專利名稱：電路裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電路裝置以及其制造方法，特別是涉及一種具有等間隔分開的導電圖案的電路裝置及其制造方法。
背景技術：
現有的設于電子設備的電路裝置，為在手提電話、手提電腦等采用，正追求著小型化、薄型化和輕量化。
例如，提到作為電路裝置的半導體裝置，最近正在開發(fā)稱為CSP(芯片尺寸封裝)的與芯片尺寸相同的晶片級CSP。
圖11表示支承襯底采用玻璃環(huán)氧襯底65的比芯片尺寸大一些的CSP66。在此，說明在玻璃環(huán)氧襯底65上安裝晶體管芯片T的CSP。
在該玻璃環(huán)氧襯底65的表面上形成第一電極67、第二電極68以及小墊片69，背面上形成第一背面電極70和第二背面電極71。并且第一電極67與第一背面電極70介由通孔TH連接。另外第二電極68與第二背面電極71介由通孔TH電連接。另外在小墊片69上固定粘接所述晶體管裸片T，晶體管發(fā)射極與第一電極67介由金屬細線72連接。另外，晶體管的基極與第二電極68介由金屬細線72連接。在玻璃環(huán)氧襯底65上設有樹脂層73，覆蓋晶體管芯片T。
所述CSP66采用玻璃環(huán)氧襯底65，但不同于晶片級CSP，從芯片T到外部連接用背面電極70、71的延伸結構簡單，具有可低成本制造的優(yōu)點。
但是，上述CSP66將玻璃環(huán)氧襯底65用作插入件，由此在CSP66的小型化以及薄型化上存在限制。因此開發(fā)了沒有圖12所示的安裝襯底的電路裝置80(例如參照專利文獻1)參照圖12，在電路裝置80中，電路元件82固定粘接在導電圖案81上。并且，通過金屬細線84連接電路元件82和導電圖案81。密封樹脂83使導電圖案81的背面露出并覆蓋電路元件82、金屬細線84以及導電圖案81。因此，電路裝置80形成沒有安裝襯底的結構，與CSP66相比形成薄型且小型。
電路裝置80上的導電圖案81通過蝕刻導電箔形成。具體地，首先，通過半蝕刻導電箔的表面形成分離槽87。通過形成分離槽87在導電箔表面形成凸狀導電圖案81。其次，在導電圖案81上電連接電路元件82。然后，覆蓋電路元件形成密封樹脂83填充在分離槽87內。進而從背面除去導電箔，直至分離槽87內填充的密封樹脂83露出。由此，分離各導電圖案81。由上述的工序形成所需形狀的導電圖案81。
專利文獻1特開2002一076246號公報(第7頁第1圖)但是，存在若為使導電圖案81之間接近而減小分離槽87的寬度時分離槽87的深度變得不均勻的問題。例如，若設定分離槽87的寬度為150μm以下，則分離槽87深度變得不均勻。如上所述，通過從背面蝕刻導電箔，直至在分離槽87內填充的密封樹脂83露出，來分離各導電圖案81。當形成局部較淺的分離槽87時，從背面蝕刻導電箔，直至該較淺的分離槽87內填充的密封樹脂83露出。因此，通過過度蝕刻，較薄地形成導電圖案81。由此，存在導電圖案81的電流容量變小的問題。
另外，存在導電圖案81相互之間的間隔不均勻時，局部會產生大的寄生電容的問題。因此，進行電路設計時，必須考慮局部不同的寄生電容。這給電路設計帶來了困難。

發(fā)明內容
本發(fā)明是鑒于上述問題而開發(fā)的，其主要目的在于提供一種使導電圖案之間的間隔均勻的電路裝置及其制造方法。
本發(fā)明的電路裝置具有導電圖案、與所述導電圖案電連接的電路元件，所述導電圖案之間等間隔分離。
另外，本發(fā)明的電路裝置，其具有由分離槽分開的導電圖案，電連接在所述導電圖案上的電路元件；露出所述導電圖案的背面覆蓋所述導電圖案和所述電路元件的密封樹脂，所述導電圖案之間由所述分離槽等間隔分開。
本發(fā)明的電路裝置的制造方法具有以下工序準備導電箔；通過在所述導電箔上形成具有等間隔寬度的分離槽，以凸狀形成導電圖案；電連接所述導電圖案和電路元件；由密封樹脂密封，覆蓋所述電路元件并填充在所述分離槽中；除去所述導電箔的背面，直至填充在所述分離槽內的密封樹脂露出。
本發(fā)明的電路裝置的制造方法，其具有以下工序準備導電箔；通過在所述導電箔上形成等間隔的第一分離槽，將構成一個單元的導電圖案以凸狀形成，在所述單元之間設置寬度比所述第一分離槽寬的第二分離槽；電連接所述導電圖案和電路元件；由密封樹脂密封，覆蓋所述電路元件并填充在所述第一分離槽及所述第二分離槽內；除去所述導電箔的背面，直至在所述第一分離槽及第二分離槽內填充的密封樹脂露出；通過切斷填充在所述第二分離槽內的所述密封樹脂，分離所述單元。
根據本發(fā)明的電路裝置，通過將導電圖案之間的寬度設定為一定的間隔，能夠容易地預測導電圖案與密封樹脂之間發(fā)生的寄生電容的值。因此，考慮到寄生電容的電路圖案的設計變得容易。
根據本發(fā)明的電路裝置的制造方法，通過將分離槽的寬度設定為等間隔，由蝕刻形成的分離槽其深度也變得均勻。因此，能夠使導電圖案之間的間隔均勻。另外，通過將分離槽的寬度設定為一定值以上能夠抑制槽深的偏差，制造高品質的電路裝置。由于分離槽的深度的均勻化，因此可形成所需的厚度的導電圖案。


圖1是表示本發(fā)明的電路裝置的平面圖(A)、剖面圖(B)；圖2是表示本發(fā)明的電路裝置的平面圖；圖3是表示本發(fā)明的電路裝置制造方法的剖面圖(A)、平面圖(B)；圖4是表示本發(fā)明的電路裝置的剖面圖；圖5是表示本發(fā)明的電路裝置的剖面圖(A)，特性圖(B)；圖6是表示本發(fā)明的電路裝置制造方法的剖面圖(A)、平面圖(B)；圖7是表示本發(fā)明的電路裝置制造方法的剖面圖(A)、平面圖(B)；圖8是表示本發(fā)明的電路裝置制造方法的剖面圖；圖9是表示本發(fā)明的電路裝置制造方法的剖面圖；圖10是表示本發(fā)明的電路裝置制造方法的平面圖；圖11是表示現有的電路裝置的剖面圖；圖12是表示現有的電路裝置的剖面圖；
具體實施例方式
參照圖1說明本實施例的電路裝置10的結構。圖1(A)是電路裝置10A的平面圖，圖1(B)是其剖面圖。
參照圖1(A)，本實施例的電路裝置10A具有導電圖案11；與該導電圖案11電連接的電路元件12；覆蓋電路元件12以及導電圖案11、露出導電圖案11的背面的密封樹脂13。
導電圖案11，要考慮到焊料的附著性、結合性、鍍敷性，來選擇其材料。具體地，導電圖案11的材料可采用以Cu為主材料的導電箔、以Al為主材料的導電箔或由Fi-Ni等合金構成的導電箔等。在此，導電圖案11構成使背面露出而埋入密封樹脂13的結構，由分離槽41電氣分離。例如，電路裝置10的四個角部上形成安裝電路元件12的接合區(qū)狀的導電圖案11。并且，構成金屬細線14的焊盤的導電圖案11在其間形成。另外，從密封樹脂13露出的導電圖案11的背面上設有由焊錫等焊料構成的外部電極15。導電圖案11由蝕刻形成，其側面形成彎曲面。另外，在裝置的背面不設置外部電極15的地方由抗蝕層16覆蓋。
電路元件12是晶體管、二極管、IC芯片等半導體元件、片裝電容、片裝電阻等無源元件。另外，厚度雖會變厚，但還可安裝CSP、BGA等的倒裝的半導體元件。在此，通過面朝上結合法安裝的電路元件12，介由金屬細線14與其它導電圖案11電連接。
密封樹脂13覆蓋電路元件12、金屬細線14以及導電圖案11，露出導電圖案11的背面。密封樹脂13可以采用熱硬性樹脂或熱塑性樹脂。另外，在分離各導電圖案11的分離槽41內充填有密封樹脂13。本發(fā)明的電路裝置10通過密封樹脂13支承其整體。
分離槽41設置于各導電圖案11之間，具有電氣分離各導電圖案11的功能。并且，分離槽41的寬度W1在任何地方其寬度也基本上均勻形成。寬度W1例如為150μm左右。換言之，各導電圖案11等間隔地分開。因此，可使充填在分離槽41內的密封樹脂13和導電圖案11的側面之間發(fā)生的寄生電容的值均勻化。另外，由于寄生電容的均勻化，可容易進行考慮到該寄生電容的設計。
另外，上述分離槽41的寬度為等間隔，但該“等間隔”是含有差異的等間隔，嚴密地講有時會發(fā)生某種程度的誤差。該誤差包含用于蝕刻的蝕刻掩膜形成時發(fā)生的誤差和進行濕蝕時發(fā)生的誤差。具體地，這些誤差為數微米至數十微米的程度。另外，充填在分離槽41內的密封樹脂13從導電圖案11的背面向外部突出。
另外，露出導電圖案11背面的密封樹脂13的背面被由樹脂形成的抗蝕層16覆蓋。并且，在設置于抗蝕層16的開口部上形成由焊錫等焊料構成的外部電極15。
參照圖2說明其它實施方式的電路裝置10B。圖2是電路裝置10B的平面圖。在該圖所示的電路裝置10B中，由導電圖案11形成配線部11C。另外，導電圖案11相互之間分開的距離存在局部不同的部分。電路裝置10B的其它結構與圖1所示的電路裝置10A相同。
在電路裝置10B中內裝有兩種電路元件12。其一是IC芯片的電路元件12A。其另一是作為進行數安培以上的大電流的開關的半導體元件的電路元件12B。電路元件12B是基于從電路元件12A供給的控制信號進行開關的半導體元件。除了這些半導體元件以外電路裝置10B上還可內裝片狀電阻、片狀電容等其它電路元件。
配線部11C是在平面上不同的地方形成電連接區(qū)域的導電圖案11。例如，在該配線部11C中，一端部介由金屬細線14與作為IC的電路元件12A連接。另外，配線部11C的另一端部介由金屬細線14與作為開關元件的電路元件12B連接。因此，配線部11C用作導通內裝于電路裝置10B內的元件之間的路徑的一部分。另外，配線部11C延伸設置在金屬細線14的下方。在本實施方式的電路裝置10B中形成多個配線部11C。另外，配線部11C之間鄰接的地方，配線部11C之間分開的距離大致相同。
參照圖1說明的電路裝置中，雖然內裝的導電圖案11之間分開的距離大致相同，但在圖2的電路元件10B中，存在其距離不同的地方。具體地，配置作為開關元件的電路元件12B的接合區(qū)狀的小墊片11B與其它的導電圖案11A的分開的距離比其它的地方大。在此，所謂其它導電圖案11A，包含構成配線部11C的導電圖案11、載置控制用IC即電路元件12A的接合區(qū)狀的導電圖案11。例如，相對于其它導電圖案11A之間分開的距離(W1)是150μm左右，小墊片11B與其它導電圖案11A分開的距離是250μm左右。
這樣，使小墊片11B從其它導電圖案11A更加分開的理由是為確保小墊片11B的耐壓性。在小墊片11B上介由焊錫或導電性膏等導電性的粘接劑固定粘接有進行大電流(例如250V、2A左右)的開關的電路元件12B。因此，在電路元件12B導通操作時，所述大電流也流至小墊片11B。由此相對，其它導電圖案11A中，通過控制用的小的電信號(例如數伏、數十毫安左右)。因而，由于小墊片11B與導電圖案11A之間電位差大，所以分開兩者確保耐壓性很重要。根據本實施方式，流經小墊片11B的大電流可抑制流經導電圖案11A的控制信號中出現雜音。另外，與上述功率類半導體元件的源極電極或漏極電極連接的導電圖案也可從其它導電圖案分開。由此，能夠使內裝于電路裝置的電路更穩(wěn)定。
概括而言，為使第一分離槽的深度均勻化，若由蝕刻形成的分離槽41的寬度實際均勻，則其深度均勻。因此，可由從背面進行的蝕刻良好地進行各導電圖案11的分離。但是，對于大電流通過的導電圖案11，為確保與其它導電圖案11之間的耐壓性，必須以大于等于規(guī)定的距離分開。因此，有時為確保耐壓也較大地設定一部分分離槽41的寬度。其寬度在圖2中由W2表示。
以上，作為使用導電箔的圖案圖說明了兩種，但還有其它圖案，以下加以說明。
圖案1由與分立型電路元件等電連接并配置在固定粘接有電路元件的接合區(qū)周圍的結合墊片構成。該圖案特別適用于內裝端子少的IC或者分立晶體管的電路裝置。
圖案2與引腳數多的電路元件(例如IC)電連接，為在配置電路元件的接合區(qū)周圍進行再配線而分布形成，從與電路元件電連接的墊片連續(xù)延伸。
圖案3在SIP(System in Package)中，內裝有晶體管、IC、無源元件或者這些的集合體。這些電路元件介由配線部11C電連接。該配線部11C的形狀，如圖2所示，除細長地延伸的形狀外，也可以采用形成L字形的導電圖案11作為配線部11C。
參照圖3及其以后

電路裝置10的制造方法。
本發(fā)明的第一工序，如圖3～圖6所示，準備導電箔，通過形成分離槽41，形成突出成凸狀的導電圖案11。
在本工序中，首先如圖3(A)準備薄片狀導電箔40?？紤]焊料的附著性、結合性、鍍敷性來選擇該導電箔40的材料。具體采用以Cu為主材料的導電箔、以Al為主材料的導電箔或由Fe-Ni等合金構成的導電箔等?？紤]到后面的蝕刻，導電箔的厚度最好是10μm～300μm程度。具體如圖3(B)所示，在長條狀的導電箔40上形成多個單元的塊42分開排列有4～5個。在各塊42之間設置縫隙43，吸收模制工序等中的加熱處理中產生的導電箔40的應力。另外，在導電箔40的上下周端以一定的間隔設置對準孔44，用以在各工序中定位。
接著，形成各塊的導電圖案11。首先，如圖4所示，在導電箔40的上面形成作為耐蝕掩膜的抗蝕層PR，構圖光致抗蝕劑層PR，露出除構成導電圖案11的區(qū)域外的導電箔40。以抗蝕層PR作為蝕刻掩膜進行濕蝕，由此從抗蝕層PR露出的導電箔40進行蝕刻形成分離槽41。為形成等間隔的分離槽41，抗蝕層PR的露出部的寬度W1等間隔形成。在此，由于抗蝕層PR的構圖通過曝光和顯影工序進行，有時也會發(fā)生某種程度的誤差。
參照圖5說明由濕蝕形成的分離槽14的寬度W與深度D之間的關系。圖5(A)是由蝕刻形成的分離槽41的剖面圖。圖5(B)是表示分離槽的寬度與深度之間關系的曲線圖。
參照圖5(A)說明在導電箔40上形成的分離槽41的剖面形狀。在此，分離槽41的寬度用符號W表示，其深度用符號D表示。由濕蝕形成的分離槽的斷面各向同性地形成。因此，分離槽41的深度D由分離槽的寬度W和蝕刻的條件所控制。即，若分離槽的寬度W加大，則分離槽的深度D也變大。若蝕刻強度增強，則分離槽的深度D變深。
參照圖5(B)的曲線圖說明分離槽的寬度W與深度D之間的關系。同圖的曲線圖表示在相同的濕蝕條件下形成多個寬度不同的分離槽的結果。在曲線圖上標繪各個分離槽的寬度W和深度D。并且利用這些點的集合體描繪出用統(tǒng)計學方法算出的近似曲線L1。
首先，說明近似曲線。分離槽的寬度在0～150μm之間，隨著分離槽寬度W的增加其深度也增加。并且，當分離槽的寬度W達到150μm以上時，分離槽的深度趨于定值。即意味著具有150μm以上寬度的分離槽41的深度大致為定值。
下面，說明上述寬度與深度值的偏差。設近似曲線表示的深度和其點表示的深度的差為D1。則在分離槽41的深度不到150μm的區(qū)域，D1的值非常大。這意味著當形成寬度150μm以下的分離槽41時各個分離槽41的深度存在很大偏差。與此相對，當分離槽41的寬度W為150μm以上時近似曲線L1表示的深度和各點表示的深度的差非常小。具體地，在該區(qū)域近似曲線表示的深度和各點表示的深度的差為數微米左右。因此，寬度W為150μm以上時，能形成均勻性優(yōu)良的分離槽41。
另外，在上述說明中，由蝕刻形成的分離槽41的深度為定值時的寬度WS為150μm。但是，該寬度WS根據蝕刻條件的不同會有所變動。即有時向導電箔40的表面噴射蝕刻劑的方法和將導電箔浸漬在蝕刻劑中的方法對應的寬度WS不同。另外可預測，根據用于蝕刻導電箔40的蝕刻劑的種類的不同寬度WS也有所變動。
參照圖6說明該工序中形成的具體導電圖案11的形狀。圖6(A)是形成有分離槽41的導電箔40的剖面圖，圖6(B)為其平面圖。
參照圖6(A)，在導電箔40的表面形成有分離槽41。并且，該分離槽41由第一分離槽41A以及第二分離槽52所構成。第一分離槽41A是用于在一個單元內部分離各個導電圖案11相互間的分離槽。第二分離槽52是用于分離各單元的分離槽，其寬度比所述的第一分離槽41A大。該第二分離槽52內利用后面的模制工序與第一分離槽41B一起充填密封樹脂。然后，通過切割填充在第二分離槽52內的密封樹脂，分離為各電路裝置。在此，所謂單元是指構成一個電路裝置的結構要素。
具體地，第一分離槽41A的寬度W1采用150μm左右。第二分離槽52的寬度W2采用W1的2倍左右(300μm)。通過使第一分離槽41A的寬度W1采用150μm左右，能使各第一分離槽41A的深度均勻。并且，由于該150μm的寬度是能夠保證深度均勻性的最小寬度，所以能夠使各導電圖案11分開的距離最小化。因此，可增大用作導電圖案11的電路裝置內部的有效面積。
在圖6(B)表示具體的導電圖案11。本圖是對應圖3(B)所示的塊42的其中一個的放大圖。一個虛線包圍的部分為一個單元45。在一個塊42上多個單元45排列成陣列狀，在每個單元45上設有同一導電圖案11。在此，形成兩行兩列的四個單元45，但還可形成更多個單元45。另外，上述第二分離槽52在各個單元45間形成格子狀。
本發(fā)明的第二工序，如圖7(A)的剖面圖以及圖7(B)的平面圖所示，將電路元件12固定粘接在所需的導電圖案11的各單元45上，并形成電連接各單元45的電路元件12的電極和所需的導電圖案11的連接裝置。
電路元件12是晶體管、二極管、IC芯片等半導體元件、片狀電容、片狀電阻等無源元件。雖然厚度會變厚，但還可安裝CSP、BGA等倒裝的半導體元件。
本發(fā)明的第三工序，如圖8所示，由密封樹脂13進行模制，一并覆蓋各單元45的電路元件12，并填充在分離槽41內。
在本工序中，密封樹脂13覆蓋電路元件12和多個導電圖案11，密封樹脂13充填在導電圖案11之間的分離槽41內。另外，密封樹脂13與導電圖案11側面的彎曲結構嵌合而牢固地結合。并且由密封樹脂13支承導電圖案11。另外在本工序可通過傳遞模模制、注入模模制、或浸漬實現。作為樹脂材料，環(huán)氧樹脂等熱硬性樹脂可通過傳遞模實現，聚酰亞胺樹脂、聚苯硫醚等熱塑性樹脂可通過注入模實現。另外，在本工序中，在第一分離槽41A以及第二分離槽52的兩者內填充密封樹脂13。
本工序的優(yōu)點是覆蓋密封樹脂13之前構成導電圖案11的導電箔40為支承襯底?，F有技術中采用了本來不必要的襯底。本發(fā)明中，構成支承襯底的導電箔40作為電極材料是必要材料。因而，具有能盡可能節(jié)省結構材料的優(yōu)點，也能實現成本的降低。
本發(fā)明的第四工序，如圖9所示，在于電氣分離各導電圖案11。在此，除去導電箔40的背面，直至填入分離槽41的密封樹脂13露出，進行各導電圖案11的分離。在本工序中，導電箔40的背面通過化學和/或物理方法除去，作為導電圖案11分離。該工序，通過研磨、磨削、蝕刻、激光金屬蒸發(fā)等實施。特別是當通過蝕刻除去導電箔40時，可得到填入分離槽41的密封樹脂向下方突出的結構。
如圖6(A)所示，形成較寬寬度的第二分離槽52的深度與第一分離槽41A的深度大致相等。因此，利用濕蝕進行所述除去時，在第二分離槽52以及第一分離槽41A內填充的密封樹脂向下方以相同程度突出。
另外，對導電圖案11進行背面處理得到圖1所示的最終結構。即，根據需要將焊錫等導電材料覆蓋在露出的導電圖案11上形成背面電極15，完成電路裝置。
本發(fā)明的第五工序，如圖10所示，按各單元45通過切割分離密封樹脂13。
在本工序中，用刀片49沿各單元45間的切割線切割密封樹脂13，分離成各個電路裝置。在本工序中，因為在切割線上僅存在填入分離槽內的密封樹脂13，因而刀49的磨耗少。另外可不產生金屬毛刺，切割成非常準確的外形。詳細地，沿各單元45之間形成的第二分離槽52的中間部分進行上述切割。
上述切割用刀49的厚度例如是100μm左右。因此，通過較大地形成進行切割的第二分離槽52的寬度，能夠防止刀49接觸導電圖案11。
權利要求
1.一種電路裝置，其特征在于，具有導電圖案和與所述導電圖案電連接的電路元件，所述導電圖案之間等間隔分開。
2.一種電路裝置，其特征在于，具有由分離槽分開的導電圖案，電連接在所述導電圖案上的電路元件；露出所述導電圖案的背面覆蓋所述導電圖案和所述電路元件的密封樹脂，所述導電圖案由所述分離槽等間隔分開。
3.如權利要求1或2所述的電路裝置，其特征在于，所述導電圖案之間分開的距離是150μm以上。
4.如權利要求2所述的電路裝置，其特征在于，所述分離槽以均勻的深度形成。
5.如權利要求1或2所述的電路裝置，其特征在于，所有所述導電圖案等間隔分開。
6.如權利要求1或2所述的電路裝置，其特征在于，所述導電圖案包含固定粘接半導體元件的小墊片，所述小墊片和其它所述導電圖案分開的距離比其它所述導電圖案之間分開的距離長。
7.根據權利要求6所述的電路裝置，其特征在于，所述半導體元件包含功率類半導體元件。
8.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序準備導電箔；通過在所述導電箔上形成等間隔的具有寬度的分離槽，以凸狀形成導電圖案；電連接所述導電圖案和電路元件；由密封樹脂密封覆蓋所述電路元件，并填充在所述分離槽中；除去導電箔的背面，直至填充在所述分離槽內的密封樹脂露出。
9.如權利要求8所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述分離槽的寬度形成為150μm以上。
10.如權利要求8所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述分離槽形成寬度比其深度大的結構。
11.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序準備導電箔；通過在所述導電箔上形成等間隔的第一分離槽，將構成一個單元的導電圖案以凸狀形成，在所述單元之間設置寬度比所述第一分離槽寬的第二分離槽；電連接所述導電圖案和電路元件；由密封樹脂密封覆蓋所述電路元件，并填充在所述第一分離槽及所述第二分離槽內；除去所述導電箔的背面，直至在所述第一分離槽及所述第二分離槽內填充的密封樹脂露出；通過切斷填充在所述第二分離槽內的所述密封樹脂，分離所述單元。
12.如權利要求11所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述第二分離槽的寬度是所述第一分離槽的2倍左右。
13.如權利要求11所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述第一分離槽和所述第二分離槽具有大致相同的深度。
14.如權利要求11所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述第一分離槽的寬度形成為150μm以上。
15.一種電路裝置，其特征在于，包括利用由蝕刻形成的分離槽相互分開的導電圖案，電連接在所述導電圖案上的電路元件；露出所述導電圖案的背面覆蓋所述電路元件和所述導電圖案的密封樹脂，所述分離槽的寬度為由蝕刻形成的槽的深度飽和的長度以上。
16.如權利要求15所述的電路裝置，其特征在于，所述分離槽的寬度為150μm以上。
17.如權利要求15所述的電路裝置，其特征在于，所述槽的寬度形成等間隔。
18.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，具有以下工序通過在導電箔表面蝕刻形成比所述導電箔的厚度淺的分離槽，使預定形成的導電圖案以凸狀突出；將電路元件電連接在所述導電圖案上；填充所述分離槽并覆蓋所述電路元件形成密封樹脂，從背面除去所述導電箔，直至填充在所述分離槽內的密封樹脂露出，所述分離槽的寬度為由蝕刻形成的槽的深度飽和的長度以上。
19.如權利要求18所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述分離槽的寬度形成為150μm以上。
20.如權利要求18所述的電路裝置的制造方法，其特征在于，所述分離槽的寬度形成等間隔。
全文摘要
一種電路裝置及其制造方法，使導電圖案之間的間隔均勻化。該制造方法包含如下工序準備導電箔(40)；通過在導電箔上形成等間隔具有寬度的分離槽(41)，形成構成至少具有電路元件(12)的搭載區(qū)域的單元(45)的導電圖案(11)；電連接導電圖案(11)和電路元件(12)；由密封樹脂密封，覆蓋電路元件(12)，并填充在分離槽(41)內并除去未設有分離槽(41)的厚的部分的導電箔(40)。
文檔編號H01L23/50GK1604323SQ200410083248
公開日2005年4月6日 申請日期2004年9月29日 優(yōu)先權日2003年9月30日
發(fā)明者高橋幸嗣 申請人:三洋電機株式會社