專利名稱：帶式電路襯底及使用該襯底的半導(dǎo)體芯片封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件，更確切地，涉及一種帶式電路襯底及使用該襯底的半導(dǎo)體芯片封裝，其能夠滿足在半導(dǎo)體芯片焊盤中的細(xì)距(finepitch)趨勢。
背景技術(shù)：
由于薄的、緊湊的，高集成度，高速以及高引腳數(shù)的半導(dǎo)體器件的趨勢，帶式電路襯底目益應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片安裝技術(shù)領(lǐng)域。帶式電路襯底被構(gòu)造為使得連線圖案層(wiring pattern layer)和連接到該連線圖案層的引線形成在由例如聚酰亞胺樹脂的絕緣材料構(gòu)成的薄膜上。將帶式電路襯底的引線共同鍵合到之前在半導(dǎo)體芯片上形成的凸起的TAB(卷帶自動(dòng)鍵合)技術(shù)能夠應(yīng)用于帶式電路襯底。由于這些特性，帶式電路襯底常常被稱為TAB帶。
圖1是普通帶式電路襯底的部分平面圖。
參照圖1，通過用于銅箔層壓的光蝕刻工藝(photo etching process)，普通帶式電路襯底100被構(gòu)造為使得連線圖案層140形成在由例如聚酰亞胺樹脂的絕緣材料構(gòu)成的基薄膜120上。另外，連線圖案層140被由阻焊劑制成的保護(hù)膜130所覆蓋和保護(hù)。為獲得與半導(dǎo)體芯片的電連接，連接到連線圖案層140的內(nèi)引線140a通過保護(hù)膜130暴露并伸入到芯片安裝部分110。此時(shí)，芯片安裝部分110意味著連線圖案層140的一部分，在此處未形成用于半導(dǎo)體芯片安裝的保護(hù)膜130。
圖2和3是根據(jù)相關(guān)技術(shù)的其上安裝有半導(dǎo)體芯片的帶式電路襯底的引線的部分平面圖。
圖2表示了成行的引線結(jié)構(gòu)，圖3表示了交錯(cuò)的引線結(jié)構(gòu)。
如圖2所示，在成行的引線結(jié)構(gòu)的情況下，引線210通過保護(hù)膜130暴露并且并排伸入到芯片安裝部分110中。引線210的末端與半導(dǎo)體芯片250的電極焊盤220電連接。
如圖3所示，在交錯(cuò)的引線結(jié)構(gòu)的情況下，引線260和270通過保護(hù)膜130暴露并且伸入到芯片安裝部分110中。此外，引線260和270的末端交替地形成為不同的長度使得它們能夠與在半導(dǎo)體芯片250上的鋸齒形圖案中形成的焊盤280和290電連接。
換句話說，圖1是使用TAB技術(shù)的TAB帶(帶式電路襯底100)的示意圖，圖2和3是圖1的預(yù)定區(qū)域150的放大圖并且表示了半導(dǎo)體芯片250被安裝到帶式電路襯底上的狀態(tài)。如圖1所示，帶式電路襯底100以這樣的方式構(gòu)造，即，使得由金屬(例如銅)圖案構(gòu)成的引線140a形成在由聚酰亞胺或聚脂樹脂構(gòu)成的絕緣基薄膜120的表面上。絕緣基薄膜120設(shè)置有輸運(yùn)孔160，其用于將半導(dǎo)體芯片安裝到TAB帶上的工藝過程中，并沿絕緣基薄膜120的縱向方向位于其相對的側(cè)端。引線140a的末端伸入到芯片安裝部分110并在芯片安裝部分中被排列從而使它們能夠電連接到在半導(dǎo)體芯片上形成的電極焊盤(未示出)。
參照圖2和3，半導(dǎo)體芯片250首先位于帶式電路襯底100的芯片安裝部分110中，引線210，260和270的末端被排列并熱焊接到半導(dǎo)體芯片250的電極焊盤220，280和290，從而使得引線210，260和290能夠電連接到電極焊盤220，280和290。此時(shí)，在圖2的成行引線的情況下，引線210電連接到在半導(dǎo)體芯片250上成行形成的電極焊盤220。相反，在圖3的交錯(cuò)引線的情況下，長引線260鍵合到靠近半導(dǎo)體芯片250的中心的電極焊盤280，而短引線270鍵合到靠近半導(dǎo)體芯片250的外圍的電極焊盤290。
然而，在圖2的成行引線的情況下，即使引線之間的間距變得更窄以應(yīng)付根據(jù)目前對于薄而緊湊的半導(dǎo)體器件趨勢的半導(dǎo)體芯片電極焊盤中的細(xì)距趨勢，但是在基本的制造工藝中仍需要其寬度大于引線寬度的電極焊盤并且為防止電極焊盤的短路仍需要電極焊盤之間的預(yù)定間距。因此，在實(shí)現(xiàn)細(xì)距引線中存在限制。
此外，在圖3的交錯(cuò)引線的情況下，由于電極焊盤以鋸齒形圖案排列，而不像圖2的成行引線那樣，所以電極焊盤之間的短路問題稍微得到解決并且與成行引線相比，引線之間的平均間距得以降低。然而，通常大于穿過電極焊盤290附近的引線260的寬度的電極焊盤290之間的間距寬度應(yīng)被保持在一預(yù)定距離以防止在其間短路的可能，因此在實(shí)施或?qū)崿F(xiàn)細(xì)距引線中仍存在限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述問題而構(gòu)想。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種帶式電路襯底及使用該襯底的半導(dǎo)體芯片封裝，其能夠應(yīng)對在帶式電路襯底中的細(xì)距趨勢。本發(fā)明致力于通過細(xì)距帶式電路襯底使半導(dǎo)體芯片小型化并防止引線間短路的出現(xiàn)。
根據(jù)為實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的的本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種帶式電路襯底，其包括由絕緣材料制成的基薄膜和形成在該基薄膜上并包括第一引線和第二引線的連線圖案層，其中第一引線連接到靠近半導(dǎo)體芯片的外圍排列的電極焊盤，第二引線連接到靠近半導(dǎo)體芯片的中心排列的電極焊盤。在這種情況下，每根引線優(yōu)選地被構(gòu)造為使得其鍵合到相應(yīng)的電極焊盤的末端的寬度大于其本體部分的寬度。
優(yōu)選地，引線的末端的寬度在10-17μm的范圍內(nèi)。
優(yōu)選地，引線的本體部分的寬度是引線末端寬度的0.3-0.9倍。
優(yōu)選地，第一和第二引線交替地排列并且第一和第二引線的末端排列在鋸齒形圖案中。
優(yōu)選地，用阻焊劑密封除了其電連接到外部的部分之外的連線圖案層。
優(yōu)選地，基薄膜形成為具有一窗口以用于將半導(dǎo)體芯片安裝到帶式電路襯底上并且引線伸入到窗口中。
根據(jù)為實(shí)現(xiàn)這個(gè)目的的本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體芯片封裝，其包括一帶式電路襯底，該襯底包括由絕緣材料制成的基薄膜和形成在該基薄膜上并含有第一引線和第二引線的連線圖案層，其中第一引線連接到靠近半導(dǎo)體芯片的外圍排列的電極焊盤，第二引線連接到靠近半導(dǎo)體芯片的中心排列的電極焊盤；包括多個(gè)電極焊盤的半導(dǎo)體芯片，所述電極焊盤具有在其主表面處形成于其上的鍵合部分，其中半導(dǎo)體芯片通過鍵合部分鍵合到連線圖案層的引線從而使半導(dǎo)體芯片能夠被安裝到帶式電路襯底上。在這種情況下，每根引線優(yōu)選地被構(gòu)造為使得其末端鍵合到寬度大于其本體部分寬度的電極焊盤。
優(yōu)選地，用于電連接電極焊盤和引線的鍵合部分是芯片凸起。


通過參照附圖給出的對優(yōu)選實(shí)施例的下列描述，本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，附圖中圖1是表示常規(guī)帶式電路襯底的部分平面圖；圖2和3是表示其上安裝半導(dǎo)體芯片的相關(guān)技術(shù)的帶式電路襯底的引線的部分平面圖；圖4A和4B是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的帶式電路襯底的部分平面圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有安裝在其上的半導(dǎo)體芯片的帶式電路襯底的引線結(jié)構(gòu)的部分平面圖；圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的帶式電路襯底的引線結(jié)構(gòu)的部分平面圖；圖7是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝的剖面圖；以及圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝的剖面圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例從而使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易地實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
圖4A和4B是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的帶式電路襯底的部分平面圖。
圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的具有安裝在其上的半導(dǎo)體芯片的帶式電路襯底的引線結(jié)構(gòu)的部分平面圖，其更具體地表示了圖4A的預(yù)定區(qū)域350的部分放大視圖。
參照圖4A和5，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝包括包含基薄膜320和連線圖案層340的帶式電路襯底，以及與該帶式電路襯底電連接的半導(dǎo)體芯片400。
下文中，將首先討論根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的帶式電路襯底。
基薄膜320由厚度為20-100μm的絕緣材料制成。此時(shí)，可在基薄膜320上安裝半導(dǎo)體芯片400的部分處形成一窗口。在這種情況下，帶式電路襯底被稱為帶載封裝(下文中，被稱為“TCP”)?？蛇x擇地，在基薄膜320上安裝半導(dǎo)體芯片400的部分處可以不形成窗口。在這種情況下，帶式電路襯底被稱為軟膜芯片(下文中，被稱為“COF”)。本發(fā)明的帶式電路襯底包括應(yīng)用了TAB技術(shù)的TCP或COF。如在現(xiàn)有技術(shù)中所共知的，絕緣基薄膜320典型地由聚酰亞胺樹脂制成。
在基薄膜320上形成連線圖案層340。連線圖案層340由導(dǎo)電材料制成并通常可由銅箔制成。優(yōu)選地，在銅箔表面上鍍Sn，Au，Ni或焊料。
在基薄膜320的頂表面上形成銅箔的方法包括鑄造工藝(castingprocess)，層壓工藝，電鍍工藝和類似工藝。鑄造工藝是將液態(tài)基薄膜附著到滾壓的銅箔上并熱固化它們的方法。層壓工藝是將滾壓的銅箔放置于基薄膜上并熱焊接它們的方法。電鍍工藝的方法是在基薄膜上淀積銅種子層，將基薄膜放置到電解質(zhì)溶液中，在該溶液中銅被溶解，并且通過對該電解質(zhì)溶液通電來形成銅箔。
為了在銅箔上形成連線圖案層，通過在銅箔上進(jìn)行光蝕刻工藝來選擇性地蝕刻銅箔。由此形成了具有預(yù)定電路的連線圖案層340。
如圖4A所示，在基薄膜320上形成的連線圖案層340被由阻焊劑制成的保護(hù)膜330所覆蓋和保護(hù)。這種保護(hù)膜330完全覆蓋基薄膜320的頂表面從而使連線圖案層340不暴露于外界。然而，與半導(dǎo)體芯片400電連接的引線340a沒有用保護(hù)膜330覆蓋。也就是說，用于與半導(dǎo)體芯片電連接的連接到連線圖案層340的引線340a通過保護(hù)膜330暴露并伸入到芯片安裝部分310。此處，芯片安裝部分310意味著連線圖案層340的一部分，在此處未形成用于半導(dǎo)體芯片安裝的保護(hù)膜330。
圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的帶式電路襯底的引線結(jié)構(gòu)的平面圖。在基薄膜320上形成從連線圖案層340延伸的引線405和425。引線405和425形成為從保護(hù)膜330突出從而使連線圖案層340不暴露于外界，其中保護(hù)膜330由阻焊劑制成并完全覆蓋基薄膜320的頂表面。
在半導(dǎo)體芯片400上形成的用于將半導(dǎo)體芯片400與引線405和425電連接的電極焊盤包括位于半導(dǎo)體芯片400的外圍附近的電極焊盤460和位于半導(dǎo)體芯片400的中心附近的電極焊盤450。
伸入到芯片安裝部分310中以便和形成在半導(dǎo)體芯片400上的電極焊盤450和460電連接的引線405和425，形成為使其末端410和430位于對應(yīng)于電極焊盤450和460的位置。引線405和425被劃分為鍵合到位于半導(dǎo)體芯片400的外圍附近的電極焊盤460的第一引線425以及鍵合到位于半導(dǎo)體芯片400的中心附近的電極焊盤450的第二引線405。
盡管此處已描述了鍵合到電極焊盤450和460的引線405和425的部分是引線405和425的末端410和430，但是引線405和425與電極焊盤450和460的連接部分不限于這些末端410和430，而可以包括能夠鍵合到電極焊盤450和460的其任何部分。然而出于說明的方便性，引線405和425的連接部分在下文中分別指的是引線405和425的末端410和430。
在電極焊盤成行地形成在半導(dǎo)體芯片400上的情況下，鍵合到電極焊盤的引線以成行類型形成。在這種情況下，為防止連線間的短路需要其寬度大于引線寬度的電極焊盤之間的預(yù)定間距，因而很難實(shí)現(xiàn)細(xì)距電路襯底。因此，為實(shí)現(xiàn)細(xì)距電路，優(yōu)選的是電極焊盤450和460被排列在半導(dǎo)體芯片400上成鋸齒形(zigzag)圖案并且引線405和425的末端410和430分別形成在電極焊盤450和460的對應(yīng)位置上，如以上在本發(fā)明的實(shí)施例中所述。這樣的引線結(jié)構(gòu)被稱為交錯(cuò)型引線結(jié)構(gòu)。
如圖5所示，優(yōu)選的是第一引線425和第二引線405交替地排列并且第一引線425的末端430和第二引線405的末端410排列成鋸齒形圖案。
現(xiàn)將參考圖5詳細(xì)描述引線405和425的結(jié)構(gòu)。每根引線405和425包括電連接到形成于半導(dǎo)體芯片400上的每個(gè)電極焊盤450和460的引線末端410和430以及使得引線末端410和430被連接到連線圖案340的引線本體部分420和440。
引線本體部分420和440的寬度小于引線末端410和430的寬度。引線本體部分420和440的更小寬度使得引線之間的間距比在交錯(cuò)型引線結(jié)構(gòu)中窄得多。因此，能夠?qū)嵤┗驅(qū)崿F(xiàn)細(xì)距電路。
由于引線末端410和430可以經(jīng)由熱焊接工藝用于其與半導(dǎo)體芯片400的電連接，引線末端410和430的寬度應(yīng)該大于一預(yù)定值以避免由于溫度和壓力的改變而帶來的引線斷裂現(xiàn)象(broken-lead phenomenon)。也就是說，如果減小引線末端410和430與電極焊盤450和460之間的鍵合面積，則降低了鍵合強(qiáng)度并削弱了鍵合可靠性。因此，引線末端410和430的寬度應(yīng)該大于所述預(yù)定值。從目前制造工藝的角度來看，優(yōu)選引線末端410和430的寬度為大約10-17μm。
優(yōu)選地，引線本體部分420和440是引線末端410和430的0.3-0.9倍寬。與引線末端410和430相反，引線本體部分420和440不直接經(jīng)受與半導(dǎo)體芯片400的熱焊接工藝。因此，即使引線本體部分420和440的寬度小于引線末端410和430的寬度，也不會發(fā)生引線斷裂現(xiàn)象。然而，為了維持獨(dú)特的引線的強(qiáng)度和穩(wěn)定性，從目前制造工藝的角度來看，引線本體部分420和440優(yōu)選是引線末端410和430的0.3倍或更大。
如圖5所示，從目前制造工藝的角度來看，第二引線405的引線本體部分420與鍵合到相鄰的第一引線425的引線末端430的電極焊盤460之間的間距被設(shè)置為由設(shè)計(jì)規(guī)則決定的最小間距。
如果僅僅改變用于形成金屬連線圖案的掩模，那么引線405和425可以在與相關(guān)技術(shù)相同的工藝中被制造。因此，可使用與相關(guān)技術(shù)相同的設(shè)備來制造引線而不需任何附加的制造工藝。
圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的帶式電路襯底的引線結(jié)構(gòu)的部分平面圖。圖6是表示圖4B的預(yù)定區(qū)域350的部分放大圖。
參照圖4B和6，根據(jù)本發(fā)明這一實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝包括包含基薄膜320和連線圖案層340的帶式電路襯底，以及與該帶式電路襯底電連接的半導(dǎo)體芯片400。
下文中，將首先描述根據(jù)本發(fā)明這一實(shí)施例的帶式電路襯底。
基薄膜320由厚度為20-100μm的絕緣材料制成。此時(shí)，可在基薄膜320上安裝半導(dǎo)體芯片400的部分處形成一窗口。在這種情況下，帶式電路襯底被稱為帶載封裝(下文中，被稱為“TCP”)?？蛇x擇地，在基薄膜320上安裝半導(dǎo)體芯片400的部分處可以不形成窗口。在這種情況下，帶式電路襯底被稱為軟膜芯片(下文中，被稱為“COF”)。本發(fā)明的帶式電路襯底包括應(yīng)用了TAB技術(shù)的TCP或COF。如在現(xiàn)有技術(shù)中所共知的，絕緣基薄膜330典型地由聚酰亞胺樹脂制成。
在基薄膜320上形成連線圖案層340。連線圖案層340由導(dǎo)電材料制成并通?？捎摄~箔制成。優(yōu)選地，在銅箔表面上鍍Sn，Au，Ni或焊料。
在基薄膜320的頂表面上形成銅箔的方法包括鑄造工藝，層壓工藝，電鍍工藝和類似工藝。鑄造工藝是將液態(tài)基薄膜附著到滾壓的銅箔上并熱固化它們的方法。
為了在銅箔上形成連線圖案層，通過在銅箔上進(jìn)行光蝕刻工藝來選擇性地蝕刻銅箔。由此形成了具有預(yù)定電路的連線圖案層340。
如圖4B所示，在基薄膜320上形成的連線圖案層340被由阻焊劑制成的保護(hù)膜330所覆蓋和保護(hù)。這種保護(hù)膜330完全覆蓋基薄膜320的頂表面從而使連線圖案層340不暴露于外界。然而，與半導(dǎo)體芯片400電連接的引線340a沒有用保護(hù)膜330覆蓋。也就是說，用于與半導(dǎo)體芯片電連接的連接到連線圖案層340的引線340a通過保護(hù)膜330暴露并伸入到芯片安裝部分310。此處，芯片安裝部分310意味著連線圖案層340的一部分，在此處未形成用于半導(dǎo)體芯片安裝的保護(hù)膜330。
圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的帶式電路襯底的引線結(jié)構(gòu)的平面圖。在基薄膜320上形成從連線圖案層340延伸的引線505和525。引線505和525形成為從保護(hù)膜330突出從而使連線圖案層340不暴露于外界，其中保護(hù)膜330由阻焊劑制成并完全覆蓋基薄膜320的頂表面。
在半導(dǎo)體芯片400上形成的用于將半導(dǎo)體芯片400與引線505和525電連接的電極焊盤包括位于半導(dǎo)體芯片400的外圍附近的電極焊盤560和位于半導(dǎo)體芯片400的中心附近的電極焊盤550。
伸入到芯片安裝部分310中以便和形成在半導(dǎo)體芯片400上的電極焊盤550和560電連接的引線505和525，形成為使其末端510和530位于對應(yīng)于電極焊盤550和560的位置。引線505和525被劃分為鍵合到位于半導(dǎo)體芯片400的外圍附近的電極焊盤560的第一引線525以及鍵合到位于半導(dǎo)體芯片400的中心附近的電極焊盤550的第二引線505。
盡管此處已描述了鍵合到電極焊盤550和560的引線505和525的部分是引線505和525的末端510和530，但是引線505和525與電極焊盤550和560的連接部分不限于這些末端510和530，而可以包括能夠鍵合到電極焊盤550和560的其任何部分。然而出于說明的方便性，引線505和525的連接部分在下文中分別指的是引線505和525的末端510和530。
如圖6所示，預(yù)定數(shù)量的第一引線525和預(yù)定數(shù)量的第二引線505交替地排列。
現(xiàn)將參考圖6詳細(xì)描述引線505和525的結(jié)構(gòu)。每根引線505和525包括電連接到形成于半導(dǎo)體芯片400上的每個(gè)電極焊盤550和560的引線末端510和530以及使得引線末端510和530分別被連接到連線圖案340的引線本體部分520和540。
引線本體部分520和540的寬度小于引線末端510和530的寬度。引線本體部分520和540的更小寬度使得引線之間的間距比在交錯(cuò)型引線結(jié)構(gòu)中窄得多。因此，能夠?qū)嵤┗驅(qū)崿F(xiàn)細(xì)距電路。
由于引線末端510和530可以經(jīng)由熱焊接工藝以用于與半導(dǎo)體芯片400的電連接，引線末端510和530的寬度應(yīng)該大于一預(yù)定值以避免由于溫度和壓力的改變而帶來的引線斷裂現(xiàn)象。也就是說，如果減小引線末端510和530與電極焊盤550和560之間的鍵合面積，則降低了鍵合強(qiáng)度并削弱了鍵合可靠性。因此，引線末端510和530的寬度應(yīng)該大于所述預(yù)定值。從目前制造工藝的角度來看，優(yōu)選引線末端510和530的寬度為大約10-17μm。
優(yōu)選地，引線本體部分520和540是引線末端510和530的0.3-0.9倍寬。與引線末端510和530相反，引線本體部分520和540不直接經(jīng)受與半導(dǎo)體芯片400的熱焊接工藝。因此，即使引線本體部分520和540的寬度小于引線末端510和530的寬度，也不會發(fā)生引線斷裂現(xiàn)象。然而，為了維持獨(dú)特的引線的強(qiáng)度和穩(wěn)定性，從目前制造工藝的角度來看，引線本體部分520和540優(yōu)選是引線末端510和530的0.3倍或更大。
如圖6所示，從目前制造工藝的角度來看，第二引線505的引線本體部分520與鍵合到相鄰的第一引線525的引線末端530的電極焊盤560之間的間距被設(shè)置為由設(shè)計(jì)規(guī)則決定的最小間距。
如果僅僅改變用于形成金屬連線圖案的掩模，那么引線505和525可以在與相關(guān)技術(shù)相同的工藝中被制造。因此，可使用與相關(guān)技術(shù)相同的設(shè)備來制造引線而不需任何附加的制造工藝。
盡管在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中通過實(shí)例的方式描述了伸入到芯片安裝部分310中的引線末端410，430，510和530呈矩形，本發(fā)明并不限于這種形狀。例如引線末端410，430，510和530可以呈圓形或橢圓形。此外，即使在誤差容限內(nèi)存在末端或末端中某些凸出部分形狀的微小變形，本發(fā)明實(shí)施例的效果是彼此相同的。另外，顯而易見的是絕緣基薄膜的材料和厚度以及引線的材料和寬度并不限于上述本發(fā)明的實(shí)施例。
圖7是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝的剖面圖。更具體地，圖7是沿圖5的線A-A’得到的半導(dǎo)體芯片封裝的剖面圖?，F(xiàn)將參照圖4A和7描述該半導(dǎo)體芯片封裝。
如圖4A和7所示，本發(fā)明這一實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝包括包含基薄膜320和連線圖案層340的帶式電路襯底，以及與該帶式電路襯底電連接的半導(dǎo)體芯片400。
在半導(dǎo)體芯片400的主表面上排列的多個(gè)電極焊盤450和引線410的末端通過連接部分610電連接。可使用芯片凸起作為用于電連接帶式電路襯底和半導(dǎo)體芯片400的鍵合部分610。因此，引線410的末端和在半導(dǎo)體芯片400上的電極焊盤450通過芯片凸起610電連接。芯片凸起610，形成在半導(dǎo)體芯片400的主表面上的電極焊盤450以及引線末端410能夠通過熱焊接工藝彼此連接。這種芯片凸起610可由例如Au、Cu和焊料的多種材料制成。
在帶式電路襯底和半導(dǎo)體芯片400中的連線圖案層的引線與半導(dǎo)體芯片400的主表面之間的電連接被由絕緣密封樹脂制成的密封部分620所密封。密封部分620可由環(huán)氧樹脂或硅樹脂制成。
圖8是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的半導(dǎo)體芯片封裝的剖面圖。更具體地，圖8是沿圖6的線B-B’得到的半導(dǎo)體芯片封裝的剖面圖。由于圖8與圖7中的半導(dǎo)體芯片封裝的結(jié)構(gòu)基本相同，在此省略對其的描述。
根據(jù)本發(fā)明，帶式電路襯底的引線可以以交錯(cuò)型構(gòu)造并且每根引線除末端之外的部分的寬度可以小于與半導(dǎo)體芯片上的電極焊盤連接的引線末端的寬度。因此，可實(shí)現(xiàn)細(xì)距帶式電路襯底或半導(dǎo)體封裝。也就是說，引線和電極焊盤之間的間距能夠更窄，即可減小引線之間的間距，因而能夠?qū)崿F(xiàn)細(xì)距半導(dǎo)體器件。
盡管已參考其優(yōu)選實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不局限于這些優(yōu)選實(shí)施例。對本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見的是可對本發(fā)明進(jìn)行多種變化和修改而不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的主旨和范圍。
權(quán)利要求
1.一種帶式電路襯底，包括一由絕緣材料制成的基薄膜；以及一形成在該基薄膜上并包括第一引線和第二引線的連線圖案層，所述第一引線連接到靠近一半導(dǎo)體芯片的外圍排列的電極焊盤，所述第二引線連接到靠近該半導(dǎo)體芯片的中心排列的電極焊盤，其中每根所述第一和第二引線被構(gòu)造為使得其將鍵合到相應(yīng)的電極焊盤的末端的寬度大于其本體部分的寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的帶式電路襯底，其中每根所述第一和第二引線的末端的寬度在10-17μm的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的帶式電路襯底，其中每根所述第一和第二引線的本體部分的寬度是每根對應(yīng)引線的末端寬度的0.3-0.9倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的帶式電路襯底，其中所述第一和第二引線交替地排列并且所述第一和第二引線的末端排列在一鋸齒形圖案中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的帶式電路襯底，其中用一阻焊劑密封除了其電連接到外部的部分之外的所述連線圖案層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的帶式電路襯底，其中所述基薄膜形成為具有一窗口以用于將所述半導(dǎo)體芯片安裝到所述帶式電路襯底上并且所述第一和第二引線伸入到該窗口中。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的帶式電路襯底，其中每根所述第一和第二引線的末端的寬度在10-17μm的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的帶式電路襯底，其中每根所述第一和第二引線的本體部分的寬度是每根對應(yīng)引線的末端寬度的0.3-0.9倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的帶式電路襯底，其中所述第一和第二引線交替地排列并且所述第一和第二引線的末端排列成鋸齒形圖案。
10.根據(jù)權(quán)利要求6的帶式電路襯底，其中用一阻焊劑密封除了其電連接到外部的部分之外的所述連線圖案層。
11.一種半導(dǎo)體芯片封裝，包括一帶式電路襯底，該襯底包括由一絕緣材料制成的一基薄膜和形成在該基薄膜上并含有第一引線和第二引線的一連線圖案層，所述第一引線連接到靠近一半導(dǎo)體芯片的外圍排列的電極焊盤，所述第二引線連接到靠近該半導(dǎo)體芯片的中心排列的電極焊盤，其中每根所述第一和第二引線被構(gòu)造為使得其鍵合到相應(yīng)的電極焊盤的末端的寬度大于其本體部分的寬度；包括多個(gè)電極焊盤的所述半導(dǎo)體芯片，所述電極焊盤具有在其主表面處形成于其上的鍵合部分，其中所述半導(dǎo)體芯片通過所述鍵合部分被鍵合到所述連線圖案層的所述第一和第二引線從而使所述半導(dǎo)體芯片能夠被安裝到所述帶式電路襯底上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體芯片封裝，其中每根所述第一和第二引線的末端的寬度在10-17μm的范圍內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體芯片封裝，其中每根所述第一和第二引線的本體部分的寬度是每根對應(yīng)引線的末端寬度的0.3-0.9倍。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體芯片封裝，其中所述第一和第二引線交替地排列并且所述第一和第二引線的末端排列成鋸齒形圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體芯片封裝，其中用一阻焊劑密封除了其電連接到外部的部分之外的所述連線圖案層。
16.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體芯片封裝，其中所述基薄膜形成為具有一窗口以用于將所述半導(dǎo)體芯片安裝到所述帶式電路襯底上并且所述第一和第二引線伸入到該窗口中。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體芯片封裝，其中每根所述第一和第二引線的末端的寬度在10-17μm的范圍內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的半導(dǎo)體芯片封裝，其中每根所述第一和第二引線的本體部分的寬度是每根對應(yīng)引線的末端寬度的0.3-0.9倍。
19.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體芯片封裝，其中所述第一和第二引線交替地排列并且所述第一和第二引線的末端排列成鋸齒形圖案。
20.根據(jù)權(quán)利要求16的半導(dǎo)體芯片封裝，其中用一阻焊劑密封除了其電連接到外部的部分之外的所述連線圖案層。
21.根據(jù)權(quán)利要求11的半導(dǎo)體芯片封裝，其中將所述多個(gè)電極焊盤電連接到所述第一和第二引線的所述鍵合部分是芯片凸起。
全文摘要
提供了一種帶式電路襯底，該襯底包括由絕緣材料制成的基薄膜和形成在該基薄膜上并含有第一引線和第二引線的連線圖案層，其中第一引線連接到靠近半導(dǎo)體芯片的外圍排列的電極焊盤，第二引線連接到靠近半導(dǎo)體芯片的中心排列的電極焊盤。提供了一種半導(dǎo)體芯片封裝，其包括通過芯片凸起電鍵合到所述帶式電路襯底的半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，每根引線被構(gòu)造為使得其鍵合到電極焊盤的末端的寬度大于其本體部分的寬度。根據(jù)本發(fā)明，由于在引線和電極焊盤之間的間距能夠更窄，因而能夠?qū)崿F(xiàn)細(xì)距半導(dǎo)體器件。
文檔編號H01L21/60GK1607663SQ20041008325
公開日2005年4月20日 申請日期2004年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月4日
發(fā)明者李始勛, 姜思尹, 金東漢 申請人:三星電子株式會社