專利名稱：高亮度發(fā)光二極體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高亮度發(fā)光二極體及其制作方法，特別是涉及一種具有選擇性高摻雜低電阻層的發(fā)光二極體。
在III、V族化合物半導(dǎo)體中，除了氮化物外，對直接能隙僅次于氮化物的磷化鋁鎵銦而言，當改變發(fā)光元件活性區(qū)中鋁和鎵的含量比時，發(fā)光波長可在680nm至550nm之間變化。另外，磷化鋁鎵銦的晶格常數(shù)與砷化鎵基板可完全匹配，因此，磷化鋁鎵銦(InGaAlP)可適用于可見光區(qū)的發(fā)光元件。
傳統(tǒng)的磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體(LED)結(jié)構(gòu)如圖1所示。其結(jié)構(gòu)是在n型砷化鎵(GaAs)吸光基板10上成長數(shù)層磊晶層以形成發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)其中依序是在砷化鎵基板10上成長一n型磷化鋁鎵銦(n-InGaAlP)限制層11，接著在其上成長一磷化鋁鎵銦活性層12，然后在活性層12上再成長一p型磷化鋁鎵銦(p-InGaAlP)限制層13，如此便形成雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。此發(fā)光二極體的發(fā)光波長是由活性層12中的鋁和鎵的比例所決定。增加活性層12中的鋁含量，即可使LED發(fā)光波長變短。在此同時，于活性層12兩側(cè)外的限制層11，13的鋁含量必須比活性層12中的鋁含量高，才能有效地將載子注入活性層12中，另一方面也使活性層12所發(fā)出的光不致被限制層11，13所吸收。在LED結(jié)構(gòu)的發(fā)光面上鍍上一正面金屬電極14，并于砷化鎵基板10未成長磊晶層的一面鍍上背面電極15。
一般而言，發(fā)光二極體之發(fā)光效率，除了取決于在活性層12中電子與電洞之結(jié)合效率外，正面電極14的電流是否能有效地分布到晶粒的邊緣，使光能夠均勻地從p-n接面產(chǎn)生，也是決定發(fā)光二極體之發(fā)光效率的主要原因之一。若p型限制層13因電阻太高而無法使電流有效分散時，則電流將直接由正面電極流向背面電極14，發(fā)生電流擁塞的現(xiàn)象，如此將無法使電流有效分散，且大部份產(chǎn)生的光將被不透光的正面電極14阻擋而無法發(fā)出，或因金屬電極14反射而被基板吸收，造成發(fā)光效率降低。在已知的磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體中便存在有上述的缺點，這是因p型的磷化鋁鎵銦限制層13的濃度一般在1×1018cm-3以下，而其中的電洞移動率又僅約10至20cm2·V/sec，所得的電阻值約為0.5Ω-cm左右，由于電阻偏高以致于橫向電流無法分散到整個晶粒上。為解決這一問題，如圖2所示，現(xiàn)有技術(shù)如美國專利第5,008,718號也開發(fā)出相關(guān)的不同結(jié)構(gòu)。圖2的結(jié)構(gòu)是于圖1的P型的磷化鋁鎵銦限制層13上成長一不同于磷化鋁鎵銦的半導(dǎo)體窗戶層16，該窗戶層的特性為電阻低，導(dǎo)電性佳，且能隙大于活性層12的能隙。因此，這一半導(dǎo)體窗戶層16不吸收p-n介面所發(fā)出的光。適合用以制作窗戶層16的材料如砷化鋁鎵(GaAlAs)、磷砷化鎵(GaAsP)，和磷化鎵(GaP)等，且此窗戶層16的最佳厚度介于5-數(shù)十微米之間。由于砷磷化鎵和磷化鎵的晶格常數(shù)與砷化鎵基板10及磷化鋁鎵銦13的晶格常數(shù)極不匹配，因此成長的界面極易產(chǎn)生大量的差排或錯位，因而不利地影響發(fā)光二極體的光電特性。
如圖3所示，現(xiàn)有技術(shù)的另一種結(jié)構(gòu)如美國專利第5,048,035號所述，是增加電流阻隔層17及布拉格反射層18，而其電流分散層或窗戶層19則是以砷化鋁鎵(GaAlAs)為材料。該項專利的二極體結(jié)構(gòu)使得正面電極14所流出的電流受電流阻隔層17的影響而有效地分布在電流分散層19中；另外，在砷化鎵基板10與磷化鋁鎵銦異質(zhì)結(jié)構(gòu)間加入的反射層18可減少活性層12所發(fā)出的光被砷化鎵基板10所吸收。這一結(jié)構(gòu)使得發(fā)光二極體的發(fā)光效率可增加一倍左右，然而，這一結(jié)構(gòu)必須多成長一層n型磷化鋁鎵銦(InGaAlP)作為電流分散層19，各層p/n型摻雜物的交互切換使得摻雜物的純度受影響且整體結(jié)構(gòu)變得較為復(fù)雜，明顯增加了制造成本。另外，反射層18的成長必須準確地控制其組成及各層之厚度，且厚度為數(shù)微米，故制造頗為費時。
為了改進上述現(xiàn)有技術(shù)中各種磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)所產(chǎn)主的缺點，本發(fā)明的目的即在于提供一新型高亮度磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體的結(jié)構(gòu)，使其具有如下的優(yōu)點(1)直接使用高摻雜低電阻層作為分散電流的機制；(2)不需再成長一電流阻隔層；以及(3)不需切換不同的摻雜源來成長電流阻隔層。
該發(fā)光二極體包括一第一金屬電極，一基板，一第一限制層，一活性層，一第二限制層，一選擇性高摻雜低電阻層，一多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層及一第二金屬電極，其特征在于此結(jié)構(gòu)經(jīng)由兩次磊晶成長及一次制版及蝕刻步驟即可完成，第一次成長是在基板上依次序成長一第一限制層，一活性層，一第二限制層和一選擇性高摻雜低電阻層。然后該選擇性高摻雜低電阻層經(jīng)由制版及蝕刻步驟后，留下部份所需的選擇性高摻雜低電阻層區(qū)。接著將含有本發(fā)明磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體的晶片送入磊晶系統(tǒng)中以有機金屬氣相磊晶法(OMVPE)成長一多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層后，再完成第一金屬電極及第二金屬電極的制作，即完成本發(fā)明的高亮度發(fā)光二極體的制程。
根據(jù)本發(fā)明的較佳實施例，在P型磷化鋁鎵銦限制層13上，成長一p型高摻雜低電阻層20，然后再利用一次光罩制版及蝕刻，露出P型磷化鋁鎵銦(p-InGaAlP)。由于磷化鋁鎵銦的摻雜濃度小于1×1018cm-3，因此露出部分如前所述將是具有較高電阻值的p型磷化鋁鎵銦限制層13，結(jié)果使得電流流向經(jīng)選擇性蝕刻后所留下的p型高摻雜低電阻層20，達到電流分散的效果。
本發(fā)明的另一目的即在提供一種制造具有選擇性高摻雜低電阻層的新型高亮度磷化鋁鎵銦的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的方法，其方法系在磷化鋁鎵銦雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)上成長一p型高摻雜低電阻層20，該高摻雜低電阻層20的材料可以為砷化鎵、砷化鋁鎵、磷砷化鎵、磷化鎵，或其它摻雜濃度大于1×1018cm-3的半導(dǎo)體材料。然后經(jīng)由一次光罩制版及蝕刻步驟，露出具有較高電阻值的p型磷化鋁鎵銦限制層13，使得電流流向p型高摻雜低電阻20，達到電流分散的效果，由此提高發(fā)光二極體的發(fā)光效率。
為了使本發(fā)明的目的更清楚明了，現(xiàn)配合


本發(fā)明的較佳實施例如下圖1所示為傳統(tǒng)的磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的一種具有窗戶層的磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的另一種具有窗戶層、電流阻隔層，及布拉格反射層的磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖4(a)-4(c)為根據(jù)本發(fā)明的一較佳實施例的高亮度發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖5(a)-5(c)為根據(jù)本發(fā)明的另一較佳實施例的高亮度發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的剖面圖。
附圖中元件符號說明10申化鎵基板11磷化鋁鎵銦限制層12磷化鋁鎵銦活性層13磷化鋁鎵銦限制層14正面電極15背面電極16半導(dǎo)體窗戶層17電流阻隔層
18布拉格反射層19電流分散層20高滲雜低電阻層21多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層本發(fā)明的目的即在提供一具有選擇性高摻雜低電阻層的新穎的高亮度磷化鋁鎵銦的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)，圖4繪示根據(jù)本發(fā)明的一實施例的新穎磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的剖面圖，其中，圖4(a)顯示本發(fā)明的高亮度磷化鋁鎵銦的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的第一次磊晶成長的結(jié)構(gòu)，其中該二極體的形成方法由下而上分別是在一摻入第一種導(dǎo)電型，例如n型雜質(zhì)的砷化鎵(GaAs)基板10上依序成長一摻入第一種導(dǎo)電型雜質(zhì)的磷化鋁鎵銦(n-InGaAlP)限制層11，一磷化鋁鎵銦(InGaAlP)活性層12，一摻入第二種導(dǎo)電型，例如p型雜質(zhì)的磷化鋁鎵銦(p-InGaAlP)限制層13而形成磷化鋁鎵銦雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)。接著在該磷化鋁鎵銦雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)上成長一摻入第二種導(dǎo)電型雜質(zhì)的高摻雜低電阻層20，該高摻雜低電阻層的材料可以為砷化鎵(GaAs)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、磷砷化鎵(GaAsP)、磷化鎵(GaP)，或摻雜濃度大于1×1018cm-3的半導(dǎo)體材料，然后如圖4(b)所示，高摻雜低電阻層20經(jīng)由一次光罩制版及蝕刻步驟之后，露出具有較高電阻的p型磷化鋁鎵銦限制層13。如圖4(c)所示，在蝕刻步驟之后，再以有機金屬氣相磊晶法或分子束磊晶法成長多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層21，該低吸光性電流分散層是由不吸光材料如磷化鎵或砷化鋁鎵，及吸光材料如砷化鎵或砷磷化鎵等材料交替組成的多層結(jié)構(gòu)。即，該多層結(jié)構(gòu)可以是由磷化鎵/砷磷化鎵(Gap/GaAsP)交互所組成的多層堆疊結(jié)構(gòu)，或是由磷化鎵/砷化鎵(GaP/GaAs)交互所組成的多層堆疊結(jié)構(gòu)，或是由砷化鎵/砷化鋁鎵(GaAs/AlGaAs)交互所組成的多層堆疊結(jié)構(gòu)。此低吸光性電流分散層21，只由能帶隙大于活性區(qū)12能帶隙的材料及能帶隙小于活性區(qū)12能帶隙的材料交替堆疊而成。此結(jié)構(gòu)的作用在于降低電阻和分散電流，并可使活性區(qū)12產(chǎn)生的光線大部分通過層21而射出于二極體外。優(yōu)選地，該多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層的各層厚度小于5微米。最后，在發(fā)光二極體的發(fā)光面上部分鍍上一金屬層，以形成一正面電極14，且在n型砷化鎵基板10的下方(無成長磊晶層的面)整面鍍上一層金屬以形成一背面電極15。
圖4(c)所示為第三次磊晶成長后，具有低吸光性電流分散層21的磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的剖面圖。在本發(fā)明的高亮度發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)中，由于高摻雜低電阻層20相對于p型磷化鋁鎵銦限制層13具有較低的電阻值，因此當電壓施加于正面電極14時，電流會由正面電極14流向兩側(cè)具有低電阻的選擇性高摻雜低電阻層區(qū)20，有效地使電流分散，而不致產(chǎn)生電流擁塞的現(xiàn)象，由此提高發(fā)光二極體的發(fā)光效率。又因活性層12上下兩側(cè)的限制層11、13的能帶隙較活性層12的能帶隙高，限制層11，13的載子可以有效地注入活性層12中，另一方面，活性層12所發(fā)出的光不致被限制層11，13所吸收。故本發(fā)明的具有選擇性高摻雜低電阻層20的新穎高亮度磷化鋁鎵銦的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單易于制造且具有電流分散的效果，可由此提高發(fā)光二極體的發(fā)光效率。
類似地，圖5繪示根據(jù)本發(fā)明的另一實施例的新穎磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的剖面圖，其中，圖5(a)顯示本發(fā)明的高亮度磷化鋁鎵銦的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)的第一次磊晶成長的結(jié)構(gòu)，其中該二極體的由下而上分別是在一n型砷化鎵(GaAs)基板10上依序成長一n型磷化鋁鎵銦(n-InGaAlP)限制層11，一磷化鋁鎵銦(InGaAlP)活性層12及一p型高摻雜低電阻層20。該高摻雜低電阻層20經(jīng)由一次光罩制版及蝕刻步驟之后，露出部分磷化鋁鎵銦(InGaAlP)活性層12。然后如圖5(b)所示，接著成長一P型磷化鋁鎵銦(p-InGaAlP)限制層13于該選擇性高摻雜低電阻層和部分活性層之上。如圖5(c)所示，在成長限制層13的步驟之后，再以有機金屬氣相磊晶法或分子束磊晶法成長多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層21。由于高摻雜低電阻層20相對于p型磷化鋁鎵銦限制層13具有較低的電阻值，因此當電壓施加于正面電極14時，電流會由正面電極14流向兩側(cè)具有低電阻的選擇性高摻雜低電阻層區(qū)20，有效地使電流分散，而不致產(chǎn)生電流擁塞的現(xiàn)象，由此提高發(fā)光二極體的發(fā)光效率。又因活性層12上下兩側(cè)的限制層11，13的能帶隙較活性層12的能帶隙高，限制層11，13的載子可以有效地注入活性層12中，另一方面，活性層12所發(fā)出的光不致被限制層11，13所吸收。故本發(fā)明的具有選擇性高摻雜低電阻層20的新穎高亮度磷化鋁鎵銦的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單易于制造且具有電流分散的效果，可由此提高發(fā)光二極體的發(fā)光效率。
本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員可對本發(fā)明作出許多修改，因此，本發(fā)明并不限于上述的實施例及圖示的說明，各種修改均不超出后附的權(quán)利要求范圍。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極體，包括一基板，摻入第一種導(dǎo)電型雜質(zhì)；第一限制層，形成于該基板之上且摻入第一種導(dǎo)電型雜質(zhì)；一活性層，形成于該第一限制層之上；第二限制層，形成于該活性層之上且摻入第二種導(dǎo)電型雜質(zhì)；一選擇性高摻雜低電阻層，選擇性形成于部分第二限制層之上，且摻入第二種導(dǎo)電型雜質(zhì)一低吸光性電流分散層，形成于該選擇性高摻雜低電阻層和部分第二限制層之上，且摻入第二種導(dǎo)電型雜質(zhì)；第一金屬電極，形成于所述基板下方；以及第二金屬電極，形成于所述低吸光性電流分散層之上；由此，當一電壓施加于第二金屬電極時，電流會由第二金屬電極流向兩側(cè)的選擇性高摻雜低電阻層，有效地使電流分散，而不致產(chǎn)生電流擁塞的現(xiàn)象。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其中所述第一限制層、活性層及第二限制層均由磷化鋁鎵銦制成。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其中所述基板由砷化鎵制成。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其中所述低吸光性電流分散層是由不吸光材料如磷化鎵或砷化鋁鎵，及吸光材料如砷化鎵或砷磷化鎵等材料交替組成的多層結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極體，其中所述多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層的各層厚度小于5微米。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其中所述第一導(dǎo)電型為p型，且第二導(dǎo)電型為n型。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其中所述第一導(dǎo)電型為n型，且第二導(dǎo)電型為p型。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極體，其中所述高摻雜低電阻層的材料選自砷化鎵、砷化鋁鎵、磷砷化鎵、磷化鎵，或摻雜濃度大于1×1018cm-3的半導(dǎo)體材料。
9.一種發(fā)光二極體，包括一基板，摻入第一種導(dǎo)電型雜質(zhì)；第一限制層，形成于該基板之上且摻入第一種導(dǎo)電型雜質(zhì)；一活性層，形成于該第一限制層之上；一選擇性高摻雜低電阻層，選擇性形成于部分活性層之上，且摻入第二種導(dǎo)電型雜質(zhì)；第二限制層，形成于該選擇性高摻雜低電阻層和部份活性層的上，且摻入第二種導(dǎo)電型雜質(zhì)；一低吸光性電流分散層，形成于該第二限制層之上，且摻入第二種導(dǎo)電型雜質(zhì)；第一金屬電極，形成于所述基板下方；以及第二金屬電極，形成于所述低吸光性電流分散層之上；由此，當一電壓施加于第二金屬電極時，電流會由第二金屬電極流向兩側(cè)的選擇性高摻雜電阻層，有效地使電流分散，而不致產(chǎn)生電流擁塞的現(xiàn)象。
10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極體，其中所述第一限制層、活性層及第二限制層均由磷化鋁鎵銦制成。
11.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極體，其中所述基板由砷化鎵制成。
12.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極體，其中，所述低吸光性電流分散層是由不吸光材料如磷化鎵或砷化鋁鎵，及吸光材料如砷化鎵或砷磷化鎵等材料交替組成的多層結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求12所述的發(fā)光二極體，其中所述多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層的各層厚度小于5微米。
14.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極體，其中所述第一導(dǎo)電型為p型，且第二導(dǎo)電型為n型。
15.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極體，其中所述第一導(dǎo)電型為n型，且第二導(dǎo)電型為p型。
16.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極體，其中所述高摻雜低電阻層的材料選自砷化鎵、砷化鋁鎵、磷砷化鎵、磷化鎵，或摻雜濃度大于1×1018cm-3的半導(dǎo)體材料。
17.一種制造發(fā)光二極體的方法，該方法包括下列步驟(a)提供一摻入第一種導(dǎo)電型雜質(zhì)的基板；(b)于該基板上形成一摻入第一種導(dǎo)電型雜質(zhì)的第一限制層；(c)于該第一限制層上形成一活性層；(d)于該活性層上形成一摻入第二種導(dǎo)電型雜質(zhì)的第二限制層；(e)于該第二限制層上形成一摻入第二種導(dǎo)電型雜質(zhì)的選擇性高摻雜低電阻層；(f)選擇性蝕刻該選擇性高摻雜低電阻層，以暴露出一部分第二限制層；以及(g)于該蝕刻後的選擇性高摻雜低電阻層和部分暴露出的第二限制層上磊晶成長一多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括下列步驟(h)于所述基板下方形成第一金屬電極；以及(i)于部分低吸光性電流分散層上形成第二金屬電極。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第一限制層、活性層及第二限制層均由磷化鋁鎵銦制成。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述基板由砷化鎵制成。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電型為p型，且第二導(dǎo)電型為n型。
22.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電型為n型，且第二導(dǎo)電型為p型。
23.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述選擇性高摻雜低電阻層的材料選自砷化鎵、砷化鋁鎵、磷砷化鎵、磷化鎵。
24.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述選擇性高摻雜低電阻層的材料選自摻雜濃度大于1018cm-3的材料。
25.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述低吸光性電流分散層是由不吸光材料如磷化鎵或砷化鋁鎵，及吸光材料如砷化鎵或砷磷化鎵等材料交替組成的多層結(jié)構(gòu)。
26.如權(quán)利要求25所述的方法，其中所述多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層的各層厚度小于5微米。
27.一種制造發(fā)光二極體的方法，該方法包括下列步驟(a)提供一摻入第一種導(dǎo)電型雜質(zhì)的基板；(b)于該基板上形成一摻入第一種導(dǎo)電型雜質(zhì)的第一限制層；(c)于該第一限制層上形成一活性層；(d)于該活性層上形成一摻入第二種導(dǎo)電型雜質(zhì)的選擇性高摻雜低電阻層；(e)選擇性蝕刻該選擇性高摻雜低電阻層，以暴露出一部分活性層；(f)于蝕刻後的選擇性高摻雜低電阻層和部分暴露出的活性層上形成一摻入第二種導(dǎo)電型雜質(zhì)的第二限制層；以及(g)于該第二限制層上磊晶成長一多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，還包括下列步驟(h)于所述基板下方形成第一金屬電極；以及(i)于部分低吸光性電流分散層上形成第二金屬電極。
29.如權(quán)利要求28所述的方法，其中所述第一限制層、活性層及第二限制層均由磷化鋁鎵銦制成。
30.如權(quán)利要求29所述的方法，其中所述基板由砷化鎵制成。
31.如權(quán)利要求29項的方法，其中所述第一導(dǎo)電型為p型，且第二導(dǎo)電型為n型。
32.如權(quán)利要求29所述的方法，其中所述第一導(dǎo)電型為n型，且第二導(dǎo)電型為p型。
33.如權(quán)利要求29所述的方法，其中所述選擇性高摻雜低電阻層的材料選自砷化鎵、砷化鋁鎵、磷砷化鎵、磷化鎵。
34.如權(quán)利要求29所述的方法，其中所述選擇性高摻雜低電阻層的材料選自摻雜濃度大于1018cm-3的材料。
35.如權(quán)利要求29所述的方法，其中所述低吸光性電流分散層是由不吸光材料如磷化鎵或砷化鋁鎵，及吸光材料如砷化鎵或砷磷化鎵等材料所交替組成的多層結(jié)構(gòu)。
36.如權(quán)利要求35所述的方法，其中所述多層結(jié)構(gòu)的低吸光性電流分散層的各層厚度小于5微米。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高亮度發(fā)光二極體及其制造方法,特別涉及一種具有選擇性高摻雜低電阻層的磷化鋁鎵銦的發(fā)光二極體。此選擇性高摻雜低電阻層可以現(xiàn)有的磊晶技術(shù)成長,故可進行大批量生產(chǎn),具有產(chǎn)業(yè)上的價值。
文檔編號H01S5/00GK1334607SQ00121040
公開日2002年2月6日 申請日期2000年7月13日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月13日
發(fā)明者詹世雄, 曾堅信, 郭政達, 吳育珊 申請人:詹世雄, 曾堅信, 郭政達, 吳育珊