專利名稱：千兆級(jí)無(wú)邊界接觸的新接觸形狀及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及到集成電路器件的制造，更確切地說(shuō)是涉及到無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)及其制造方法。
電接觸的制作必須提供光刻覆蓋容差，從而會(huì)引起接觸與相鄰結(jié)構(gòu)之間的短路。為了補(bǔ)償接觸掩模與器件區(qū)域的無(wú)法做到的準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)，引入一些邊界以便開(kāi)出通過(guò)絕緣層的接觸孔。這些邊界確保了接觸窗口決不會(huì)延伸到制作接觸的結(jié)構(gòu)或區(qū)域之外。但這些邊界減小了襯底上的可用空間，因而限制了單元或集成電路的數(shù)目。于是，為了在單個(gè)芯片上能夠有更多的單元，采用了無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)。
無(wú)邊界接觸在接觸周圍不需要邊界。無(wú)邊界接觸是一種通常為了形成制作在襯底中的擴(kuò)散區(qū)的接觸而覆蓋并暴露半導(dǎo)體器件的有源區(qū)和隔離區(qū)以及柵的接觸。此接觸對(duì)柵總是無(wú)邊界，但對(duì)有源區(qū)，在不對(duì)準(zhǔn)的條件下，可以僅僅局部地?zé)o邊界。通常以避免擴(kuò)散結(jié)與相鄰結(jié)構(gòu)短路而不受光刻覆蓋容差限制的方式，來(lái)制作這種接觸。
本技術(shù)的目前狀態(tài)集中在制造無(wú)邊界接觸使僅僅暴露所希望的區(qū)域而其它區(qū)域仍然被覆蓋或保護(hù)的方法上。在1990年7月31日授予Cronin等人的題為“制作無(wú)邊界接觸的方法”的美國(guó)專利No．4944682中，制作了半導(dǎo)體器件元件，其中至少有二個(gè)其上覆蓋有鈍化材料的暴露的導(dǎo)電區(qū)域。然后用導(dǎo)電材料覆蓋此區(qū)域，并使其整個(gè)置于給定的腐蝕劑中。只有不被抗腐蝕材料覆蓋的具有鈍化材料的那些區(qū)域才被清除。
制造微電子器件的以前的方法都強(qiáng)調(diào)通過(guò)在半導(dǎo)體晶體管的結(jié)之間制作不同的接觸來(lái)減小寄生電容和寄生電阻。借助于減小源區(qū)和漏區(qū)的面積，可以減小結(jié)電容。借助于更好地對(duì)準(zhǔn)各個(gè)接觸，使之靠近溝道區(qū)延伸，可以減小結(jié)電阻。
對(duì)于千兆位基本規(guī)則器件的無(wú)邊界陣列接觸，光刻和腐蝕技術(shù)的工藝窗口對(duì)集成電路的制造是很關(guān)鍵的。涉及到覆蓋要求、區(qū)域圖象改進(jìn)、更小的腐蝕停止層、更小的形狀比、改進(jìn)的接觸電阻以及更大的工藝窗口的制造過(guò)程，仍然是對(duì)千兆位基本規(guī)則工藝的技術(shù)挑戰(zhàn)。
考慮到現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題和不足，因此，本發(fā)明的目的是提供一種半導(dǎo)體器件，它具有由更穩(wěn)定的接觸電阻來(lái)適應(yīng)縮小的基本規(guī)則尺寸的更一致的最大允許接觸面積。
本發(fā)明的另一目的是提供一種改進(jìn)了的千兆級(jí)無(wú)邊界接觸的接觸形狀。
本發(fā)明的又一目的是提供一種用來(lái)增大光刻工藝窗口的無(wú)邊界接觸陣列。
本發(fā)明的再一目的是提供一種能夠補(bǔ)償工藝變化引起的不對(duì)準(zhǔn)的無(wú)邊界接觸。
從本說(shuō)明書(shū)可以部分地看清本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明獲得了本技術(shù)領(lǐng)域熟練人員顯而易見(jiàn)的上述和其它的目的和優(yōu)點(diǎn)，其第一情況的目的是一種半導(dǎo)體器件，它包含襯底；襯底上的至少一個(gè)導(dǎo)體和至少一個(gè)隔離區(qū)；覆蓋至少一個(gè)導(dǎo)體的至少一個(gè)有源區(qū)；以及接觸此有源區(qū)的無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)，此無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)包含與有源區(qū)接觸的下部，此下部由至少一個(gè)導(dǎo)體之間的間隔和至少一個(gè)隔離區(qū)確定；以及排列在導(dǎo)體上的具有長(zhǎng)度和寬度的上部，此長(zhǎng)度對(duì)寬度尺寸的比率大于大約1，其中的長(zhǎng)度沿基本上垂直于至少一個(gè)導(dǎo)體的方向。
在第二情況中，本發(fā)明的目的是一種半導(dǎo)體器件，它包含襯底；襯底上的具有延長(zhǎng)方向的有源區(qū)和位線導(dǎo)體；至少二個(gè)柵結(jié)構(gòu)；以及接觸有源區(qū)的無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)，此無(wú)邊界接觸具有與有源區(qū)形成接觸的下部以及平行于有源區(qū)的上部，其中的上部具有基本上正交的長(zhǎng)軸和短軸，長(zhǎng)軸基本上與位線導(dǎo)體的延長(zhǎng)方向?qū)?zhǔn)，且長(zhǎng)軸對(duì)短軸的比率大于大約1。
在第三情況中，本發(fā)明的目的是一種在具有多個(gè)以最小基本規(guī)則尺寸排列在半導(dǎo)體襯底上的柵結(jié)構(gòu)和位線的半導(dǎo)體器件中制作接觸的方法，它包含下列步驟在多個(gè)柵結(jié)構(gòu)的垂直表面上制作隔層；在襯底和多個(gè)柵結(jié)構(gòu)上淀積共形介質(zhì)層；在介質(zhì)中對(duì)準(zhǔn)并腐蝕多個(gè)溝槽，暴露多個(gè)柵結(jié)構(gòu)之間的襯底；以及借助于在溝槽中淀積導(dǎo)電材料而制作接觸，此接觸具有與襯底接觸的下部以及與介質(zhì)接觸的上部，此上部具有第一側(cè)和第二側(cè)，沿平行于位線的方向，第一側(cè)大于第二側(cè)。
在第四情況中，本發(fā)明的目的是一種制造具有一致的最大允許接觸區(qū)的半導(dǎo)體器件的方法，它包含下列步驟提供具有多個(gè)柵和位線的襯底；此柵形成至少二個(gè)字線；在至少二個(gè)字線的垂直壁上制作隔層；在襯底上淀積共形介質(zhì)層；在介質(zhì)中腐蝕與至少二個(gè)字線對(duì)準(zhǔn)的接觸區(qū)，使至少二個(gè)字線之間的部分襯底暴露，此接觸區(qū)具有下部和上部，此下部與襯底接觸，上部與至少二個(gè)字線和介質(zhì)的頂表面接觸并具有寬度和長(zhǎng)度，此長(zhǎng)度沿平行于位線的方向比寬度大，比率大于1；在接觸區(qū)中淀積導(dǎo)電材料，以形成具有下部和上部的接觸。
在第五情況中，本發(fā)明的目的是一種半導(dǎo)體器件，它包含襯底；襯底上的至少一個(gè)導(dǎo)體，至少一個(gè)位線和至少一個(gè)隔離區(qū)；覆蓋至少一個(gè)導(dǎo)體的至少一個(gè)有源區(qū)；以及接觸有源區(qū)的自對(duì)準(zhǔn)無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)，此無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)包含與有源區(qū)接觸的下部，此下部由至少一個(gè)導(dǎo)體之間的間隔和至少一個(gè)隔離區(qū)確定；以及排列在導(dǎo)體上的具有長(zhǎng)度和寬度尺寸的上部，此長(zhǎng)度對(duì)寬度尺寸的比率大于大約1，其中的長(zhǎng)度沿基本上平行于至少一個(gè)位線的方向。
在所附權(quán)利要求中描述了本發(fā)明的新穎部件和本發(fā)明的各個(gè)元件特性。各個(gè)附圖僅僅是為了示例的目的，未按比例繪出。但參照結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，可以最好地理解本發(fā)明本身在組織和操作方法二方面的情況，在這些附圖中

圖1A是具有常規(guī)接觸陣列的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
圖1B是具有矩形無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的俯視圖。
圖2示出了具有柵結(jié)構(gòu)和深溝槽電容器的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖3示出了表面上具有氧化物介質(zhì)淀積物的圖2的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖4A示出了具有涂敷的光刻膠和腐蝕列以便恰當(dāng)?shù)厥菇佑|對(duì)準(zhǔn)于柵的圖3的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖4B是具有二個(gè)柵結(jié)構(gòu)之間不對(duì)準(zhǔn)的腐蝕列的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖5是具有圖4B所示的不對(duì)準(zhǔn)但具有允許最大接觸面積的矩形無(wú)邊界接觸的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖6是在二個(gè)柵結(jié)構(gòu)之間恰當(dāng)?shù)貙?duì)準(zhǔn)了的矩形接觸的腐蝕列的圖5的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
圖7是在腐蝕溝槽和腐蝕列中淀積有金屬線的圖6的半導(dǎo)體器件的剖面圖。
在本發(fā)明最佳實(shí)施例的描述中，此處將參照附圖1—7，其中相同的參考號(hào)表示本發(fā)明的相同的部件。本發(fā)明的各個(gè)部件不一定要在各個(gè)圖中按比例繪出。
垂直于字線方向(平行于M0金屬線)加寬接觸，導(dǎo)致所有工藝步驟的改善。借助于在矩形結(jié)構(gòu)中制作另一個(gè)矩形無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。圖1A示出了具有接觸區(qū)12的矩形無(wú)邊界接觸10的常規(guī)接觸陣列。此接觸將擴(kuò)散區(qū)(場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏區(qū)和源區(qū))連接到金屬位線16。矩形接觸的覆蓋區(qū)具有長(zhǎng)度(l)和寬度(w)，通常約為0．225微米的量級(jí)(對(duì)于0．175微米最小尺寸而言)。這就造成了通常與這些小尺寸相關(guān)的光刻問(wèn)題和對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題。在無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)的布局中，采用有源區(qū)與字線以及字線對(duì)第一金屬線大致垂直的結(jié)構(gòu)。圖1B示出了本發(fā)明的矩形無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)11。接觸結(jié)構(gòu)的一個(gè)尺寸(1)已經(jīng)被增大。最好將此尺寸增大到大約0．350微米(對(duì)于0．175微米最小尺寸而言)。此接觸沿垂直于字線14或平行于位線16的一個(gè)方向被加寬。在現(xiàn)有技術(shù)中，由于增大接觸尺寸會(huì)導(dǎo)致位線間短路而不嘗試這一方法。重要的是，接觸尺寸的簡(jiǎn)單加寬，亦即更大的矩形接觸，不足以引起可能的短路。
然后使用目前無(wú)邊界接觸的實(shí)際集成方法。借助于改變一個(gè)掩模，能夠容易地實(shí)現(xiàn)尺寸的改變。這些改變不會(huì)導(dǎo)致位線到位線間的短路。對(duì)于光刻工藝，一個(gè)尺寸中的更寬的接觸區(qū)和更大的無(wú)邊界接觸尺寸，導(dǎo)致更好的表面圖象，而重要的是導(dǎo)致更寬的光刻工藝窗口。新的接觸區(qū)(對(duì)于0．175微米最小尺寸而言)約為0．0788平方微米(0．350微米×0．225微米)，而具有矩形接觸形狀的現(xiàn)有技術(shù)接觸的覆蓋區(qū)約為0．0506平方微米(0．225微米×0．225微米)。于是，制作具有長(zhǎng)軸和短軸的無(wú)邊界接觸，使長(zhǎng)軸對(duì)短軸的比率大于1，亦即矩形或橢圓形接觸，就導(dǎo)致接觸面積在正常工藝改變下增大大約56％。
隨設(shè)計(jì)規(guī)則縮小的覆蓋指標(biāo)的縮小，也仍然是對(duì)目前光刻工具的一種挑戰(zhàn)。覆蓋指標(biāo)通常約為設(shè)計(jì)規(guī)則的十分之三到四。這一覆蓋指標(biāo)的滿足對(duì)于接觸電阻和腐蝕是極為關(guān)鍵的。為了滿足覆蓋指標(biāo)，特別是沿垂直于柵或字線的方向或平行于位線的方向，采用了沿位線方向增大接觸尺寸。這確保了字線之間整個(gè)可用有源區(qū)得到利用，并確保了接觸在二側(cè)被柵加寬。
對(duì)于無(wú)邊界接觸，選擇性腐蝕是這樣一種工藝，最好用它來(lái)確保接觸真正被接觸的二個(gè)相反側(cè)上的柵以及其它相鄰側(cè)上的隔離區(qū)加寬。這些柵通常用氮化硅帽和間隔來(lái)隔離。此工藝重要的是，在柵的中部比在各個(gè)柵的邊沿，RIE腐蝕必須向下進(jìn)行得更多。在間隔與柵之間的邊界處即柵邊沿處，或間隔的邊沿處的腐蝕，非常容易造成字線與位線短路的危險(xiǎn)，亦即，存在降低的角部選擇性。若腐蝕工藝導(dǎo)致間隔頂部或外面的列被腐蝕，則引起更高的腐蝕速率，要求清除更多的間隔和到字線電容的更高的接線柱。于是，由于接觸與柵的覆蓋被優(yōu)化且不隨縮小的最小尺寸和接觸尺寸而減小，故能夠用更寬的接觸來(lái)獲得接觸與字線的所需的覆蓋。同樣，以增大的接觸尺寸和減小的形狀比，將大大方便接觸的填充。而且，由于金屬線與接線柱之間的接觸尺寸的增大而明顯地降低了金屬線與接線柱之間的接觸電阻。由于利用了100％的固有的可用有源區(qū)而實(shí)現(xiàn)了更穩(wěn)定的接觸電阻。
圖2示出了半導(dǎo)體器件20的剖面圖，它具有包括柵結(jié)構(gòu)24、氮化硅間隔23和深溝槽電容器26的硅襯底22。深溝槽電容器被氧化物頸圈27隔離。最大可用接觸區(qū)12示于二個(gè)氮化硅柵結(jié)構(gòu)(字線)之間。二個(gè)柵結(jié)構(gòu)被示于淺溝槽隔離勢(shì)壘28上。然后如圖3所示，在半導(dǎo)體器件20上淀積氧化物介質(zhì)30。圖4A示出了這一氧化物介質(zhì)層30，它具有涂敷的光刻膠32并經(jīng)受光刻和腐蝕工藝。介質(zhì)層的清除形成一個(gè)按需要集中在二個(gè)柵結(jié)構(gòu)24之間的腐蝕的列34，從而暴露最大允許的接觸區(qū)12。但在許多情況下，由于小的接觸容差和固有的工藝限制，各個(gè)列的不對(duì)準(zhǔn)仍然是本技術(shù)的一個(gè)問(wèn)題。這使得在現(xiàn)有工藝限制下很難得到被腐蝕的列的對(duì)中。圖4B示出了本工藝中的腐蝕列的典型不對(duì)準(zhǔn)。
如圖5所示，在不對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)下，更寬的腐蝕列36將仍然暴露無(wú)邊界接觸的最大允許接觸區(qū)12。于是，具有矩形無(wú)邊界接觸就確保了即使在不對(duì)準(zhǔn)的條件下也能夠在工藝過(guò)程中暴露最大的接觸區(qū)。
再者，由于可能發(fā)生位線與字線短路，故對(duì)更大的矩形無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)采用現(xiàn)有技術(shù)不是可接受的解決辦法。
當(dāng)對(duì)矩形無(wú)邊界接觸(其中的接觸沿一個(gè)尺寸較寬)實(shí)現(xiàn)此工藝時(shí)，更適合結(jié)構(gòu)容差和工藝偏離。如圖6所示，更寬的腐蝕列36被用來(lái)為接觸淀積層掃清道路。這一更寬的列補(bǔ)償了現(xiàn)有技術(shù)中普遍存在的棘手的容差不對(duì)準(zhǔn)。此外，為金屬線的淀積創(chuàng)造了溝槽40。
一旦清除了位線的光刻膠，就如圖7所示用鑲嵌工藝淀積金屬線42和接觸44。這一淀積的金屬結(jié)構(gòu)最好是鎢材料。重要的是，整個(gè)接觸區(qū)12現(xiàn)在能夠被固定到不對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)中的接觸44。
矩形無(wú)邊界接觸被如上用對(duì)氮化物有選擇性的氧化物腐蝕確定。但也可以使用互補(bǔ)腐蝕工藝或其它的選擇性腐蝕工藝，亦即腐蝕氮化物而不是氧化物。
至此，已一起介紹了能夠在工藝不對(duì)準(zhǔn)的過(guò)程中保持一致的最大允許接觸區(qū)的矩形無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)及其制作方法。
雖然結(jié)合具體的實(shí)施例已經(jīng)具體地描述了本發(fā)明，但顯然，根據(jù)上述描述，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的熟練人員來(lái)說(shuō)，許多變通、修正和改變是顯而易見(jiàn)的。因此，設(shè)想所附權(quán)利要求包括了本發(fā)明實(shí)際范圍與構(gòu)思內(nèi)的任何這種變通、修正和改變。
權(quán)利要求
1．一種半導(dǎo)體器件，它包含襯底；所述襯底上的至少一個(gè)導(dǎo)體和至少一個(gè)隔離區(qū)；覆蓋所述至少一個(gè)導(dǎo)體的至少一個(gè)有源區(qū)；以及接觸所述有源區(qū)的無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)，所述無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)包含(ⅰ)與所述有源區(qū)接觸的下部，所述下部由所述至少一個(gè)導(dǎo)體之間的間隔和所述至少一個(gè)隔離區(qū)確定；以及(ⅱ)排列在所述導(dǎo)體上的具有長(zhǎng)度和寬度尺寸的上部，此長(zhǎng)度對(duì)寬度尺寸的比率大于大約1，其中的長(zhǎng)度沿基本上垂直于所述至少一個(gè)導(dǎo)體的方向。
2．權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，還包括與所述接觸結(jié)構(gòu)電連接的導(dǎo)線。
3．權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述至少二個(gè)導(dǎo)體包含字線。
4．權(quán)利要求3的半導(dǎo)體器件，其中所述字線包含柵結(jié)構(gòu)。
5．權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述至少二個(gè)導(dǎo)體包含位線。
6．權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述接觸結(jié)構(gòu)包含鎢。
7．權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述接觸結(jié)構(gòu)包含多晶硅。
8．權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器體，還包括所述至少二個(gè)導(dǎo)體之間的所 述間隔中的介質(zhì)隔層。
9．權(quán)利要求8的半導(dǎo)體器件，其中所述隔層包含氮化硅。
10．權(quán)利要求1的半導(dǎo)體器件，其中所述接觸結(jié)構(gòu)將所述器件的襯底電連接到金屬線。
11．一種半導(dǎo)體器件，它包含襯底；所述襯底上的具有延長(zhǎng)方向的有源區(qū)和位線導(dǎo)體；至少二個(gè)柵結(jié)構(gòu)；以及接觸所述有源區(qū)的無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)，所述無(wú)邊界接觸具有與所述有源區(qū)形成接觸的下部以及平行于所述有源區(qū)的上部，其中所述上部具有基本上正交的長(zhǎng)軸和短軸，所述長(zhǎng)軸基本上與所述位線導(dǎo)體的延長(zhǎng)方向?qū)?zhǔn)，且所述長(zhǎng)軸對(duì)短軸的比率大于大約1。
12．權(quán)利要求11的半導(dǎo)體器件，其中所述接觸結(jié)構(gòu)的所述上部沿所述至少二個(gè)器件結(jié)構(gòu)之間的所述長(zhǎng)軸可以不對(duì)準(zhǔn)，而所述下部與所述有源區(qū)的整個(gè)表面接觸。
13．一種在具有多個(gè)以最小基本規(guī)則尺寸排列在所述半導(dǎo)體襯底上的柵結(jié)構(gòu)和位線的半導(dǎo)體器件中制作接觸的方法，它包含下列步驟(a)在多個(gè)柵結(jié)構(gòu)的垂直表面上制作隔層；(b)在襯底和多個(gè)柵結(jié)構(gòu)上淀積共形介質(zhì)層；(c)在所述介質(zhì)中，對(duì)準(zhǔn)并腐蝕多個(gè)溝槽，暴露多個(gè)柵結(jié)構(gòu)之間的襯底；以及(d)借助于在所述溝槽中淀積導(dǎo)電材料而形成接觸，所述接觸具有與襯底接觸的下部以及與所述介質(zhì)接觸的上部，所述上部具有第一側(cè)和第二側(cè)，沿平行于所述位線的方向，所述第一側(cè)大于所述第二側(cè)。
14．權(quán)利要求13的方法，還包括在步驟(d)之前，在所述溝槽中淀積金屬襯里的步驟。
15．權(quán)利要求13的方法，其中所述第一側(cè)的尺寸對(duì)所述第二側(cè)的尺寸的比率大于大約1。
16．一種制造具有一致的最大允許接觸區(qū)的半導(dǎo)體器件的方法，它包含下列步驟(a)提供具有多個(gè)柵和位線的襯底；所述柵形成至少二個(gè)字線；(b)在所述至少二個(gè)字線的垂直壁上制作隔層；(c)在所述襯底上淀積共形介質(zhì)層；(d)在所述介質(zhì)中腐蝕與所述至少二個(gè)字線對(duì)準(zhǔn)的接觸區(qū)，使所述至少二個(gè)字線之間的部分所述襯底暴露，所述接觸區(qū)具有下部和上部，此下部與所述襯底接觸，而上部與所述至少二個(gè)字線的頂表面和所述介質(zhì)接觸并具有寬度和長(zhǎng)度，所述長(zhǎng)度沿平行于所述位線的方向比所述寬度大，比率大于1；(e)在所述接觸區(qū)中淀積導(dǎo)電材料，以形成具有下部和上部的接觸。
17．權(quán)利要求16的方法，其中在步驟(d)中，所述接觸的上部能夠基本上修正所述接觸區(qū)沿垂直于所述字線方向的不對(duì)準(zhǔn)，致使所述至少二個(gè)字線之間的所述襯底的整個(gè)區(qū)域形成所述接觸的下部。
18．權(quán)利要求16的方法，其中在步驟(b)中，所述隔層包含氮化硅。
19．權(quán)利要求16的方法，其中的步驟(e)還包括，在所述接觸區(qū)中淀積襯里金屬之后，在所述接觸區(qū)中淀積鎢以形成所述接觸的步驟。
20．權(quán)利要求16的方法，其中的步驟(e)還包括，在所述接觸區(qū)中淀積襯里金屬之后，在所述接觸區(qū)中淀積多晶硅以形成所述接觸的步驟。
21．權(quán)利要求16的方法，其中在步驟(c)中，所述介質(zhì)包含氧化硅。
22．一種半導(dǎo)體器件，它包含襯底；所述襯底上的至少一個(gè)導(dǎo)體、至少一個(gè)位線和至少一個(gè)隔離區(qū)；所述至少一個(gè)導(dǎo)體之間的至少一個(gè)有源區(qū)；以及接觸所述有源區(qū)的自對(duì)準(zhǔn)無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)，所述無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)包含(ⅰ)與所述有源區(qū)接觸的下部，所述下部由所述至少一個(gè)導(dǎo)體之間的間隔和所述至少一個(gè)隔離區(qū)確定；以及(ⅱ)排列在所述導(dǎo)體上的具有長(zhǎng)度和寬度尺寸的上部，此長(zhǎng)度對(duì)寬度尺寸的比率大于大約1，其中的長(zhǎng)度沿基本上平行于所述至少一個(gè)位線的方向。
全文摘要
垂直于字線方向(平行于M0金屬線),千兆級(jí)基本規(guī)則的無(wú)邊界接觸被加寬,導(dǎo)致所有工藝步驟的改善。借助于在矩形結(jié)構(gòu)中制作另一個(gè)矩形無(wú)邊界接觸結(jié)構(gòu)而實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)。緩和了工藝不對(duì)準(zhǔn),并降低了接觸電阻且使接觸電阻保持均勻。即使在不對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)的情況下,也可得到最大允許接觸面積。
文檔編號(hào)H01L27/108GK1280389SQ00106570
公開(kāi)日2001年1月17日 申請(qǐng)日期2000年4月13日 優(yōu)先權(quán)日1999年4月26日
發(fā)明者托馬斯·S·魯普, 戴維·M·多布金斯基, 呂志堅(jiān) 申請(qǐng)人:國(guó)際商業(yè)機(jī)器公司, 英芬能技術(shù)北美公司