專(zhuān)利名稱(chēng)：：沉積的微體系結(jié)構(gòu)電池和制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及能量?jī)?chǔ)存系統(tǒng)。更具體地，本發(fā)明涉及沉積的微體系結(jié)構(gòu)電池系統(tǒng)及其設(shè)計(jì)和制造方法。
背景技術(shù)：
：許多微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)需要電能電源。在一些情況中，電力由偶聯(lián)的電池或電池系統(tǒng)提供。如果電池大，則喪失了MEMS器件的尺寸優(yōu)勢(shì)。電極材料、隔離器和電解質(zhì)的物理限制決定了它們要分開(kāi)制造，并隨后將電池與MEMS器件偶聯(lián)。MEMS技術(shù)也已使完全可植入醫(yī)療器械的發(fā)展成為可能。然而，這些設(shè)備的電源可占這些系統(tǒng)高達(dá)85%的重量和35%的體積。最小的商用電池在毫米(mm)范圍內(nèi)，并且利用鋅或鋰的化學(xué)。通常使用不銹鋼殼來(lái)容納流體電解質(zhì)和氣態(tài)反應(yīng)副產(chǎn)物?？芍踩胂到y(tǒng)的進(jìn)一步小型化需要與MEMS制造技術(shù)和與MEMS加工相容的材料和基底具有增強(qiáng)的相容性的新電池技術(shù)。電源的選擇也將不僅依賴(lài)于電化學(xué)。在設(shè)計(jì)過(guò)程中，必須考慮形狀因素、性能、壽命、化學(xué)品的毒性以及熱生成率。這在可植入系統(tǒng)中尤為如此。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一些實(shí)施方案涉及微體系結(jié)構(gòu)電池。這些電池可用于建造微觀(guān)封裝(microscopicfootprint),典型地約為lmm2,并能在制造時(shí)直接集成到MEMS器件中。微體系結(jié)構(gòu)電池具有克服過(guò)去的MEMS能量與電力限制的潛力，并將能夠廣泛利用MEMS器件來(lái)建造用于環(huán)境或生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用的無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò)，這是因?yàn)榭梢越ㄔ炫c該系統(tǒng)其它部件規(guī)模相同的電源。通過(guò)使用改進(jìn)的制造工藝來(lái)沉積電池材料，可降低能量損耗并增加儲(chǔ)存容量，使微電池能具有可與MEMS集成的尺寸且能滿(mǎn)足其壽命需要。圖l是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的包括偶聯(lián)的微機(jī)械加工電池的微機(jī)電系統(tǒng)的示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的微機(jī)械加工電池的截面視圖。圖3是多單個(gè)電池的微機(jī)械加工電池的示意圖。詳細(xì)說(shuō)明MEMS器件可得益于可與MEMS器件一起制造或以與MEMS器件的制造相容的方式制造的薄膜微體系結(jié)構(gòu)沉積電池。微電池可使用用于MEMS器件自身的工藝技術(shù)制造。以此方式，微電池可制造為具有不大于器件自身的封^JC寸，可在MEMS器件的加工過(guò)程中或使用與MEMS器件相同的工藝技術(shù)制造。微電池可直接偶聯(lián)到MEMS器件，省去額外的工藝步驟。其它的微體系結(jié)構(gòu)工藝可應(yīng)用于基底以建造用于電解質(zhì)的空隙、連接或微通道，所述工藝?yán)鐬榧す饧庸?、微鉆孔、微切削或類(lèi)似工藝。雖然關(guān)于適合與MEMS器件組合的電池結(jié)構(gòu)描述了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方案，但是該技術(shù)可放大到更大的尺寸。因此，本發(fā)明可用于設(shè)計(jì)和制造用于集成到恥格大得多的應(yīng)用的電池，這些應(yīng)用包括更大的4更攜設(shè)備例如移動(dòng)電話(huà)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)和膝上型電腦；平板光伏陣列和為各種設(shè)備(包括機(jī)動(dòng)車(chē)輛)供電的大恥洛、高功率方型或巻繞型單電池，或?yàn)殡娋W(wǎng)電能裝置提供負(fù)載均衡。圖1示出MEMS器件10和偶聯(lián)的^UOfe加工電池12。MEMS器件可包括玻璃a基底14，例如二氧化硅(Si02);在基底14上形成的換能器16和電路18，例如在基底14中形成的處理器。蓋20可封閉電路18但露出換能器。本發(fā)明不限于MEMS器件的特定結(jié)構(gòu)或其預(yù)期功能，包括MEMS器件是否為或是否包括換能器，或MEMS器件是否包括處理電路或類(lèi)似結(jié)構(gòu)。因此，MEMS器件實(shí)際上可以是具備電力需求的任意類(lèi)型的MEMS器件。^btO^加工電池12偶聯(lián)到MEMS器件10，且該^L^加工電池12可以例如利用聚合物粘合劑19(如兩部分環(huán)氧樹(shù)脂)粘接到MEMS器件10。圖2以截面圖示出微電池，例如微體系結(jié)構(gòu)電池12。在該實(shí)例中，基底已使用微型金剛石鉆頭加工以在電極之間形成適于容納固體、^或液體電解質(zhì)的空隙。^t體系結(jié)構(gòu)電池12包括第一部分22和第二部分24以及位于兩部分之間的隔離器26。所述兩個(gè)部分分別限定陽(yáng)極和陰極，因此至少在電極材料方面不同。所述兩個(gè)部分可通過(guò)粘合劑(例如快速固化的環(huán)氧樹(shù)月旨)固定在一起，隔離器26設(shè)置在其間。隔離器26可以是由聚合物如Cdgard⑧形成的膜或其它具有納米尺寸孔的聚合物膜，并且可以為約25微米(nm)厚，低至100nm。可利用所述兩部分中的一個(gè)或兩個(gè)中形成的微流體通道28(以虛線(xiàn)示出，因?yàn)樵谝腚娊赓|(zhì)之后這些通道即被密封)引入電解質(zhì)。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，延遲電解質(zhì)的引入，直到MEMS器件^A^運(yùn)行，以增加器件的擱置壽命以及可用壽命。每個(gè)部分22和24可通過(guò)將電極材料30沉積到基底32上來(lái)形成。有利的是,合適的集電器結(jié)構(gòu)34也在電極沉積過(guò)程中或作為后續(xù)過(guò)程沉積在基底32上。集電器34可形成為包括導(dǎo)電搭接頭36，以允許待偶聯(lián)到MEMS器件10的電池的輸出。電極活性材料的沉積可通過(guò)激光加工(例如Nd-YAG激光器或其它類(lèi)型的激光器)與脈沖激光沉積(PLD)、電子束沉積(EBD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)流體沉積(CFD)或電鍍或以上任意組合的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。在一個(gè)實(shí)例中，不限制^t體系結(jié)構(gòu)電池12的一般性質(zhì)，可通過(guò)首先使用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)和印制技術(shù)形成掩模而制備用于陽(yáng)極和陰極的基底32。可將光致抗蝕劑旋涂于空白基底母料上(如晶片材料)，并使用紫外(UV)暴光或其它方法固化。光致抗蝕劑可通過(guò)溶劑選擇性地移除。然后可以使用蝕刻劑將基底蝕刻到期望的深度，所述蝕刻劑例如為氫氟酸(HF)，或者其它能均一且可控地移除材料的蝕刻劑。作為濕法蝕刻的一個(gè)替代方案，可用激光燒蝕來(lái)蝕刻基底。激光燒蝕能夠提供更少的加工步驟和更快的加工速度。然而，濕法蝕刻可提供對(duì)蝕刻深度和空腔幾何深度更好的控制。第一部分22(在該實(shí)例中為鋅(Zn)陽(yáng)極)可通過(guò)利用三個(gè)金屬沉積步驟形成。用于粘合的鎳(Ni)層(未示出)或其它金屬或金屬氧化物材料可沉積在蝕刻的差^底上，然后沉積金(An)或其它導(dǎo)電集電器(如集電器34)。然后沉積用于活性材料(如電極材料30)的鋅層。在該實(shí)施方案中，經(jīng)由氣霧噴涂沉積懸浮于石油或其它蒸餾物中的Zn納米顆粒來(lái)沉積鋅(Zn)。第二部分24(在該實(shí)例中為氧化銀(AgO)陰極)可利用三個(gè)金屬沉積步驟形成。將用于粘合的鎳(Ni)層(未示出)或其它金屬或金屬氧化物材料沉積在蝕刻的基底上，然后沉積金(Au)或其它導(dǎo)電集電器(如集電器34)。然后沉積用于活性材料(如電極材料30)的銀層。在設(shè)置銀活性材料之后，將銀氧化為氧化銀。氧化過(guò)程通過(guò)將該結(jié)構(gòu)浸在過(guò)氧化氫(H202)中直至#1#料被充分氧化而實(shí)現(xiàn)?；蛘撸饘俚难趸赏ㄟ^(guò)將膜在臭氧氛(03)中暴露于UV射線(xiàn)而實(shí)現(xiàn)。為此目的，可利用其它氧化劑或氣氛，利如在金屬沉積過(guò)程中將基底膜暴露于氧(02)?？梢允褂萌魏芜m當(dāng)?shù)慕饘俪练e技術(shù)。PVD較其它工藝可提供更快的厚(大于10nm)金屬層沉積。作為一個(gè)替代方案，對(duì)于所iiM，如果所需的活性材料的厚M過(guò)經(jīng)由PVD或賊鍍所能夠?qū)崿F(xiàn)的厚度，也可使用電鍍。集電器的厚度通常小于活性材料的厚度，并可通過(guò)任何適當(dāng)?shù)募夹g(shù)形成。化學(xué)流體沉積提供低溫加工的優(yōu)勢(shì)，并可減少加工步驟的數(shù)目。雖然可使用燒結(jié)來(lái)將4N^末沉積到^^底上，但是由于所需的加工溫度，該工藝可能是較不期望的。最終電極結(jié)構(gòu)的表面光潔度強(qiáng)烈取決于基底的溫度和所用的蒸發(fā)技術(shù)。PVD在較低的基底溫度下進(jìn)行，生成的基底具有較高孔隙度和更松脧的表面光潔度。所沉積的膜可以是無(wú)定形的，并且可能需要后續(xù)加熱以引起再結(jié)晶。對(duì)于采用液體電解質(zhì)的電池電極而言，多孔結(jié)構(gòu)是有益的，這是因?yàn)樘峁┝嘶钚员砻鎱^(qū)域和電解質(zhì)可透過(guò)性，并同時(shí)保持電導(dǎo)率和機(jī)械完整性。如果需要，可在晶片或其它基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)上制備多個(gè)基底。在蝕刻之后，按需要完成金屬沉積和氧化步驟，以獲得合適的比能量功率特性和重量能量功率特性(energyandpowercharacteristics).各個(gè)基底可利用標(biāo)準(zhǔn)的切削技術(shù)從晶片分離。在陽(yáng)極部分的切割過(guò)程中不應(yīng)使用冷卻水，以防止鋅氧化。亞毫米直徑通道或孔28(例如，直徑為約100jim)在基底32中形成，以允許將電解質(zhì)例如氫氧化鉀(KOH)、碳酸二乙酯(DEC)、碳酸二甲酯(DMC)、碳酸亞乙酯(EC)、碳酸曱乙酯(EMC)、碳酸亞丙酯(PC)或其它傳導(dǎo)離子且為電中性的電解質(zhì)引入已完成的微體系結(jié)構(gòu)電池結(jié)構(gòu)12中，同時(shí)將空氣排出。作為一個(gè)替代方案，可使用皿型電解質(zhì)，并且在所述部分的接合和密封過(guò)程中將其封閉在微電池結(jié)構(gòu)中，或者可在之后7利用形成于基底中的適于此目的的通路將其插入?？墒褂胇Ofe鉆孔或化學(xué)鉆孔來(lái)形成孔28。任選的玻璃通道(未示出)可插入到形成的洞中，并且利用快速固化的環(huán)氧樹(shù)脂固定于其中。在引入電解質(zhì)之后，可將玻璃通道(如果存在的話(huà))可從封裝切掉,一并使用環(huán)氧樹(shù)脂密封孔28。在前面的實(shí)例中，各個(gè)基底在組裝成電池結(jié)構(gòu)之前是分開(kāi)的?？稍诜珠_(kāi)之前組裝多個(gè)電池。在金屬沉積步驟完成之后，可以在一個(gè)或兩個(gè)晶片上設(shè)置粘合劑，例如一種或更多種干粘合劑片或絲網(wǎng)印刷的濕粘合劑。然后可以將晶片以晶片-粘合劑-隔離器-粘合劑-晶片夾層的形式組合在一起，使粘合劑固化，然后將各個(gè)電池分開(kāi)。微機(jī)械加工電池的多次處理還允許制造多個(gè)單電池的微機(jī)械加工電池。在分開(kāi)工藝過(guò)程中，可使多個(gè)單電池保持^^狀態(tài)(參見(jiàn)圖3中示出的電池的單電池12，)。在集電器34和導(dǎo)電##頭36的形成過(guò)程中，導(dǎo)電搭接頭可形成連接多個(gè)單電池(參見(jiàn)導(dǎo)電搭接頭36，)以為多個(gè)單電池的微;W^加工電JiMl供單一輸出'實(shí)際的電極、電解質(zhì)和隔離器材料可針對(duì)應(yīng)用進(jìn)行選擇，并可使用已知的優(yōu)化技術(shù)進(jìn)行改進(jìn)。一種這樣的優(yōu)化技術(shù)由Albano等人在DesignofanImplantablePowerSupplyforanIntraocularSensor,UsingPOWER(PowerOptimizationforWirelessEnergyRequirements)和Cook等A^tPOWER(poweroptimizationforwirelessenergyrequirements):AMATLABbasedalgorithmfordesignofhybridenergysystems(JournalofPowerSources159(2006)758-780)中進(jìn)行了描述。鎳單電池化學(xué)具有射頻可充電的優(yōu)點(diǎn)。銀單電池化學(xué)可增強(qiáng)可靠性并提供放電電流穩(wěn)定性。薄膜技術(shù)(包括鋰化學(xué))在與MEMS器件組合時(shí)因在MEMS加工中可能需要高加工溫度而具有潛在的加工困難。然而，一些單電池化學(xué)可能能夠經(jīng)受高達(dá)2001C的溫度。將#械加工電池12掩^到MEMS器件10的聚合物與珪的粘接可通過(guò)首先用蒸發(fā)的金涂覆兩個(gè)部分而得到增強(qiáng)。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)氮化硅膜也可增強(qiáng)粘接。已知金與硅可生成低共熔化合物，該化合物具有較其純金屬低得多的熔點(diǎn)。#^工藝中生成液體膜，該液體膜在冷卻和固化之后將兩個(gè)部分粘接起來(lái)。才艮據(jù)本發(fā)明的電池的實(shí)施方案可具有以下特征的一個(gè)或更多個(gè)1)在制造MEMS器件的同時(shí)形成并與之集成；2)小型、輕質(zhì)，能夠建造自動(dòng)和遠(yuǎn)程的傳感器網(wǎng)絡(luò)；3)表現(xiàn)出高的重量和體積能量和功率以及法拉第效率，優(yōu)于電勢(shì)滿(mǎn)足(~27mWh/em2)的商業(yè)電池；4)由于高精確制造，具有低內(nèi)阻和低電力泄露；5)薄膜沉積的電極；6)可堆疊和/或?qū)雍系碾姌O以獲得更高的電壓；7)適于作為薄膜平板單電池、方型單電池堆、柱型單電池或螺旋巻繞型單電池的結(jié)構(gòu)；8)可修改成一次或二次電化學(xué)；9)與固體薄膜電解質(zhì)或電解質(zhì)的液體或:^溶、;M目容；10)能夠氣密性密封；11)能降低成本地大量生產(chǎn)；12)可放大到宏，見(jiàn)電池尺寸。雖然根據(jù)本文描述的實(shí)施方案的電池在MEMS器件中的應(yīng)用是明顯的，但是其技術(shù)完全可放大，并且大規(guī)模的沉積電池是可能和期望的。用于小電池的本發(fā)明技術(shù)的示范示出并證實(shí)了該方法。因此，本發(fā)明和本發(fā)明的實(shí)施方案拔:供A)用于尺寸顯著減小和能量和功率性能顯著提高的MEMS的優(yōu)化電源設(shè)計(jì)和構(gòu)造，其允許在器件制造的同時(shí)或制造完成之后進(jìn)行集成；B)—種基于薄膜沉積的制造技術(shù)，其允許制造小規(guī)模、低成本和可集成的CMOS系統(tǒng)；C)微電池堆、布置和多單電池結(jié)構(gòu)的容量和壽命的^it;和D)用于在剛性或柔性基底上形成^^見(jiàn)電極膜以及通過(guò)向所述基底應(yīng)用微體系結(jié)構(gòu)化技術(shù)來(lái)形成液體、皿或固體電解質(zhì)空隙的工藝。雖然關(guān)于可用于故障保護(hù)器件的安裝組件的幾個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案描述了本發(fā)明，但是應(yīng)理解，本發(fā)明不限于這些器件。其發(fā)明構(gòu)思可應(yīng)用于許多器件和結(jié)構(gòu)。此外，盡管以組合方式顯示并描述了各實(shí)施方案的特征，但是這些特征可單獨(dú)地實(shí)施，每個(gè)這樣的單獨(dú)實(shí)施均在本發(fā)明的范圍內(nèi)。盡管本公開(kāi)容許各種修改方案和替換形式，但是以舉例的方式在附圖中和本文中描述的實(shí)施方案中示出某些實(shí)施方案。然而，應(yīng)當(dāng)理解，開(kāi)無(wú)意于將本發(fā)明限制于描述的特定形式，相反，本發(fā)明意于覆蓋由所附權(quán)利要求所定義的所有修改方案、替代方案和等同物。還應(yīng)理解，除非在本專(zhuān)利中使用語(yǔ)句"本文所用的術(shù)語(yǔ)"—"在此定義為指..."或類(lèi)似的語(yǔ)句來(lái)清楚地定義術(shù)語(yǔ)，則無(wú)意于以明顯或暗示的方式將該術(shù)語(yǔ)的含義限定為超過(guò)其清楚或通常的含義，并且該術(shù)語(yǔ)不應(yīng)被解讀為限定在基于本專(zhuān)利的任何部分中的任何陳述的范圍內(nèi)(除權(quán)利要求的語(yǔ)言外)。就本專(zhuān)利所附的權(quán)利要求中記載的任何術(shù)語(yǔ)來(lái)說(shuō)，在本專(zhuān)利里指單一的含義，這只是為了清ft^見(jiàn)以不4吏讀者困惑，并且無(wú)意于通過(guò)暗示或其它方式將該權(quán)利要求術(shù)語(yǔ)限定于單一的含義。除非用詞語(yǔ)"意思是"和無(wú)任何結(jié)構(gòu)記栽的功能來(lái)定義權(quán)利要求的要素，則無(wú)意于基于35U.S.C.§112的第六段來(lái)解讀任何權(quán)利要求要素的范圍。10權(quán)利要求1.一種電池，包括第一部分，所述第一部分包括基底，所述基底上形成有薄膜集電器和以高度多孔的微結(jié)構(gòu)為特征并通過(guò)物理氣相沉積工藝提供的薄膜陽(yáng)極電極材料；第二部分，所述第二部分包括基底，所述基底上形成有薄膜集電器和以高度多孔的微結(jié)構(gòu)為特征并通過(guò)物理氣相沉積工藝提供的薄膜陰極電極材料；和所述第一部分偶聯(lián)到所述第二部分，并且在所述第一部分和所述第二部分之間放置有隔離器以將所述陽(yáng)極電極材料與所述陰極電極材料隔開(kāi)。2.權(quán)利要求l所述的電池，其中所述薄膜陽(yáng)極電極材料和所述薄膜陰極電極材料各自包含高度多孔的微結(jié)構(gòu)。3.權(quán)利要求l所述的電池，其包括與所述陽(yáng)極電極材料、所述陰極電極材料和所述隔離器接觸的電解質(zhì)。4.權(quán)利要求l所述的電池，每個(gè)基底包含玻璃，所述玻璃被蝕刻或燒蝕以提供分別容納所述集電器和所述陽(yáng)極或陰極電極材料的空腔。5.權(quán)利要求l所述的電池，所述玻璃包含硅的氧化物。6.權(quán)利要求l所述的電池，所述陽(yáng)極電極材料包括選自鋅；鋰金屬(Li)、石墨(C)、中間相碳微球(MCMB);或其它碳嵌入化合物的材料。7.權(quán)利要求l所述的電池，所述陰極電極材料包括選自氧化銀；鋰錳氧化物(LiMn204)、鋰鐵鱗酸鹽(LiFeP04)、LiNixCoyAlz02和LiNixCoyMnz02的材料。8.權(quán)利要求l所述的電池，所述電解質(zhì)材料包括材料氫氧化鉀(KOH)、碳酸二乙酯(DEC)、碳酸二甲酯(DMC)、碳酸亞乙酯(EC)、碳酸甲乙酯(EMC)、碳酸亞丙酯(PC),或其它傳導(dǎo)離子且為電中性的電解質(zhì)。9.一種MEMS系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括其中或其上設(shè)置有MEMS器件的基底和直接沉積于所述基底、器件芯片或芯片載體上并與所述MEMS器件電偶聯(lián)的微電池。10.權(quán)利要求9所述的MEMS系統(tǒng)，其中所述微電池直接形成于基底、所述MEMS器件的器件芯片或芯片栽體上。11.權(quán)利要求9所述的MEMS器件，其中所述微體系結(jié)構(gòu)電池通過(guò)粘合劑粘接到所述基底。12.權(quán)利要求9所述的MEMS器件，其中所述粘合劑是聚合物粘合劑。13.權(quán)利要求9所述的MEMS器件，其中向所述基底和所述微機(jī)械加工電池中的至少一個(gè)施加粘合劑改性涂層。14.權(quán)利要求9所述的MEMS器件，其中所述粘合劑改性涂層包括金屬、金屬氧化物或陶瓷層。15.權(quán)利要求9所述的MEMS器件，其中所述粘合劑改性涂層包括金層或等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)氮化珪膜。16.—種微體系結(jié)構(gòu)電池，其包括與一個(gè)或更多個(gè)其它的微體系結(jié)構(gòu)單電池偶聯(lián)的第一微體系結(jié)構(gòu)單電池。17.權(quán)利要求9所述的微體系結(jié)構(gòu)電池，其中所述第一微體系結(jié)構(gòu)單電池和任意其它的微體系結(jié)構(gòu)單電池形成于共用基底上。18.權(quán)利要求9所述的微體系結(jié)構(gòu)電池，其中所述第一微體系結(jié)構(gòu)電池的單電池和任意其它微體系結(jié)構(gòu)單電池以串聯(lián)或并聯(lián)方式電偶聯(lián)。19.一種制造電池的方法，包括蝕刻或燒蝕第一基底以形成第一空腔；在所述第一空腔中設(shè)置集電器材料和陽(yáng)極電極材料；蝕刻或燒蝕第二基底的一部分以形成第二空腔；在所述第二空腔中設(shè)置集電器材料和陰極電極材料；在所述第一基底和所述第二基底之間提供隔離器，所述隔離器將所述陽(yáng)極材料與所述陰極材料隔開(kāi)。20.權(quán)利要求19所述的方法，包括提供與所述陽(yáng)極電極材料、所述陰極電極材料和所述隔離器接觸的電解質(zhì)。21.權(quán)利要求19所述的方法，其中蝕刻或燒蝕第一基底和蝕刻或燒蝕第二基底包括使用或不使用掩模的蝕刻或通過(guò)應(yīng)用激光的燒蝕。22.權(quán)利要求19所述的方法，其中設(shè)置陽(yáng)極和陰極材料包括使用化學(xué)氣相沉積、等離子體氣相沉積、化學(xué)流體沉積、電鍍、燒結(jié)或?yàn)R鍍。23.權(quán)利要求19所述的方法，其中接合所述第一基底和所述第二基底包括粘接所述第一基底與所述第二基底。全文摘要一種電池，其包括第一部分，所述第一部分包括其上形成有集電器和陽(yáng)極電極材料的基底。第二部分形成于基底上，并包括集電器和陰極電極材料。所述第一部分接合于所述第二部分且在接合的所述第一部分和所述第二部分之間設(shè)置有隔離器，以將所述陽(yáng)極電極材料與陰極電極材料隔開(kāi)。電解質(zhì)放置為與所述陽(yáng)極電極材料、所述陰極電極材料以及所述隔離器接觸。文檔編號(hào)H01M4/60GK101669235SQ200880014030公開(kāi)日2010年3月10日申請(qǐng)日期2008年3月31日優(yōu)先權(quán)日2007年3月30日發(fā)明者安·瑪麗·薩斯特里,法比奧·阿爾巴諾申請(qǐng)人:密執(zhí)安州立大學(xué)董事會(huì)