專利名稱：有源矩陣基板、電光學(xué)裝置及有源矩陣基板制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及已形成晶體管的有源矩陣基板、使用該有源矩陣基板的電光學(xué)裝置、和有源矩陣基板的制造方法。更具體地說(shuō)涉及用以檢查構(gòu)成晶體管的膜的膜質(zhì)檢查區(qū)的形成技術(shù)。
作為在基板上形成了晶體管和信號(hào)布線的有代表性的有源矩陣基板，有在液晶顯示裝置(電光學(xué)裝置)中使用的有源矩陣基板。在該有源矩陣基板中內(nèi)裝驅(qū)動(dòng)電路型的基板中，多個(gè)象素按照在絕緣基板上排列配置的多條掃描線和多條數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)構(gòu)成為矩陣狀。在各象素上形成與掃描線和數(shù)據(jù)線連接的象素開(kāi)關(guān)用薄膜晶體管(以下稱TFT)和象素電極。在絕緣基板上的圖象顯示區(qū)域的外側(cè)區(qū)域上構(gòu)成向多條掃描線的每一條供給掃描信號(hào)的掃描驅(qū)動(dòng)電路，和向多條數(shù)據(jù)線的每一條供給圖象信號(hào)的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。這些驅(qū)動(dòng)電路由多個(gè)TFT構(gòu)成。
這些TFT中，例如象素開(kāi)關(guān)用的TFT，如圖5(A)和(B)所示，具有與掃描線同時(shí)形成的柵電極3a、作為數(shù)據(jù)線30的一部分的源電極6a通過(guò)第1層間絕緣膜4的第1接觸孔4a電連接的源區(qū)1f、1d、與數(shù)據(jù)線30同時(shí)形成的由鋁膜等構(gòu)成的漏電極6d通過(guò)第1層間絕緣膜4的第2接觸孔4d電連接的漏區(qū)1g、1e。在第1層間絕緣膜4的上層側(cè)形成第2層間絕緣膜7。象素電極9a通過(guò)在該第2層間絕緣膜7上形成的第3接觸孔對(duì)漏電極6d進(jìn)行電連接。這樣的結(jié)構(gòu)基本上與在驅(qū)動(dòng)電路上形成的TFT相同。
在此，有源矩陣基板在利用半導(dǎo)體工藝形成TFT50之后，要進(jìn)行各種檢查。在檢查中，對(duì)判斷為不適當(dāng)?shù)那闆r進(jìn)行各種分析并反饋其結(jié)果。例如，分析源·漏區(qū)的雜質(zhì)濃度、溝道區(qū)1a的結(jié)晶度等。通過(guò)進(jìn)行這樣的分析，以往是從表面?zhèn)葘?duì)象素開(kāi)關(guān)用或驅(qū)動(dòng)電路用TFT 50進(jìn)行閃光處理(ラスタ-)，按該順序除去第2層間絕緣膜7、第一層間絕緣膜4、柵電極3a、柵絕緣膜2，露出溝道區(qū)1a或源·漏區(qū)，然后進(jìn)行SIMS(二次離子質(zhì)量分析)的元素分析或X射線分析。
然而，在進(jìn)行源·源區(qū)或溝道區(qū)1a的分析時(shí)，像以往那樣，用除去第2層間絕緣膜7、第1層間絕緣膜4、柵電極3a、柵絕緣膜2的方法，存在除去它們需要一定時(shí)間的問(wèn)題。即，雖然成為檢查對(duì)象部分的膜厚例如是50nm-100nm，但在進(jìn)行該膜質(zhì)檢查之前有必要除去也有1μm的層間絕緣膜，在分析溝道區(qū)1a時(shí)有必要除去400nm的柵電極3a。進(jìn)而，即使花費(fèi)這樣的時(shí)間進(jìn)行閃光處理(ラスタ-)，TFT50的溝道區(qū)1a等由于充其量只能小到100μm，所以存在不能高精度的進(jìn)行檢查的問(wèn)題。
鑒于以上問(wèn)題，本發(fā)明的課題是提供一種能容易而且準(zhǔn)確地檢查T(mén)FT等晶體管的膜質(zhì)的有源矩陣基板和使用它的電光學(xué)裝置。
本發(fā)明的另一課題是提供一種通過(guò)不增加工序數(shù)形成經(jīng)過(guò)了與構(gòu)成晶體管的膜同樣過(guò)程的膜質(zhì)檢查區(qū)，從而能高效地進(jìn)行更準(zhǔn)確的膜質(zhì)檢查的有源矩陣基板的制造方法。
為了解決上述課題，在本發(fā)明中，在將晶體管和信號(hào)布線形成在基板上的有源矩陣基板中，其特征在于具有在上述基板上的未形成上述晶體管和上述信號(hào)布線的區(qū)域的至少一處上備有與上述晶體管使用的半導(dǎo)體膜同層的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的膜質(zhì)檢查區(qū)。以下說(shuō)明形成了MIS(Metal Insulater Semiconductor)晶體管作為晶體管的例，在這里，所謂MIS晶體管，其柵電極不限于金屬，也包括使用導(dǎo)電化的硅。
在本發(fā)明中，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜最好從在與位于上述晶體管上層的層間絕緣膜同層的檢查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜上形成的開(kāi)口部露出。
在本發(fā)明中，由于形成備有與晶體管所用的半導(dǎo)體膜同層的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的膜質(zhì)檢查區(qū)，如分析該膜質(zhì)檢查區(qū)，可對(duì)構(gòu)成晶體管的源·漏區(qū)或溝道區(qū)的半導(dǎo)體膜進(jìn)行元素分析或結(jié)晶度分析等膜質(zhì)檢查。由于膜質(zhì)檢查區(qū)從與層間絕緣膜同層的檢查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜的開(kāi)口部露出，所以能立即進(jìn)行檢查，與在晶體管側(cè)檢查的情況不同，不必除去層間絕緣膜或柵電極。因此能迅速而且容易地進(jìn)行膜質(zhì)檢查。進(jìn)而如是膜質(zhì)檢查區(qū)，將膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜形成得較大，也不對(duì)晶體管的晶體管特性等產(chǎn)生影響。因此，通過(guò)形成大的膜質(zhì)檢查區(qū)，能高精度地進(jìn)行各種分析。
在本發(fā)明中，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜，例如與上述晶體管的源·漏區(qū)同層，而且用相同的濃度導(dǎo)入與該源·漏區(qū)相同的雜質(zhì)。
在制造這種結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板時(shí)，在按該順序形成上述晶體管所用的半導(dǎo)體膜和柵絕緣膜的同時(shí)，按該順序?qū)?yīng)該作為上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和檢查區(qū)側(cè)柵絕緣膜，然后進(jìn)行如下工序。即，形成了用以形成上述晶體管的柵電極的導(dǎo)電膜后，將該導(dǎo)電膜圖形化形成上述柵電極，同時(shí)從上述膜質(zhì)檢查區(qū)域側(cè)除去導(dǎo)電膜的工序；通過(guò)上述柵絕緣膜有選擇地將雜質(zhì)導(dǎo)入上述半導(dǎo)體膜形成上述晶體管的源·漏區(qū)，同時(shí)通過(guò)上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜也將雜質(zhì)導(dǎo)入上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的工序；在上述柵電極的表面?zhèn)壬闲纬缮鲜鰧娱g絕緣膜，同時(shí)在上述檢查區(qū)域側(cè)，在上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜的表面?zhèn)壬闲纬缮鲜鰴z查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜的工序；在上述層間絕緣膜上形成對(duì)上述晶體管的接觸孔，同時(shí)在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域，在上述檢查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜和上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜上形成上述開(kāi)口部，使上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜露出的工序。
如按照這樣的制造方法，膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜由于與晶體管的源·漏區(qū)經(jīng)歷了大致相同的過(guò)程，所以即使將膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜作為檢查對(duì)象時(shí)，也能以更高的精度檢查晶體管的源·漏區(qū)的膜質(zhì)。而且由于就這樣利用制造晶體管的工藝形成膜質(zhì)檢查區(qū)，所以不增加工序數(shù)。
在本發(fā)明中，上述晶體管的源·漏區(qū)有時(shí)具有低濃度源·漏區(qū)和高濃度源·漏區(qū)。在這種情況下，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜與上述低濃度源·漏區(qū)和高濃度源·漏區(qū)中一個(gè)源·漏區(qū)同層，而且作為用相同濃度導(dǎo)入與該源·漏區(qū)相同雜質(zhì)的區(qū)域來(lái)形成。
在制造這種結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板時(shí)，按該順序形成例如上述晶體管所用的半導(dǎo)體膜和柵絕緣膜，同時(shí)按該順序?qū)?yīng)作為該上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜，然后進(jìn)行如下的工序。即，在形成了用以形成上述晶體管的柵電板的導(dǎo)電膜之后，使該導(dǎo)電膜圖形化，形成上述柵電極，同時(shí)從上述膜質(zhì)檢查區(qū)域側(cè)除去導(dǎo)電膜的工序；通過(guò)上述柵絕緣膜將高濃度雜質(zhì)和低濃度雜質(zhì)有選擇地導(dǎo)入上述半導(dǎo)體膜形成上述晶體管的上述低濃度源·漏區(qū)和上述高濃度源·漏區(qū)，同時(shí)通過(guò)上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜也將上述低濃度雜質(zhì)和上述高濃度雜質(zhì)中的一種雜質(zhì)導(dǎo)入上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的工序；在上述柵電極的表面?zhèn)壬闲纬缮鲜鰧娱g絕緣膜，同時(shí)在上述檢查區(qū)域側(cè)，在上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜表面?zhèn)壬闲纬缮鲜鰴z查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜的工序；在上述層間絕緣膜上形成對(duì)上述晶體管的接觸孔，同時(shí)在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域，在上述檢查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜和上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜上形成上述開(kāi)口部，使上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜露出的工序。
在本發(fā)明中，當(dāng)上述晶體管的源·漏區(qū)具有低濃度源·漏區(qū)和高濃度源·漏區(qū)時(shí)，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜最好備有與上述低濃度源·漏區(qū)同層，而且按相同濃度導(dǎo)入與該低濃度源·漏區(qū)相同雜質(zhì)的第1膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜，以及與上述高濃度源·漏區(qū)同層而且用相同濃度導(dǎo)入與該高濃度源·漏區(qū)相同雜質(zhì)的第二膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜。如這樣構(gòu)成，即使在上述晶體管源·漏區(qū)具有低濃度源·漏區(qū)和高濃度源·漏區(qū)時(shí)，也能對(duì)各區(qū)域進(jìn)行檢查。
在制造這種結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板時(shí)，例如，按該順序形成上述晶體管所用的半導(dǎo)體膜和柵絕緣膜，同時(shí)對(duì)應(yīng)該作為上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域按該順序形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜，然后進(jìn)行如下工序。即，在形成了用以形成上述晶體管的柵電極的導(dǎo)電膜后，使該導(dǎo)電膜圖形化，形成上述柵電極，同時(shí)從上述膜質(zhì)檢查區(qū)域側(cè)除去導(dǎo)電膜的工序；通過(guò)上述柵絕緣膜有選擇地將高濃度雜質(zhì)和低濃度雜質(zhì)導(dǎo)入上述半導(dǎo)體膜，形成上述晶體管的上述低濃度源·漏區(qū)和上述高濃度源·漏區(qū)，同時(shí)通過(guò)上述膜質(zhì)檢查側(cè)柵絕緣膜也有選擇地將上述低濃度雜質(zhì)和上述高濃度雜質(zhì)導(dǎo)入上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜，形成上述第1膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和上述第2膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的工序；在上述柵電極的表面?zhèn)壬闲纬缮鲜鰧娱g絕緣膜，同時(shí)在上述檢查區(qū)域側(cè)，在上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜的表面?zhèn)壬闲纬缮鲜鰴z查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜的工序；在上述層間絕緣膜上形成對(duì)上述晶體管的接觸孔，同時(shí)在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域，在上述檢查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜和上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜上形成上述開(kāi)口部，使上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜露出的工序。
如按照這種制造方法，由于第1膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和第2膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜分別經(jīng)歷了與晶體管的低濃度源·漏區(qū)和高濃度源·漏區(qū)大致相同的過(guò)程，所以即使將膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜作為檢查對(duì)象時(shí)，也能用更高的精度檢查晶體管源·漏區(qū)的膜質(zhì)。而且由于能就這樣利用制造晶體管的工藝形成膜質(zhì)檢查區(qū)，所以不會(huì)增加工序數(shù)。
在本發(fā)明中，將上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜用于上述晶體管的源·漏區(qū)的檢查時(shí)，最好用比上述晶體管的源·漏區(qū)更大的面積形成上述膜質(zhì)檢查區(qū)域。
此外，在本發(fā)明中，也可以按上述晶體管的溝道區(qū)檢查用來(lái)形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜。即，也可以按與上述晶體管的溝道區(qū)同層，而且作為按相同濃度溝道摻雜了與該溝道區(qū)相同的本征半導(dǎo)體膜或相同雜質(zhì)的低濃度區(qū)來(lái)形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜。
在制造這種結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板時(shí)，例如，按該順序形成上述晶體管所用的半導(dǎo)體膜和柵絕緣膜，同時(shí)按該順序?qū)?yīng)該作為上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜，然后進(jìn)行如下工序。即，在形成了用以形成上述晶體管的柵電極的導(dǎo)電膜后，使該導(dǎo)電膜圖形化形成上述柵電極，同時(shí)從上述膜質(zhì)檢查區(qū)域側(cè)除去導(dǎo)電膜的工序；在用掩膜覆蓋上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的狀態(tài)下，通過(guò)上述柵絕緣膜將雜質(zhì)有選擇地導(dǎo)入上述半導(dǎo)體膜形成上述晶體管的源·漏區(qū)的工序；在上述層間絕緣膜上形成對(duì)上述晶體管的接觸孔，同時(shí)在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域，在上述檢查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜和上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜上形成上述開(kāi)口部，使上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜露出的工序。
如按照這種制造方法，由于膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜經(jīng)歷了與晶體管的溝道區(qū)大致相同的過(guò)程，所以即使將膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜作為檢查對(duì)象，也能以更高的精度檢查晶體管的溝道區(qū)的膜質(zhì)。還由于能就這樣利用制造晶體管的工藝形成膜質(zhì)檢查區(qū)域，所以不會(huì)增加工序數(shù)。
在本發(fā)明中，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜是與上述晶體管的溝道區(qū)同層而且用相同濃度溝道摻雜與該溝道區(qū)相同的本征半導(dǎo)體膜或相同雜質(zhì)的低濃度區(qū)域，上述膜質(zhì)檢查區(qū)域在上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的表面上有時(shí)備有與上述晶體管的柵絕緣膜同層的膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜。
在本發(fā)明中，上述膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜最好從在與位于上述晶體管上層的層間絕緣膜同層的檢查區(qū)域側(cè)絕緣膜上形成的開(kāi)口部露出。
按本發(fā)明，由于形成晶體管的溝道區(qū)和按該順序?qū)盈B有分別與柵絕緣膜同層的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜的膜質(zhì)檢查區(qū)域，如在該膜質(zhì)檢查區(qū)進(jìn)行檢查，能檢查晶體管的柵絕緣膜與溝道區(qū)界面雜質(zhì)分布等膜質(zhì)。這里，膜質(zhì)檢查區(qū)由于從與層間絕緣膜同層的檢查區(qū)域側(cè)絕緣膜的開(kāi)口部露出，所以能立即著手檢查，與在晶體管側(cè)檢查時(shí)不同，不必除去層間絕緣膜和柵電極。因此，能迅速而且容易地進(jìn)行膜質(zhì)檢查。而且如果是膜質(zhì)檢查區(qū)即使形成得較大，也不會(huì)對(duì)晶體管的晶體管特性等產(chǎn)生影響。因此，通過(guò)形成大的膜質(zhì)檢查區(qū)，也能用高精度進(jìn)行SIMS的膜質(zhì)檢查。
在制造這種結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板時(shí)，在形成上述晶體管的溝道區(qū)和柵絕緣膜時(shí)，按該順序?qū)?yīng)該作為上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和上述膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜，然后進(jìn)行如下的工序形成晶體管的柵電極，同時(shí)也在上述膜質(zhì)檢查區(qū)形成導(dǎo)電膜的工序；通過(guò)規(guī)定的掩膜導(dǎo)入雜質(zhì)形成上述晶體管的源·漏區(qū)的工序；在上述柵電極的表面?zhèn)壬闲纬缮鲜鰧娱g絕緣膜，同時(shí)在上述檢查區(qū)域側(cè)，在上述導(dǎo)電膜的表面?zhèn)壬闲纬缮鲜鰴z查區(qū)域側(cè)絕緣膜的工序；在上述層間絕緣膜上形成對(duì)上述MIS晶體管的接觸孔，同時(shí)在上述膜質(zhì)檢查區(qū)同時(shí)形成上述開(kāi)口部，使上述導(dǎo)電膜露出的工序；通過(guò)上述開(kāi)口部，蝕刻除去上述導(dǎo)電膜，從而使上述膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜從上述開(kāi)口部露出的工序。
如按照這種制造方法，由于膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜和膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜與晶體管的柵絕緣膜和溝道區(qū)經(jīng)歷了大致相同的過(guò)程，所以即使將膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜和膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜作為檢查對(duì)象、也能以高精度檢查晶體管的柵絕緣膜和溝道區(qū)的膜質(zhì)。
在有源矩陣基板的另外的制造方法中，在形成上述薄膜晶體管的溝道區(qū)和柵絕緣膜時(shí)，按該順序?qū)?yīng)該作為上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和上述膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜，然后進(jìn)行如下工序與上述柵電極和上述掃描線一起形成用以使上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線中的至少任何一個(gè)的布線相互電連接的短路用布線，并在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域也同時(shí)形成導(dǎo)電膜的工序；通過(guò)規(guī)定的掩膜導(dǎo)入雜質(zhì)，形成上述薄膜晶體管的源·漏區(qū)的工序；在上述柵電極和上述掃描線的表面?zhèn)刃纬缮鲜鰧娱g絕緣膜，并在上述檢查區(qū)域側(cè)，在上述導(dǎo)電膜的表面?zhèn)韧瑫r(shí)形成上述檢查區(qū)域側(cè)絕緣膜的工序；在上述層間絕緣膜上在形成對(duì)上述薄膜晶體管的接觸孔的同時(shí)形成使上述短路用布線的預(yù)定切斷部露出的切斷用孔，并在上述膜質(zhì)檢查區(qū)同時(shí)形成上述開(kāi)口部使上述導(dǎo)電膜露出的工序；通過(guò)上述切斷用孔，在上述預(yù)定切斷部分用蝕刻法切斷上述短路用布線并通過(guò)上述開(kāi)口部同時(shí)刻蝕除去上述導(dǎo)電膜，從而在上述膜質(zhì)檢查區(qū)使上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和上述膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜露出的工序。如按照這種制造方法，由于利用切斷靜電保護(hù)用的短路線的工藝能使膜質(zhì)檢查區(qū)域露出，所以不會(huì)增加工序數(shù)。
在本發(fā)明中，如上述膜質(zhì)檢查區(qū)形成得使其與晶體管的溝道區(qū)相比具有相當(dāng)大的面積，例如具有約1mm2以上的面積，則除了SIMS的元素檢查外，還能利用拉曼散射分析等檢查膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜(溝道區(qū))的結(jié)晶度。因此，在由對(duì)非晶半導(dǎo)體膜進(jìn)行結(jié)晶處理得到的多晶半導(dǎo)體膜形成薄膜晶體管等晶體管時(shí)，能有效地進(jìn)行檢查。
在本發(fā)明中，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜有時(shí)形成在包括上述開(kāi)口部形成區(qū)的區(qū)域上。即，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜有時(shí)在比上述開(kāi)口部形成區(qū)域更寬的范圍內(nèi)形成。而且上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜也有時(shí)形成在上述開(kāi)口部的內(nèi)側(cè)區(qū)域。
在本發(fā)明中，上述晶體管是薄膜晶體管時(shí)，如果形成圖象顯示區(qū)域、從該圖象顯示區(qū)域的外周側(cè)區(qū)域向上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線輸出信號(hào)的掃描線驅(qū)動(dòng)電路和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路、向該驅(qū)動(dòng)電路供給信號(hào)的多條上述信號(hào)布線，則能形成液晶顯示裝置等電光學(xué)裝置用的有源矩陣基板，所說(shuō)的圖象顯示區(qū)形成有與該薄膜晶體管的柵電極電連接的掃描線、與上述薄膜晶體管的源區(qū)電連接的數(shù)據(jù)線、和與上述薄膜晶體管的漏區(qū)電連接的象素電極。即，如果在該有源矩陣基板與形成了對(duì)置電極的對(duì)置基板之間挾持有液晶等電光學(xué)物質(zhì)，則能夠成液晶顯示裝置等電光學(xué)裝置。在這樣情況下，上述膜質(zhì)檢查區(qū)域形成在上述基板上的未形成上述圖象顯示區(qū)、上述掃描線驅(qū)動(dòng)電路、上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路和上述信號(hào)布線的區(qū)域中的至少一個(gè)地方。
圖1是從對(duì)置基板側(cè)觀察應(yīng)用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的平面圖。
圖2是沿圖1中的H-H′線切斷時(shí)的電光學(xué)裝置的剖面圖。
圖3是本發(fā)明的實(shí)施例1的電光學(xué)裝置中所用的有源矩陣基板的框圖。
圖4是圖3所示的有源矩陣基板的象素的等效電路圖。
圖5(A)(B)分別是在圖3所示的有源矩陣基板上形成的象素TFT部及圖1的膜質(zhì)檢查區(qū)的C-C′線的剖面圖以及將其一部分放大顯示的剖面圖。
圖6是表示圖5所示的有源矩陣基板的制造方法的工序剖面圖。
圖7是緊接在圖6所示的工序后進(jìn)行的各工序的工序剖面圖。
圖8是緊接著圖7所示的工序進(jìn)行的各工序的工序剖面圖。
圖9是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例2的有源矩陣基板形成TFT的低濃度源·漏區(qū)的檢查用膜質(zhì)檢查區(qū)時(shí)的高濃度雜質(zhì)工序的剖面圖。
圖10(A)、(B)分別是對(duì)本發(fā)明實(shí)施例3的有源矩陣基板形成對(duì)TFT的低濃度源·漏區(qū)和高濃度源·漏區(qū)雙方的檢查用膜質(zhì)檢查區(qū)域時(shí)的高濃度雜質(zhì)工序的剖面圖，以及使用該工藝形成的膜質(zhì)檢查區(qū)的剖面圖。
圖11是在本發(fā)明實(shí)施例4的有源矩陣基板中，表示對(duì)TFT的溝道區(qū)的膜質(zhì)檢查區(qū)的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖12是對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例5的有源矩陣基板表示在多個(gè)地方形成的膜質(zhì)檢查區(qū)的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖13是本發(fā)明實(shí)施例6的電光學(xué)裝置所用的有源矩陣基板的框圖。
圖14是將圖13所示的有源矩陣基板的圖象顯示區(qū)的角部分放大顯示的平面圖。
圖15(A)、(B)分別是圖13所示的有源矩陣基板的沿圖14的象素TFT部的A-A′線、圖16的抗靜電部的B-B′線、圖1的膜質(zhì)檢查區(qū)的C-C′線的剖面圖，以及將其一部分放大顯示的剖面圖。
圖16是表示圖13所示的有源矩陣基板的信號(hào)布線與短路用布線的連接結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖17是在圖13所示的有源矩陣基板上構(gòu)成的靜電保護(hù)電路的電路圖。
圖18是表示圖13所示的有源矩陣基板的制造方法的工序剖面圖。
圖19是緊接在圖18所示的工序進(jìn)行的各工序的工序剖面圖。
圖20是緊接在圖19所示的工序進(jìn)行的各工序的工序剖面圖。
圖21是表示在應(yīng)用了本發(fā)明的其它有源矩陣基板上形成的膜質(zhì)檢查區(qū)域的結(jié)構(gòu)的剖面圖。
下面將參照


本發(fā)明的實(shí)施例。
在說(shuō)明各實(shí)施例之前，首先參照?qǐng)D1和圖2說(shuō)明電光學(xué)裝置的總體結(jié)構(gòu)。
圖1是從對(duì)置基板側(cè)觀察應(yīng)用了本發(fā)明的電光學(xué)裝置的平面圖。圖2是沿圖1中的H-H′線切斷時(shí)的電光學(xué)裝置的剖面圖。
如圖1和圖2所示，在投射型顯示裝置等中所用的電光學(xué)裝置300大致由在石英玻璃或耐熱玻璃等絕緣基板10的表面上已按矩陣狀形成了象素電極9a的有源矩陣基板200(有源矩陣基板)、在相同的石英玻璃或耐熱玻璃等的絕緣基板41的表面上已形成了對(duì)置電極32的對(duì)置基板100、在這些基板之間作為電光學(xué)物質(zhì)封入挾持著的液晶39構(gòu)成。將有源矩陣基板200和對(duì)置基板100借助沿對(duì)置基板100的外周邊形成的間隔材料所含有的密封材料59，隔著規(guī)定的間隙(單元間隙)粘合起來(lái)。在有源矩陣基板200與對(duì)置基板100之間，用間隔材料含有的密封材料59間隔形成液晶封入?yún)^(qū)40，液晶39封入該液晶封入?yún)^(qū)40內(nèi)。
對(duì)置基板100比有源矩陣基板200小，有源矩陣基板200的周邊部分被粘合起來(lái)，使呈從對(duì)置基板100的外周邊伸出的狀態(tài)。因此，有源矩陣基板200的驅(qū)動(dòng)電路(掃描驅(qū)動(dòng)電路70或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路60)或輸入輸出端子45處于從對(duì)置基板100露出的狀態(tài)。這里，由于密封材料59被部分中斷，用該中斷部分構(gòu)成液晶注入口241。因此，將對(duì)置基板100和有源矩陣基板200粘合后，如使密封材料59的內(nèi)側(cè)區(qū)域成為減壓狀態(tài)，則能從液晶注入口241減壓注入液晶39，封入液晶39后，可以用密封劑242封塞液晶注入口241。在有源矩陣基板200上，在密封材料59的形成區(qū)域的內(nèi)側(cè)，形成用以分割圖像顯示區(qū)11的遮光膜55。而在對(duì)置基板100上，在與有源矩陣基板200的各象素電極9a的邊界區(qū)對(duì)應(yīng)的區(qū)域上形成遮光膜57。
在對(duì)置基板100和有源矩陣基板200的光入射側(cè)的面或光射出側(cè)上，按照常亮型/常暗型的不同，沿規(guī)定的方向配置偏振板(圖中未示出)。
在這樣構(gòu)成的電光學(xué)裝置300中，在有源矩陣基板200上，借助于通過(guò)數(shù)據(jù)線(未圖示)和象素開(kāi)關(guān)用的TFT(后述)向象素電極9a施加的圖象信號(hào)，在象素電極9a與對(duì)置電極32之間，對(duì)每個(gè)象素控制液晶39的取向狀態(tài)，顯示與圖象信號(hào)對(duì)應(yīng)的規(guī)定的圖象。因此，在有源矩陣基板200上，通過(guò)數(shù)據(jù)線和TFT50向象素電極9a供給圖象信號(hào)，并有必要將規(guī)定電位也加到對(duì)置電極32上。因此，在電光學(xué)裝置300中，在有源矩陣基板200的表面中的與對(duì)置基板100的各角部相對(duì)的部分上利用數(shù)據(jù)線等的形成工藝，形成由鋁膜等構(gòu)成的上下導(dǎo)通用的第1電極47。另一方面，在對(duì)置基板100的各角部上運(yùn)用對(duì)置電極4的形成工藝，形成由ITO(Indium Tin Oxide銦錫氧化物)膜等構(gòu)成的上下導(dǎo)通用的第2電極48。而且，上下導(dǎo)通用的第1電極47和第2電極48借助于在環(huán)氧樹(shù)脂系列的粘接劑成分中配合了銀粉或鍍金纖維等導(dǎo)電粒子的導(dǎo)通材料56而電導(dǎo)通。因此，在電光學(xué)裝置300中，即使沒(méi)有將彈性布線基板等連接到各有源矩陣基板200和對(duì)置基板100上，而只在有源矩陣基板200上連接彈性布線基板99，也能將規(guī)定的信號(hào)輸入到有源矩陣基板200和對(duì)置基板100兩者上。
(實(shí)施例1)(有源矩陣基板的構(gòu)成)圖3是模式地表示本發(fā)明實(shí)施例1的電光學(xué)裝置300所用的有源矩陣基板200的構(gòu)成的框圖。
如圖3所示，在本實(shí)施例的內(nèi)裝驅(qū)動(dòng)電路型的有源矩陣基板200中，在絕緣基板10上呈矩陣狀地構(gòu)成與相互交叉的多條掃描線20和多條數(shù)據(jù)線30連接的象素電極9a。掃描線20由鉭膜、鋁膜、鋁合金膜等構(gòu)成，數(shù)據(jù)線30由鋁膜或鋁合金膜等構(gòu)成，分別具有單層結(jié)構(gòu)或?qū)盈B結(jié)構(gòu)。形成這些象素電極9a的區(qū)域是象素顯示區(qū)11。
在絕緣基板10上的圖象顯示區(qū)域11的外側(cè)區(qū)域(周邊部分)上構(gòu)成用以將圖象信號(hào)供給多條數(shù)據(jù)線30的每一條上的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路60。在掃描線20兩端部的每一端上構(gòu)成用以將象素選擇用的掃描信號(hào)供給各掃描線20的掃描驅(qū)動(dòng)電路70。使用與象素開(kāi)關(guān)用的TFT同時(shí)形成的驅(qū)動(dòng)電路用的TFT構(gòu)成這些驅(qū)動(dòng)電路60、70。
在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60上，構(gòu)成X側(cè)移位寄存器電路、作為根據(jù)從X側(cè)移位寄存器電路輸出的信號(hào)進(jìn)行動(dòng)作的模擬開(kāi)關(guān)的備有TFT的取樣保持電路66、和與按6相展開(kāi)的各圖象信號(hào)對(duì)應(yīng)的6條圖象信號(hào)線67等。在本例中，數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60中，按4相構(gòu)成上述X側(cè)移位寄存器電路。通過(guò)輸入輸出端子45從外部向X側(cè)移位寄存器電路供給起動(dòng)信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)及其反轉(zhuǎn)時(shí)鐘信號(hào)、用這些信號(hào)驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60。因此，取樣保持電路66，其各TFT按照從上述X側(cè)移位寄存器電路輸出的信號(hào)而動(dòng)作，將通過(guò)圖象信號(hào)線67供給的圖象信號(hào)在規(guī)定的定時(shí)，取入到數(shù)據(jù)線30，能供給各象素電極9a。
另一方面，通過(guò)輸入輸出端子45從外部對(duì)掃描線驅(qū)動(dòng)電路70供給起動(dòng)信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)及其反轉(zhuǎn)時(shí)鐘信號(hào)，用這些信號(hào)驅(qū)動(dòng)掃描線驅(qū)動(dòng)電路70。
在本實(shí)施例的有源矩陣基板200中，在絕緣基板10的邊緣部分中的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路66側(cè)的邊緣部分上，形成由用以輸入一定電源、調(diào)制圖象信號(hào)(圖象信號(hào))、各種驅(qū)動(dòng)信號(hào)等的多個(gè)輸入輸出端子45、所說(shuō)的輸入輸出端子45由鋁膜等金屬膜、金屬硅化物膜或ITO膜等導(dǎo)電膜構(gòu)成，從這些輸入輸出端子45分別引用以驅(qū)動(dòng)掃描線驅(qū)動(dòng)電路60和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路70的由鋁膜等低電阻金屬膜構(gòu)成的多條信號(hào)布線73、74。
(象素和TFT的結(jié)構(gòu))圖4是圖3所示的有源矩陣基板的象素的等效電路圖。圖5(A)、(B)分別是在圖3的象素上形成的象素開(kāi)關(guān)用TFT和參照?qǐng)D1在后述的膜質(zhì)檢查區(qū)的沿C-C′線的剖面圖，以及將它們的一部分放大顯示的剖面圖。
如圖4所示，在各象素上形成與掃描線20和數(shù)據(jù)線30連接的象素開(kāi)關(guān)用的TFT 50。還有時(shí)對(duì)各象素形成容性線75，有時(shí)使用該容性線75在各象素上形成附加電容(累積電容/保持電容)。
如圖5(A)所示，TFT50具有通過(guò)第1層間絕緣膜4的第1接觸孔4a使與掃描線20同時(shí)形成的柵電極3a和作為數(shù)據(jù)線30的一部分的源電極6a電連接的高濃度源區(qū)1d，和通過(guò)第1層間絕緣膜4的第2接觸孔4d使與數(shù)據(jù)線30同時(shí)形成的由鋁膜等構(gòu)成的漏電極6d電連接的高濃度漏區(qū)1e。還在第1層間絕緣膜4的上層側(cè)上形成第2層間絕緣膜7，通過(guò)在該第2層間絕緣膜7上形成的第2接觸孔8a，象素電極9a與漏電極6d電連接。在本實(shí)施例中，TFT 50有LDD結(jié)構(gòu)，在與柵電極3a的端部相對(duì)的部分上有低濃度源區(qū)1f和低濃度漏區(qū)1g。
在本實(shí)施例中，第2層間絕緣膜7成為燒結(jié)了全氫化聚硅氨烷(ベルヒドロポリシラザン)或包括它的組成物的涂復(fù)膜的絕緣膜71、和由用CVD法形成的厚度約50nm～1500nm硅氧化膜構(gòu)成的絕緣膜72的雙層結(jié)構(gòu)。這里所謂全氫化聚硅氨烷是無(wú)機(jī)聚硅氨烷的一種，是通過(guò)在大氣中燒結(jié)轉(zhuǎn)化成硅氧化膜的涂復(fù)型的涂層材料。例如，東燃(株)制的聚硅氨烷是以-(SiH2NH)-為單位的無(wú)機(jī)聚合物，可溶于二甲苯等有機(jī)溶劑。因此，用旋轉(zhuǎn)涂復(fù)法(例如，2000 1rpm、20秒)，將該無(wú)機(jī)聚合物的有機(jī)溶劑溶液(例如20％的二甲苯溶液)作為涂復(fù)液，涂復(fù)后再在450℃的溫度下在大氣中燒結(jié)后，與水分或氧發(fā)生反應(yīng)，可獲得比用CVD法成膜的氧化膜更致密的非晶形的硅氧化膜。因此，用該方法成膜的絕緣膜71(硅氧化膜)可用作層間絕緣膜，同時(shí)使由漏電極6d引起的凹凸等平坦化。因此，能防止液晶的取向狀態(tài)因凹凸而散亂。
(膜質(zhì)檢查區(qū)域)在這樣形成的有源矩陣基板200中，利用半導(dǎo)體工藝形成構(gòu)成要素之后，進(jìn)行電氣檢查。在該檢查工序中對(duì)判定為不適當(dāng)?shù)臉?gòu)成要素進(jìn)行各種分析，并反饋其結(jié)果。例如，檢查T(mén)FT50的源·漏區(qū)的雜質(zhì)分布等，反饋其結(jié)果。
為了進(jìn)行這種檢查，如圖1和圖3所示，在本實(shí)施例的有源矩陣基板200上，在未形成圖象顯示區(qū)11、掃描線驅(qū)動(dòng)電路70、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60、信號(hào)布線73、74等的角部分(對(duì)著圖1和圖3的右下部分)上，形成各邊分別為1mm左右的矩形膜質(zhì)檢查區(qū)域80。
如圖5(A)、(B)所示，在該膜質(zhì)檢查區(qū)域80上，形成與構(gòu)成TFT50的溝道區(qū)1a或源·漏區(qū)的半導(dǎo)體膜1h同層，而且用相同濃度導(dǎo)入了與高濃度源·漏區(qū)(高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e)相同雜質(zhì)的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c(硅膜)。在該膜質(zhì)檢查區(qū)80中，膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c，從貫通與絕緣膜2同層的檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜2c和檢查區(qū)域側(cè)的層間絕緣膜4、71、72的開(kāi)口部8c露出。其中，膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c這樣來(lái)形成，使其比TFT 50的源·漏區(qū)(高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e)有更大的面積。膜質(zhì)檢查用的半導(dǎo)體膜1c形成在包括開(kāi)口部8c的形成區(qū)的區(qū)域上，與該開(kāi)口部8c的開(kāi)口面積相比大一圈。
這樣以來(lái)，由于在本實(shí)施例的有源矩陣基板200上形成備有與TFT 50的高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e同層而且用相同濃度導(dǎo)入了相同雜質(zhì)的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c的膜檢查區(qū)80，在該膜質(zhì)檢查區(qū)80中如對(duì)膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c進(jìn)行元素分析，則能進(jìn)行TFT50的高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e的雜質(zhì)分布等這樣的膜質(zhì)檢查。而且由于膜質(zhì)檢查區(qū)80從貫通檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜2c和層間絕緣膜4、71、72的開(kāi)口部8c露出，所以能立即進(jìn)行檢查，與在TFT 50側(cè)檢查時(shí)的情況不同，不必除去層間絕緣膜4、71、72、柵電極3a和柵絕緣膜2。因此，能迅速而且容易地進(jìn)行膜質(zhì)檢查。如果是這樣的膜質(zhì)檢查區(qū)80，即使形成的較大，也不會(huì)對(duì)TFT 50的晶體管特性等產(chǎn)生影響。因此，通過(guò)形成大的膜質(zhì)檢查區(qū)80，在用SIMS進(jìn)行的分析中，一邊對(duì)膜質(zhì)檢查區(qū)域的一部分進(jìn)行閃光處理(ラスタ-)，一邊能以高精度進(jìn)行深度方向的元素分析。而且，膜檢查區(qū)域80，由于與TFT 50的高濃度源區(qū)和高濃度漏區(qū)比較有更大的面積，例如約1mm2的面積，所以除了用SIMS進(jìn)行的元素分析外，也能利用借助X射線進(jìn)行的結(jié)晶分析或拉曼散射分析等檢查膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c(半導(dǎo)體膜1h)的結(jié)晶度。因此，能有效地檢查由對(duì)非晶半導(dǎo)體膜進(jìn)行結(jié)晶處理得到的多晶性半導(dǎo)體膜1h形成的TFT 50。
進(jìn)而在本實(shí)施例中，由圖1可知，膜質(zhì)檢查區(qū)80形成在有源矩陣基板200中的從對(duì)置基板100伸出的位置上。因此，即使將有源矩陣基板200與對(duì)置基板100粘合組裝的電光學(xué)裝置30進(jìn)行點(diǎn)燃之后也能在膜檢查區(qū)域80進(jìn)行膜質(zhì)檢查，而不受有源矩陣基板200的分層的限制。
(有源矩陣基板200的制造方法)參照?qǐng)D6-圖8說(shuō)明形成這樣的膜檢查區(qū)80，制造有源矩陣基板200的方法。這些圖都是表示本實(shí)施例的有源矩陣基板200的制造方法的工序剖面圖，在任一圖中，其左側(cè)部分表示象素TFT部的剖面，右側(cè)部分示出沿圖1中的C-C′線的剖面(膜質(zhì)檢查區(qū)域80的剖面)。
首先，如圖6(A)所示，用減壓CVD法等將厚度約20nm-200nm最好約100nm的由多晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體膜1直接形成在玻璃基板，例如由無(wú)堿玻璃或石英等構(gòu)成的透明絕緣基板10的表面上，或者形成在絕緣基板10的表面上形成的基底保護(hù)膜(未圖示)的整個(gè)表面上之后，如圖6(B)所示，使用光刻技術(shù)將其圖形化，在象素TFT部形成島狀的半導(dǎo)體膜1h(有源層)。還在膜質(zhì)檢查區(qū)80上形成島狀的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c。
這種半導(dǎo)體膜1的形成是用低溫工藝堆積非晶形硅膜后，用激光退火等方法使之結(jié)晶，得到多晶硅膜。
接著，如圖6(c)所示，用CVD法等，在約400℃的溫度條件下，在絕緣基板10的整個(gè)表面上，形成厚度約50nm-約150nm的氧化硅膜。其結(jié)果，在象素TFT部，在島狀的半導(dǎo)體膜1h的表面上形成柵絕緣膜2，在膜質(zhì)檢查區(qū)域80，在島狀的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c的表面上形成檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜2c。
接著，如圖6D所示，在絕緣基板10的整個(gè)表面上形成用以構(gòu)成柵電極等的鉭膜3(導(dǎo)電膜)后，使用光刻技術(shù)將鉭膜3圖形化，如圖6(E)所示，在象素TFT部的一側(cè)上形成柵電極3a。將鉭膜3從膜質(zhì)檢查區(qū)80完全除去。
下面，如圖6(F)所示，將柵電極3a作為掩膜，用約0.1×1013/cm2～約10×1013/cm2的劑量向象素TFT部和驅(qū)動(dòng)電路的N溝道TFT部一側(cè)注入低濃度的雜質(zhì)離子(磷離子)，在象素TFT部一側(cè)上形成能對(duì)柵電極3a自匹配的低濃度源區(qū)1f和低濃度漏區(qū)1g。其中，由于位于柵電極3a的正下方，所以未導(dǎo)入雜質(zhì)離子的部分成為溝道區(qū)1a。這時(shí)，在膜質(zhì)檢查區(qū)80，與低濃度源區(qū)1f和低濃度漏區(qū)1g一樣，導(dǎo)入低濃度雜質(zhì)。
以下如圖7(A)所示，在象素TFT部形成比柵電極3a寬的抗蝕劑掩膜RM1，并用約0.1×1015/cm2～約10×1015/cm2的劑量注入高濃度雜質(zhì)離子(磷離子)形成高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e。這時(shí)也在膜質(zhì)檢查區(qū)域80，與高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e一樣，導(dǎo)入高濃度雜質(zhì)。
代替這些雜質(zhì)導(dǎo)入工序，在形成了比柵電極寬的抗蝕劑掩膜RM1的狀態(tài)下，注入高濃度雜質(zhì)(磷離子)而不進(jìn)行低濃度雜質(zhì)的注入，也可以形成補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的源區(qū)和漏區(qū)。而在柵電極3a上注入高濃度雜質(zhì)(磷離子)當(dāng)然也可以形成自調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的源區(qū)和漏區(qū)。
而且雖未圖示，但為了形成周邊驅(qū)動(dòng)電路的P溝道TFT部，用抗蝕劑被覆保護(hù)圖象顯示區(qū)域、膜質(zhì)檢查區(qū)域80和N溝道TFT部，通過(guò)以柵電極作為掩膜，用約0.1×1015/cm2～約10×1015/cm2的劑量注入硼離子，自匹配地形成P溝道的源·漏區(qū)。與形成N溝道TFT部一樣，用柵電極做掩膜用約0.1×1013/cm2～約10×1013/cm2的劑量導(dǎo)入低濃度雜質(zhì)(硼離子)，在多晶硅膜上形成低濃度區(qū)之后，形成比柵電極寬的掩膜，用約0.1×1015/cm2～約10×1015/cm2的劑量注入高濃度雜質(zhì)(硼離子)，也可以形成LDD結(jié)構(gòu)的源區(qū)的漏區(qū)。不注入低濃度雜質(zhì)而是在形成了比柵電極寬的掩膜的狀態(tài)下注入高濃度雜質(zhì)(磷離子)，也可以形成補(bǔ)償結(jié)構(gòu)的源區(qū)和漏區(qū)。借助這些離子注入工藝，使CMOS化成為可能，也使周邊驅(qū)動(dòng)電路裝入同一基板內(nèi)成為可能。
如圖7(B)所示，用CVD法等在例如400℃左右的溫度條件下，在柵電極3a和檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜2c的表面?zhèn)壬?，形成由氧化硅膜或NSG膜(不包括硼或磷的硅酸鹽玻璃膜)等構(gòu)成的膜厚度為300nm-1500nm左右的第1層間絕緣膜4。
使用光刻技術(shù)，在第1層間絕緣膜4上形成接觸孔和用以形成開(kāi)口部的抗蝕劑掩膜RM2。
如圖7(C)所示，在象素TFT部一側(cè)，在第1層間絕緣膜4中的與源區(qū)1d和漏區(qū)1e對(duì)應(yīng)部分，在膜質(zhì)檢查區(qū)域80側(cè)的第1層間絕緣膜4中的與膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c對(duì)應(yīng)部分的一部分上分別形成接觸孔4a、4d和開(kāi)口部4c。其結(jié)果，在膜質(zhì)檢查區(qū)域80中，膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c成為露出狀態(tài)。然后除去抗蝕劑掩膜RM2。
如圖7(D)所示，在第1層間絕緣膜4的表面?zhèn)?，用濺射法等形成用以構(gòu)成源電極等的鋁膜6。
接著利用光刻技術(shù)，形成用以將鋁膜6圖形化的抗蝕劑掩膜RM3。
如圖7(E)所示，將鋁膜6圖形化，在象素電極TFT部形成源電極6a和漏電極6d，所說(shuō)的源電極6a由通過(guò)第1接觸孔4a與作為數(shù)據(jù)線30的一部分高濃度源區(qū)1d電連接的鋁膜構(gòu)成，所說(shuō)的漏電極6d通過(guò)第2接觸孔4d與高濃度漏區(qū)1e電連接。與此不同，在膜質(zhì)檢查區(qū)80完全除去鋁膜6，使膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c露出。然后除去抗蝕劑掩膜RM3。
接著如圖8(A)所示，在源電極6a、漏電極6d和膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c的表面?zhèn)壬闲纬蔁Y(jié)了全氫化聚硅氨烷或包括它的組成物的涂復(fù)膜的絕緣膜71。在該絕緣膜71的表面上，用使用了TEOS的CVD法，在例如400℃左右的溫度條件，形成厚度約50nm-約1500nm的由氧化硅膜構(gòu)成的絕緣膜72。用這些絕緣膜71、72形成第2層間絕緣膜7。
接著，使用光刻技術(shù)，在第2層間絕緣膜7上形成用以形成接觸孔和開(kāi)口部的抗蝕劑掩膜RM4。
如圖8(B)所示，相對(duì)于構(gòu)成第2層間絕緣膜7的絕緣膜71、72，在與漏電極6d對(duì)應(yīng)的部分上形成由接觸孔71a、72a構(gòu)成的第3接觸孔8a。這時(shí)，在膜質(zhì)檢查區(qū)80，相對(duì)于構(gòu)成第2層間絕緣膜7的絕緣膜71、72，形成開(kāi)口部71c、72c，從而形成使膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜露出的開(kāi)口部8c。然后除去抗蝕劑掩膜RM4。
如圖8(C)所示，在第2層間絕緣膜7的表面?zhèn)龋脼R射法等形成用以構(gòu)成漏電極的厚度約40nm-約200nm的ITO膜9(銦、錫氧化物)。
接著，使用光刻技術(shù)，形成用以使ITO膜9圖形化的抗蝕劑掩膜RM5。
然后，使用抗蝕劑掩膜RM5將ITO膜9圖形化。其結(jié)果如圖5(A)(B)所示，在象素TFT部上形成通過(guò)第3接觸孔8a與漏電極6a電連接的象素電極9a。在膜質(zhì)檢查區(qū)80完全除去ITO膜9，膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c成為從開(kāi)口部8c露出的狀態(tài)。
因此，此后能通過(guò)開(kāi)口部8c立即進(jìn)行膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c的膜質(zhì)檢查。而且，由于媒質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c與TFT 50的高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e經(jīng)歷了同樣的過(guò)程，所以即使將膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1h作為檢查對(duì)象，也能以更高的精度檢查T(mén)FT 50的高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e的膜質(zhì)。而且，由于原封不動(dòng)地利用制造TFT 50的工藝就能形成膜質(zhì)檢查區(qū)域80，所以不會(huì)增加工序數(shù)。
(實(shí)施例2)在上述實(shí)施例1中，用圖6(F)所示的工藝將低濃度雜質(zhì)導(dǎo)入膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c后，通過(guò)用圖7(A)所示的工藝將高濃度雜質(zhì)導(dǎo)入膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c，對(duì)于膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c來(lái)說(shuō)，成為用相同濃度導(dǎo)入與高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e相同雜質(zhì)的區(qū)域。
然而在本實(shí)施例中，用圖6(F)所示的工藝，將低濃度雜質(zhì)導(dǎo)入膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c后，如圖9所示，用圖7(A)所示的工藝也用抗蝕劑掩膜RM1復(fù)蓋膜質(zhì)檢查區(qū)域80。即使用這樣的方法，對(duì)于膜檢查用的半導(dǎo)體膜1c來(lái)說(shuō)，也能成為用相同的濃度導(dǎo)入了與低濃度源區(qū)1f和低濃度漏區(qū)1g相同雜質(zhì)的區(qū)域。因此，在該檢查區(qū)域80中，如果分析膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c，則能對(duì)TFT 50的低濃度源區(qū)1f和低濃度漏區(qū)1g進(jìn)行膜質(zhì)檢查。而且，由于膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c與TFT 50的低濃度源區(qū)1f和低濃度漏區(qū)1g經(jīng)歷了相同的過(guò)程，所以即使將膜質(zhì)檢查用的半導(dǎo)體膜1c作檢查對(duì)象時(shí)，也能用更高精度檢查T(mén)FT 50的低濃度源區(qū)1f和低濃度漏區(qū)1g的膜質(zhì)。而且，由于在這種情況下也能原樣利用制造TFT 50的工藝形成膜質(zhì)檢查區(qū)80，所以不會(huì)增加工序數(shù)。
(實(shí)施例3)在上述實(shí)施例1中，用圖6(F)所示的工藝將低濃度雜質(zhì)導(dǎo)入膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c后，通過(guò)用圖7(A)所示的工藝在膜檢用半導(dǎo)體膜1c的整體上導(dǎo)入高濃度雜質(zhì)，將膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c整體作為用相同濃度導(dǎo)入與高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e相同的雜質(zhì)的區(qū)域。
然而在本實(shí)施例中，用圖6(F)所示的工藝將低濃度雜質(zhì)導(dǎo)入膜檢查用半導(dǎo)體膜1c之后，如圖10(A)所示，用圖7(A)所示的工藝，用抗蝕劑掩膜RM1只覆蓋膜質(zhì)檢查區(qū)80的一部分。因此，如圖10(B)所示，能在膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c上形成用相同濃度導(dǎo)入了與低濃度源區(qū)1f和低濃度漏區(qū)1g相同雜質(zhì)的第1膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c′，和用相同濃度導(dǎo)入了與高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e相同雜質(zhì)的第2膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c″。因此，在該檢查區(qū)域80中，如分別分析第1膜質(zhì)檢查區(qū)1c′和第2膜質(zhì)檢查區(qū)1c″，則能進(jìn)行對(duì)TFT 50的高濃度源區(qū)1d和高濃度漏區(qū)1e的膜質(zhì)檢查，和對(duì)低濃度源區(qū)1f和低濃度漏區(qū)1g的膜質(zhì)檢查。而且，由于膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c(第1膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c′和第2膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c″)分別與TFT 50的低濃度源·漏區(qū)和高濃度源·漏區(qū)經(jīng)歷了大致相同的過(guò)程，所以即使將膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c作為檢查對(duì)象時(shí)，也能以更高的精度檢查T(mén)FT 50的源·漏區(qū)的膜質(zhì)。而且由于在這種情況下也能直接利用制造TFT的工藝形成膜質(zhì)檢查區(qū)80，所以工序數(shù)不會(huì)增加。
(實(shí)施例4)在上述實(shí)施例1-3中，通過(guò)將雜質(zhì)導(dǎo)入膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c，將膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c用來(lái)檢查T(mén)FT 50的源·漏區(qū)。
然而在本實(shí)施例中，即使在圖6(F)所示的工藝和圖7(A)所示的工藝中的任一種工藝中，如圖9所示，用抗蝕劑掩膜RM1覆蓋膜質(zhì)檢查區(qū)域80。因此，如圖11所示，膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c成為不導(dǎo)入雜質(zhì)的本征區(qū)。因此，在該檢查區(qū)域80中，如分析膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c，則能對(duì)TFT 50的溝道區(qū)1a進(jìn)行膜質(zhì)檢查。由于在這種情況下也能直接利用制造TFT50的工藝形成膜質(zhì)檢查區(qū)80，所以不增加工序數(shù)。
此外在制造TFT 50時(shí)，在圖6(A)-圖6(C)所示的工藝中，有時(shí)溝道摻雜非常低濃度的雜質(zhì)。在這種情況下，形成膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c作為用相同濃度溝道摻雜了與溝道區(qū)1c相同雜質(zhì)的區(qū)域。
(實(shí)施例5)即使在上述實(shí)施例1-4中的任一實(shí)施例中，雖然是對(duì)1個(gè)有源矩陣基板在一個(gè)地方形成膜質(zhì)檢查區(qū)80，但如圖12所示，也可以在2個(gè)以上地方形成膜質(zhì)檢查區(qū)80。在這種情況下，雖然在膜質(zhì)檢查區(qū)80各膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c中的任一個(gè)上可以用相同濃度導(dǎo)入相同雜質(zhì)，但也可以例如在多個(gè)膜質(zhì)檢查區(qū)中的某個(gè)膜質(zhì)檢查區(qū)80的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c上不導(dǎo)入雜質(zhì)，用作對(duì)TFT 50的溝道區(qū)1a的膜質(zhì)檢查，而在其它膜質(zhì)檢查區(qū)80的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c上導(dǎo)入雜質(zhì)用作對(duì)TFT50的源·漏區(qū)的膜質(zhì)檢查。
(實(shí)施例6)下面說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例6。本實(shí)施例的電光學(xué)裝置及其制造方法，由于其基本構(gòu)成與第1實(shí)施例相同，所以在說(shuō)明中對(duì)對(duì)應(yīng)的部分標(biāo)以相同的符號(hào)。
(有源矩陣基板的構(gòu)成)圖13示意地示出在本發(fā)明的實(shí)施例6中使用了的有源矩陣基板的構(gòu)成的框圖。
如圖13所示，本實(shí)施例的內(nèi)裝驅(qū)動(dòng)電路型有源矩陣基板200，也在絕緣基板10上形成與相互交叉的多條掃描線20和多條數(shù)據(jù)線30連接的TFT 50，象素電極9a構(gòu)成矩陣狀。掃描線20由鉭膜、鋁膜、鋁合金膜等構(gòu)成，數(shù)據(jù)線30由鋁膜或鋁合金膜等構(gòu)成，分別形成單層或多層層疊。形成這些象素電極9a的區(qū)域是象素顯示區(qū)11。
在絕緣基板10的圖象顯示區(qū)11的外側(cè)區(qū)域(周邊部分)上構(gòu)成對(duì)多條數(shù)據(jù)線30的每一個(gè)供給圖象信號(hào)的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60。還在掃描線20兩端部分的各端上構(gòu)成對(duì)各掃描線20供給象素選擇用掃描信號(hào)的掃描線驅(qū)動(dòng)電路70。
在本實(shí)施例的有源矩陣基板200中，在絕緣基板10的邊緣部分中的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60側(cè)的邊緣部分上，構(gòu)成用以輸入恒定電源、調(diào)制圖象信號(hào)(圖象信號(hào))、各種驅(qū)動(dòng)信號(hào)等的，由鋁膜等金屬膜、金屬硅化物膜或ITO膜等導(dǎo)電膜構(gòu)成的多個(gè)輸入輸出端子45，從這些輸入輸出端子分別引回用以驅(qū)動(dòng)掃描線驅(qū)動(dòng)電路60和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路70的，由鋁膜等低電阻金屬膜構(gòu)成的多條信號(hào)布線73、74。
而在信號(hào)布線73、74途中的位置上形成下面所述的靜電保護(hù)電路65、75。
其它的結(jié)構(gòu)由于與在實(shí)施例1中參照?qǐng)D3說(shuō)明過(guò)的內(nèi)容相同，所以對(duì)應(yīng)的部分標(biāo)以相同的符號(hào)，如在圖13所示，其說(shuō)明從略。
(象素和TFT的結(jié)構(gòu))圖14是將圖13所示的有源矩陣基板的圖象顯示區(qū)域的角部分放大顯示的平面圖。圖15(A)(B)分別是沿圖14的象素TFT部的A-A′線，圖16的抗靜電部的B-B′線、下述的膜質(zhì)檢查區(qū)域的C-C′線的剖面圖，以及將其一部分放大顯示的剖面圖。
如圖14所示，在象素電極9a上形成與掃描線20和數(shù)據(jù)線30連接的象素開(kāi)關(guān)用TFT 50。對(duì)著各象素電極9a還形成容性線75。
如圖15(A)、(B)所示，TFT 50包括與掃描線20同時(shí)形成的柵電極3a；作為數(shù)據(jù)線30的一部分的源電極6a通過(guò)第1層間絕緣膜4的第1接觸孔4a電連接的源區(qū)1f、1d；與數(shù)據(jù)線30同時(shí)形成的由鋁膜等構(gòu)成的漏電極6d通過(guò)第1層間絕緣膜4的第2接觸孔4d電連接的漏區(qū)1g、1e。還在第1層間絕緣膜4的上層側(cè)形成第2層間絕緣膜7，象素電極9a通過(guò)在該第2層間絕緣膜7上形成的接觸孔8a對(duì)漏電極6d電連接。
(抗靜電措施)在有這樣結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板200中，利用半導(dǎo)體工藝形成上述的TFT 50、各種布線、掃描線驅(qū)動(dòng)電路70和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60。在這里由于在有源矩陣基板200上使用絕緣板10，容易產(chǎn)生因靜電等引起的不良情況，所以在本實(shí)施例中采用如下抗靜電措施。
首先，在本實(shí)施例中如圖13所示，兼用形成掃描線20和TFT 50的柵電極的工藝，形成與全部信號(hào)布線73、74電連接的第1短路用布線91。還兼用形成掃描線20和TFT 50的柵電極的工藝形成與全部掃描線20電連接的第2短路用布線92。進(jìn)而兼用形成掃描線20和TFT 50的柵電極的工藝形成與全部數(shù)據(jù)線30電連接的第3短路用布線93。
其中第1、第2和第3短路用布線91、92、93是完全與掃描線20和TFT 50的柵電極一起形成在柵絕緣膜2與第1層間絕緣膜4之間的鉭膜。與此不同，信號(hào)布線73、74和數(shù)據(jù)線30是形成在第1層間絕緣膜4與第2層間絕緣膜7之間的鋁膜。因而第1和第3短路用布線91、93位于與由鋁膜構(gòu)成的信號(hào)布線73、74和數(shù)據(jù)線30不同的層間。
因此，如圖16和圖15(A)所示，第1和第3短路用布線91、93與布線6e(信號(hào)布線73、74和數(shù)據(jù)線30)通過(guò)在第1層間絕緣膜4上形成的接觸孔4e電連接。
似這樣，一旦使第1第2和第3短路用布線91、92、93與各信號(hào)布線73、74、掃描線20和數(shù)據(jù)線30連接，在形成了這種布線結(jié)構(gòu)的以后的工序中，即使發(fā)生了靜電等，該電荷通過(guò)第1、第2和第3短路用布線91、92、93向基板外周側(cè)擴(kuò)散，由于突發(fā)的過(guò)剩電流不流過(guò)掃描線20、象素顯示區(qū)11、掃描線驅(qū)動(dòng)電路70、取樣保持電路和數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60，所以能保護(hù)全部部分不受靜電的影響。
但是，第1、第2和第3短路用布線91、92、93在結(jié)束了有源矩陣基板200的制造工藝后就不需要了，后文將詳細(xì)說(shuō)明，但對(duì)在圖3中標(biāo)示了“X”的位置，如圖15(A)(B)所示，在第1層間絕緣膜4和第2層間絕緣膜7上形成切斷用孔8b，通過(guò)該切斷用孔8b，對(duì)短路用布線3b(第1、第2和第3短路用布線91、92、93)進(jìn)行蝕刻從而進(jìn)行切斷。因此，在圖13中，雖然在制造工藝的過(guò)程中，第1、第2和第3短路用布線91、92、93分別與信號(hào)布線73、74、掃描線20和數(shù)據(jù)線30連接，但通過(guò)切斷用孔蝕刻后，線號(hào)布線73、74、掃描線20和數(shù)據(jù)線30就分別成為被電分離的狀態(tài)。因此，在有源矩陣基板200中，如是在切斷了第1、第2和第3布線基板91、92、93之后，則對(duì)電特性檢查和制造了液晶顯示裝置后的動(dòng)作都無(wú)妨礙。
這里，為了使短路用布線3b(第1、第2和第3短路用布線91、92、93)從第1層間絕緣膜4和第2層間絕緣膜7露出并切斷，在第1層間絕緣膜4上，在與短路用布線3b相當(dāng)?shù)牟糠稚闲纬汕袛嘤每?b(第1連接用孔)，在第二層間絕緣膜7上，在與短路用布線3b相當(dāng)?shù)牟糠稚闲纬汕袛嘤每?b(第2切斷用孔)。切斷用孔8b形成在與切斷用孔4b重疊的位置上并具有比切斷用孔4b大的內(nèi)徑。
(靜電保護(hù)電路)雖然作為圖13所示的靜電保護(hù)電路65、75能利用各種電路，在圖17所示的電路中，利用保護(hù)電阻66、推挽配置的P溝道型TFT 67和N溝道型TFT 68，在各自的正電源VDD和負(fù)電源USS之間構(gòu)成二極管。在本實(shí)施例中，使第1短路用布線91與信號(hào)布線73(或74)連接，當(dāng)然是在輸入輸出端子45與保護(hù)電阻66之間，因此，從輸入輸出端子45或第1短路用布線91來(lái)的靜電不通過(guò)保護(hù)電阻66和靜電保護(hù)電路65(或75)，所以也不會(huì)到達(dá)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60和掃描線驅(qū)動(dòng)電路70。通過(guò)這樣的結(jié)構(gòu)，靜電能可靠地被靜電保護(hù)電路65(或75)吸收，從而能可靠地保護(hù)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60和掃描線驅(qū)動(dòng)電路70。
(膜質(zhì)檢查區(qū)域)對(duì)于這樣形成的有源矩陣基板200，利用半導(dǎo)體工藝形成各構(gòu)成要素之后，在圖13上印有“X”的位置切斷第1、第2和第3短路用布線91、92、93，然后進(jìn)行電氣檢查。對(duì)在該檢查工序中判斷為不合格的情況進(jìn)行各種分析，并反饋其結(jié)果。例如對(duì)TFT 50進(jìn)行柵絕緣膜2與溝道區(qū)1a的界面的雜質(zhì)分布等這樣的膜質(zhì)檢查并反饋其結(jié)果。
為進(jìn)行這樣的檢查，在本實(shí)施例中，如圖1和圖13所示，在有源矩陣基板200上，在未形成圖象顯示區(qū)11、掃描線驅(qū)動(dòng)電路70、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60、信號(hào)布線73、74等的角部分(朝向圖1和圖13的右下部分)上形成各邊分別為1mm左右的矩形的膜檢查區(qū)域80。
在該膜質(zhì)檢查區(qū)域80中，如圖15(A)(B)所示，層疊TFT 50的溝道區(qū)1a、分別與柵絕緣膜2同層的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c(硅膜)和檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜2C(膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜/氧化硅膜)。該檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜2c從在膜質(zhì)檢查區(qū)域側(cè)形成的各層間絕緣膜4、71、72的開(kāi)口部8c(開(kāi)口部4c、71c、72c)露出。如后文所述，在開(kāi)口部8c的周?chē)?，存在通過(guò)開(kāi)口部8c蝕刻后的導(dǎo)電膜3c的殘留部分。這里，形成膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c，使其具有比溝道區(qū)1a更寬的面積。膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c形成在包括開(kāi)口部8c的形成區(qū)的區(qū)域上，與該開(kāi)口部8c的開(kāi)口面積比較，大一圈。
因此，由于在本實(shí)施例的有源矩陣基板200上形成膜質(zhì)檢查區(qū)80，所說(shuō)的膜質(zhì)檢查區(qū)80層疊有TFT 50的溝道區(qū)1a、分別與柵絕緣膜2同層的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c和檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜2c，所以如在該膜質(zhì)檢查區(qū)域80進(jìn)行檢查，則能對(duì)TFT 50的柵絕緣膜2與溝道區(qū)1a的界面的雜質(zhì)分布這樣的膜質(zhì)進(jìn)行檢查。這里，由于膜質(zhì)檢查區(qū)域80從層間絕緣膜4、71、72的開(kāi)口部8c露出，所以能立即進(jìn)行檢查，與在TFT50側(cè)檢查的情況不同，不必除去層間絕緣膜4、71、72或柵電極3a。因此，能迅速而且容易地進(jìn)行膜質(zhì)檢查。如果是這樣的膜質(zhì)檢查區(qū)域80，即使形成的較大，也不會(huì)對(duì)TFT 50的晶體管特性等產(chǎn)生影響。因此，通過(guò)形成大的膜質(zhì)檢查區(qū)域80，在SIMS的分析中，一邊對(duì)膜質(zhì)檢查區(qū)的一部分進(jìn)行閃光處理，一邊能用高精度進(jìn)行濃度方向的元素分析。而且，由于膜質(zhì)檢查區(qū)80與晶體管的溝道區(qū)域相比有較大的面積，例如約1mm2的面積，所以除了SIMS的元素分析外，還利用拉曼散射分析等檢查膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c(溝道區(qū)域1a)的結(jié)晶度。因此，能有效地對(duì)由對(duì)非晶半導(dǎo)體膜進(jìn)行結(jié)晶化處理得到的多晶半導(dǎo)體膜構(gòu)成的TFT50進(jìn)行檢查。
而且，在本實(shí)施例中，由圖1可知，在有源矩陣基板200中的從對(duì)置基板100伸出的位置上形成膜質(zhì)檢查區(qū)80。因此，不但在有源矩陣基板200階段，而且在將有源矩陣基板200與對(duì)置基板100粘合組裝電光學(xué)裝置300并進(jìn)行了點(diǎn)燈檢查之后，也能進(jìn)行在膜質(zhì)檢查區(qū)域80中的膜質(zhì)檢查。
(有源矩陣基板200的制造方法)
參照?qǐng)D18-圖20說(shuō)明形成這樣的膜質(zhì)檢查區(qū)域80并且一邊采取靜電保護(hù)措施一邊制造有源矩陣基板200的方法。這些圖都是表示本實(shí)施例的有源矩陣基板200的制造方法的工序剖面圖，在任一圖中，在其左側(cè)部分示出圖14的A-A′線的剖面(象素TFT部的剖面)，在中央部分示出圖16的B-B′線的剖面(進(jìn)行短路用布線的切斷的抗靜電布線部(圖13中印有“X”的部分)的剖面)，在右側(cè)部分示出圖1的C-C′線的剖面(膜質(zhì)檢查區(qū)80的剖面)。
由于以下說(shuō)明的工藝都與參照?qǐng)D6-圖8說(shuō)明過(guò)的制造方法對(duì)應(yīng)。所以省略對(duì)共同部分的詳細(xì)說(shuō)明。
首先，如圖18(A)所示，在玻璃基板，例如由無(wú)堿玻璃或石英等構(gòu)成的透明絕緣板10的表面上直接，或者在形成在絕緣基板10的表面上形成的底保護(hù)膜(未圖示)的整個(gè)表面上，用減壓CVD法等形成由厚度約20nm-約200nm，最好為約100nm的多晶硅膜構(gòu)成的半導(dǎo)體膜1之后，如圖18(B)所示，使用光刻技術(shù)將其圖形化，在象素TFT部形成島狀的半導(dǎo)體膜1h(活性層)。還在膜質(zhì)檢查區(qū)80上形成島狀的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c。與此不同，在抗靜電布線部一側(cè)完全除去半導(dǎo)體膜1。
這樣的半導(dǎo)體膜的形成是在用低溫工藝堆積了非晶硅膜后，用激光退火等方法使之結(jié)晶得到多晶硅膜。
接著，如圖18(C)所示，用CVD法等在例如400℃左右的溫度條件下，在絕緣基板10的整個(gè)表面上形成厚度約50nm-約150nm的氧化硅膜。其結(jié)果，在象素TFT部，在島狀的半導(dǎo)體膜1h的表面上形成柵絕緣膜2，在膜質(zhì)檢查區(qū)80，在島狀的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c的表面上形成檢查區(qū)域側(cè)的柵絕緣膜2c。
下面，如圖18(D)所示，在絕緣基板10的整個(gè)表面上形成用以形成柵電極等的鉭膜3之后，如圖18(E)所示，用光刻技術(shù)將鉭膜3圖形化，在象素TFT部一側(cè)上形成柵電極3a。而在膜質(zhì)檢查區(qū)80上留有導(dǎo)電膜3c。與此不同，在抗靜電布線部上，將鉭膜作為短路用布線3b(與第1、第2和第3短路用布線91、92、93相當(dāng))殘留下來(lái)。
接著如圖18(F)所示，在象素TFT部和驅(qū)動(dòng)電路的N溝道TFT部側(cè)，以柵電極3a為掩膜，用約0.1×1013/cm2～約10×1013/cm2的摻雜量注入低濃度雜質(zhì)離子(磷離子)，在象素TFT部側(cè)，相對(duì)于柵電極3a，自匹配地形成低濃度的源區(qū)1f和低濃度的漏區(qū)1g。這里，由于位于柵電極3a的正下方，所以未導(dǎo)入雜質(zhì)離子的部分成為溝道區(qū)1a。這時(shí)，在膜質(zhì)檢查區(qū)域80，由于與溝道區(qū)1a相同，用導(dǎo)電膜3覆蓋膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c，所以不導(dǎo)入雜質(zhì)。
下面如圖19(A)所示，在象素TFT部形成比柵電極3a寬的抗蝕劑掩膜RM1，用約0.1×1015/cm2～約10×1015/cm2的摻雜量注入高濃度雜質(zhì)離子(磷離子)，形成高濃度源區(qū)1d和漏區(qū)1e。這時(shí)，在膜質(zhì)檢查區(qū)80，由于也與溝道區(qū)1a同樣，用導(dǎo)電膜3覆蓋膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c，所以不導(dǎo)入雜質(zhì)。
如圖19(B)所示，在柵電極3a、短路用布線3b和導(dǎo)電膜3c的表面?zhèn)龋肅VD法等，在例如400℃左右的溫度條件下，形成膜厚為300nm～1500nm左右的由氧化硅膜或NGS膜(不包括硼或磷的硅酸鹽玻璃膜)等構(gòu)成的第1層間絕緣膜4。
下面，使用光刻技術(shù)，在第1層間絕緣膜4上形成用以形成接觸孔、切斷用孔和開(kāi)口部的抗蝕劑掩膜RM2。
如圖19(C)所示，在象素TFT部側(cè)，在與第1層間絕緣膜4中的與源區(qū)1d和漏區(qū)1e對(duì)應(yīng)的部分上，在抗靜電布線部側(cè)，在第1層間絕緣膜4中的與各短路用布線3b對(duì)應(yīng)的部分中的一部分上，以及在膜檢查區(qū)域80側(cè)，在第1層間絕緣膜4中的與導(dǎo)電膜3c對(duì)應(yīng)的部分中的一部分上，分別形成接觸孔4a、4d、4e、切斷用孔4b和開(kāi)口部4c。其結(jié)果，在抗靜電布線部側(cè)，短路用布線3b的預(yù)定切斷部分成為露出的狀態(tài)。而在膜檢查區(qū)域80，導(dǎo)電膜3c成為露出的狀態(tài)。而且除去抗蝕劑掩膜RM2。
如圖19(D)所示，在第1層間絕緣膜4的表面?zhèn)?，用濺射法等形成用以構(gòu)成源電極等的鋁膜6。
下面，使用光刻技術(shù)，形成用以使鋁膜6圖形化的抗蝕劑掩膜RM3。
如圖19(E)所示，將鋁膜6圖形化，在象素TFT部，作為數(shù)據(jù)線30的一部分，形成通過(guò)第1接觸孔4a與源區(qū)1a電連接的由鋁膜構(gòu)成的源電極6a，和通過(guò)第2接觸孔4d與漏區(qū)1e電連接的漏電極6d。還在抗靜電布線部將由鋁膜構(gòu)成的各種布線6e(數(shù)據(jù)線30和信號(hào)布線73、74)通過(guò)接觸孔4e，與短路用布線3b電連接。與此不同，在膜質(zhì)檢查區(qū)80完全除去鋁膜6。
似這樣，利用圖19(C)-(E)的工藝，進(jìn)行參照?qǐng)D16說(shuō)明過(guò)的第1和第3短路用布線91、93和信號(hào)線73、74以及數(shù)據(jù)線30的布線連接。在抗靜電布線部側(cè)、短路用布線3b的預(yù)定切斷部分成為露出的狀態(tài)。而且除去抗蝕劑掩膜RM3。
下面如圖20(A)所示，在源電極6a和布線6e等的表面?zhèn)?，燒結(jié)全氫硅氨烷或包括它的組成物的涂復(fù)膜構(gòu)成絕緣膜71。而且在該絕緣膜71的表面上，用使用了TEOS的CVD法，在例如400℃左右的溫度條件下，形成厚度約50nm～約1500nm的由氧化硅膜構(gòu)成的絕緣膜72。由這些絕緣膜71、72形成第2層間絕緣膜7。
接著在第2層間絕緣膜7上利用光刻技術(shù)形成用以形成接觸孔、切斷用孔和開(kāi)口部的抗蝕劑掩膜RM4。
接著，如圖20(B)所示，對(duì)構(gòu)成第2層間絕緣膜7的絕緣膜71、72，在與漏電極6d對(duì)應(yīng)的部分上形成由接觸孔71a、72a構(gòu)成的第3接觸孔8a。
這時(shí)在抗靜電布線部，在短路用布線3b(與第1、第2和第3短路用布線91、92、93相當(dāng))的預(yù)定切斷部分，對(duì)構(gòu)成第2層間絕緣膜7的絕緣膜71、72，構(gòu)成包括切斷用孔71b、72b的切斷用孔8b。因此，短路用布線3b的預(yù)定切斷部分成為露出狀態(tài)。
在膜質(zhì)檢查區(qū)域80中，對(duì)構(gòu)成第2層間絕緣膜7的絕緣膜71、72形成開(kāi)口部71c、72c，從而形成使導(dǎo)電膜3c露出的開(kāi)口部8c。然后除去抗蝕劑掩膜RM4。
如圖20C所示，在第2層間絕緣膜7的表面?zhèn)?，用濺射法等形成用以構(gòu)成漏電極的厚度約40nm-約200nm的ITO膜9。
接著，使用光刻技術(shù)，形成用以將ITO膜9圖形化的抗蝕劑掩膜RM5。
而且使用抗蝕劑掩膜RM5將ITO膜圖形化。其結(jié)果如圖15(A)(B)所示，在象素TFT部形成通過(guò)第3接觸孔8a與漏電極6d電連接的象素電極9a。在抗靜電布線部完全除去ITO膜9。即使在膜質(zhì)檢查區(qū)80也完全除去ITO膜9。
在本實(shí)施例中，使ITO膜9圖形化時(shí)，在抗靜電布線部側(cè)將短路用布線3b的預(yù)定切斷部分切斷，用該切斷部分使布線分離。由于在這樣的制造工藝的最后工序中切斷短路用布線3b，所以對(duì)在此前大多數(shù)工序中產(chǎn)生的靜電是有效的。即，在用第1短路用布線91(短路用布線3b)電連接信號(hào)布線73、74(布線6e)的狀態(tài)下進(jìn)行各工序。因此，即使產(chǎn)生靜電，在絕緣基板表面上蓄積了電荷，由于通過(guò)第1短路用布線91使這些電荷向外周側(cè)擴(kuò)散，所以在數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60和掃描線驅(qū)動(dòng)電路70上也無(wú)突發(fā)的過(guò)剩電流流過(guò)。所以能保護(hù)數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路60和掃描線驅(qū)動(dòng)電路70。由于利用與各掃描線20電連接的第2短路用布線92(短路用布線3b)也能防止在掃描線20上流過(guò)突發(fā)的過(guò)剩電流，所以能保護(hù)掃描線20或圖象顯示區(qū)域11。而且由于利用與各數(shù)據(jù)線30(布線6e)電連接的第3短路用布線93能防止在數(shù)據(jù)線30上流過(guò)突發(fā)的過(guò)剩電流，所以能保護(hù)數(shù)據(jù)線30、取樣保持電路和圖象顯示區(qū)11。
進(jìn)而在膜質(zhì)檢查區(qū)80除去從開(kāi)口部8c露出的導(dǎo)電膜3c，使檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜2c成為從開(kāi)口部8c露出的狀態(tài)。因此，此后就能對(duì)檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜2c和膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c進(jìn)行膜質(zhì)檢查。而且，由于檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜2c和膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c與TFT的柵絕緣膜2和溝道區(qū)域1a經(jīng)歷了大致相同的過(guò)程，所以即使將檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜2c和膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1h作為檢查對(duì)象，也能以更高精度對(duì)TFT50的柵絕緣膜2和溝道區(qū)域進(jìn)行膜質(zhì)檢查。
由于利用將靜電保護(hù)用的短路線6e切斷的工藝使膜質(zhì)檢查區(qū)域80露出，所以不增加工序數(shù)。這里，在進(jìn)行靜電保護(hù)時(shí)，在形成第1層間絕緣膜4和第1與第2接觸孔4a、4d時(shí)，與形成短路用布線3b和掃描線20等同時(shí)形成切斷用孔4b，進(jìn)而在將第3接觸孔8a形成在第2層間絕緣膜7上時(shí)形成切斷用孔8b。因此，即使在以漏電極6a為中繼電連接象素電極9a和漏區(qū)1e時(shí)，也能在制造TFT的工序中使短路用布線3b從第1層間絕緣膜4和第2層間絕緣膜7露出并切斷，所以能用最少限度的工序數(shù)進(jìn)行靜電保護(hù)。
在上述實(shí)施例中雖然膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c形成在包括開(kāi)口部8c的形成區(qū)的區(qū)域上，但如圖21所示，在結(jié)構(gòu)上也可以將膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c形成在開(kāi)口部8c的內(nèi)側(cè)。
(其它實(shí)施例)雖然在上述實(shí)施例中分別形成半導(dǎo)體膜檢查用或半導(dǎo)體膜/柵絕緣膜檢查用的膜質(zhì)檢查區(qū)域，但也可以使實(shí)施例1-5的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例6的結(jié)構(gòu)組合起來(lái)，將這兩種膜質(zhì)檢查區(qū)域形成在同一個(gè)有源矩陣基板上。這時(shí)，可以對(duì)參照?qǐng)D18-20說(shuō)明過(guò)的制造方法只實(shí)施參照?qǐng)D6-8說(shuō)明過(guò)的工藝，制造工序數(shù)不會(huì)增加。
在上述實(shí)施例中，雖然將本發(fā)明應(yīng)用于在電光學(xué)裝置組裝中使用的有源矩陣基板，但也可以將本發(fā)明應(yīng)用于在制造有源矩陣基板時(shí)用以確認(rèn)試驗(yàn)流程的工藝條件的試驗(yàn)基板。
而且，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，在本發(fā)明要旨的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變形。例如，本發(fā)明不限于上述各種液晶顯示裝置，也適用于場(chǎng)致發(fā)光、瀏覽顯示裝置等中。而且本發(fā)明也適用于使用SOI(Silicon OnInsulator)基板或SOS(Silicon On Sapphire)基板的情況。
如上所述，在本發(fā)明中，由于形成備有與在晶體管中使用的半導(dǎo)體膜同層的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的膜質(zhì)檢查區(qū)域，或者形成層疊了分別與晶體管的溝道區(qū)和柵絕緣膜同層的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜的膜質(zhì)檢查區(qū)域、如對(duì)該膜質(zhì)檢查區(qū)域進(jìn)行分析，則能進(jìn)行對(duì)構(gòu)成晶體管的源·漏區(qū)或溝道區(qū)的半導(dǎo)體膜的元素分析或結(jié)晶度分析或者柵絕緣膜與溝道區(qū)界面的雜質(zhì)分布等這樣的膜質(zhì)檢查。由于膜質(zhì)檢查區(qū)從與層間絕緣膜同層的檢查區(qū)域側(cè)的層間絕緣膜的開(kāi)口部露出，所以能馬上進(jìn)行檢查，與在晶體管側(cè)檢查時(shí)的情況不同，不必除去層間絕緣膜或柵電極。因此，能迅速而且容易地進(jìn)行膜質(zhì)檢查。而且如果是膜質(zhì)檢查區(qū)，即使形成得較大，也不會(huì)影響晶體管的晶體管特性。因此，通過(guò)形成大的膜質(zhì)檢查區(qū)，能高精度地進(jìn)行各種分析。
權(quán)利要求
1.一種有源矩陣基板，在基板上形成晶體管和信號(hào)布線，其特征在于在上述基板上的未形成上述晶體管和上述信號(hào)布線的區(qū)域中的至少一個(gè)地方具有配備上述晶體管中所用的半導(dǎo)體膜和同層的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的膜質(zhì)檢查區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜從開(kāi)口部露出，所說(shuō)的開(kāi)口部形成在位于上述晶體管上層的層間絕緣膜和同層的檢查區(qū)側(cè)的層間絕緣膜上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜與上述晶體管的源·漏區(qū)同層，并以相同的濃度導(dǎo)入與該源·漏區(qū)相同的雜質(zhì)。
4.如權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述晶體管的源·漏區(qū)具有低濃度的源·漏區(qū)和高濃度的源·漏區(qū)，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜與上述低濃度源·漏區(qū)和高濃度源·漏區(qū)中的一個(gè)源·漏區(qū)同層，而且用相同的濃度導(dǎo)入與該源·漏區(qū)相同的雜質(zhì)。
5.如權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述晶體管的源·漏區(qū)有低濃度源·漏區(qū)和高濃度源·漏區(qū)，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜備有與上述低濃度源·漏區(qū)同層且用相同濃度導(dǎo)入與該低濃度源·漏區(qū)相同的雜質(zhì)的第一膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜以及與上述高濃度源·漏區(qū)同層且用相同濃度導(dǎo)入與該高濃度源·漏區(qū)相同雜質(zhì)的第二膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜。
6.如權(quán)利要求3～5中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述膜質(zhì)檢查區(qū)有比上述晶體管的源·漏區(qū)大的面積。
7.如權(quán)利要求1或2所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜與上述晶體管的溝道區(qū)同層，而且是與該溝道區(qū)相同的本征半導(dǎo)體膜，或者是用相同的濃度溝道摻雜相同雜質(zhì)的低濃度區(qū)。
8.如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜與上述晶體管的溝道區(qū)同層，而且是與該溝道區(qū)相同的本征半導(dǎo)體膜，或者是用相同濃度溝道摻雜相同雜質(zhì)的低濃度區(qū)。上述膜質(zhì)檢查區(qū)，在上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的表面上備有與上述晶體管的柵絕緣膜同層的膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜。
9.如權(quán)利要求8所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜，從開(kāi)口部露出，所說(shuō)的開(kāi)口部形成在位于上述晶體管的上層的層間絕緣膜和同層的檢查區(qū)側(cè)絕緣膜上。
10.如權(quán)利要求7～9中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于上述膜質(zhì)檢查區(qū)具有比上述晶體管的溝道區(qū)大的面積。
11.如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述膜質(zhì)檢查區(qū)有1mm2以上的面積。
12.如權(quán)利要求2或9所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜形成在包括上述開(kāi)口部的形成區(qū)的區(qū)域上。
13.如權(quán)利要求2或9所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜形成在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)側(cè)。
14.如權(quán)利要求1～13中任一項(xiàng)所述的有源矩陣基板，其特征在于，上述晶體管是薄膜晶體管，在所述基板上形成圖象顯示區(qū)、由該圖象顯示區(qū)從外周側(cè)區(qū)域向上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線進(jìn)行信號(hào)輸出的掃描線驅(qū)動(dòng)電路與數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路、和向該驅(qū)動(dòng)電路供給信號(hào)的多條上述信號(hào)布線，所說(shuō)的圖象顯示區(qū)形成有與該薄膜晶體管的柵電極電連接的掃描線、與該薄膜晶體管的源區(qū)電連接的數(shù)據(jù)線、和與上述薄膜晶體管的漏區(qū)連接的象素電極，上述膜質(zhì)檢查區(qū)形成在不形成上述基板上的上述圖象顯示區(qū)、上述掃描線驅(qū)動(dòng)電路、上述數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路、上述信號(hào)布線的區(qū)域中的至少一個(gè)地方。
15.一種電光學(xué)裝置，其特征在于，在權(quán)利要求14規(guī)定的有源矩陣基板與相對(duì)基板之間夾持著電光學(xué)物質(zhì)。
16.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于至少具有如下工序，在權(quán)利要求3規(guī)定的有源矩陣基板的制造方法中，按該順序形成上述晶體管中所用的半導(dǎo)體膜和柵絕緣膜時(shí)，同時(shí)按該順序，對(duì)應(yīng)該作為上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和檢查區(qū)域側(cè)的柵絕緣膜的工序；形成了用以形成上述晶體管的柵電極的導(dǎo)電膜后，在使該導(dǎo)電膜圖形化形成上述柵電極時(shí)，同時(shí)從上述膜質(zhì)檢查區(qū)側(cè)除去導(dǎo)電膜的工序；在通過(guò)上述柵絕緣膜有選擇地將雜質(zhì)導(dǎo)入上述半導(dǎo)體膜形成上述晶體管的源·漏區(qū)時(shí)，同時(shí)通過(guò)上述檢查區(qū)側(cè)柵絕緣膜，將雜質(zhì)也導(dǎo)入上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的工序；在上述柵電極的表面?zhèn)刃纬缮鲜鰧娱g絕緣膜時(shí)，同時(shí)在上述檢查區(qū)側(cè)，在上述檢查區(qū)側(cè)柵絕緣膜的表面?zhèn)刃纬缮鲜鰴z查區(qū)側(cè)層間絕緣膜的工序；在上述層間絕緣膜上形成對(duì)上述晶體管的接觸孔時(shí)，同時(shí)在上述膜質(zhì)檢查區(qū)，在上述檢查區(qū)側(cè)層間絕緣膜和上述檢查區(qū)側(cè)柵絕緣膜上形成上述開(kāi)口部，使上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜露出的工序。
17.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于至少具有如下工序在權(quán)利要求4規(guī)定的有源矩陣基板的制造方法中，當(dāng)按該順序形成上述晶體管中所用的半導(dǎo)體膜和柵絕緣膜時(shí)，同時(shí)按該順序?qū)?yīng)該作為上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜的工序；在形成了用以形成上述晶體管的柵電極的導(dǎo)電膜后，當(dāng)使該導(dǎo)電膜圖形化形成上述柵電極時(shí)，同時(shí)從上述膜質(zhì)檢查區(qū)側(cè)除去導(dǎo)電膜的工序；通過(guò)上述柵絕緣膜有選擇地將上述高濃度雜質(zhì)和低濃度雜質(zhì)導(dǎo)入上述半導(dǎo)體膜形成上述晶體管的上述低濃度源·漏區(qū)和上述高濃度源·漏區(qū)時(shí)，同時(shí)也通過(guò)上述檢查區(qū)側(cè)柵絕緣膜將上述低濃度雜質(zhì)和上述高濃度雜質(zhì)中的一種雜質(zhì)導(dǎo)入上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的工序；使上述層間絕緣膜形成在上述柵電極的表面?zhèn)葧r(shí)，同時(shí)在上述檢查區(qū)域側(cè)，在上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜的表面?zhèn)刃纬缮鲜鰴z查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜的工序；在上述層間絕緣膜上形成對(duì)上述晶體管的接觸孔時(shí)，同時(shí)在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域，在上述檢查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜和上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜上形成上述開(kāi)口部，使上述膜檢查用半導(dǎo)體膜露出的工序。
18.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于至少包括如下工序在權(quán)利要求5規(guī)定的有源矩陣基板的制造方法中，當(dāng)按該順序形成上述晶體管所用的半導(dǎo)體膜和柵絕緣膜時(shí)，同時(shí)按該順序?qū)?yīng)該作為上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜的工序；在形成用以形成上述晶體管的柵電極的導(dǎo)電膜后，當(dāng)使該導(dǎo)電膜圖形化形成上述柵電極時(shí)，同時(shí)從上述膜質(zhì)檢查區(qū)域側(cè)除去導(dǎo)電膜的工序；通過(guò)上述柵絕緣膜，有選擇地將高濃度雜質(zhì)和低濃度雜質(zhì)導(dǎo)入上述半導(dǎo)體膜，形成上述晶體管的上述低濃度源·漏區(qū)和上述高濃度源·漏區(qū)時(shí)，同時(shí)通過(guò)上述檢查區(qū)側(cè)柵絕緣膜，也有選擇地將上述低濃度雜質(zhì)和上述高濃度雜質(zhì)導(dǎo)入上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜，形成上述第一膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和上述第二膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的工序；在上述柵電極的表面?zhèn)刃纬缮鲜鰧娱g絕緣膜時(shí)，同時(shí)在上述檢查區(qū)域側(cè)，在上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜的表面?zhèn)刃纬缮鲜鰴z查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜的工序；在上述層間絕緣膜上形成對(duì)上述晶體管的接觸孔時(shí)，同時(shí)在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域，在上述檢查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜和上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜上形成上述開(kāi)口部，使上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜露出的工序。
19.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于至少具有下列工序在權(quán)利要求7規(guī)定的有源矩陣基板的制造方法中，按該順序形成上述晶體管所用的半導(dǎo)體膜和柵絕緣膜時(shí)，同時(shí)按該順序?qū)?yīng)該作為上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和檢查區(qū)側(cè)柵絕緣膜的工序；在形成了用以形成上述晶體管的柵電極的導(dǎo)電膜之后，當(dāng)使該導(dǎo)電膜圖形化形成上述柵電極時(shí)，同時(shí)從上述膜質(zhì)檢查區(qū)域側(cè)除去導(dǎo)電膜的工序；在用掩膜覆蓋了上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜的狀態(tài)下，通過(guò)上述柵絕緣膜有選擇地將雜質(zhì)導(dǎo)入上述半導(dǎo)體膜形成上述晶體管的源·漏區(qū)的工序；在上述層間絕緣膜上形成對(duì)上述晶體管的接觸孔時(shí)，同時(shí)在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域，在上述檢查區(qū)域側(cè)層間絕緣膜和上述檢查區(qū)域側(cè)柵絕緣膜上形成上述開(kāi)口部，使上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜露出的工序。
20.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于至少具有下列工序在權(quán)利要求9規(guī)定的有源矩陣基板的制造方法中，在形成上述晶體管的溝道區(qū)和柵絕緣膜時(shí)，對(duì)應(yīng)該作為上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和上述膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜的工序；形成上述晶體管的柵電極并在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域也同時(shí)形成導(dǎo)電膜的工序；通過(guò)規(guī)定的掩膜導(dǎo)入雜質(zhì)形成上述晶體管的源·漏區(qū)的工序；在上述柵電極的表面?zhèn)刃纬缮鲜鰧娱g絕緣膜并在上述檢查區(qū)域側(cè)，在上述導(dǎo)電膜的表面?zhèn)韧瑫r(shí)形成上述檢查區(qū)域側(cè)絕緣膜的工序；在上述層間絕緣膜上形成對(duì)上述晶體管的接觸孔，并在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域同時(shí)形成上述開(kāi)口部，使上述導(dǎo)電膜露出的工序；通過(guò)上述開(kāi)口部蝕刻除去上述導(dǎo)電膜，從上述開(kāi)口部露出上述膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜的工序。
21.一種有源矩陣基板的制造方法，其特征在于，至少具有如下工序在權(quán)利要求9規(guī)定的有源矩陣基板的制造方法中，在形成上述薄膜晶體管的溝道區(qū)和柵絕緣膜時(shí)，對(duì)應(yīng)該作為上述膜質(zhì)檢查區(qū)的區(qū)域形成上述膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜和上述膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜的工序；與上述柵電極和上述掃描線同時(shí)形成用以使上述掃描線和上述數(shù)據(jù)線的至少任一種線彼此電連接的短路用布線，并同時(shí)在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域形成導(dǎo)電膜的工序；通過(guò)規(guī)定的掩膜導(dǎo)入雜質(zhì)形成上述薄膜晶體管的源·漏區(qū)的工序；在上述柵電極和上述掃描線的表面?zhèn)刃纬缮鲜鰧娱g絕緣膜，并在上述檢查區(qū)域側(cè)，在上述導(dǎo)電膜的表面?zhèn)韧瑫r(shí)形成上述檢查區(qū)域側(cè)絕緣膜的工序；與對(duì)上述薄膜晶體管的接觸孔同時(shí)在上述層間絕緣膜上形成使上述短路用布線的予定切斷部分露出的切斷用孔，并在上述膜質(zhì)檢查區(qū)域同時(shí)形成上述開(kāi)口部，使上述導(dǎo)電膜露出的工序；通過(guò)上述切斷用孔，在上述予定切斷部分借助蝕刻切斷上述短路用布線，并通過(guò)上述開(kāi)口部同時(shí)蝕刻除去上述導(dǎo)電膜，使上述膜質(zhì)檢查用柵絕緣膜從該開(kāi)口部露出的工序。
全文摘要
提供能容易且準(zhǔn)確地檢查MIS晶體管的膜質(zhì)的有源矩陣基板、使用它的電光學(xué)裝置以及有源矩陣基板的制造方法。在有源矩陣基板上的未形成圖象顯示區(qū)、掃描線驅(qū)動(dòng)電路、數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)電路、信號(hào)布線等的部分上形成1mm矩形的膜質(zhì)檢查區(qū)80。在該膜質(zhì)檢查區(qū)80,形成與TFT50的高濃度源·漏區(qū)同層而且用相同濃度導(dǎo)入了相同雜質(zhì)的膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c(硅膜),由于該膜質(zhì)檢查用半導(dǎo)體膜1c從層間絕緣膜4、71、72的開(kāi)口部8c露出,所以能立即進(jìn)行膜質(zhì)分析。
文檔編號(hào)H01L21/84GK1269520SQ00106520
公開(kāi)日2000年10月11日 申請(qǐng)日期2000年3月10日 優(yōu)先權(quán)日1999年3月11日
發(fā)明者竹中敏 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社