， 圖1C是表示圖1B的光致掩模的詳細(xì)情況的局部放大俯視圖。這里，本實(shí) 施方式的電子部件形成裝置100是根據(jù)形狀數(shù)據(jù)，對以規(guī)定的厚度賦予到 造形對象物的導(dǎo)電性感光性樹脂進(jìn)行曝光，形成造形物的裝置。此時(shí)，除 了平面圖案之外，通過反復(fù)進(jìn)行基于曝光的圖案形成、和導(dǎo)電性感光性樹 脂向造形對象物的層疊的層疊造形法，可以形成三維構(gòu)造物。其中，造形 對象物例如是半導(dǎo)體元件、半導(dǎo)體晶片或電路基板等，造形物是突起狀電 極(突起)或布線圖案等。下面，舉例說明以半導(dǎo)體晶片作為造形對象物、以突起狀電極作為造 形物的情況。如圖1A所示，本實(shí)施方式的電子部件形成裝置100至少由激光器等 光源3、照明光學(xué)系統(tǒng)9、縮小投影光學(xué)系統(tǒng)IO、光束分裂器8、 CCD等 檢測器5、填充了導(dǎo)電性感光性樹脂2的容器12、控制裝置6、液晶掩模 7及造形對象物1構(gòu)成。而且，在初始階段，使造形對象物1 (以下稱為 "半導(dǎo)體晶片1")的例如形成突起狀電極等造形物的面，從導(dǎo)電性感光 性樹脂2露出，配置到容器12內(nèi)。其中，圖1A 圖1C概略地表示了各 部的構(gòu)成，各構(gòu)成要素的大小關(guān)系與位置關(guān)系等和實(shí)際不同。如圖1A所示，從光源3放射出的照射光11被照明光學(xué)系統(tǒng)9導(dǎo)向， 通過形成了與規(guī)定的圖案形狀相當(dāng)?shù)拈_口部的液晶掩模7的開口部，被規(guī) 定的透鏡組(未圖示)調(diào)整，而入射到縮小投影光學(xué)系統(tǒng)10。然后，通過 由規(guī)定的透鏡組和反射鏡組(未圖示)構(gòu)成的縮小投影光學(xué)系統(tǒng)10，將由9液晶掩模7的開口部形成的圖案會聚到半導(dǎo)體晶片1的規(guī)定區(qū)域，對該半 導(dǎo)體晶片1照射照射光11。由此，以規(guī)定的高度(厚度)賦予到半導(dǎo)體晶 片1上的導(dǎo)電性感光性樹脂2，被曝光成規(guī)定的圖案形狀。本實(shí)施方式中，在上述構(gòu)成的電子部件形成裝置ioo中，通過以下所示的方法，檢測預(yù)先在半導(dǎo)體晶片1上不存在導(dǎo)電性感光性樹脂2的狀態(tài) 下，來自形成突起狀電極的區(qū)域的反射光4。首先，如圖1A所示，通過設(shè)置在照射光11的光路上的光束分裂器8 將來自半導(dǎo)體晶片1的反射光4分支，使其入射到檢測器5中。接著，對應(yīng)入射到檢測器5中的反射光4的光強(qiáng)度與分布，由檢測器 5將其變換為電數(shù)據(jù)，并輸入到控制裝置6。然后，被輸入的數(shù)據(jù)由控制 裝置6根據(jù)規(guī)定的程序的運(yùn)算，生成修正數(shù)據(jù)。然后，根據(jù)修正數(shù)據(jù)控制圖1C所示的液晶掩模7的液晶單元16，對 開口部15的形狀或透過率進(jìn)行調(diào)整。例如，按照在反射光強(qiáng)度強(qiáng)的區(qū)域 中減小開口部的形狀，或根據(jù)透過率減少透過光量的方式進(jìn)行控制。另一 方面，按照在反射光強(qiáng)度弱的區(qū)域中增大開口部的形狀，或根據(jù)透過率增 加透過光量的方式進(jìn)行控制。由此，可以使對導(dǎo)電性感光性樹脂2進(jìn)行曝光的入射到半導(dǎo)體晶片1 中的照射光11的分布與強(qiáng)度均勻。另外，在本實(shí)施方式中，作為光源3舉例說明了激光器，但不限于此。 例如，只要是燈或LED等使導(dǎo)電性感光性樹脂化學(xué)反應(yīng)而固化的、能夠 放射UV光、可見光或紅外光等的波長的光的器件即可。而且，在本實(shí)施方式中，舉例說明了能夠以與液晶單元對應(yīng)的像素?cái)?shù) 所對應(yīng)的分辨率進(jìn)行曝光的液晶掩模，但不限于此。例如，只要是能夠進(jìn) 行后述光的分布控制的部件即可，可以是玻璃掩模、薄膜掩模的切換或伴 隨著機(jī)械動作的快門(shutter)等方式。并且，在本實(shí)施方式中，作為檢測器舉例說明了CCD，但不限于此， 只要是相對照射光的波長的光具有足夠的靈敏度，且平面分辨率高的器 件，能夠使用任意的檢測器。例如，可采用CMOS、光電晶體管、光電二 極管、光電子增倍管、熱電檢測器等。此時(shí)，可根據(jù)形成于半導(dǎo)體晶片1 的圖案的尺寸與精度，根據(jù)需要在檢測器5之前具備放大光學(xué)系統(tǒng)，來提高檢測分辨率。另外，在本實(shí)施方式中，為了從鉛垂方向照射照射光ll，使圖案形成 的尺寸精度提高，舉例說明了將用于分支反射光4的光束分裂器8設(shè)置在 照射光11的光路上的情況，但不限于此。例如只要能夠相對半導(dǎo)體晶片1 以足夠的角度從斜方向照射照射光ll，則可不設(shè)置光束分裂器8，而直接通過檢測器5檢測反射光4。由此，可實(shí)現(xiàn)裝置的簡化。而且，在本實(shí)施方式中，舉例說明了使用從檢測器輸入的電數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算，由控制裝置6控制液晶掩模7的情況，但不限于此。例如，也可以 通過控制裝置6統(tǒng)一控制電子部件形成裝置的各部的動作。另外，也可以 使用通用的個(gè)人計(jì)算機(jī)作為控制裝置6。由此，可以根據(jù)規(guī)定的控制程序， 對保持液晶掩模7與半導(dǎo)體晶片等造形對象物的臺架等各部的動作進(jìn)行控根據(jù)本實(shí)施方式的電子部件形成裝置，可以預(yù)先檢測出造形對象物的 反射光，對照射光進(jìn)行控制，從而使入射到曝光區(qū)域的導(dǎo)電性感光性樹脂 的照射光的強(qiáng)度與分布均勻化。由此，可以實(shí)現(xiàn)在不依賴于造形對象物的 表面狀態(tài)的情況下，例如能以均勻的形狀高精度地形成突起狀電極與布線 圖案等造形物的電子部件形成裝置。結(jié)果，可以利用該電子部件形成裝置， 制造具有均勻形狀的突起狀電極和布線圖案的電子部件。下面，利用圖2并參照圖1A 圖1C，對使用本發(fā)明的實(shí)施方式1的 電子部件形成裝置制造的電子部件的制造方法進(jìn)行說明。其中，由于使用 縮小投影曝光方式形成具備突起狀電極的電子部件的方法，與圖7A 圖 7C中已說明的方法相同，所以省略詳細(xì)的說明。因此，下面將焦點(diǎn)聚集 到本發(fā)明的考慮反射光來控制照射光的方法，對電子部件的制造方法進(jìn)行 說明。圖2是針對利用本發(fā)明實(shí)施方式1的電子部件形成裝置制造的電子部 件的制造方法進(jìn)行說明的流程圖。首先，如圖1A所示，向半導(dǎo)體晶片1的進(jìn)行曝光的規(guī)定區(qū)域上照射 照射光ll (步驟SOl)。此時(shí)，將半導(dǎo)體晶片1的上面保持在不進(jìn)入導(dǎo)電 性感光性樹脂2的位置，以使導(dǎo)電性感光性樹脂2不會因照射光11發(fā)生 化學(xué)反應(yīng)而光固化。而且，在進(jìn)行照射光的照射之前，對曝光圖案與半導(dǎo)ii體晶片1的位置關(guān)系進(jìn)行確認(rèn)，在不發(fā)生錯位的情況下進(jìn)行對位。其中，從半導(dǎo)體晶片1直接返回來的反射光4，與經(jīng)由導(dǎo)電性感光性 樹脂的情況相比，光強(qiáng)度較強(qiáng)。因此，優(yōu)選根據(jù)需要，按照不超過檢測一器5的測定范圍的方式將光源3的輸出設(shè)定得較低，或調(diào)節(jié)液晶掩模7的透過率，降低到達(dá)半導(dǎo)體晶片1的照射光11的光量。此時(shí)，作為為了檢測 反射光而照射到半導(dǎo)體晶片1上的光的圖案，依賴于后述的運(yùn)算方式，可 以是在面內(nèi)等間隔配置的均勻圖案、所要形成的圖形圖案或向表面的均勻 照射等。接著，由光束分裂器8將來自半導(dǎo)體晶片1的反射光4分支，通過使 用了 CCD等的檢測器5進(jìn)行檢測(步驟S02)。另外，在如上所述那樣 能夠以相對半導(dǎo)體晶片1足夠的角度從斜方向入射照射光11的情況下， 可以不借助光束分裂器8，而使反射光4直接入射到檢測器5中，進(jìn)行檢接著，將由檢測器5檢測到的反射光4所對應(yīng)的電數(shù)據(jù)發(fā)送給液晶掩 模7的控制裝置6，并根據(jù)規(guī)定的程序進(jìn)行運(yùn)算處理，生成修正數(shù)據(jù)(步 驟S03)。此時(shí)，作為運(yùn)算處理，例如可通過相對于由液晶掩模7規(guī)定的 形狀計(jì)算差值，并施加修正的方法等來進(jìn)行。接著，根據(jù)得到的修正數(shù)據(jù)對圖1C所示的液晶掩模7的液晶單元16 進(jìn)行控制，來控制開口部15的形狀或透過率(步驟S04)。此時(shí)，優(yōu)選根 據(jù)需要，反復(fù)進(jìn)行步驟S01到步驟S04，直到由反射光4得到的修正數(shù)據(jù)收斂到所希望的范圍。接著，在根據(jù)反射光4生成了修正數(shù)據(jù)之后，使設(shè)置在臺架(未圖示) 上的半導(dǎo)體晶片1下降規(guī)定的距離，將其浸漬到容器12中的導(dǎo)電性感光 性樹脂2中，在曝光表面上賦予規(guī)定厚度的導(dǎo)電性感光性樹脂2 (步驟 S05)。此時(shí)，可以使用例如由Ag等金屬粉末構(gòu)成的導(dǎo)電填料和由感光性 丙烯酸樹脂等感光性樹脂構(gòu)成的導(dǎo)電性感光性樹脂。具體而言，可使用例 如由感光/熱可塑性丙烯酸低聚物、丙烯酸單體、引發(fā)劑、耦合劑、密封性 賦予劑、反應(yīng)性稀釋劑、溶劑等構(gòu)成的感光性樹脂，和由50wtX以上小于 95wt^的3 u m的球狀A(yù)g粒子構(gòu)成的導(dǎo)電填料構(gòu)成的導(dǎo)電性感光性樹脂。另夕卜，作為將導(dǎo)電性感光性樹脂2賦予到半導(dǎo)體晶片l上的方法，除了浸漬方式之外，還可以采用例如印刷方式、旋涂、浸涂或噴涂方式、打 撈方式等。而且，除了液狀的導(dǎo)電性感光性樹脂之外，還可以通過在半導(dǎo)體晶片l上粘貼干膜(dry film)實(shí)現(xiàn)賦予。接著，經(jīng)由在步驟S04中根據(jù)修正數(shù)據(jù)對液晶掩模的開口部的形狀或 透過率進(jìn)行了調(diào)整的開口部，向被賦予了導(dǎo)電性感光性樹脂2的半導(dǎo)體晶 片1照射來自光源3的照射光11 (步驟S06)。由此，導(dǎo)電性感光性樹脂 2被曝光而固化，在半導(dǎo)體晶片1的規(guī)定的區(qū)域，例如形成突起狀電極或 布線圖案等規(guī)定形狀的造形物。接著，從容器12中取出半導(dǎo)體晶片1，對未被感光的導(dǎo)電性感光性樹 脂進(jìn)行洗滌將其除去(步驟S07)。此時(shí)，作為洗滌方法，可以通過基于 藥液的濕洗滌、灰化(ashing)、等離子洗滌等干蝕刻方式來進(jìn)行。另外， 在采用濕洗滌的情況下，如果并用超聲波，則可以提高洗滌效果，所以優(yōu) 選。接著，例如通過40。C、 1小時(shí)左右的烘焙處理進(jìn)行干燥(步驟S08)。 另外，作為干燥方法還可以通過鼓風(fēng)、鼓氮?dú)鈦磉M(jìn)行。接著，通過利用例如切割設(shè)備進(jìn)行切斷，從半導(dǎo)體晶片1上逐個(gè)分離 半導(dǎo)體芯片。由此，如圖3所示，制成了半導(dǎo)體芯片24等電子部件20，其形成了 例如規(guī)定均勻形狀的突起狀電極22等具有規(guī)定形狀的造形物。另外，在本實(shí)施方式中，舉例說明了由一層構(gòu)成的突起狀電極的情況， 但不限定于此。也可以根據(jù)需要，反復(fù)進(jìn)行歩驟S01 步驟S06，形成層 疊構(gòu)造的突起狀電極。此時(shí)，對于第二層以后的層而言，因其下面的層的 例如表面的凹凸等，導(dǎo)致反射光大幅變化。因此，在形成各層時(shí)，使用本 實(shí)施方式的反射光來修正照射光的光強(qiáng)度與分布的方法，在層疊形成均勻 形狀的突起狀電極等規(guī)定形狀的造形物的情況下，發(fā)揮特別大的效果。另外，在本實(shí)施方式中，作為導(dǎo)電性感光性樹脂的導(dǎo)電填料，舉例說 明了Ag的情況，但不限于此。例如可以使用Au、 Pt、 M、 Cu、 Pd、 Mo、 W 等平均粒徑為0. lym 10tim左右的金屬微粒。這些金屬微?？梢詥为?dú)使 用，也可以將兩種以上混合使用，還可以將由含有上述元素的合金構(gòu)成的 合金粉作為導(dǎo)電填料進(jìn)行使用。而且，作為導(dǎo)電填料的形狀，可以是塊狀、13鱗片狀、微結(jié)晶狀、球狀、粒狀、片狀等各種形狀，也可以是不定形狀。 其中，優(yōu)選導(dǎo)電填料的形狀為球狀或粒狀。其原因在于，曝光時(shí)的透光性良好、曝光效率出色。并且，作為導(dǎo)電填料，可以使用從Sn—Ag—In系 合金、Sn — Pb系合金、Sn—Ag系合金、Sn—Ag—Bi系合金、Sn—Ag—Bi 一Cu系合金、Sn—Ag — In—Bi系合金、Zn — In系合金、Ag—Sn—Cu系合 金、Sn —Zn—Bi系合金、In — Sn系合金、In—Bi—Sn系合金及Sn—Bi 系合金選擇的至少一種含有焊錫合金的填料。由此，由于導(dǎo)電填料是具有 低熔點(diǎn)的焊料合金粒子，所以，在借助形成于電子部件的突起狀電極與其 他的電子部件連接的情況下，例如因加熱溫度引起的感光性樹脂的劣化 少。而且，可以使至少一部分的焊錫合金粒子相互熔融連接，并且由于安 裝基板的電極端子中的原子擴(kuò)散到焊錫中，所以，可減小連接電阻。另外，在本實(shí)施方式中，作為導(dǎo)電性感光性樹脂的感光性樹脂，舉例 說明了感光性丙烯酸系樹脂的情況，但不限于此。例如也可以使用含有感 光性環(huán)氧系樹脂、感光性聚酰亞胺系樹脂及硫醇-烯(thiol-ene)系樹脂 中的一種的感光性樹脂。根據(jù)本實(shí)施方式，可以在實(shí)際制造電子部件之前，考慮依賴于造形對 象物的表面狀態(tài)而變化的反射光的影響，修正照射光的光強(qiáng)度與分布。由 此，能使入射到造形對象物上的導(dǎo)電性感光性樹脂的照射光的光量均勻 化，形成規(guī)定形狀的造形物。結(jié)果，例如即使在造形對象物上混合存在反 射率高的電極和反射率低的電極等，也可以通過基于修正數(shù)據(jù)的照射光， 高精度均勻地形成如設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)那樣的例如突起狀電極等為幾百U m以下的 造形物。(實(shí)施方式2)下面，利用圖4A 圖4C，對本發(fā)明的實(shí)施方式2中的電子部件形成 裝置進(jìn)行說明。其中，有時(shí)針對與實(shí)施方式l相同的構(gòu)成要素賦予相同的 符號，并省略說明。圖4A是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2中的電子部件形成裝置的整體構(gòu)成 的概略圖，圖4B是表示圖4A中使用的光致掩模的概略形狀的俯視圖，圖 4C是表示圖4B的光致掩模的詳細(xì)情況的局部放大俯視圖。而且，本實(shí)施方式的電子部件形成裝置200在照射光11的光路上，至少在光源3A與光束分裂器8之間設(shè)置有光學(xué)濾波器13。并且，光源3A使用至少放射雙波長光的例如鹵素?zé)舻冗@一點(diǎn)，與實(shí)施方式1不同。另外， 其他的構(gòu)成要素或材質(zhì)等可以使用與實(shí)施方式1同樣的要素或材質(zhì)。下面，與實(shí)施方式1同樣，以半導(dǎo)體晶片作為造形對象物，以突起狀 電極作為造形物進(jìn)行舉例說明。如圖4A所示，本實(shí)施方式的電子部件形成裝置200至少由鹵素?zé)舻?光源3A、照明光學(xué)系統(tǒng)9、縮小投影光學(xué)系統(tǒng)10、光學(xué)濾波器13、光束 分裂器8、 CCD等檢測器5、填充了導(dǎo)電性感光性樹脂2的容器12、控制 裝置6、液晶掩模7及造形對象物1構(gòu)成。此時(shí)，在造形對象物1 (以下 記做"半導(dǎo)體晶片l")的例如形成突起狀電極等造形物的面上，以賦予規(guī) 定厚度(深度)的導(dǎo)電性感光性樹脂2的狀態(tài)配置在容器12內(nèi)。另外， 圖4A 圖4C與實(shí)施方式1同樣，概略地表示了各部的構(gòu)成，各構(gòu)成要素 的大小關(guān)系與位置關(guān)系和實(shí)際不同。此時(shí)，作為光源3A，例如可以使用鹵素?zé)舻戎辽匐p波長的光。g卩，光 源3A至少具有使導(dǎo)電性感光性樹脂發(fā)生化學(xué)反應(yīng)來讓其光固化的波長的 光、和其以外的波長的光。具體而言，在采用感光性丙烯酸系樹脂作為導(dǎo) 電性感光性樹脂的感光性樹脂時(shí)，至少具備500nm以下的使其光固化的 波長的光、和除此之外的不使其光固化的波長的光。下面，針對本發(fā)明的實(shí)施方式2的電子部件形成裝置200的構(gòu)成和修 正方法進(jìn)行說明。首先，如圖4A 圖4C所示，使從光源3A放射出的照射光11經(jīng)由照 明光學(xué)系統(tǒng)9、液晶掩模7的開口部15、縮小投影光學(xué)系統(tǒng)10、光學(xué)濾波 器13，入射到被浸漬在導(dǎo)電性感光性樹脂2中的半導(dǎo)體晶片1。然后，利 用縮小投影光學(xué)系統(tǒng)10，將由液晶掩模7的開口部15形成的圖案會聚照 射到半導(dǎo)體晶片1的規(guī)定區(qū)域。此時(shí)，首先利用光學(xué)濾波器13來濾掉使導(dǎo)電性感光性樹脂2的感光 性樹脂光固化的波長的光，只透過不使其光固化的波長的光。由此，只有 從光源3A放射出的不使導(dǎo)電性感光性樹脂2光固化的波長的照射光11被 照射到半導(dǎo)體晶片l上。此時(shí)，例如在光源3A具有使感光性丙烯酸系樹 脂光固化的紫外光區(qū)域的波長、和其以上(長波長)的波長的光的情況下，作為光學(xué)濾波器13，可以使用將紫外光區(qū)域的光除去的高通濾波器。接著，如圖4A所示，利用設(shè)置在照射光11的光路上的光束分裂器8，對通過了光學(xué)濾波器13的不使導(dǎo)電性感光性樹脂2光固化的波長的照射 光11從半導(dǎo)體晶片1反射的反射光4進(jìn)行分支，使其入射到檢測器5中。接著，對應(yīng)入射到檢測器5的反射光4的光強(qiáng)度與分布，在檢測器5 中變換為電數(shù)據(jù)，并輸入到控制裝置6。然后，由控制裝置6通過規(guī)定的 程序運(yùn)算，將被輸入的數(shù)據(jù)做成修正數(shù)據(jù)。此時(shí)，優(yōu)選根據(jù)需要來反復(fù)進(jìn) 行處理，直到使根據(jù)反射光4得到的數(shù)據(jù)收斂于所希望的范圍。然后，根據(jù)修正數(shù)據(jù)控制圖4C所示的液晶掩模7的液晶單元16，對 開口部15的形狀或透過率進(jìn)行調(diào)整。例如，在反射光的強(qiáng)度強(qiáng)的區(qū)域中， 按照減小開口部的形狀、或利用透過率使透過光量減少的方式進(jìn)行控制。 另一方面，在放射光的強(qiáng)度弱的區(qū)域中，按照增大開口部的形狀、或利用 透過率使透過光量增加的方式進(jìn)行控制。由此，可使對導(dǎo)電性感光性樹脂 2進(jìn)行曝光的入射到半導(dǎo)體晶片1中的照射光11的分布與強(qiáng)度均勻。接著，在生成修正數(shù)據(jù)之后，利用未圖示的驅(qū)動系統(tǒng)使光學(xué)濾波器13 從照射光ll的光路移動。由此，從光源3A放射出的使導(dǎo)電性感光性樹脂 2的感光性樹脂光固化的波長的光，照射到被以規(guī)定的高度(厚度)賦予 到半導(dǎo)體晶片1上的導(dǎo)電性感光性樹脂2。然后，被以規(guī)定的圖案形狀曝 光，在半導(dǎo)體晶片1上形成例如突起狀電極或布線圖案等造形物。此時(shí)， 光源3A的不對光固化起作用的波長的光也同時(shí)照射到導(dǎo)電性感光性樹脂 2上，但由于不使導(dǎo)電性感光性樹脂光固化，所以不存在問題。另外，在本實(shí)施方式中，舉例說明了在縮小投影光學(xué)系統(tǒng)IO之后配 置了光學(xué)濾波器13的情況，但不限定于此。例如，如果在照射光ll到達(dá) 半導(dǎo)體晶片1上的導(dǎo)電性感光性樹脂2之前，則也可以配置在光路上的任 意位置。而且，在本實(shí)施方式中，舉例說明了光源3A使用鹵素?zé)舻那闆r，但 不限于此。例如也可以使用兩臺以上單一波長的激光器或波長不同的燈 等，其具有照射使導(dǎo)電性感光性樹脂的感光性樹脂發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而光固化 的波長的光的光源、和照射除此以外的波長的光的光源。該情況下，可以 通過光學(xué)快門或機(jī)械方法等切換機(jī)構(gòu)切換使用各個(gè)光源。另外，作為機(jī)械方法，可使用基于滑動器件的光源、光路的切換或基于機(jī)械快門的光路的 切換、基于反射鏡的光路的切換等方案。根據(jù)本實(shí)施方式，利用光學(xué)濾波器，在對造形對象物上賦予了導(dǎo)電性 感光性樹脂的狀態(tài)下檢測出反射光，對照射光進(jìn)行控制，可使曝光區(qū)域的 導(dǎo)電性感光性樹脂的照射光的光強(qiáng)度與分布均勻化。由此，可在不依賴于 造形對象物的表面狀態(tài)的情況下，實(shí)現(xiàn)能夠以均勻的形狀高精度地形成例 如突起狀電極與布線圖案等造形物的電子部件形成裝置。結(jié)果，可以使用 該電子部件形成裝置，制作具有均勻形狀的突起狀電極或布線圖案等規(guī)定 形狀的造形物的電子部件。而且，由于可以在將導(dǎo)電性感光性樹脂賦予到 半導(dǎo)體晶片上的狀態(tài)下生成修正數(shù)據(jù)，所以，提高了生產(chǎn)率。下面，利用圖5，對本發(fā)明的實(shí)施方式2中的半導(dǎo)體晶片的表面狀態(tài)與反射光的關(guān)系進(jìn)行說明。圖5是對本發(fā)明的實(shí)施方式2的電子部件形成裝置中的半導(dǎo)體晶片的 表面狀態(tài)與反射光的關(guān)系進(jìn)行說明的剖面圖。如圖5所示，從光源放射出的照射光11透過導(dǎo)電性感光性樹脂2，被半導(dǎo)體晶片1的表面反射。此時(shí)， 一般在半導(dǎo)體晶片1上例如形成有由Al或Au等材質(zhì)不同的金屬構(gòu)成的電極端子、或即使是相同的材質(zhì)但因污 染等造成表面狀態(tài)的差異而導(dǎo)致反射率不同的電極端子。因此，從這些的 表面反射的反射光4的光量分別為不同的值。例如，在混合存在由A1金 屬構(gòu)成且表面清潔的反射率高的電極17a、和同樣由Al金屬構(gòu)成但表面被 污染的反射率低的電極17b的情況下，即使以相同的圖案照射相同光量的 照射光11，來自反射率高的電極17a的反射光4a，比來自反射率低的電 極17b的反射光4b大。而且，導(dǎo)電性感光性樹脂2以照射光與反射光的 累計(jì)的光量被曝光。因此，反射光多的區(qū)域14a的導(dǎo)電性感光性樹脂2與 反射光少的區(qū)域14b的導(dǎo)電性感光性樹脂2相比，被以較多的光量曝光。 即，在反射光多的區(qū)域14a的導(dǎo)電性感光性樹脂2被以適當(dāng)?shù)墓饬科毓獾?情況下，反射光少的區(qū)域14b的導(dǎo)電性感光性樹脂2被過少地曝光。相反， 在反射光少的區(qū)域14b的導(dǎo)電性感光性樹脂2被以恰當(dāng)?shù)墓饬科毓獾那闆r 下，反射光多的區(qū)域14a的導(dǎo)電性感光性樹脂2被過剩曝光。結(jié)果，即使 向半導(dǎo)體晶片1照射相同光量的照射光，被過剩曝光的例如突起狀電極等造形物的尺寸也會增大。鑒于此，在本實(shí)施方式中，使用具有不同波長的光的光源中、透過光 學(xué)濾波器的不使導(dǎo)電性感光性樹脂感光的波長的光，預(yù)先利用檢測器5檢 測出反射光的光強(qiáng)度與光量的分布。然后，根據(jù)檢測出的信息事先進(jìn)行運(yùn) 算處理，求出差值，根據(jù)修正數(shù)據(jù)對液晶掩模的開口部的形狀或透過率進(jìn) 行控制。由此，可與半導(dǎo)體晶片的表面狀態(tài)無關(guān)地使對導(dǎo)電性感光性樹脂 進(jìn)行曝光的光量相等，從而形成均勻形狀的造形物。下面，利用圖6，并參照圖4A 圖4C，對使用本發(fā)明的實(shí)施方式2 的電子部件形成裝置制造的電子部件的制造方法進(jìn)行說明。其中，由于使 用縮小投影曝光方式形成具有突起狀電極的電子部件的方法，與圖7A 圖7C中已說明的方法相同，所以省略詳細(xì)的說明。而且，由于本實(shí)施方 式除了反射光的檢測方法與實(shí)施方式1不同之外，其他的制造方法是相同 的，所以只簡單地進(jìn)行說明。圖6是對使用本發(fā)明的實(shí)施方式2的電子部件形成裝置制作的電子部 件的制造方法進(jìn)行說明的流程圖。首先，如圖4A所示，將半導(dǎo)體晶片1保持在從填充在容器12中的導(dǎo) 電性感光性樹脂2的表面沉降到規(guī)定深度的位置。在該狀態(tài)下，將至少具 有雙波長的光的光源3A的照射光11，經(jīng)由設(shè)置在其光路上的光學(xué)濾波器 13，照射到半導(dǎo)體晶片1的進(jìn)行曝光的規(guī)定區(qū)域14上(步驟S01)。此時(shí)， 從光源3A照射出的照射光11中不使導(dǎo)電性感光性樹脂2感光的波長的 光，通過光學(xué)濾波器13，照射到半導(dǎo)體晶片l上。S卩，從光源3A照射出 的照射光11中使導(dǎo)電性感光性樹脂2感光的波長的光，被光學(xué)濾波器13 阻斷。由此，半導(dǎo)體晶片1上的導(dǎo)電性感光性樹脂2未被曝光。接著，利用光束分裂器8將來自半導(dǎo)體晶片1的不使導(dǎo)電性感光性樹 脂2感光的波長的光的反射光4分支，通過使用了 CCD等的檢測器5進(jìn) 行檢測(步驟S02)。接著，將由檢測器5檢測出的反射光4所對應(yīng)的電數(shù)據(jù)發(fā)送給液晶掩 模7的控制裝置6，根據(jù)規(guī)定的程序進(jìn)行運(yùn)算處理，生成修正數(shù)據(jù)(步驟 S03)。此時(shí)，作為運(yùn)算處理，例如通過相對于由液晶掩模7規(guī)定的形狀 計(jì)算差值，來增加修正的方法等進(jìn)行。18接著，根據(jù)得到的修正數(shù)據(jù)對圖4C所示的液晶掩模7的液晶單元16進(jìn)行控制，控制開口部15的形狀或透過率(步驟S04)。此時(shí)，優(yōu)選根據(jù) 需要反復(fù)進(jìn)行步驟S01 步驟S04的動作，直到根據(jù)反射光4得到的修正 數(shù)據(jù)收斂于所希望的范圍。由此，根據(jù)反射光4生成修正數(shù)據(jù)。接著，使光學(xué)濾波器13移動到來自光源3A的照射光11的光路外(步 驟S05)。此時(shí)，導(dǎo)電性感光性樹脂與實(shí)施方式l是同樣的。接著，經(jīng)由在步驟S04中根據(jù)修正數(shù)據(jù)對液晶掩模的開口部的形狀或 透過率進(jìn)行了調(diào)整的開口部，將來自光源3A的照射光11向被賦予了導(dǎo)電 性感光性樹脂2的半導(dǎo)體晶片1照射(步驟S06)。此時(shí)，導(dǎo)電性感光性 樹脂2通過照射光11中的對導(dǎo)電性感光性樹脂2進(jìn)行曝光的波長的光而 固化。由此，在半導(dǎo)體晶片1的規(guī)定的區(qū)域14上，形成例如突起狀電極 或布線圖案等規(guī)定形狀的造形物。接著，從容器12中取出半導(dǎo)體晶片1，對未被感光的導(dǎo)電性感光性樹 脂2進(jìn)行洗漆、將其除去(步驟S07)。此時(shí)，作為洗滌方法，可以通過 基于藥液的濕洗滌或灰化、等離子洗滌等干蝕刻方法來進(jìn)行。另外，在采 用濕洗滌的情況下，由于如果并用超聲波，則可以提高洗滌效果，所以優(yōu)接著，例如通過40。C、 1小時(shí)左右的烘焙處理進(jìn)行干燥(步驟S08)。 另外，作為干燥方法還可以通過鼓風(fēng)、鼓氮?dú)鈦磉M(jìn)行。接著，通過利用例如切割設(shè)備進(jìn)行切斷，從半導(dǎo)體晶片1上逐個(gè)分離 半導(dǎo)體芯片。由此，與圖3所示的實(shí)施方式1同樣，制造出形成了具有例如規(guī)定的 均勻形狀的突起狀電極22等的造形物的半導(dǎo)體芯片24等電子部件20。另外，在本實(shí)施方式中，舉例說明了由一層構(gòu)成的突起狀電極的情況， 但不限定于此。也可以根據(jù)需要，反復(fù)進(jìn)行步驟S01 步驟S06,形成層 疊構(gòu)造的突起狀電極。此時(shí)，對于第二層以后的層而言，因其下面的層的 例如表面的凹凸等，導(dǎo)致反射光大幅變化。因此，在形成各層時(shí)，本實(shí)施 方式的使用反射光來修正照射光的光強(qiáng)度與分布的方法，在層疊形成均勻 形狀的突起狀電極等規(guī)定形狀的造形物的情況下，發(fā)揮特別大的效果。而且，在本實(shí)施方式中，舉例說明了在造形對象物上賦予了導(dǎo)電性感光性樹脂的狀態(tài)下，通過反射光生成修正數(shù)據(jù)進(jìn)行控制的情況，但不限于 此。例如也可以與實(shí)施方式l同樣，在使造形對象物露出的狀態(tài)下檢測反 射光，進(jìn)行控制。并且，在本實(shí)施方式中，舉例說明了利用光學(xué)濾波器對使導(dǎo)電性感光 性樹脂光固化的波長的光進(jìn)行去除的情況，但不限于此。例如也可以使用 對使其光固化的波長的光、和不使其光固化的波長的光進(jìn)行選擇切換的光 學(xué)濾波器。由此，即使在不發(fā)生光固化的波長的光的波長范圍寬的情況下， 也可以順利快速地形成均勻的造形物。另外，在本實(shí)施方式中，舉例說明了至少具有使導(dǎo)電性感光性樹脂感 光的波長、和不使導(dǎo)電性感光性樹脂感光的波長的雙波長的光源的情況， 但不限于此。例如作為光源，可以是具備使導(dǎo)電性感光性樹脂感光的波長 的光源、和不使導(dǎo)電性感光性樹脂感光的波長的光源這兩種光源，并切換 進(jìn)行照射的構(gòu)成。由此，可以節(jié)省光學(xué)濾波器，通過簡單構(gòu)成的電子部件 形成裝置高生產(chǎn)率地制作電子部件。
權(quán)利要求
1、一種形成電子部件的電子部件形成裝置，包含以下的構(gòu)成，即具備照射機(jī)構(gòu)，其向被賦予在造形對象物上的導(dǎo)電性感光性樹脂進(jìn)行照射光的照射；檢測機(jī)構(gòu)，其檢測從所述造形對象物反射的反射光；和控制機(jī)構(gòu)，其根據(jù)所述檢測機(jī)構(gòu)的檢測量對所照射的照射光進(jìn)行控制。
2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子部件形成裝置，其特征在于， 所述照射機(jī)構(gòu)具有至少照射兩種以上波長的光的光源。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電子部件形成裝置，其特征在于，所述光源至少照射使所述導(dǎo)電性感光性樹脂感光的波長的光、和不使 其感光的波長的光。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件形成裝置，其特征在于， 在所述照射機(jī)構(gòu)與所述導(dǎo)電性感光性樹脂之間，具備對使所述導(dǎo)電性感光性樹脂感光的波長的光和不使其感光的波長的光進(jìn)行切換的切換機(jī)
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子部件形成裝置，其特征在于， 所述檢測機(jī)構(gòu)至少采用不使所述導(dǎo)電性感光性樹脂感光的波長的光的從所述造形對象物反射的所述反射光。
6、 一種電子部件，含有以下的構(gòu)成，造形對象物具有使用權(quán)利要求1所述的電子部件形成裝置形成的造形
7、 一種電子部件的制造方法，使用了權(quán)利要求1所述的電子部件形 成裝置，含有以下的步驟，即至少包括借助照射機(jī)構(gòu)向造形對象物照射所述照射光，并利用檢測機(jī)構(gòu)對從所 述造形對象物反射的反射光進(jìn)行檢測的步驟；對所述反射光的光量進(jìn)行運(yùn)算處理，生成與所述造形對象物的表面狀 態(tài)對應(yīng)的所述照射光的光量的修正數(shù)據(jù)的步驟；將導(dǎo)電性感光性樹脂賦予到所述造形對象物上的步驟；根據(jù)所述修正數(shù)據(jù)調(diào)整所述照射光的光量，將其向所述造形對象物上 的所述導(dǎo)電性感光性樹脂照射，形成規(guī)定形狀的造形物的步驟；和 除去未曝光的所述導(dǎo)電性感光性樹脂的步驟。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 所述照射光的光量的調(diào)整通過液晶掩模的開口部的形狀或透過率來進(jìn)行。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子部件的制造方法，其特征在于，所述照射機(jī)構(gòu)具有至少照射兩種波長的光的光源。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 所述光源至少照射使所述導(dǎo)電性感光性樹脂感光的波長的光、和不使其感光的波長的光。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 在所述照射機(jī)構(gòu)與所述導(dǎo)電性感光性樹脂之間，切換使所述導(dǎo)電性感光性樹脂感光的波長的光和不使其感光的波長的光，照射所述照射光。
12、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子部件的制造方法，其特征在于， 所述檢測機(jī)構(gòu)至少采用不使所述導(dǎo)電性感光性樹脂感光的波長的光的從所述造形對象物反射的所述反射光。
全文摘要
一種通過向被賦予在造形對象物上的導(dǎo)電性感光性樹脂照射照射光，來形成電子部件的電子部件形成裝置，具備向造形對象物照射照射光的照射機(jī)構(gòu)；對從造形對象物反射的反射光進(jìn)行檢測的檢測機(jī)構(gòu)；和根據(jù)檢測機(jī)構(gòu)的檢測量，控制所照射的照射光的控制機(jī)構(gòu)。
文檔編號H01L21/768GK101582377SQ200910141259
公開日2009年11月18日 申請日期2009年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月15日
發(fā)明者后川和也, 越智正三 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社