技術(shù)編號(hào)：7229235
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種高亮度發(fā)光二極體及其制作方法，特別是涉及一種具有選擇性高摻雜低電阻層的發(fā)光二極體。在III、V族化合物半導(dǎo)體中，除了氮化物外，對直接能隙僅次于氮化物的磷化鋁鎵銦而言，當(dāng)改變發(fā)光元件活性區(qū)中鋁和鎵的含量比時(shí)，發(fā)光波長可在680nm至550nm之間變化。另外，磷化鋁鎵銦的晶格常數(shù)與砷化鎵基板可完全匹配，因此，磷化鋁鎵銦(InGaAlP)可適用于可見光區(qū)的發(fā)光元件。傳統(tǒng)的磷化鋁鎵銦發(fā)光二極體(LED)結(jié)構(gòu)如圖1所示。其結(jié)構(gòu)是在n型砷化鎵(GaAs)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。