專利名稱：Ⅲ族氮化合物半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種III族氮化合物半導(dǎo)體器件。
半導(dǎo)體器件的基底需要擁有用于保持器件的功能的特性(剛度、沖擊阻力等)。當(dāng)基底由金屬氮化物加以制造時(shí)，可以認(rèn)為為保持這一特性基底需要擁有不小于50μm的厚度。
具有這樣一個大的厚度的金屬氮化物從來未作為一種原材料針對半導(dǎo)體制造工業(yè)產(chǎn)品加以提供。
因此，本發(fā)明的一個目的是，通過使用工業(yè)上容易得到的原材料形成具有一個良好晶體結(jié)構(gòu)的III族氮化合物半導(dǎo)體層。因此，由本發(fā)明所制造的半導(dǎo)體器件擁有具有一個良好晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層，并能夠便宜地加以生產(chǎn)。
根據(jù)一個不同的方面，本發(fā)明的另一個目的是提供擁有一個新結(jié)構(gòu)的III族氮化合物半導(dǎo)體器件，以及制造該器件的一種方法。
根據(jù)本發(fā)明，提供了一種III族氮化合物半導(dǎo)體器件，包括一個形成在一個基底上的鈦層；一個形成在鈦層上的金屬氮化物層，并由從由鈦、鋯、鉿、以及鉭組成的一組金屬中所選擇的一種或兩種或兩種以上的金屬的氮化物制造；以及一個形成在金屬氮化物層上的III族氮化合物半導(dǎo)體層。
在如以上所描述的根據(jù)本發(fā)明所配置的半導(dǎo)體器件中，通過一個鈦層，把一個由從由鈦、鉿、鋯、以及鉭組成的一組金屬中所選擇的一種或兩種或兩種以上的金屬的氮化物形成在一個基底上。在金屬氮化物層和一個形成在金屬氮化物層上的III族氮化合物半導(dǎo)體層之間的金屬氮化物層的晶格失配是非常低的。而且可以在鈦層上形成具有良好結(jié)晶度的金屬氮化物層。而且可以在藍(lán)寶石等的基底上形成具有良好結(jié)晶度的鈦層。另一方面，為了保持器件的功能所需的厚度，可由基底給定，以至于能夠把金屬氮化物層制造得很薄。因此，可以很容易和很便宜地形成金屬氮化物層。當(dāng)把一種一般的材料(例如藍(lán)寶石等)用作基底時(shí)，能夠作為一個整體，很便宜地生產(chǎn)器件。
在這些圖中，標(biāo)號10、22、32以及40中的每一個都指示一個發(fā)光二極管；11和25中的每一個都指示一個基底；13指示一個Ti層；14指示一個TiN層；15指示一個緩沖層；16和26中的每一個都指示一個覆蓋層；17指示一個含有一個發(fā)光層的層；18和28中的每一個都指示一個覆蓋層；以及19指示一個可傳輸光的電極。
當(dāng)把SiC、GaN、硅、GaP或GaAs用作基底時(shí)，可以使基底具有導(dǎo)電特性。如以下將要加以描述的，金屬氮化物，例如氮化鈦(TiN)、氮化鉿、氮化鋯、以及氮化鉭，擁有導(dǎo)電特性。因此，可以把電極形成在一個半導(dǎo)體器件的相反的表面上。從而，減少了器件的生產(chǎn)步驟，以至于其生產(chǎn)成本能夠得以降低。
當(dāng)把用藍(lán)寶石用作一個基底生產(chǎn)一個LED時(shí)，可望提高發(fā)光度，因?yàn)榻饘俚飺碛薪饘俟鉂?，氮化鈦、氮化鉿、氮化鋯、氮化鉭等把從LED所發(fā)射的光加以反射。
還存在著一種減輕由藍(lán)寶石基底和每一III族氮化合物半導(dǎo)體層之間晶格常數(shù)或熱膨脹系數(shù)方面的差異所造成的變形(內(nèi)部應(yīng)力)的操作，因?yàn)榕c藍(lán)寶石相比，金屬氮化物擁有較低的剛度。
基底需要擁有保持器件功能的特性(剛度和沖擊阻力)。因此較佳的做法是，把基底的厚度選擇為不小于50μm。更佳的做法是令厚度為100μm。如果能夠充分保持剛度，有時(shí)厚度也可以小一些。
作為金屬氮化物，使用從由鈦、鉿、鋯、以及鉭組成的一組金屬中選擇一種金屬的氮化物或使用這些金屬的合金的氮化物。
除了可用方法的例子外，用于生長金屬氮化物的方法不受特別的限制，可用方法的例子包括CVD(化學(xué)汽相淀積)例如等離子CVD、熱CVD、光CVD等；PVD(物理汽相淀積)例如濺射、活性濺射、激光蒸發(fā)、離子種植、蒸發(fā)、ECR等。
特別可取的是當(dāng)把這些金屬氮化物層之一形成在鈦層上時(shí)，應(yīng)使用濺射方法，這是因?yàn)檫@種金屬氮化物單晶的結(jié)晶度得以改進(jìn)。
當(dāng)提供了基底和鈦層時(shí)，較佳的做法是把金屬氮化物層的厚度選擇在5nm～10μm這一范圍內(nèi)。
當(dāng)通過去除鈦層把金屬氮化物層與基底分離開來時(shí)，較佳的做法是令金屬氮化物層擁有一個不小于50μm的薄膜厚度，因?yàn)榻饘俚飳有枰獡碛幸粋€基底的特性。較佳的做法是把金屬氮化物層的薄膜厚度選擇為不小于100μm。
把鈦層插入在金屬氮化物層和基底之間。通過一種汽相淀積方法或通過一種濺射方法，把鈦層形成在基底上。鈦層的薄膜厚度不受到特別的限制，但應(yīng)加以選擇，以較佳的做法是令其在0.1～10μm的范圍內(nèi)，更佳的做法是令其在0.1～5μm的范圍內(nèi)，最好令其在0.2～3μm的范圍內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明者的考察，當(dāng)在用作一個基底的硅的(111)表面上生長鈦層時(shí)，較佳的做法是把一個Al層插入在硅一個(111)表面和鈦層之間。Al層的厚度不特別受到限制，但應(yīng)選擇為大約100埃。形成Al層的方法不受到特別的限制，例如，可通過汽相淀積或?yàn)R射形成Al層。
可以使用酸(例如王水)化學(xué)地刻蝕鈦層。因此，可以把基底與金屬氮化物層分離開來。根據(jù)擁有導(dǎo)電特性的金屬氮化物層，可以把金屬氮化物層用作一個電極。因此，它將在III族氮化合物半導(dǎo)體層側(cè)上形成唯一的一個電極。
每一III族氮化合物半導(dǎo)體可由一般的公式加以表示AlxGayIn1-x-yN(0≤X≤1，0≤Y≤1，0≤X+Y≤1)，其中包括所謂的二元化合物，例如AlN、GaN和InN，以及所謂的三元化合物，例如AlxGa1-xN、AlxIn1-xN和GaxIn1-xN(其中，0＜X＜1)。III族元素可特別由硼(B)、鉈(Tl)等加以替代。
特別是，氮化物(N)可由磷(P)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)等部分地加以替代。III族氮化合物半導(dǎo)體層可以包含一個可選的摻雜物。Si、Ge、Se、Te、C等可用作n-型雜質(zhì)。Mg、Zn、Be、Ca、Sr、Ba等可用作p-型雜質(zhì)。有時(shí)，摻雜有p-型雜質(zhì)的III族氮化合物半導(dǎo)體可以用電子束或用等離子加以輻射，或放在爐中進(jìn)行加熱。形成每一III族氮化合物半導(dǎo)體層的方式不特別地受到限制。例如可以通過一種金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積方法(MOCVD方法)形成III族氮化合物半導(dǎo)體層，也可以通過人們所熟悉的方法，例如分子束外延方法(MBE方法)、鹵化物汽相外延方法(HVPE方法)、濺射方法、離子種植方法、以及電子簇射方法等加以形成。
有時(shí)，一個同質(zhì)結(jié)構(gòu)、一個單向異性的結(jié)構(gòu)或一個雙向異性的結(jié)構(gòu)，可有作發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。一個量子阱結(jié)構(gòu)(單量子阱結(jié)構(gòu)或多量子阱結(jié)構(gòu))也可用作包括發(fā)光層的層的結(jié)構(gòu)。
一個緩沖層可形成在金屬氮化物層和一組構(gòu)成器件功能部分的III族氮化合物半導(dǎo)體層(第二III族氮化合物半導(dǎo)體)之間。緩沖層由一個第一III族氮化合物半導(dǎo)體制造。這里，由第一III族氮化合物半導(dǎo)體的例子包括由AlxGayIn1-x-yN(0＜X＜1，0＜Y＜1，0＜X+Y＜1)所代表的四元化合物半導(dǎo)體、由AlxIn1-xN(0＜X＜1)、以及AlN、GaN和InN所代表的三元化合物半導(dǎo)體。
在MOCVD方法中，AlN、GaN等的第一III族氮化合物半導(dǎo)體層以大約400℃的低溫直接形成在藍(lán)寶石等的基底上。然而，對于金屬氮化物層，以大約1000℃的高溫生長第一III族氮化合物半導(dǎo)體，因而可獲得較佳的晶體。因此，形成在具有良好結(jié)晶度的緩沖層上的III族氮化合物半導(dǎo)體層的結(jié)晶度也得以改進(jìn)。
大約1000℃的溫度大體上等于形成在第一III族氮化合物半導(dǎo)體層(緩沖層)上的第二III族氮化合物半導(dǎo)體層(器件功能形成層)的生長溫度。因此，較佳的做法是把由MOCVD方法形成第一III族氮化合物半導(dǎo)體的溫度選擇在600～1200℃的范圍內(nèi)，更佳的做法是令其在800～1200℃的范圍內(nèi)。
當(dāng)?shù)谝籌II族氮化合物半導(dǎo)體層(緩沖層)的生長溫度等于第二III族氮化合物半導(dǎo)體(器件功能形成層)的生長溫度時(shí)，如以上所描述的，很容易調(diào)整執(zhí)行MOCVD方法的溫度。
另外，當(dāng)使用濺射方法在金屬氮化物層上形成由第一III族氮化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成的緩沖層時(shí)，可把緩沖層作為一個擁有等于或高于包含在通過MOCVD方法形成緩沖層的情況下所獲得的結(jié)晶度的較佳結(jié)晶度的緩沖層加以獲得(生長溫度1000℃)。因此，形成在第一III族氮化合物半導(dǎo)體層上的第二III族氮化合物半導(dǎo)體層上的結(jié)晶度也得以改進(jìn)。而且，與MOVCD方法相比，當(dāng)使用濺射方法形成第一III族氮化合物半導(dǎo)體層(緩沖層)時(shí)，并不要求貴重的有機(jī)金屬，例如TMA、TMI等為原材料。因此，可以便宜地形成器件。以下將描述本發(fā)明的實(shí)施例。(第一實(shí)施例)這一實(shí)施例是一個發(fā)光二極管10，

圖1中描述了這一實(shí)施例的配置。
相應(yīng)各層的說明如下。層 成份摻雜物p-型層18P-GaN Mg包括一個發(fā)光層的層17包括InGaN層n-型層16n-GaN Si緩沖層15AlNTiN層14 TiNTi層13 Ti基底11 藍(lán)寶石n-型層16可以為一個雙層結(jié)構(gòu)，具有在包括發(fā)光層的層17的側(cè)上的一個低電子密度的n-層，以及在緩沖層15側(cè)上的一個高電子密度的n+層。后者被稱為n-型接觸層。
包括發(fā)光層的層17不局限于超晶格結(jié)構(gòu)。一個單或雙向異性型結(jié)構(gòu)、一個同質(zhì)結(jié)合型結(jié)構(gòu)等，均可用作發(fā)光器件的配置。一個單量子阱結(jié)構(gòu)也可加以使用。
AlxInyGa1-x-yN(包括X＝0，Y＝0以及X＝Y(jié)＝0)的一個層，擁有一個寬帶間隙，并摻雜了一個受體，例如鎂等，可以插入在包括發(fā)光層的層17和p-型層18之間。這一技術(shù)用于防止傳遞于包括發(fā)光層的層17中的電子擴(kuò)散到p-型層18中。
p-型層18可以為一個雙層結(jié)構(gòu)，具有包括發(fā)光層的層17的側(cè)上的一個低孔密度的P-層和一個電極側(cè)上的一個高孔密度的P+層，后者叫做p-型接觸層。
使用一種活性DC磁控管濺射方法把Ti層13形成在藍(lán)寶石基底的一個面上。更換靶子，使用一種DC磁控管濺射方法把TiN層14形成在Ti層13上。針對Al再次更換靶子，使用一種DC磁控管濺射方法形成AlN緩沖層15。
然后，把AlN/TiN/Ti/藍(lán)寶石的樣本從濺射裝置移入一個MOCVD裝置的腔室中，在把氫氣循環(huán)進(jìn)這一腔室的同時(shí)，把樣本加熱到1100℃，并使1100℃持續(xù)5分鐘。
然后，根據(jù)一種普通的方法(MOCVD方法)，形成n-型層16和n-型層16之后的III族氮化合物半導(dǎo)體層，同時(shí)保持1100℃的溫度。在這一生長方法中，氨氣和III族元素烷基化合物，例如，三甲基鎵(TMG)、三甲基鋁(TMA)、以及三甲基銦(TMI)的氣體提供于一個加熱到適當(dāng)?shù)臏囟鹊幕咨?，并須?jīng)熱分解反應(yīng)，從而在基底上生長一個所希望的晶體。
因而所形成的III族氮化合物半導(dǎo)體層16～18擁有較好的結(jié)晶度。
可傳輸光的電極19由含有金的薄膜構(gòu)成。把可傳輸光的電極19進(jìn)行疊加，以便覆蓋p-型層18的基本整個上表面。p-型電極20也由一種含有金的材料形成。通過汽相淀積把p-型電極20形成在可傳輸光的電極19上。
通過汽相淀積把n-型電極21形成在通過刻蝕而暴露的n-GaN層16的一個表面上。有時(shí)，可通過MOCVD方法或通過其它任何方法形成AlN緩沖層15。(第二實(shí)施例)圖2描述了一個根據(jù)一個第二實(shí)施例的發(fā)光二極管22。有時(shí)，相應(yīng)地參照與第一實(shí)施例中的部分相同的部分，因此將省略對這些部分的描述。層成份 摻雜物p-型層18 P-GaN Mg包括一個發(fā)光層的層17 包括InGaN層n-型層16 n-GaN Si緩沖層15 AlNTiN層14 TiNTi層13Ti基底25硅單晶(111)在Si的(111)表面上生長TiN層14和在TiN層14之后的各層的方法與第一實(shí)施例中的方法相同。
另外，可以把Si基底層25用作一個n-型電極，因?yàn)樗鼡碛袑?dǎo)電特性。另外，可以通過MOCVD方法或其它任何方法形成AlN緩沖層15。另外，也可把一個具有110nm(100埃)的薄膜厚度的Al層形成在Si基底和Ti之間。(第三實(shí)施列)圖3描述了一個根據(jù)本發(fā)明的一個第三實(shí)施列的半導(dǎo)體器件。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件是一個發(fā)光二極管32。另外，相應(yīng)地參照與圖2中的部分相同的部分，因此將省略對這些部分的描述。
相應(yīng)各層的說明如下。層 成份 摻雜物p-型層28P-GaNSi包括一個發(fā)光層的層17包括InGaN層p-型層26p-GaNMg緩沖層15AlNTiN層14 TiNTi層13 Ti基底25 硅單晶(111)如圖3中所示，把p-型層26、包括發(fā)光層的層17以及n-型層28相繼地生長在緩沖層15上。因而，發(fā)光二極管32得以形成。在這一器件32的情況下，可傳輸光的電極(參見圖2中的標(biāo)號19)可以省略，因?yàn)樽鳛樽罡邔?，提供了低阻值的n-型層28。
在圖3中，標(biāo)號30表示一個n-型電極。Si基底25可以直接用作p-型電極。
有時(shí)，可以通過MOCVD方法或其它任何方法形成AlN緩沖層15。另外，也可把一個具有10nm(100埃)的薄膜厚度的Al層形成在Si基底和Ti之間。(第四實(shí)施例)圖4A和4B描述了本發(fā)明的又一個實(shí)施例。在圖4A和4B中，相應(yīng)地參照與第一實(shí)施例中的部分相同的部分，因此將省略對這些部分的描述。在本實(shí)施例中，把TiN層44的薄膜厚度設(shè)置為50μm，并通過一種MOCVD方法把半導(dǎo)體層15～18形成在TiN層44上(參見圖4)。然后，可以使用王水化學(xué)地刻蝕Ti層13，以至于可以把基底與TiN層44分離開來(參見圖4B)。以與第一實(shí)施例中相同的方式，通過汽相淀積形成電極19～21。因而，在這一實(shí)施例中得到發(fā)光二極管40。
盡管這一實(shí)施例已描述了在形成半導(dǎo)體層15～18之后通過刻蝕去除Ti層13的情況，但本發(fā)明也可施用于在部分地形成半導(dǎo)體層之后去除Ti層13的情況。
可以在TiN層44形成之后就去除Ti層13，即，獲得了一個TiN的基底。
按以上所描述的方式所獲得的發(fā)光二極管40把TiN整體地作為基底?？梢园裈iN基底44用作一個電極，因?yàn)門iN具有導(dǎo)電特性。而且從發(fā)光層所發(fā)射的光被有效地向發(fā)射觀察表面?zhèn)确瓷?圖的上方)，因?yàn)門iN擁有金屬光澤。
盡管以上所提到的實(shí)施例已描述了通過一種DC磁控管濺射方法形成緩沖層的情況，但也可以把本發(fā)明施用于由MOCVD方法等形成緩沖層的情況(然而，其中，生長溫度是1000℃的高溫)。工業(yè)上的可應(yīng)用性本發(fā)明所適用的器件不局限于以上所提到的發(fā)光二極管。例如，本發(fā)明也可施用于下列光器件，例如光接收器、激光二極管、太陽能電池等；雙極器件，例如整流器、硅可控整流器、晶體管等；單級器件，例如FET等；以及電子器件，例如微波器件等。
本發(fā)明還適用于層壓制件，它們是這些器件的中間制品。
本發(fā)明決不局限于對執(zhí)行本發(fā)明及其實(shí)施例的模式的描述，而且還包括在不背離專利權(quán)利要求的范圍的情況下這一領(lǐng)域中的熟練技術(shù)人員可以想象到的各種修改。
以下將列出本說明中所公開的條款。
首先，公開了生產(chǎn)一種層壓制件的方法，該方法包括下列步驟在一個基底上形成一個鈦層；在鈦層上形成一個金屬氮化物層，這一金屬氮化物層由一種或兩或兩種以上從由鈦、鋯、鉿以及鉭組成的一組金屬中所選擇的金屬的氮化物制造；并在金屬氮化物層上形成一個III族氮化合物半導(dǎo)體層。
以上的方法還包括在基底和鈦層之間形成一個底襯層的步驟。
另外，方法還可包括通過化學(xué)地刻蝕鈦層把基底與金屬氮化物層相分離的步驟。此處，較佳的做法是令金屬氮化物層擁有一個不小于50μm的薄膜厚度。
另外，在該方法中，可以用氮化鈦制造金屬氮化物層。另一方面，用藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵、硅、磷化鎵或砷化鎵制造基底。
另外，在該方法中，III族氮化合物半導(dǎo)體器件可以用作一個發(fā)光器件或一個光接收器。
其次，公開了生產(chǎn)一種層壓制件，擁有在一個基底上形成的一個鈦層；在鈦層上形成的一個金屬氮化物層，這一金屬氮化物層由一種或兩或兩種以上從由鈦、鋯、鉿以及鉭組成的一組金屬中所選擇的金屬的氮化物制造；以及在金屬氮化物層上形成的一個III族氮化合物半導(dǎo)體層。
在這一層壓制件中，可在基底和鈦層之間形成一個底襯層。
另外，可以用氮化鈦制造金屬氮化物層。另一方面，用藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵、硅、磷化鎵或砷化鎵制造基底。
另外，在這一層壓制件中，III族氮化合物半導(dǎo)體層可以擁有一個發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)或一個光接收器的結(jié)構(gòu)。
第三，公開了一種層壓制件，包括擁有一個不小于50μm薄膜厚度的金屬氮化物基底，該金屬氮化物基底由一種或兩或兩種以上從由鈦、鋯、鉿以及鉭組成的一組金屬中所選擇的金屬的氮化物制造；以及在金屬氮化物層上形成一個III族氮化合物半導(dǎo)體層。
可以用氮化鈦制造金屬氮化物。
另外，III族氮化合物半導(dǎo)體層可以擁有一個發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)或一個光接收器的結(jié)構(gòu)。
權(quán)利要求
1.一種用于制造一個III族氮化合物半導(dǎo)體器件的方法，包括下列步驟在基底上形成一個鈦層，在所述鈦層上形成金屬氮化物層，所述金屬氮化物層由一種或兩種或兩種以上從由鈦、鋯、鉿以及鉭組成的一組金屬中所選擇的金屬的氮化物制成；以及在所述金屬氮化物層上形成一個III族氮化合物半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的一種用于制造一個III族氮化合物半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于還包括在所述基底和所述鈦層之間形成一個底襯層的步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的一種用于制造一個III族氮化合物半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于還包括通過化學(xué)地刻蝕所述鈦層把基底與金屬氮化物層相分離的步驟。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的一種用于制造一個III族氮化合物半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述金屬氮化物層擁有一個不小于50μm的薄膜厚度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的一種用于制造一個III族氮化合物半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述金屬氮化物層由氮化鈦制造。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的一種用于制造一個III族氮化合物半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述基底由藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵、硅、磷化鎵或砷化鎵制造。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的一種用于制造一個III族氮化合物半導(dǎo)體器件的方法，其特征在于，所述III族氮化合物半導(dǎo)體器件是一個發(fā)光器件或一個光接收器。
8.一種III族氮化合物半導(dǎo)體器件，包括一個基底；一個形成在所述基底上的鈦層；一個在所述鈦層上形成的金屬氮化物層，該金屬氮化物層由一種或兩或兩種以上從由鈦、鋯、鉿以及鉭組成的一組金屬中所選擇的金屬的氮化物制造；以及一個形成在所述金屬氮化物層上的III族氮化合物半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的III族氮化合物半導(dǎo)體器件，其特征在于還包括形成在所述基底和所述鈦層之間一個底襯層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的III族氮化合物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬氮化物層由氮化鈦制造。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的III族氮化合物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基底由藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵、硅、磷化鎵或砷化鎵制造。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的III族氮化合物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述基底由藍(lán)寶石制造。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的III族氮化合物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述III族氮化合物半導(dǎo)體層可以擁有一個發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)或一個光接收器的結(jié)構(gòu)。
14.一種III族氮化合物半導(dǎo)體器件，包括一個擁有不小于50μm的薄膜厚度的金屬氮化物基底，該金屬氮化物基底由一種或兩或兩種以上從由鈦、鋯、鉿以及鉭組成的一組金屬中所選擇的金屬的氮化物制造；以及一個在所述金屬氮化物基底上形成的III族氮化合物半導(dǎo)體層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的III族氮化合物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述金屬氮化物是氮化鈦。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的III族氮化合物半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述III族氮化合物半導(dǎo)體器件可以擁有一個發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)或一個光接收器的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
一個鈦層和一個氮化鈦層相繼地形成在一個基底上，而且一個III族氮化合物半導(dǎo)體層形成在其上。當(dāng)使氮化鈦層具有一個足夠薄的薄膜厚度的情況下，去除鈦層時(shí)，獲得一個擁有氮化鈦層的器件。
文檔編號H01L21/306GK1436375SQ01810990
公開日2003年8月13日 申請日期2001年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月19日
發(fā)明者柴田直樹, 千田昌伸 申請人:豐田合成株式會社